Articles de revues sur le sujet « CMOS interface »
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Texte intégralWei, Daniel, Stephen R. Whiteley, Lizhen Zheng, Heejoung Park, Hoki Kim et Theodore Van Duzer. « New Josephson-CMOS Interface Amplifier ». IEEE Transactions on Applied Superconductivity 21, no 3 (juin 2011) : 805–8. http://dx.doi.org/10.1109/tasc.2010.2088358.
Texte intégralTakagi, Shinichi, Sanjeewa Dissanayake et Mitsuru Takenaka. « High Mobility Ge-Based CMOS Device Technologies ». Key Engineering Materials 470 (février 2011) : 1–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.1.
Texte intégralWu, Xiang, et Fang Ming Deng. « A Capacitive Humidity Sensor for Low-Cost Low-Power Application ». Applied Mechanics and Materials 556-562 (mai 2014) : 1847–51. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.556-562.1847.
Texte intégralChen, Wei Ping, Chang Chun Dong, Xiao Wei Liu et Zhi Ping Zhou. « A Miniature Fluxgate Sensor with CMOS Interface Circuitry ». Key Engineering Materials 483 (juin 2011) : 164–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.483.164.
Texte intégralCivardi, L., U. Gatti, F. Maloberti et G. Torelli. « An integrated CMOS interface for lambda sensor ». IEEE Transactions on Vehicular Technology 43, no 1 (1994) : 40–46. http://dx.doi.org/10.1109/25.282264.
Texte intégralSchubert, M. « 70V-to-5V differential CMOS input interface ». Electronics Letters 30, no 4 (17 février 1994) : 296–97. http://dx.doi.org/10.1049/el:19940235.
Texte intégralObaid, Abdulmalik, Mina-Elraheb Hanna, Yu-Wei Wu, Mihaly Kollo, Romeo Racz, Matthew R. Angle, Jan Müller et al. « Massively parallel microwire arrays integrated with CMOS chips for neural recording ». Science Advances 6, no 12 (mars 2020) : eaay2789. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aay2789.
Texte intégralDeng, Fang Ming, et Yi Gang He. « A Low-Cost Low-Power Capacitive Humidity Sensor in CMOS Technology ». Applied Mechanics and Materials 556-562 (mai 2014) : 1842–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.556-562.1842.
Texte intégralTerutsuki, Daigo, Hidefumi Mitsuno, Takeshi Sakurai, Yuki Okamoto, Agnès Tixier-Mita, Hiroshi Toshiyoshi, Yoshio Mita et Ryohei Kanzaki. « Increasing cell–device adherence using cultured insect cells for receptor-based biosensors ». Royal Society Open Science 5, no 3 (mars 2018) : 172366. http://dx.doi.org/10.1098/rsos.172366.
Texte intégralZhang, Mingrui, Mitchell Adkins et Zhe Wang. « Recent Progress on Semiconductor-Interface Facing Clinical Biosensing ». Sensors 21, no 10 (16 mai 2021) : 3467. http://dx.doi.org/10.3390/s21103467.
Texte intégralHoussa, Michel, Evgueni Chagarov et Andrew Kummel. « Surface Defects and Passivation of Ge and III–V Interfaces ». MRS Bulletin 34, no 7 (juillet 2009) : 504–13. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.138.
Texte intégralXu, Hua, et Zhe Qiao. « A Low Noise CMOS Digital Output Interface Circuit ». Advanced Materials Research 1049-1050 (octobre 2014) : 653–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1049-1050.653.
Texte intégralKayastha, Shrijandra Nath. « Interfacing C328 CMOS camera with an ATMega32L microcontroller ». Journal of Science and Engineering 1 (1 février 2012) : 38–42. http://dx.doi.org/10.3126/jsce.v1i0.22492.
Texte intégralBoni, Andrea, Michele Caselli, Alessandro Magnanini et Matteo Tonelli. « CMOS Interface Circuits for High-Voltage Automotive Signals ». Electronics 11, no 6 (21 mars 2022) : 971. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11060971.
Texte intégralTOKUDA, Takashi, Hiroaki TAKEHARA, Toshihiko NODA, Kiyotaka SASAGAWA et Jun OHTA. « CMOS-Based Optoelectronic On-Chip Neural Interface Device ». IEICE Transactions on Electronics E99.C, no 2 (2016) : 165–72. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e99.c.165.
