Littérature scientifique sur le sujet « Dry etch »
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Articles de revues sur le sujet "Dry etch"
Lee, Jong Seok, Geun Min Choi, Ji Nok Jung, Dong Duk Lee, Gin Yung Hur, Jai Ho Lee, Che Hyuk Chi et Dae Hee Gimm. « Development of a Integrated Dry/Wet Hybrid Cleaning System ». Solid State Phenomena 195 (décembre 2012) : 21–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.195.21.
Texte intégralCastro, Marcelo S. B., Sebastien Barnola et Barbara Glück. « Selective and Anisotropic Dry Etching of Ge over Si ». Journal of Integrated Circuits and Systems 8, no 2 (28 décembre 2013) : 104–9. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v8i2.380.
Texte intégralPARK, JONG CHEON, JIN KON KIM, TAE GYU KIM, DEUG WOO LEE, HYUN CHO, HYE SUNG KIM, SU JONG YOON et YEON-GIL JUNG. « DRY ETCHING OF SnO2 AND ZnO FILMS IN HALOGEN-BASED INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS ». International Journal of Modern Physics B 25, no 31 (20 décembre 2011) : 4237–40. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979211066660.
Texte intégralLenzi, Tathiane Larissa, Fabio Zovico Maxnuck Soares et Rachel de Oliveira Rocha. « Does Bonding Approach Influence the Bond Strength of Universal Adhesive to Dentin of Primary Teeth ? » Journal of Clinical Pediatric Dentistry 41, no 3 (1 janvier 2017) : 214–18. http://dx.doi.org/10.17796/1053-4628-41.3.214.
Texte intégralSzweda, Roy. « Dry etch processes for optoelectronic devices ». III-Vs Review 14, no 1 (janvier 2001) : 42–47. http://dx.doi.org/10.1016/s0961-1290(01)89007-4.
Texte intégralChiang, Chao-Ching, Xinyi Xia, Jian-Sian Li, Fan Ren et Stephen J. Pearton. « Selective Wet and Dry Etching of NiO over β-Ga2O3 ». ECS Transactions 111, no 2 (19 mai 2023) : 73–83. http://dx.doi.org/10.1149/11102.0073ecst.
Texte intégralAltamirano-Sanchez, Efrain, Yoko Yamaguchi, Jeffrey Lindain, Naoto Horiguchi, Monique Ercken, Marc Demand et Werner Boullart. « Dry Etch Fin Patterning of a Sub-22nm Node SRAM Cell : EUV Lithography New Dry Etch Challenges ». ECS Transactions 34, no 1 (16 décembre 2019) : 377–82. http://dx.doi.org/10.1149/1.3567607.
Texte intégralFarrow, Woodrow D., et Jay Richman. « Summary Abstract : Advanced dry etch processing with a DRY pump ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 6, no 3 (mai 1988) : 1263. http://dx.doi.org/10.1116/1.575686.
Texte intégralHeidenblut, Maria, D. Sturm, Alfred Lechner et Franz Faupel. « Characterization of Post Etch Residues Depending on Resist Removal Processes after Aluminum Etch ». Solid State Phenomena 145-146 (janvier 2009) : 349–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.145-146.349.
Texte intégralKang, In Ho, Wook Bahng, Sung Jae Joo, Sang Cheol Kim et Nam Kyun Kim. « Post Annealing Etch Process for Improved Reverse Characteristics of 4H-SiC Diode ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 663–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.663.
Texte intégralThèses sur le sujet "Dry etch"
Nilgianskul, Tan. « Control of a semiconductor dry etch process using variation and correlation analyses ». Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2016. http://hdl.handle.net/1721.1/107025.
Texte intégralThis electronic version was submitted by the student author. The certified thesis is available in the Institute Archives and Special Collections.
Cataloged from student-submitted PDF version of thesis.
Includes bibliographical references (pages 67-69).
