Articles de revues sur le sujet « Crystalline Silicon (C-Si) »
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Hafdi, Zoubeida. « Electrical and Optical Characterization of Non-Hydrogenated a-Si/c-Si Heterojunction Solar Cells ». Journal of Renewable Energies 24, no 2 (31 décembre 2021) : 202–13. http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v24i2.981.
Texte intégralAgbo, Solomon, Pavol Sutta, Pavel Calta, Rana Biswas et Bicai Pan. « Crystallized silicon nanostructures — experimental characterization and atomistic simulations ». Canadian Journal of Physics 92, no 7/8 (juillet 2014) : 783–88. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0442.
Texte intégralBatstone, J. L. « In situ crystallization of amorphous silicon ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 50, no 2 (août 1992) : 1346–47. http://dx.doi.org/10.1017/s042482010013136x.
Texte intégralPamungkas, Mauludi Ariesto, et Rendra Widiyatmoko. « Effect of Hydrogenation Temperature on Distribution of Hydrogen Atoms in c-Si and a-Si : Molecular Dynamic Simulations ». Key Engineering Materials 706 (août 2016) : 55–59. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.706.55.
Texte intégralWang, Ying Lian, et Jun Yao Ye. « Review and Development of Crystalline Silicon Solar Cell with Intelligent Materials ». Advanced Materials Research 321 (août 2011) : 196–99. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.321.196.
Texte intégralHolla, M., Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert et Martin Kittler. « Analysis of Silicon Carbide and Silicon Nitride Precipitates in Block Cast Multicrystalline Silicon ». Solid State Phenomena 156-158 (octobre 2009) : 41–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.156-158.41.
Texte intégralMiddya, A. R., et Kartik Ghosh. « Quasicrystalline Phase of Silicon on Glass ». MRS Proceedings 1493 (2013) : 169–74. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.225.
Texte intégralEch-chamikh, E., A. Essafti, M. Azizan, F. Debbagh et Y. Ijdiyaou. « Annealing Effects on RF Sputter Deposited a-Si/a-C Multilayers ». Journal of Nano Research 4 (janvier 2009) : 103–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.4.103.
Texte intégralZhang, Junling, Shimou Chen, Haitao Zhang, Suojiang Zhang, Xue Yao et Zhaohui Shi. « Electrodeposition of crystalline silicon directly from silicon tetrachloride in ionic liquid at low temperature ». RSC Advances 6, no 15 (2016) : 12061–67. http://dx.doi.org/10.1039/c5ra23085c.
Texte intégralMoreno, Mario, Arturo Ponce, Arturo Galindo, Eduardo Ortega, Alfredo Morales, Javier Flores, Roberto Ambrosio et al. « Comparative Study on the Quality of Microcrystalline and Epitaxial Silicon Films Produced by PECVD Using Identical SiF4 Based Process Conditions ». Materials 14, no 22 (17 novembre 2021) : 6947. http://dx.doi.org/10.3390/ma14226947.
Texte intégralLin, Jian, Hongsub Jee, Jangwon Yoo, Junsin Yi, Chaehwan Jeong et Jaehyeong Lee. « Surface Passivation of Crystalline Silicon Wafer Using H2S Gas ». Applied Sciences 11, no 8 (15 avril 2021) : 3527. http://dx.doi.org/10.3390/app11083527.
Texte intégralZheng, Zhen, Junyang An, Ruiling Gong, Yuheng Zeng, Jichun Ye, Linwei Yu, Ileana Florea, Pere Roca i Cabarrocas et Wanghua Chen. « Coupled Investigation of Contact Potential and Microstructure Evolution of Ultra-Thin AlOx for Crystalline Si Passivation ». Nanomaterials 11, no 7 (12 juillet 2021) : 1803. http://dx.doi.org/10.3390/nano11071803.
Texte intégralKIEBACH, RAGNAR, ZHENRUI YU, MARIANO ACEVES-MIJARES, DONGCAI BIAN et JINHUI DU. « THE DEPOSITION AND CONTROL OF SELF ASSEMBLED SILICON NANO ISLANDS ON CRYSTALLINE SILICON ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 18, no 04 (décembre 2008) : 901–10. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156408005862.
