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Bovey, Laurent. « De la classe spéciale à la classe régulière ». Revue suisse de pédagogie spécialisée 14, no 01 (7 mars 2024) : 13–19. http://dx.doi.org/10.57161/r2024-01-03.
Texte intégralNagy, Raluca. « Tourisme et migration dans le Maramureş ». Ethnologies 31, no 1 (9 novembre 2009) : 111–26. http://dx.doi.org/10.7202/038502ar.
Texte intégralPotbhare, Siddharth, Gary Pennington, Neil Goldsman, Aivars J. Lelis, Daniel B. Habersat, F. Barry McLean et J. M. McGarrity. « Using a First Principles Coulomb Scattering Mobility Model for 4H-SiC MOSFET Device Simulation ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1321–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1321.
Texte intégralPérez-Tomás, Amador, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, James A. Covington, Phillippe Godignon, José Millan et Narcis Mestres. « SiC MOSFET Channel Mobility Dependence on Substrate Doping and Temperature Considering High Density of Interface Traps ». Materials Science Forum 556-557 (septembre 2007) : 835–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.835.
Texte intégralJi, Qizheng, Jun Liu, Ming Yang, Xiaofeng Hu, Guangfu Wang, Menglin Qiu et Shanghe Liu. « Influence of Proton Irradiation Energy on Gate–Channel Low-Field Electron Mobility in AlGaN/GaN HEMTs ». Electronics 12, no 6 (20 mars 2023) : 1473. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12061473.
Texte intégralPérez-Tomás, Amador, Miquel Vellvehi, Narcis Mestres, José Millan, P. Vennegues et J. Stoemenos. « Modelling of the Anomalous Field-Effect Mobility Peak of O-Ta2Si/4H-SiC High-k MOSFETs Measured in Strong Inversion ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1059–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1059.
Texte intégralChen, W. P. N., Pin Su et K. I. Goto. « Investigation of Coulomb Mobility in Nanoscale Strained PMOSFETs ». IEEE Transactions on Nanotechnology 7, no 5 (septembre 2008) : 538–43. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2008.2004771.
Texte intégralDriussi, Francesco, et David Esseni. « Simulation Study of Coulomb Mobility in Strained Silicon ». IEEE Transactions on Electron Devices 56, no 9 (septembre 2009) : 2052–59. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2026394.
Texte intégralWalczak, Jakub, et Bogdan Majkusiak. « Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers ». Journal of Telecommunications and Information Technology, no 1 (30 mars 2004) : 39–49. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2004.1.230.
Texte intégralIhlenborg, Marvin, Ann-Kathrin Schuster, Jürgen Grotemeyer et Frank Gunzer. « Measuring the effects of Coulomb repulsion via signal decay in an atmospheric pressure laser ionization ion mobility spectrometer ». European Journal of Mass Spectrometry 24, no 4 (2 mars 2018) : 330–36. http://dx.doi.org/10.1177/1469066718761585.
Texte intégralSanquer, M., M. Specht, L. Ghenim, S. Deleonibus et G. Guegan. « Coulomb blockade in low-mobility nanometer size Si MOSFET’s ». Physical Review B 61, no 11 (15 mars 2000) : 7249–52. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.61.7249.
Texte intégralVincens, Marion, Marie-Hélène Vandersmissen et Marius Thériault. « Impacts de la restructuration du réseau d’autobus de la ville de Québec sur l’accessibilité aux emplois des femmes et sur leur mobilité professionnelle ». Cahiers de géographie du Québec 51, no 144 (19 février 2008) : 419–46. http://dx.doi.org/10.7202/017628ar.
Texte intégralCui, Peng, et Yuping Zeng. « Effect of Device Scaling on Electron Mobility in Nanoscale GaN HEMTs with Polarization Charge Modulation ». Nanomaterials 12, no 10 (18 mai 2022) : 1718. http://dx.doi.org/10.3390/nano12101718.
Texte intégralMatocha, Kevin, et Vinayak Tilak. « Understanding the Inversion-Layer Properties of the 4H-SiC/SiO2 Interface ». Materials Science Forum 679-680 (mars 2011) : 318–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.318.
Texte intégralMortet, V., E. Bedel-Pereira, J. F. Bobo, F. Cristiano, Christian Strenger, V. Uhnevionak, A. Burenkov et A. J. Bauer. « Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs : Influence of Nitrogen Channel Implantation ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 525–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.525.
Texte intégralRao, R. Ramakrishna, Kevin Matocha et Vinayak Tilak. « Quasi-Charge-Sheet Model for Inversion Layer Mobility in 4H-SiC MOSFETs ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 797–800. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.797.
Texte intégralLiu, Dongyang, Jiawei Wang, Chong Bi, Mengmeng Li, Nianduan Lu, Zhekai Chen et Ling Li. « Lattice Relaxation Forward Negative Coulomb Drag in Hopping Regime ». Electronics 11, no 8 (17 avril 2022) : 1273. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11081273.