Statistical process control (SPC) is one of the traditional quality control methods that, if correctly applied, can be effective to improve and maintain quality and yield in any manufacturing facility. The purpose of this project is to demonstrate how to effectively apply SPC to a dry etch process (in this case plasma ashing), at Analog Devices, Inc., a company that runs large-scale fabrication sites in the Boston area. This thesis focuses on spatial and run-to-run variation across multiple measurement sites on a wafer and validates the assumptions of normality and correlation between sites within a wafer in order to justify and confirm the value of employing SPC theories to the plasma ashing process. By plotting control charts on past data, outlier data points are detected using Analog's current monitoring system. Further, irregularities in the process that would not have been detected using traditional x-bar Shewhart charts are detected by monitoring non-uniformity. Finally, cost analysis suggests that implementing SPC would be a modest investment relative to the potential savings.
by Tan Nilgianskul.
M. Eng. in Manufacturing
Muthukrishnan, N. Moorthy. « Characterization and modeling of dry etch processes for titanium nitride and titanium films in Cl₂/N₂ and BCl₃ plasmas ». Diss., This resource online, 1996. http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-06062008-151045/.
Texte intégralCatala, Antoine. « Gravure Plasma du Nitrure de Gallium pour la réalisation de micro LEDs à hautes performances ». Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT041.
Texte intégralThrough the development of the internet of things and virtual and augmented reality, increase of microdisplay need appeared. Gallium Nitride (GaN) microLED (µLED) seem to be a promising solution thanks to its electro-optical properties like its wide direct band gap. Nevertheless, GaN µLED efficiency drop significantly when their size shrinks, due to damages induced by singularization process.This thesis aims to understand GaN damages apparition during the plasma etching process and then their reduction. To study mesas sidewall damage after the etching, a new experimental set up using cathodoluminescence has been developed. A standard process using Cl2/BCl3/Ar chemistry is studied to characterize GaN damages. Then through a dichotomy of the chemistry, chlorine turns out to be the main damaging species within the plasma, both on sidewall and bottom trench. Plasma parameters (density and ion bombardment energy) and the damaging effect of the hard mask material have been studied with a plasma chemistry reduced to chlorine only. Noting divergent results with the ones reported in the literature, a comparative study between plan c Ga and N polarities have been carried. This study highlight that N face GaN is mainly damaged by plasma chemical component (reactive species) while Ga face GaN is by plasma physical component (ion bombardment). An etching mechanism is finally proposed to explain those differences
Villa, Katherine. « The use of wet-to-dry dressings for mechanical debridement ». Honors in the Major Thesis, University of Central Florida, 2013. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETH/id/928.
Texte intégralB.S.N.
Bachelors
Nursing
Nursing
Hamlett, Anna. « Human trafficking : a modern day slavery ». Honors in the Major Thesis, University of Central Florida, 2009. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETH/id/1270.
Texte intégralBachelors
Sciences
Political Science
Torres, Gabriella. « An exploratory study : romanticism in modern day men and women ». Honors in the Major Thesis, University of Central Florida, 2010. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETH/id/1509.
Texte intégralBachelors
Sciences
Psychology
Miniello, Jonathan. « Missing the consequences misperceptions of the 1967 six-day israeli-arab war ». Honors in the Major Thesis, University of Central Florida, 2011. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETH/id/478.
Texte intégralB.S.
Bachelors
Sciences
Psychology
Ahmed, Shameem. « Day in and day out : women's experience in the family and the reconstruction of their secondary status ». Thesis, McGill University, 1991. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=59959.
Texte intégralGuijarro, de Ortiz Myriam. « Literacy Activities that Parents of Preschool Children Attending Day Care Promote at Home and Community Settings ». Honors in the Major Thesis, University of Central Florida, 2005. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETH/id/760.
Texte intégralBachelors
Education
Exceptional Education
Alabed, Hadhom Mohamed. « The effects of fasting for a single day, and during Ramadan, upon performance ». Thesis, Liverpool John Moores University, 2010. http://researchonline.ljmu.ac.uk/5958/.
Texte intégralLivres sur le sujet "Dry etch"
Deepak, Ranadive, et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. Dry etch technology : 9-10-September 1991, San Jose, California. Bellingham, Wash : SPIE, 1992.
Trouver le texte intégralAndrews, Mark. Dry suit diver manual. [United States?] : PSA International, 2005.
Trouver le texte intégralRowney, Eddie. The guide to dry stone walling. [Middlesbrough?] : E. Rowney, 2000.
