Littérature scientifique sur le sujet « Double Heterojunction Bipolar Transistor »
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Articles de revues sur le sujet "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Magno, R., J. B. Boos, P. M. Campbell, B. R. Bennett, E. R. Glaser, B. P. Tinkham, M. G. Ancona, K. D. Hobart, D. Park et N. A. Papanicolaou. « InAlAsSb∕InGaSb double heterojunction bipolar transistor ». Electronics Letters 41, no 6 (2005) : 370. http://dx.doi.org/10.1049/el:20058107.
Texte intégralYan, B. P., C. C. Hsu, X. Q. Wang et E. S. Yang. « InGaP∕GaAs0.94Sb0.06∕GaAs double heterojunction bipolar transistor ». Electronics Letters 38, no 6 (2002) : 289. http://dx.doi.org/10.1049/el:20020201.
Texte intégralLIU, QINGMIN, SURAJIT SUTAR et ALAN SEABAUGH. « TUNNEL DIODE/TRANSISTOR DIFFERENTIAL COMPARATOR ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, no 03 (septembre 2004) : 640–45. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002600.
Texte intégralChang, P. C., A. G. Baca, N. Y. Li, X. M. Xie, H. Q. Hou et E. Armour. « InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor ». Applied Physics Letters 76, no 16 (17 avril 2000) : 2262–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.126315.
Texte intégralCoquillat, D., V. Nodjiadjim, S. Blin, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, P. Nouvel et al. « High-Speed Room Temperature Terahertz Detectors Based on InP Double Heterojunction Bipolar Transistors ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 25, no 03n04 (septembre 2016) : 1640011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156416400115.
Texte intégralPelouard, J.-L., P. Hesto et R. Castagné. « Monte-Carlo study of the double heterojunction bipolar transistor ». Solid-State Electronics 31, no 3-4 (mars 1988) : 333–36. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(88)90289-4.
Texte intégralLew, K. L., et S. F. Yoon. « Model for InGaP/GaAs/InGaP double heterojunction bipolar transistor ». Journal of Applied Physics 89, no 6 (15 mars 2001) : 3464–68. http://dx.doi.org/10.1063/1.1343888.
Texte intégralPrinz, E. J., X. Xiao, P. V. Schwartz et J. C. Sturm. « A novel double-base heterojunction bipolar transistor for low-temperature bipolar logic ». IEEE Transactions on Electron Devices 39, no 11 (1992) : 2636–37. http://dx.doi.org/10.1109/16.163484.
Texte intégralYamina, Berrichi, et Ghaffour Kherreddine. « Modelling Electronic Characteristic of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 5, no 3 (1 juin 2015) : 525. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v5i3.pp525-530.
Texte intégralLee, Geonyeop, Stephen J. Pearton, Fan Ren et Jihyun Kim. « Heterojunction Bipolar Transistor : 2D Material-Based Vertical Double Heterojunction Bipolar Transistors with High Current Amplification (Adv. Electron. Mater. 3/2019) ». Advanced Electronic Materials 5, no 3 (mars 2019) : 1970015. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201970015.
Texte intégralThèses sur le sujet "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Ang, Oon Sim. « Modeling of double heterojunction bipolar transistors ». Thesis, University of British Columbia, 1990. http://hdl.handle.net/2429/29458.
Texte intégralApplied Science, Faculty of
Electrical and Computer Engineering, Department of
Graduate
BALARAMAN, PRADEEP ARUGUNAM. « DESIGN, SIMULATION AND MODELING OF InP/GaAsSb/InP DOUBLE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS ». University of Cincinnati / OhioLINK, 2003. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ucin1069275786.
Texte intégralFlitcroft, Richard M. « Wide bandgap collector III-V double heterojunction bipolar transistors ». Thesis, University of Sheffield, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.341875.
Texte intégralSchnyder, Iwan. « An indium-phosphide double-heterojunction bipolar transistor technology for 80 Gb/s integrated circuits / ». Konstanz : Hartung-Gorre, 2005. http://www.loc.gov/catdir/toc/fy0610/2006356171.html.
Texte intégralZhang, Yun. « Development of III-nitride bipolar devices : avalanche photodiodes, laser diodes, and double-heterojunction bipolar transistors ». Diss., Georgia Institute of Technology, 2011. http://hdl.handle.net/1853/42703.
Texte intégralLee, Tae-Woo. « An experimental and theoretical study of InGaP-GaAs double heterojunction bipolar transistors ». Thesis, University of Sheffield, 1992. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.324090.
