Littérature scientifique sur le sujet « Difetti estesi »

Nonostante la chirurgia rimanga l’opzione di scelta nel trattamento della displasia cranio-facciale (CFD) una volta che l’osservazione clinica sia stata esclusa, resta controverso il tipo di intervento (rimodellamento contro resezione radicale). Lo scopo di questo lavoro è di rivedere criticamente la nostra esperienza fino al 2013 confrontando la gestione CFD tra il 1980 e il 2002 e tra il 2003 e il 2013 e di proporre il nostro algoritmo chirurgico. Dal gennaio 2003 al dicembre 2013, 41 nuovi pazienti (18 maschi e 23 femmine) con diagnosi di CFD sono stati considerati. I dati sono stati confrontati con quelli di 95 pazienti che sono stati osservati e / o trattati tra il 1980 e il 2002. Considerando l’ultimo periodo abbiamo notato che l’osservazione clinica (26/41 pzt) è stato il metodo più utilizzato; una resezione radicale è stata eseguita in molti casi (8/15 pzt), ma in proporzione il numero di pazienti sottoposti a rimodellamento è aumentato (6% vs 15%), mentre è stato osservato una diminuzione del numero di pzt sottoposti escissione (63% vs 19%). Su queste basi, riteniamo che la resezione radicale rimanga l’unica tecnica per ottenere la risoluzione della displasia fibrosa. L’osservazione clinica è indicata in caso di lesioni stabili. Le moderne tecniche ricostruttive consentono di ottenere adeguati risultati estetici e funzionali in caso di resezione radicale; tuttavia, nella maggior parte dei casi si rendono necessarie ulteriori procedure ed i tempi di recupero sono superiori, cosicchè la maggior parte dei pazienti preferiscono eseguire il rimodellamento. Nonostante tutto, in caso di lesioni aggressive la resezione radicale è mandatoria, tranne che in pazienti pediatrici in cui tale intervento comporterebbe estesi difetti residui: in tali casi può essere accettabile effettuare un rimodellamento riservando trattamenti più demolitivi in caso di recidiva o dopo la maturità scheletrica.

Traditionally, obstructive sleep apnea syndrome (OSAS) was regarded by the medical community as a men’s disease. Current data shows indeed that the prevalence of OSAS is higher among men than women. However, in postmenopausal women the prevalence of OSAS is high. Differences between men and women in the prevalence of OSAS drop as age increases, mainly as a result of a marked increase in the prevalence and severity of respiratory sleep disorders in women after menopause. There are some differences regarding the clinical manifestations of OSAS in women and men. Also, it seems that women with moderate OSAS are more susceptible to cardiovascular consequences of OSAS compared with men, having a higher degree of endothelial dysfunction. Gender differences in the response to different therapeutic strategies for OSAS are still not known with certainty.

Nel DSM-IV l'amnesia dissociativa č considerata un'entitŕ clinica distinta che puň prendere le seguenti forme: amnesia localizzata, amnesia continua, amnesia sistematizzata, amnesia generalizzata e amnesia selettiva. In ambito clinico, tuttavia, essa č piů comunemente presente come espressione sintomatica di disturbi piů complessi ed estesi, soprattutto i disturbi dissociativi complessi (e spesso in pazienti che hanno subito traumi acuti e cronici). La dissociazione č il risultato di un'integrazione difettosa, che di solito si produce in occasione di esperienze traumatiche, di quei sistemi neuro-bio-psicologici dalla struttura estremamente complessa costituita dalla personalitŕ. Questo difetto comporta una dissociazione della personalitŕ in due o piů parti scisse - sottosistemi dinamici e attivi, ma rigidi e relativamente chiusi. In base a questo approccio concettuale, alcune di queste parti dissociate possono contenere ricordi traumatici che, se riattivati, riscatenano certi vissuti e certe messe in atto; nel contempo, il resto della personalitŕ rimane relativamente intatto, preso dalla vita quotidiana, in un atteggiamento fobico nei confronti delle parti implicate nei ricordi traumatici. Quindi, la dissociazione č mantenuta da una serie di fobie che nel corso del trattamento necessitano di una particolare attenzione. La cura prevista č un trattamento mirato alla fase, preceduto da un'indagine neurologica completa e dall'impiego di procedure diagnostiche standardizzate, nonché dalle scale per i disturbi dissociativi. Il difficile processo di esplorazione dei ricordi traumatici e della loro integrazione con gli altri aspetti della personalitŕ richiede una sufficiente capacitŕ integrativa nel paziente. Quindi, lo scopo iniziale non č la risoluzione rapida (e forzata) dell'amnesia, ma viceversa l'instaurarsi di una senso di sicurezza e di stabilitŕ nella vita quotidiana e nella terapia.