Trouver le texte intégralRoss, Kathy. Every day is Earth Day. Brookfield, Conn : Millbrook Press, 1994.
Trouver le texte intégralHenry, Mitchell. Any day. Bloomington : Indiana University Press, 1997.
Trouver le texte intégralRoss, Kathy. Every day is Earth Day : A craft book. Brookfield, Conn : Millbrook Press, 1994.
Trouver le texte intégralRoss, Kathy. Every day is Earth Day : A craft book. Brookfield, Conn : Millbrook Press, 1995.
Trouver le texte intégralEdward, Miller. Recycling day. New York : Holiday House, 2015.
Trouver le texte intégralParker, Marjorie. Jasper's day. Toronto : Kids Can Press, 2002.
Trouver le texte intégralParker, Marjorie. Jasper's day. Toronto : Kids Can Press, 2002.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Dry etch"
van Roosmalen, A. J., J. A. G. Baggerman et S. J. H. Brader. « Etch Processes ». Dans Dry Etching for VLSI, 99–135. Boston, MA : Springer US, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-2566-4_6.
Texte intégralPearton, S. J., et R. J. Shul. « Dry Etch Damage in Widegap Semiconductor Materials ». Dans Defects in Optoelectronic Materials, 87–143. Boca Raton : CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9780367811297-5.
Texte intégralMansfield, William M. « Enhancement of Dry-Etch Resistance of Poly(butene-1 sulfone) ». Dans Polymers for High Technology, 317–33. Washington, DC : American Chemical Society, 1987. http://dx.doi.org/10.1021/bk-1987-0346.ch027.
Texte intégralClaes, Martine, Quoc Toan Le, J. Keldermans, E. Kesters, Marcel Lux, A. Franquet, Guy Vereecke et al. « Photoresist Characterization and Wet Strip after Low-k Dry Etch ». Dans Solid State Phenomena, 325–28. Stafa : Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/3-908451-46-9.325.
Texte intégralSchaedeli, U., M. Hofmann, E. Tinguely et N. Münzel. « A Top-Surface Imaging Approach Based on the Light-Induced Formation of Dry-Etch Barriers ». Dans ACS Symposium Series, 299–317. Washington, DC : American Chemical Society, 1995. http://dx.doi.org/10.1021/bk-1995-0614.ch020.
Texte intégralIto, Hiroshi, Mitsuru Ueda et Mayumi Ebina. « Copolymer Approach to Design of Sensitive Deep-UV Resist Systems with High Thermal Stability and Dry Etch Resistance ». Dans ACS Symposium Series, 57–73. Washington, DC : American Chemical Society, 1989. http://dx.doi.org/10.1021/bk-1989-0412.ch004.
Texte intégralClaes, M., Vasile Paraschiv, S. Beckx, M. Demand, W. Deweerd, Sylvain Garaud, H. Kraus et al. « Selective Wet Removal of Hf-Based Layers and Post-Dry Etch Residues in High-k and Metal Gate Stacks ». Dans Solid State Phenomena, 93–96. Stafa : Trans Tech Publications Ltd., 2005. http://dx.doi.org/10.4028/3-908451-06-x.93.
Texte intégralBreuker, Remco E. « North Korean Slavery and Forced Labor in Present-Day Europe ». Dans The Palgrave Handbook of Global Slavery throughout History, 643–60. Cham : Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-13260-5_36.
Texte intégralMohammed, S. G., M. Halliru, J. M. Jibrin, I. Kapran et H. A. Ajeigbe. « Impact Assessment of Developing Sustainable and Impact-Oriented Groundnut Seed System Under the Tropical Legumes (III) Project in Northern Nigeria ». Dans Enhancing Smallholder Farmers' Access to Seed of Improved Legume Varieties Through Multi-stakeholder Platforms, 81–96. Singapore : Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-8014-7_6.
Texte intégralLeape, Lucian L. « A Community of Concern : The Massachusetts Coalition for the Prevention of Medical Errors ». Dans Making Healthcare Safe, 105–25. Cham : Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-71123-8_8.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Dry etch"
Cho, Kyoung Y., et Dong W. Im. « ECR plasma and etch characterization of photoresist dry etch processes ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56918.