Texte intégralTokuda, Takashi, Hiroshi Kimura, Yosmongkol Sawadsaringkarn, Yasuyo Maezawa, Arata Nakajima, Takuma Kobayashi, Toshihiko Noda, Kiyotaka Sasagawa et Jun Ohta. « CMOS-based intelligent neural interface device for optogenetics ». Neuroscience Research 71 (septembre 2011) : e307-e308. http://dx.doi.org/10.1016/j.neures.2011.07.1341.
Texte intégralCellere, G., M. G. Valentini et A. Paccagnella. « Plasma-induced Si/SiO2 interface damage in CMOS ». Microelectronic Engineering 63, no 4 (septembre 2002) : 433–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(02)00594-4.
Texte intégralTsukada, Keiji, Takuya Maruizumi et Hiroyuki Miyagi. « A multiple-ISFET integrated with CMOS interface circuits ». Electronics and Communications in Japan (Part II : Electronics) 71, no 12 (1988) : 93–99. http://dx.doi.org/10.1002/ecjb.4420711211.
Texte intégralStrukov, Dmitri B., et Konstantin K. Likharev. « Defect-Tolerant Architectures for Nanoelectronic Crossbar Memories ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, no 1 (1 janvier 2007) : 151–67. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.18012.
Texte intégralGignac, L. M., et K. P. Rodbell. « Metal Microstructures in Advanced CMOS Devices ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 54 (11 août 1996) : 358–59. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100164258.
Texte intégralYang, Ping Xian, Zhen Bao Liu et Tao Jin. « Research on Driver Design for CMOS Image Sensor Based on DM642 ». Applied Mechanics and Materials 321-324 (juin 2013) : 994–97. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.321-324.994.
Texte intégralWong, Hei, Jieqiong Zhang, Hiroshi Iwai et Kuniyuki Kakushima. « Characteristic Variabilities of Subnanometer EOT La2O3 Gate Dielectric Film of Nano CMOS Devices ». Nanomaterials 11, no 8 (20 août 2021) : 2118. http://dx.doi.org/10.3390/nano11082118.
Texte intégralSteyaert, M. S. J., W. Bijker, P. Vorenkamp et J. Sevenhans. « ECL-CMOS and CMOS-ECL interface in 1.2- mu m CMOS for 150-MHz digital ECL data transmission systems ». IEEE Journal of Solid-State Circuits 26, no 1 (1991) : 18–24. http://dx.doi.org/10.1109/4.65705.
Texte intégralHaggag, Amr, William McMahon, Karl Hess, Björn Fischer et Leonard F. Register. « Impact of Scaling on CMOS Chip Failure Rate, and Design Rules for Hot Carrier Reliability ». VLSI Design 13, no 1-4 (1 janvier 2001) : 111–15. http://dx.doi.org/10.1155/2001/90787.
Texte intégralHeinssen, Sascha, Theodor Hillebrand, Maike Taddiken, Steffen Paul et Dagmar Peters-Drolshagen. « On-Line Error Correction in Sensor Interface Circuits by Using Adaptive Filtering and Digital Calibration ». Proceedings 2, no 13 (30 novembre 2018) : 963. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2130963.
Texte intégralLi, Xiangyu, Jianping Hu et Xiaowei Liu. « Study of a closed-loop high-precision front-end circuit for tunneling magneto-resistance sensors ». Modern Physics Letters B 33, no 08 (20 mars 2019) : 1950085. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984919500854.
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Texte intégralLi, Xiangyu, Liang Yin, Weiping Chen, Zhiqiang Gao et Xiaowei Liu. « A high-resolution tunneling magneto-resistance sensor interface circuit ». Modern Physics Letters B 31, no 04 (10 février 2017) : 1750030. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984917500300.
Texte intégralRen, Mingyuan, Honghai Xu, Xiaowei Han, Changchun Dong et Xuebin Lu. « Low Noise Interface ASIC of Micro Gyroscope with Ball-disc Rotor ». Sensors 20, no 4 (24 février 2020) : 1238. http://dx.doi.org/10.3390/s20041238.
Texte intégralZhang, Cheng, et Kofi A. A. Makinwa. « Interface Electronics for a CMOS Electrothermal Frequency-Locked-Loop ». IEEE Journal of Solid-State Circuits 43, no 7 (juillet 2008) : 1603–8. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2008.922405.
Texte intégralMansoorian, B., V. Ozguz et S. Esener. « Diode-biased AC-coupled ECL-to-CMOS interface circuit ». IEEE Journal of Solid-State Circuits 28, no 3 (mars 1993) : 397–99. http://dx.doi.org/10.1109/4.210011.