Texte intégralBalaraman, Pradeep A. « Design, simulation and modelling of InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors ». Cincinnati, Ohio : University of Cincinnati, 2003. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc%5Fnum=ucin1069275786.
Texte intégralBauknecht, Raimond. « InP double heterojunction bipolar transistors for driver circuits in fiber optical communication systems / ». [S.l.] : [s.n.], 1998. http://e-collection.ethbib.ethz.ch/show?type=diss&nr=12455.
Texte intégralMohiuddin, Muhammad. « InGaAs/InA1As Double Heterojunction Bipolar transistors for high-speed, low-power digital applications ». Thesis, University of Manchester, 2010. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.511942.
Texte intégralSchneider, Karl. « Broadband amplifiers for high data rates using InP, InGaAs double heterojunction bipolar transistors ». Karlsruhe : Univ.-Verl. Karlsruhe, 2006. http://deposit.d-nb.de/cgi-bin/dokserv?idn=979772826.
Texte intégralLivres sur le sujet "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
An indium-phosphide double-heterojunction bipolar transistor technology for 80 Gb/s integrated circuits. Konstanz : Hartung-Gorre Verlag, 2005.
Trouver le texte intégralLam, Pui Leng. InGaAs-InAIAs N-P-N double heterojunction bipolar transistors grown by molecular beam epitaxy. Manchester : UMIST, 1995.
Trouver le texte intégralHammer, Urs. Sub-micron InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors for ultra high-speed digital integrated circuits. Konstanz : Hartung-Gorre, 2010.
Trouver le texte intégralChink, Hope Wuming. Emitter-up heterojunction bipolar transistor compatible laser. Ottawa : National Library of Canada, 1998.
Trouver le texte intégralYoung, Stephen M. A superlattice emitter structure for a heterojunction bipolar transistor. Manchester : UMIST, 1993.
Trouver le texte intégralXavier, Bernard Anthony. Analysis & modelling of gallium arsenide heterojunction bipolar transistor mixers. Uxbridge : Brunel University, 1993.
Trouver le texte intégralLebby, Michael Stephen. Fabrication and characterisation of the heterojunction field effect transistor (HFET) and the bipolar inversion channel field effect transistor (BICFET) : Characterisations of HFETs.... Bradford, 1987.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Ramberg, L. P., P. M. Enquist, Y. K. Chen, F. E. Najjar, L. F. Eastman, E. A. Fitzgerald et K. L. Kavanagh. « Lattice-Strained Double Heterojunction InGaAs/GaAs Bipolar Transistors ». Dans High-Speed Electronics, 168–71. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82979-6_34.
Texte intégralWei, C. J., H. C. Chung, Y. A. Tkachenko et J. C. M. Hwang. « Capacitance Model of Microwave InP-Based Double Heterojunction Bipolar Transistors ». Dans Simulation of Semiconductor Devices and Processes, 298–301. Vienna : Springer Vienna, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6619-2_72.
Texte intégralPelouard, J. L., P. Hesto, J. P. Praseuth et L. Goldstein. « InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs NnpnN Double Heterojunction Bipolar Transistors : Experimental Characteristics and Monte-Carlo Interpretation ». Dans High-Speed Electronics, 164–67. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82979-6_33.
Texte intégralAhmad, Md Mufassal, Md Faiaad Rahman et Tahmid Aziz Chowdhury. « Performance Analysis of MgF2-Si3N4 and MgF2-Ta2O5 Double-Layer Anti-reflection Coating on Heterojunction Bipolar Transistor Solar Cell ». Dans Lecture Notes in Electrical Engineering, 285–94. Singapore : Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-16-1978-6_25.
Texte intégralDubon-Chevallier, C., P. Desrousseaux, A. M. Duchenois, C. Besombes, J. Dangla, C. Bacot et D. Ankri. « Emitter-Coupled Logic Ring Oscillators Implemented with GaAs/GaAlAs Single and Double Heterojunction Bipolar Transistors : A Comparison ». Dans High-Speed Electronics, 151–55. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82979-6_30.
Texte intégralCressler, John D. « Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistor ». Dans Device and Circuit Cryogenic Operation for Low Temperature Electronics, 69–84. Boston, MA : Springer US, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-3318-1_4.
Texte intégralSu, L. M., N. Grote, P. Schumacher et D. Franke. « Implanted-collector InGaAsP/InP Heterojunction Bipolar Transistor ». Dans ESSDERC ’89, 275–78. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_57.
Texte intégralDas, Arnima, Maitreyi Ray Kanjilal et Payel Biswas. « Frequency Response of Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistor ». Dans Computational Advancement in Communication Circuits and Systems, 339–44. New Delhi : Springer India, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-81-322-2274-3_37.