Texte intégralTurner, Terry R. « Correlation of real-time-monitored process module parameters and wafer results ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56921.
Texte intégralNulty, James E., et Joseph A. Maher. « Application-specific integrated processing for ULSI ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56920.
Texte intégralYoneda, Masahiro, K. Kawai, Hiroshi Miyatake, Nobuo Fujiwara, K. Nishioka et Haruhiko Abe. « Evaluation of silicon surface damage induced by plasma radiation ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56910.
Texte intégralNamura, Takashi, Hirofumi Uchida, Hiroyuki Okada, Atsushi Koshio, Satoshi Nakagawa, Yoshihiro Todokoro et Morio Inoue. « Wafer charging in different types of plasma etchers ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56911.
Texte intégralHasan, Zia, Joseph A. Maher, James E. Nulty et Larry Krynski. « In-situ auto ash : a key to reducing process-generated particles ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56912.
Texte intégralReinhardt, Karen A., et Francois M. Dumesnil. « Characterization of silicon damage during LDD oxide spacer etch with the use of thermal-wave-modulated reflectance ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56913.
Texte intégralMiyatake, Hiroshi, K. Kawai, Nobuo Fujiwara, Masahiro Yoneda, K. Nishioka et Haruhiko Abe. « Surface contamination control during plasma etching ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56914.
Texte intégralTanimoto, Keisuke, Hiroyuki Komeda, Daisuke Takehara, Ryohei Kawabata et Hikou Shibayama. « Consideration on the resolution limit of the resist silylated process ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56915.
Texte intégralNicolau, Dan V., Gheorghita Jinescu, Florin Fulga et Mircea V. Dusa. « Mathematical model of the plasma etching of resists containing silicon ». Dans Dry Etch Technology, sous la direction de Deepak Ranadive. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56916.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Dry etch"
Ohta, Taisuke. LaB6 nanostructures - wet vs dry etch. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), janvier 2019. http://dx.doi.org/10.2172/1491599.
Texte intégralZhang, Linlin, Xiaoming Xi, Xihua Liu, Xinjie Qu, Qing Wang, Haihao Cao, Limin Wang et al. Should aerobic and resistance training interventions for Multiple sclerosis be performed on the same day : A protocol for systematic review and network meta-analysis. INPLASY - International Platform of Registered Systematic Review and Meta-analysis Protocols, décembre 2021. http://dx.doi.org/10.37766/inplasy2021.12.0126.
Texte intégralMarlow, Thomas. PR-000-18COMP-R03 Damage Prevention Compendium. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), janvier 2019. http://dx.doi.org/10.55274/r0011548.
Texte intégralGreaney, Carrie. PR-000-18COMP-R04 Geohazards Compendium. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), janvier 2019. http://dx.doi.org/10.55274/r0011549.
Texte intégralMarlow, Thomas, Laurie Perry (Archived) et Carrie Greaney. PR-000-18COMP-R05 Horizontal Directional Drilling Compendium. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), janvier 2019. http://dx.doi.org/10.55274/r0011550.
Texte intégralMarlow, Thomas. PR-000-18COMP-R06 Pipeline Repair Compendium. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), janvier 2019. http://dx.doi.org/10.55274/r0011551.
Texte intégralMarlow, Thomas. PR-000-18COMP-R02 Composite Repairs Compendium. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), janvier 2019. http://dx.doi.org/10.55274/r0011547.
Texte intégralChoquette, Gary. PR-000-18COMP-R01 Gas Engine Emissions Compendium. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), janvier 2019. http://dx.doi.org/10.55274/r0011546.
Texte intégralChoquette, Gary. PR-000-21COMP-R04 Valve Spacing and Automation Compendium. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), septembre 2021. http://dx.doi.org/10.55274/r0012149.
Texte intégralRipey, Mariya. NUMBERS IN THE NEWS TEXT (BASED ON MATERIAL OF ONE ISSUE OF NATIONWIDE NEWSPAPER “DAY”). Ivan Franko National University of Lviv, mars 2021. http://dx.doi.org/10.30970/vjo.2021.50.11106.
Texte intégral