Texte intégralNussupov, K. Kh, N. B. Beisenkhanov, S. A. Kukushkin, A. T. Sultanov, S. Keiinbay, D. S. Shynybayev et A. Zh Kusainova. « FORMATION OF CRYSTALLINE SiC IN NEAR-SURFACE SILICON LAYERS BY METHOD OF COORDINATED SUBSTITUTION OF ATOMS ». Herald of the Kazakh-British technical university 20, no 2 (1 juillet 2023) : 27–35. http://dx.doi.org/10.55452/1998-6688-2023-20-2-27-35.
Texte intégralHaberl, Bianca, Malcolm Guthrie, David J. Sprouster, Jim S. Williams et Jodie E. Bradby. « New insight into pressure-induced phase transitions of amorphous silicon : the role of impurities ». Journal of Applied Crystallography 46, no 3 (15 mai 2013) : 758–68. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889813010509.
Texte intégralPakhuruddin, Mohd Zamir. « Ray Tracing of Light Trapping Schemes in Thin Crystalline Silicon for Photovoltaics ». Solid State Phenomena 301 (mars 2020) : 183–91. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.301.183.
Texte intégralFollstaedt, D. M., J. A. Knapp et S. M. Myers. « Mechanical properties of ion-implanted amorphous silicon ». Journal of Materials Research 19, no 1 (janvier 2004) : 338–46. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2004.19.1.338.
Texte intégralFangsuwannarak, Thipwan, K. Amonsurintawong et Suwat Sopitpan. « Aluminum-Induced Crystallization of p+ Silicon Pinholes for the Formation of Rear Passivation Contact in Solar Cell ». Key Engineering Materials 547 (avril 2013) : 31–40. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.547.31.
Texte intégralGrzonka, Justyna, Ryszard Mania, János L. Lábár et Jerzy Morgiel. « Effect of Silicon Additions in CrSi (10, 20, 30, 40 at. % Si) Magnetron Targets on Microstructure of Reactively Deposited (Cr,Si)N Coatings ». Solid State Phenomena 186 (mars 2012) : 182–87. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.186.182.
Texte intégralWang, Dashan, James J. Tunney, Xiaomei Du, Michael L. Post et Raynald Gauvin. « Transmission electron microscopy investigation of interfacial reactions between SrFeO3 thin films and silicon substrates ». Journal of Materials Research 22, no 1 (janvier 2007) : 76–88. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2007.0005.
Texte intégralJia, Xuguang, Ziyun Lin, Terry Chien-Jen Yang, Binesh Puthen-Veettil, Lingfeng Wu, Gavin Conibeer et and Ivan Perez-Wurfl. « Post-Sputtering Heat Treatments of Molybdenum on Silicon Wafer ». Applied Sciences 8, no 9 (18 septembre 2018) : 1692. http://dx.doi.org/10.3390/app8091692.
Texte intégralChen, Yusi, Yangsen Kang, Jieyang Jia, Yijie Huo, Muyu Xue, Zheng Lyu, Dong Liang, Li Zhao et James S. Harris. « Nanostructured Dielectric Layer for Ultrathin Crystalline Silicon Solar Cells ». International Journal of Photoenergy 2017 (2017) : 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2017/7153640.
Texte intégralDing, K., U. Aeberhard, A. Lambertz, V. Smirnov, B. Holländer, F. Finger et U. Rau. « Impact of doped microcrystalline silicon oxide layers on crystalline silicon surface passivation ». Canadian Journal of Physics 92, no 7/8 (juillet 2014) : 758–62. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0627.
Texte intégralJin, Jing, Xiao Lei Qu et Wei Min Shi. « Two-Step Annealing for Solution-Based Metal Induced Crystallization of Amorphous Silicon Films ». Advanced Materials Research 1052 (octobre 2014) : 109–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1052.109.