Texte intégralAsbeck, P. M. « Heterojunction Bipolar Transistor Technology for High-Speed Integrated Circuits ». Dans Picosecond Electronics and Optoelectronics, 32–37. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-70780-3_5.
Texte intégralTeeter, Douglas A., Jack R. East, Richard K. Mains et George I. Haddad. « A Numerical Large Signal Model for the Heterojunction Bipolar Transistor ». Dans Computational Electronics, 43–46. Boston, MA : Springer US, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-2124-9_7.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Yu-Qiu Chen et Shiou-Ying Cheng. « An InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor ». Dans 2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/edssc.2014.7061115.
Texte intégralDiouf, I., P. Nouvel, L. Varani, A. Penarier, N. Diakonova, D. Coquillat, V. Nodjiadjim et al. « Double-Heterojunction Bipolar Transistor as THz Detector for Communications ». Dans 2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/irmmw-thz50926.2021.9566983.
Texte intégralCoquillat, D., V. Nodjiadjim, A. Konczykowska, M. Riet, N. Dyakonova, C. Consejo, F. Teppe, J. Godin et W. Knap. « InP double heterojunction bipolar transistor as sub-terahertz detector ». Dans 2014 39th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/irmmw-thz.2014.6956515.
Texte intégralLiu, Min, Yuming Zhang, Hongliang Lu, Yimen Zhang, Jincan Zhang, Chenghuan Li, Wei Zhou et Lifan Wu. « Geometrical scaling effects in InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor ». Dans 2014 IEEE 12th International Conference on Solid -State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/icsict.2014.7021230.
Texte intégralCoquillat, D., V. Nodjiadjim, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, S. Ruffenach, F. Teppe et al. « InP double heterojunction bipolar transistor for detection above 1 THz ». Dans 2015 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/irmmw-thz.2015.7327777.
Texte intégralArabhavi, Akshay Mahadev, Sara Hamzeloui, Filippo Ciabattini, Olivier Ostinelli et Colombo R. Bolognesi. « Terahertz InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors ». Dans 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2022. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2022.j-3-01.
Texte intégralBolognesi, C. R., A. M. Arabhavi, W. Quan, O. Ostinelli, X. Wen et M. Luisier. « Advances in InP Double Heterojunction Bipolar Transistors ». Dans 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2018. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2018.d-5-01.
Texte intégralOkada, Y., K. Tada, R. J. Simes, L. A. Coldren et J. L. Merz. « GaAs/AlGaAs Double-Heterojunction Bipolar Transistor Carrier-Injected Optical Intensity Modulator ». Dans 1989 Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1989. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1989.s-c-6.
Texte intégralHIDAKA, Osamu, Kouhei MORIZUKA et Hiroshi MOCHIZUKI. « Thermal Runaway Tolerance in Double Heterojunction Bipolar Transistors ». Dans 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1994. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1994.d-2-3.
Texte intégralZhou, Xingbao, Shouli Zhou, Hao Wen, Hongliang Ren, Guiyong Huang, Jun Xu et Yuhua Wang. « Simulation of electrical characteristics of InP/In0.24Ga0.76As0.73Sb0.27/In0.53Ga0.47As double heterojunction bipolar transistor ». Dans 2014 IEEE 9th Conference on Industrial Electronics and Applications (ICIEA). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/iciea.2014.6931447.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
Rodwell, Mark, M. Urtega, D. Scott, M. Dahlstrom et Y. Betser. Ultra High Speed Heterojunction Bipolar Transistor Technology. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, janvier 2000. http://dx.doi.org/10.21236/ada413790.
Texte intégralMiller, D. L., et P. M. Asbeck. Fundamental Aspects of Heterojunction Bipolar Transistor Technology. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juillet 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada171225.
Texte intégralGillespie, James K. AFRL/GaAsTek Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Process Development. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, octobre 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada415646.
Texte intégralPatrizi, G. A., M. L. Lovejoy, R. P. Jr Schneider, H. Q. Hou et P. M. Enquist. Multi-level interconnects for heterojunction bipolar transistor integrated circuit technologies. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), décembre 1995. http://dx.doi.org/10.2172/212553.
Texte intégralLong, Stephen I., Herbert Kroemer et M. A. Rao. Development of a Planar Heterojunction Bipolar Transistor for Very High Speed Logic. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, octobre 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada174580.
Texte intégralMitchell, Gregory A. The Role of the Silicon Germanium (SiGe) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) in Mobile Technology Platforms. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, septembre 2011. http://dx.doi.org/10.21236/ada552934.
Texte intégral