Texte intégralStrenger, Christian, Viktoryia Uhnevionak, Vincent Mortet, Guillermo Ortiz, Tobias Erlbacher, Alexander Burenkov, A. J. Bauer et al. « Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 583–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.583.
Texte intégralLiu, Yan, Zhao-Jun Lin, Ming Yang, Chong-Biao Luan, Yu-Tang Wang, Yuan-Jie Lv et Zhi-Hong Feng. « Effect of polarization Coulomb field scattering on low temperature electron mobility in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors ». Modern Physics Letters B 30, no 35 (20 décembre 2016) : 1650411. http://dx.doi.org/10.1142/s021798491650411x.
Texte intégralKutsuki, Katsuhiro, Sachiko Kawaji, Yukihiko Watanabe, Shinichiro Miyahara et Jun Saito. « Improved Evaluation Method for Channel Mobility in SiC Trench MOSFETs ». Materials Science Forum 821-823 (juin 2015) : 757–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.757.
Texte intégralRudenko, Tamara, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, P. Razavi, G. Fagas et A. N. Nazarov. « On the Mobility Behavior in Highly Doped Junctionless Nanowire SOI MOSFETs ». Advanced Materials Research 854 (novembre 2013) : 35–43. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.854.35.
Texte intégralYang, Yu, Franz A. Koeck, Xingye Wang et Robert J. Nemanich. « Surface transfer doping of MoO3 on hydrogen terminated diamond with an Al2O3 interfacial layer ». Applied Physics Letters 120, no 19 (9 mai 2022) : 191602. http://dx.doi.org/10.1063/5.0083971.
Texte intégralYang, Yongxiong, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin, Guangyuan Jiang et Yang Liu. « Application of Polarization Coulomb Field Scattering to a Physics-Based Compact Model for AlGaN/GaN HFETs with I–V Characteristics ». Electronics 9, no 10 (19 octobre 2020) : 1719. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101719.
Texte intégralChen, Siheng, Peng Cui, Mingsheng Xu, Zhaojun Lin, Xiangang Xu, Yuping Zeng et Jisheng Han. « Improved Electrical Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Post Bis(trifluoromethane) Sulfonamide Treatment ». Crystals 12, no 11 (26 octobre 2022) : 1521. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12111521.
Texte intégralHatakeyama, Tetsuo, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto et Shinsuke Harada. « Dipole scattering at the interface : The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs ». Journal of Applied Physics 131, no 14 (14 avril 2022) : 145701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0086172.
Texte intégralZhao, Yi, Mitsuru Takenaka et Shinichi Takagi. « Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially Strained-Si pMOSFETs ». IEEE Transactions on Electron Devices 56, no 5 (mai 2009) : 1152–56. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2015170.
Texte intégralHarrysson Rodrigues, Isabel, Andrey Generalov, Miika Soikkeli, Anton Murros, Sanna Arpiainen et Andrei Vorobiev. « Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors ». Applied Physics Letters 121, no 1 (4 juillet 2022) : 013502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0088564.
Texte intégralCHEN, YONG-CONG. « A DILUTE NEUTRAL-CLUSTER APPROXIMATION FOR THE QUANTUM WASHBOARD POTENTIAL ». International Journal of Modern Physics B 07, no 22 (10 octobre 1993) : 3907–26. http://dx.doi.org/10.1142/s021797929300353x.
Texte intégralLee, K., Benedetto Buono, Martin Domeij et Jimmy Franchi. « TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 689–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.689.
Texte intégralOKTYABRSKY, S., P. NAGAIAH, V. TOKRANOV, M. YAKIMOV, R. KAMBHAMPATI, S. KOVESHNIKOV, D. VEKSLER, N. GOEL et G. BERSUKER. « ELECTRON SCATTERING IN BURIED InGaAs/HIGH-K MOS CHANNELS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, no 01 (mars 2011) : 95–103. http://dx.doi.org/10.1142/s012915641100643x.
Texte intégralGOLD, A., et O. ANTONIE. « MAGNETORESISTANCE OF A SILICON MOSFET ON THE (111) SURFACE IN A PARALLEL MAGNETIC FIELD ». International Journal of Modern Physics B 21, no 08n09 (10 avril 2007) : 1529–34. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207043142.
Texte intégralДавыдов, С. Ю., et А. А. Лебедев. « Влияние адсорбированной макромолекулы на подвижность носителей в однослойном графене : модель оборванных связей ». Физика и техника полупроводников 57, no 5 (2023) : 392. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.05.56210.4958.
Texte intégralHan, Kai, Xiaolei Wang, Jinjuan Xiang, Lixing Zhou, Jiazhen Zhang, Yanrong Wang, Xueli Ma et al. « Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs ». Semiconductor Science and Technology 34, no 7 (12 juin 2019) : 075009. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab2167.