Texte intégralPonomarev, Ilia, et Peter Kroll. « 29Si NMR Chemical Shifts in Crystalline and Amorphous Silicon Nitrides ». Materials 11, no 9 (7 septembre 2018) : 1646. http://dx.doi.org/10.3390/ma11091646.
Texte intégralYu, Kaihao, Tao Xu, Xing Wu, Wen Wang, Hui Zhang, Qiubo Zhang, Luping Tang et Litao Sun. « In Situ Observation of Crystalline Silicon Growth from SiO2 at Atomic Scale ». Research 2019 (30 octobre 2019) : 1–9. http://dx.doi.org/10.34133/2019/3289247.
Texte intégralZhang, Cong, Ling Qu et Wenjie Yuan. « Effects of Si/C Ratio on the Phase Composition of Si-C-N Powders Synthesized by Carbonitriding ». Materials 13, no 2 (12 janvier 2020) : 346. http://dx.doi.org/10.3390/ma13020346.
Texte intégralPark, Sang-Hui, Han-Gyeol Lee, Jin-Hoon Ju, Sang-Hee Park, Gyu-Bong Cho et Ki-Won Kim. « Electrochemical Properties of Silicon-Polyacrylonitrile (PAN) Composite Anodes for Flexible Batteries ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, no 11 (1 novembre 2020) : 7039–44. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.18831.
Texte intégralKrajangsang, Taweewat, Apichan Moollakorn, Sorapong Inthisang, Amornrat Limmanee, Kobsak Sriprapha, Nattaphong Boriraksantikul, Tianchai Taratiwat, Nirod Akarapanjavit et Jaran Sritharathikhun. « Study of an Amorphous Silicon Oxide Buffer Layer for p-Type Microcrystalline Silicon Oxide/n-Type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells and Their Temperature Dependence ». International Journal of Photoenergy 2014 (2014) : 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2014/251508.
Texte intégralShahriar, Ahnaf, Saif Hasnath et Md Aminul Islam. « Effects of Operating Temperature on the Performance of c-Si, a-Si:H, CIGS, and CdTe/CdS Based Solar Cells ». EDU Journal of Computer and Electrical Engineering 1, no 1 (20 août 2020) : 31–37. http://dx.doi.org/10.46603/ejcee.v1i1.21.
Texte intégralPENG, YINQIAO, JICHENG ZHOU, JIEHONG GONG, QINRONG YU et GUIBIN LEI. « MICROSTRUCTURE AND DIELECTRIC PROPERTIES OF SILICON CARBONITRIDE DIELECTRIC BARRIER FILMS DEPOSITED BY SPUTTERING ». Surface Review and Letters 25, no 03 (8 mars 2018) : 1850065. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x18500658.
Texte intégralNikolskaia, A. B., S. S. Kozlov, M. F. Vildanova, O. K. Karyagina et O. I. Shevaleevskiy. « Four-terminal perovskite-silicon tandem solar cells for low light applications ». Journal of Physics : Conference Series 2103, no 1 (1 novembre 2021) : 012191. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2103/1/012191.
Texte intégralPerný, Milan, Vladimír Šály, František Janíček, Miroslav Mikolášek, Michal Váry et Jozef Huran. « Electric measurements of PV heterojunction structures a-SiC/c-Si ». Journal of Electrical Engineering 69, no 1 (1 janvier 2018) : 52–57. http://dx.doi.org/10.1515/jee-2018-0007.
Texte intégralNAKHMANSON, S. M., N. MOUSSEAU, G. T. BARKEMA, P. M. VOYLES et D. A. DRABOLD. « MODELS OF PARACRYSTALLINE SILICON WITH A DEFECT-FREE BANDGAP ». International Journal of Modern Physics B 15, no 24n25 (10 octobre 2001) : 3253–57. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979201007580.
Texte intégralJusto, João F., Cesar R. S. da Silva, I. Pereyra et Lucy V. C. Assali. « Structural and Electronic Properties of Si1-xCxO2 ». Materials Science Forum 483-485 (mai 2005) : 577–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.577.