Il trattamento chirurgico dei tumori maligni nasosinusali estesi al basicranio anteriore si è evoluto nel corso degli ultimi decenni, passando dalla resezione craniofacciale tradizionale agli approcci endoscopici endonasali. In questi approcci mini-invasivi, il basicranio anteriore viene generalmente ricostruito con tecnica multistrato, utilizzando innesti di materiale autologo (fascia lata o tratto ileo-tibiale), che determinano la produzione di abbondanti crostosità a livello della neocavità chirurgica con conseguente disagio e fastidio per il paziente. In casi selezionati, proponiamo di allestire un lembo di mucopericondrio e mucoperiostio di setto nasale controlateralmente rispetto alla neoplasia, peduncolato sui rami settali delle arterie etmoidali anteriore e posteriore (Septal Flip-Flap, SFF), che può essere ruotato a ricostruire il difetto del basicranio anteriore. Criteri di esclusione per l’allestimento di questo lembo locale sono: tumori con estensione bilaterale ad interessare entrambi i complessi etmoidali; infiltrazione neoplastica del setto nasale e/o del planum sfeno-etmoidale; tumore maligno nasosinusale con istologia potenzialmente multifocale. Nel nostro centro di riferimento di terzo livello, la ricostruzione del basicranio mediante SFF è stata eseguita in 4 pazienti affetti dalle seguenti patologie: teratocarcinosarcoma etmoidale in un caso, persistenza di carcinoma indifferenziato nasosinusale (in esiti di trattamento radio-chemioterapico) in un caso, estesioneuroblastoma della fessura olfattoria in un caso, e carcinoma spinocellulare etmoidale in un caso. Non si sono verificate complicanze intra/post-operatorie, ottenendo il successo della ricostruzione del basicranio nella totalità dei casi. Nel postoperatorio si è osservata una netta riduzione delle crostosità intranasali, con rapida guarigione della neocavità chirurgica. Attualmente, non si sono registrate recidive di malattia, con un follow-up medio di 15 mesi. La ricostruzione del basicranio anteriore mediante SFF si è dimostrata sicura ed efficace, con percentuali di successo elevate, simili a quelle ottenute con altri lembi locali peduncolati. Il SFF garantisce inoltre una maggiore rapidità nel processo di guarigione della plastica del basicranio, con una diminuzione delle crostosità nasali nel postoperatorio e conseguente miglioramento della qualità di vita del paziente. Questa tecnica appare essere valida anche dal punto di vista oncologico per casi estremamente selezionati di tumore maligno nasosinusale. Casistiche più ampie con follow-up a lungo termine sono necessarie per validare i risultati preliminari di questa innovativa e promettente tecnica chirurgica.