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Texte intégralIdris, Muhammad I., Ming Hung Weng, H. K. Chan, A. E. Murphy, Dave A. Smith, R. A. R. Young, Ewan P. Ramsay, David T. Clark, Nick G. Wright et Alton B. Horsfall. « Electrical Stability Impact of Gate Oxide in Channel Implanted SiC NMOS and PMOS Transistors ». Materials Science Forum 897 (mai 2017) : 513–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.513.
Texte intégralZhang, Yu, et Chun Yang Wang. « The Design of Image Acquisition System Based on CMOS Image Sensor USB Interface ». Applied Mechanics and Materials 602-605 (août 2014) : 2756–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.602-605.2756.
Texte intégralHu, Zhi Yu, et Li Li. « The Design of Image Acquisition System Based on CMOS Image Sensor USB Interface ». Advanced Materials Research 989-994 (juillet 2014) : 3861–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.989-994.3861.
Texte intégralJeon, Hyuntak, Injun Choi, Soon-Jae Kweon et Minkyu Je. « A Power-Efficient Radiation Sensor Interface with a Peak-Triggered Sampling Scheme for Mobile Dosimeters ». Sensors 20, no 11 (7 juin 2020) : 3255. http://dx.doi.org/10.3390/s20113255.
Texte intégralZhan, Yongzheng, Tuo Li, Yuqiu Yue, Tongqiang Liu, Yulong Zhou et Xiaofeng Zou. « Low-power 25Gb/s 16:1 Multiplexer for 400Gb/s Ethernet PHY ». Journal of Physics : Conference Series 2083, no 2 (1 novembre 2021) : 022032. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2083/2/022032.
Texte intégralYang, Min-Jae, Eun-Jung Yoon et Chong-Gun Yu. « A CMOS Interface Circuit for Vibrational Energy Harvesting with MPPT Control ». Journal of IKEEE 20, no 1 (31 mars 2016) : 45–53. http://dx.doi.org/10.7471/ikeee.2016.20.1.045.
Texte intégralOKTYABRSKY, SERGE, MICHAEL YAKIMOV, VADIM TOKRANOV, RAMA KAMBHAMPATI, HASSARAM BAKHRU, SERGEI KOVESHNIKOV, WILMAN TSAI, FENG ZHU et JACK LEE. « CHALLENGES AND PROGRESS IN III-V MOSFETs FOR CMOS CIRCUITS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 18, no 04 (décembre 2008) : 761–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156408005746.
Texte intégralDei, Michele, Joan Aymerich, Massimo Piotto, Paolo Bruschi, Francisco del Campo et Francesc Serra-Graells. « CMOS Interfaces for Internet-of-Wearables Electrochemical Sensors : Trends and Challenges ». Electronics 8, no 2 (31 janvier 2019) : 150. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8020150.
Texte intégralZhang, Jie Qiong, Dan Qun Yu, Hei Wong, Kuniyuki Kakushima et Hiroshi Iwai. « Observation of Substrate Silicon Incorporation into Thin Lanthanum Oxide Film during Rapid Thermal Annealing ». Advanced Materials Research 1120-1121 (juillet 2015) : 414–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1120-1121.414.
Texte intégralTORIUMI, Akira. « Interface Control of GeO2/Ge for High-performance Ge CMOS ». Hyomen Kagaku 33, no 11 (2012) : 622–27. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.33.622.
Texte intégralMartin, Lucy Claire, Hua Khee Chan, David T. Clark, Ewan P. Ramsay, A. E. Murphy, Dave A. Smith, Robin F. Thompson et al. « Low Frequency Noise Analysis of Monolithically Fabricated 4H-SiC CMOS Field Effect Transistors ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 428–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.428.
Texte intégralSuzuki, M., M. Maezawa, H. Takato, H. Nakagawa, F. Hirayama, S. Kiryu, M. Aoyagi, T. Sekigawa et A. Shoji. « An interface circuit for a Josephson-CMOS hybrid digital system ». IEEE Transactions on Appiled Superconductivity 9, no 2 (juin 1999) : 3314–17. http://dx.doi.org/10.1109/77.783738.
Texte intégralSano, B., B. Madhavan et A. F. J. Levi. « 8 Gbit/s CMOS interface for parallel fibre-optic interconnects ». Electronics Letters 32, no 24 (1996) : 2262. http://dx.doi.org/10.1049/el:19961502.
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