Texte intégralAbdulkadir, Auwal, Azlan Abdul Aziz et Mohd Zamir Pakhuruddin. « Properties of PEDOT:PSS on Black Silicon and Hybrid Textured Surfaces ». Solid State Phenomena 336 (30 août 2022) : 109–17. http://dx.doi.org/10.4028/p-5o4tp7.
Texte intégralLi, Wei, Dong Lin Xia, Ming Xia Song, Zhen Zhong Zhang, Jia Miao Ni et Xiu Jian Zhao. « Nickel Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon Film by Electroless Planting ». Advanced Materials Research 66 (avril 2009) : 147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.66.147.
Texte intégralChrostowski, Marta, José Alvarez, Alessia Le Donne, Simona Binetti et Pere Roca i Cabarrocas. « Annealing of Boron-Doped Hydrogenated Crystalline Silicon Grown at Low Temperature by PECVD ». Materials 12, no 22 (19 novembre 2019) : 3795. http://dx.doi.org/10.3390/ma12223795.
Texte intégralLu, You Jun, Hong Fang Shen et Sheng Wei Guo. « Microwave Synthesis of Silicon Carbide Nano Powders with Silicon and Carbon ». Key Engineering Materials 602-603 (mars 2014) : 118–21. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.602-603.118.
Texte intégralGerardi, Gary J., Edward H. Poindexter et David J. Keeble. « Paramagnetic Centers and Dopant Excitation in Crystalline Silicon Carbide ». Applied Spectroscopy 50, no 11 (novembre 1996) : 1428–34. http://dx.doi.org/10.1366/0003702963904755.
Texte intégralGedvilas, L. M., et A. H. Mahan. « Identification of Possible Bonding Sites for Post Deposition Oxygen Absorption in Microcrystalline Silicon ». MRS Proceedings 808 (2004). http://dx.doi.org/10.1557/proc-808-a9.2.
Texte intégralAichberger, S. v., O. Hahneiser, J. Löffler, H. Feist et M. Kunst. « Excess Charge Carrier Kinetics in Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunctions ». MRS Proceedings 507 (1998). http://dx.doi.org/10.1557/proc-507-163.
Texte intégralChu, Feihong, Xianlin Qu, Yongcai He, Wenling Li, Xiaoqing Chen, Zilong Zheng, Miao Yang et al. « Prediction of sub-pyramid texturing as the next step towards high efficiency silicon heterojunction solar cells ». Nature Communications 14, no 1 (16 juin 2023). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-023-39342-3.
Texte intégralPearton, S. J. « Hydrogen in Crystalline Silicon ». MRS Proceedings 59 (1985). http://dx.doi.org/10.1557/proc-59-457.
Texte intégralSohn, Dong Kyun, Dae Gyu Moon et Byung Tae Ahn. « Copper-Enhanced Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon Films ». MRS Proceedings 424 (1996). http://dx.doi.org/10.1557/proc-424-225.
Texte intégralFarrokh Baroughi, Mahdi, et Siva Sivoththaman. « Interface Study Of Nanocrystalline Silicon and Crystalline Silicon Using Microwave Photoconductivity Decay ». MRS Proceedings 910 (2006). http://dx.doi.org/10.1557/proc-0910-a04-04.
Texte intégralHuh, Hwang, et Jung H. Shin. « Formation of Large, Orientation-Controlled, Nearly Single Crystalline Si Thin Films on SiO2 Using Contact Printing of Rolled and Annealed Nickel Tapes ». MRS Proceedings 762 (2003). http://dx.doi.org/10.1557/proc-762-a17.13.
Texte intégralIslam, Md N., Sanjay K. Ram et Satyendra Kumar. « Electronic Transport Across Porous/Crystalline Silicon Heterojunctions ». MRS Proceedings 716 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-716-b11.7.
Texte intégralZhu, X. F., J. S. Williams, D. J. Llewellyn et J. C. McCallum. « Microstructure of Ultra High Dose Self Implanted Silicon ». MRS Proceedings 504 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-504-27.
Texte intégralNogales, E., B. Méndez, J. Piqueras et R. Plugaru. « STM-REBIC study of nanocrystalline and crystalline silicon. » MRS Proceedings 738 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-738-g7.6.
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