Il numero di transistor per unità di area che possono essere posizionati su un wafer a semiconduttore dipende dalla capacità del wafer di dissipare tale energia termica. I materiali con elevata conducibilità termica e temperatura di fusione, come il silicio, sono quelli ideali. Le basse correnti di dispersione che si possono ottenere con l'ossido di Si e il nitrato di Si (i suoi composti nativi con l'aria) e l'elevata conducibilità termica hanno consentito una densità di transistor superiore rispetto ad altri semiconduttori. Anche se il silicio domina ancora il ramo principale della tecnologia dei semiconduttori, ci sono aree in cui la bassa mobilità, la bassa velocità di saturazione e il bandgap indiretto hanno permesso lo sviluppo di altri semiconduttori. Essendo il costo della materia prima molto superiore a quello del Si, sono state sviluppate alcune tecniche per ridurre tali costi. Un modo per mantenere il vantaggio termico di un substrato di silicio e ridurre il costo della materia prima dei semiconduttori che non sono Si consiste nell'utilizzare un sottile film di semiconduttore cresciuto sopra un substrato di Si spesso (etero-epitassia). L'eteroepitassia garantisce costi inferiori mantenendo un substrato termicamente efficiente, ma d'altro canto implica che il semiconduttore deve essere cresciuto su un substrato con un parametro reticolare diverso. Le tecnologie epitassiali oggi più diffuse sono l'epi-crescita delle leghe di gruppo III-V e II-VI (soprattutto per l'amplificazione a radiofrequenza e le tecnologie laser) e l'epitassia di semiconduttori di gruppo IV come le leghe SiC e SiGe e il Ge puro. I semiconduttori del gruppo IV hanno il vantaggio non trascurabile di avere costi di fabbricazione inferiori rispetto ai primi. Ovviamente garantiscono prestazioni migliori in termini di proprietà elettroniche rispetto al Si. Il principale ostacolo alla realizzazione di tali dispositivi deriva dal fatto che il disadattamento reticolare induce la formazione di difetti dannosi durante la crescita epitassiale. Tali difetti ostacolano la possibilità di un'applicazione industriale ed estensiva di semiconduttori del gruppo IV diversi dal Si. In genere, i difetti generati sono bordi di grano, dislocazioni, errori di impilamento (stacking fault) e altri difetti estesi. Esiste un forte interesse accademico nella comprensione dei difetti nei sistemi epitassiali. In particolare, due sistemi presentano allo stesso tempo interessanti prospettive applicative e difficili sfide di modellazione teorica: il silicio-germanio e carburo di silicio cubico. Sono infatti semiconduttori attraenti che possono essere facilmente integrati nell'attuale architettura basata su silicio. La loro epitassia su Si è stata studiata per anni, ma le densità dei difetti sono ancora troppo alte in quei sistemi. In questa tesi, affronteremo il problema della modellazione dell'evoluzione di difetti estesi tramite simulazioni di dinamica molecolare. Affronteremo alcuni dei problemi aperti sull'evoluzione dei difetti in entrambi i materiali in esame. I nostri risultati forniranno informazioni sufficienti per far luce sui problemi specifici della formazione e dell'evoluzione di stacking fault multipli in SiC cubico e la formazione di array ordinati di dislocazioni di Lomer in Ge cresciuto su Si.​
Silicon has dominated semiconductor history for almost half a century. Even if the first transistor was made using germanium and other semiconductors show better electronic properties in terms of higher mobility, higher saturation velocity, and larger energy gap. It is the material used to build almost the 97% of all semiconductor-based electronic de- vices. The reason is straightforward; it is the most economical technology to make inte- grated circuits. It has been possible to fabricate integrated circuits with constantly increasing number of transistors on a single chip. The first that analyzed this trend was Gordon Moore in 1965, and he suggested that the trend was due to a constant exercise in cost reduction. The manufacturing cost for a square millimeter of Si remained constant at about 1$ for many decades, while the number of transistors and other elements has grown exponentially with time. The number of transistors for units of area that can be placed on a semiconductor wafer depends on the capacity of the wafer to dissipate such thermal energy. Materials with elevated thermal conducibility and melting temperature, like silicon, are the ideal ones. The low leakage currents that can be achieved with Si oxide and Si nitrate (its native composite with air) and the elevated thermal conducibility allowed a transistor density higher than with other semiconduc- tors. Even if Si still dominates the main branch of semiconductor technology, there are areas where the low mobility, the low saturation velocity, and the indirect bandgap per- mitted other semiconductors to develop. Being the raw material cost much higher than Si one, some techniques have been developed to reduce such costs. A way to maintain the thermal advantage of a silicon substrate and reduce the raw material cost of semi- conductors that are not Si consists of using a thin semiconductor film grown on top of a thick Si substrate (hetero-epitaxy). Hetero-epitaxy guarantees lower costs maintaining a thermally efficient substrate, but on the other side implies that the semiconductor has to be grown on a substrate with a different lattice parameter. Today’s more diffused epitaxial technologies are the epi-grow of group III-V and II-VI alloys (especially for radio frequency amplification and laser technologies) and the epitaxy of group IV semiconductors like the SiC and SiGe alloys and the pure Ge. Group IV semiconductors have the non-negligible advantage of having cheaper fabrication costs than the formers. They, of course, guarantee better performances in terms of electronic properties than Si. The main obstacle in realizing such devices stems from the fact that the lattice mismatch induces the formation of detrimental defects during epitaxial growth. Such defects hinder the possibility of an industrial, extensive appli- cation of group IV semiconductors other than Si. Typically, the generated defects are grain boundaries, misfit dislocations, stacking faults, and other extended defects. A strong academic interest exists in the comprehension of defects in epitaxial systems. In particular, two systems present at the same time exciting application perspectives and hard theoretical modeling challenges: silicon germanium and cubic silicon carbide. They indeed are attractive semiconductors that can be easily integrated into the actual silicon-based architecture. Their epitaxy on Si has been studied for years, but defect densities are still too high in those systems. In this Thesis, we will deal with the problem of modeling extended defects evolution via molecular dynamics simulations. We will tackle some of the open problems about defect evolution in both the materials under consideration. Our results provided enough information to shed light on the specific problems of the formation and evolution of multiple stacking faults in cubic SiC and the formation of ordered arrays of Lomer dislocation in Ge grown on Si.