Texte intégralCurran, Anya, Farzan Gity, Agnieszka Gocalinska, Enrica Mura, Roger E. Nagle, Michael Schmidt, Brendan Sheehan, Emanuele Pelucchi, Colm O’Dwyer et Paul K. Hurley. « High Hole Mobility Polycrystalline GaSb Thin Films ». Crystals 11, no 11 (5 novembre 2021) : 1348. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11111348.
Texte intégralTsujimura, Masatoshi, Hidenori Kitai, Hiromu Shiomi, Kazutoshi Kojima, Kenji Fukuda, Kunihiro Sakamoto, Kimiyoshi Yamasaki, Shin-Ichi Takagi et Hajime Okumura. « Analysis of Gate Oxide Nitridation Effect on SiC MOSFETs by Using Hall Measurement and Split C–V Measurement ». Materials Science Forum 858 (mai 2016) : 441–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.441.
Texte intégralZhou, Lixing, Jinjuan Xiang, Xiaolei Wang et Wenwu Wang. « Investigation on the passivation, band alignment, gate charge, and mobility degradation of the Ge MOSFET with a GeO x /Al2O3 gate stack by ozone oxidation ». Journal of Semiconductors 43, no 1 (1 janvier 2022) : 013101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/013101.
Texte intégralKittler, Martin, Manfred Reiche et Hans Michael Krause. « Charge Carrier Transport along Grain Boundaries in Silicon ». Solid State Phenomena 205-206 (octobre 2013) : 293–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.205-206.293.
Texte intégralПоклонский, Н. А., С. А. Вырко et А. Н. Деревяго. « Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах ». Физика и техника полупроводников 52, no 6 (2018) : 544. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.06.45913.8651.
Texte intégralTilak, Vinayak, Kevin Matocha, Greg Dunne, Fredrik Allerstam et Einar Ö. Sveinbjörnsson. « Scattering Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs with Gate Oxides Fabricated Using Sodium Enhanced Oxidation Technique ». Materials Science Forum 600-603 (septembre 2008) : 687–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.687.
Texte intégralПротасов, Д. Ю., А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев et К. С. Журавлев. « Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев ». Физика и техника полупроводников 52, no 1 (2018) : 48. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.01.45318.8610.
Texte intégralMamatrishat, M., M. Kouda, T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, Y. Kataoka et al. « The effect of remote Coulomb scattering on electron mobility in La2O3gate stacked MOSFETs ». Semiconductor Science and Technology 27, no 4 (14 mars 2012) : 045014. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/4/045014.
Texte intégralEsseni, D., et A. Abramo. « Modeling of electron mobility degradation by remote coulomb scattering in ultrathin oxide MOSFETs ». IEEE Transactions on Electron Devices 50, no 7 (juillet 2003) : 1665–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2003.814973.
Texte intégralArokianathan, C. R., J. H. Davies et A. Asenov. « Ab-initio Coulomb Scattering in Atomistic Device Simulation ». VLSI Design 8, no 1-4 (1 janvier 1998) : 331–35. http://dx.doi.org/10.1155/1998/76027.
Texte intégralOhata, Akiko, Romain Ritzenthaler, Olivier Faynot et Sorin Cristoloveanu. « Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors ». Journal of Telecommunications and Information Technology, no 2 (25 juin 2023) : 14–24. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2007.2.804.
Texte intégralZhou, Heng, Yuanjie Lv, Mingyan Wang, Peng Cui et Zhaojun Lin. « Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors ». Applied Physics Letters 121, no 21 (21 novembre 2022) : 212107. http://dx.doi.org/10.1063/5.0124626.
Texte intégralCretu, Bogdan, Abderrahim Tahiat, Anabela Veloso et Eddy Simoen. « (Invited) In-Depth DC and Low Frequency Noise Characterization of Nanosheet FETs at Room and Cryogenic Temperatures ». ECS Transactions 111, no 1 (19 mai 2023) : 197–208. http://dx.doi.org/10.1149/11101.0197ecst.
Texte intégralRozen, John, Xing Guang Zhu, Ayayi Claude Ahyi, John R. Williams et Leonard C. Feldman. « The Limits of Post Oxidation Annealing in NO ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 693–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.693.
Texte intégralBonnefoy, Baptiste. « À l’origine des milices de couleur : mobilité sociale et ségrégation dans les villes de l’empire espagnol ». Genèses 123, no 2 (12 mai 2021) : 90–114. http://dx.doi.org/10.3917/gen.123.0090.
Texte intégralMamatrishat, Mamat, Miyuki Kouda, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, Takeo Hattori et Hiroshi Iwai. « Analysis of Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFET with CeO2/La2O3 Gate Stacks ». ECS Transactions 25, no 7 (17 décembre 2019) : 253–57. http://dx.doi.org/10.1149/1.3203963.
Texte intégralChen, William P. N., Pin Su et K. Goto. « Impact of Process-Induced Strain on Coulomb Scattering Mobility in Short-Channel n-MOSFETs ». IEEE Electron Device Letters 29, no 7 (juillet 2008) : 768–70. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2000909.
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