Articles de revues sur le sujet « CMOS Device and Integration »
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Shawkat, Mst Shamim Ara, Mohammad Habib Ullah Habib, Md Sakib Hasan, Mohammad Aminul Haque et Nicole McFarlane. « Perimeter Gated Single Photon Avalanche Diodes in Sub-Micron and Deep-Submicron CMOS Processes ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, no 03n04 (septembre 2018) : 1840018. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400189.
Texte intégralKrupar, Joerg, Heiko Hauswald et Ronny Naumann. « A Substrate Current Less Control Method for CMOS Integration of Power Bridges ». Advances in Power Electronics 2010 (23 septembre 2010) : 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2010/909612.
Texte intégralKogut, Igor T., Victor I. Holota, Anatoly Druzhinin et V. V. Dovhij. « The Device-Technological Simulation of Local 3D SOI-Structures ». Journal of Nano Research 39 (février 2016) : 228–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.228.
Texte intégralLeenheer, Andrew, Connor Halsey, Daniel Ward, Deanna Campbell, John S. Mincey, Evan M. Anderson, Scott W. Schmucker et al. « Atomic-scale Dopant Integration During CMOS Device Fabrication ». ECS Meeting Abstracts MA2021-02, no 30 (19 octobre 2021) : 918. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0230918mtgabs.
Texte intégralHuey, Sidney, Balaji Chandrasekaran, Doyle Bennett, Stan Tsai, Kun Xu, Jun Qian, Siva Dhandapani, Jeff David, Bogdan Swedek et Lakshmanan Karuppiah. « CMP Process Control for Advanced CMOS Device Integration ». ECS Transactions 44, no 1 (15 décembre 2019) : 543–52. http://dx.doi.org/10.1149/1.3694367.
Texte intégralPerez-Bosch Quesada, E., E. Perez, M. Kalishettyhalli Mahadevaiah et C. Wenger. « Memristive-based in-memory computing : from device to large-scale CMOS integration ». Neuromorphic Computing and Engineering 1, no 2 (18 novembre 2021) : 024006. http://dx.doi.org/10.1088/2634-4386/ac2cd4.
Texte intégralKitchen, Jennifer, Soroush Moallemi et Sumit Bhardwaj. « Multi-chip module integration of Hybrid Silicon CMOS and GaN Technologies for RF Transceivers ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2019, DPC (1 janvier 2019) : 000339–82. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491-2019-dpc-presentation_tp1_010.
Texte intégralTabata, Toshiyuki, Fabien Rozé, Louis Thuries, Sébastien Halty, Pierre-Edouard Raynal, Imen Karmous et Karim Huet. « Recent Progresses and Perspectives of UV Laser Annealing Technologies for Advanced CMOS Devices ». Electronics 11, no 17 (23 août 2022) : 2636. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11172636.
Texte intégralPan, James N. « Chromatic and Panchromatic Nonlinear Optoelectronic CMOSFETs for CMOS Image Sensors, Laser Multiplexing, Computing, and Communication ». MRS Advances 5, no 37-38 (2020) : 1965–74. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.273.
Texte intégralOstling, Mikael, et Per-Erik Hellstrom. « (Invited) Sequential 3D Integration of Ge Transistors on Si CMOS ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 30 (22 décembre 2023) : 1511. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02301511mtgabs.
Texte intégralJacob, Ajey P., Ruilong Xie, Min Gyu Sung, Lars Liebmann, Rinus T. P. Lee et Bill Taylor. « Scaling Challenges for Advanced CMOS Devices ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 26, no 01n02 (17 février 2017) : 1740001. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156417400018.
Texte intégralAlexandru, Mihaela, Viorel Banu, Matthieu Florentin, Xavier Jordá, Miguel Vellvehi et Dominique Tournier. « High Temperature Electrical Characterization of 4H-SiC MESFET Basic Logic Gates ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 1130–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1130.
Texte intégralTakenaka, Mitsuru, et Shinichi Takagi. « III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics ». Materials Science Forum 783-786 (mai 2014) : 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Texte intégralKim, Hyejin, Geonhui Han, Seojin Cho, Jiyong Woo et Daeseok Lee. « Internal Resistor Effect of Multilayer-Structured Synaptic Device for Low-Power Operation ». Nanomaterials 14, no 2 (16 janvier 2024) : 201. http://dx.doi.org/10.3390/nano14020201.
Texte intégralMols, Yves, Abhitosh Vais, Sachin Yadav, Liesbeth Witters, Komal Vondkar, Reynald Alcotte, Marina Baryshnikova et al. « Monolithic Integration of Nano-Ridge Engineered InGaP/GaAs HBTs on 300 mm Si Substrate ». Materials 14, no 19 (29 septembre 2021) : 5682. http://dx.doi.org/10.3390/ma14195682.
Texte intégralSebaai, Farid, Jose Ignacio Del Agua Borniquel, Rita Vos, Philippe Absil, Thomas Chiarella, Christa Vrancken, Pieter Boelen et Evans Baiya. « Poly-Silicon Etch with Diluted Ammonia : Application to Replacement Gate Integration Scheme ». Solid State Phenomena 145-146 (janvier 2009) : 207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.145-146.207.
Texte intégralSmith, A., Qi Li, Agin Vyas, Mohammad Haque, Kejian Wang, Andres Velasco, Xiaoyan Zhang et al. « Carbon-Based Electrode Materials for Microsupercapacitors in Self-Powering Sensor Networks : Present and Future Development ». Sensors 19, no 19 (29 septembre 2019) : 4231. http://dx.doi.org/10.3390/s19194231.
Texte intégralWada, Kazumi. « A New Approach of Electronics and Photonics Convergence on Si CMOS Platform : How to Reduce Device Diversity of Photonics for Integration ». Advances in Optical Technologies 2008 (7 juillet 2008) : 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2008/807457.
Texte intégralKöck, Anton, Marco Deluca, Florentyna Sosada-Ludwikowska, Günther Maier, Robert Wimmer Teubenbacher, Martin Sagmeister, Karl Rohracher et al. « Heterogeneous Integration of Metal Oxides—Towards a CMOS Based Multi Gas Sensor Device ». Proceedings 14, no 1 (19 juin 2019) : 5. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2019014005.
Texte intégralOstling, Mikael, et Per-Erik Hellstrom. « (Invited) Sequential 3D Integration of Ge Transistors on Si CMOS ». ECS Transactions 112, no 1 (29 septembre 2023) : 13–24. http://dx.doi.org/10.1149/11201.0013ecst.
Texte intégralMulberry, Geoffrey, Kevin A. White, Matthew A. Crocker et Brian N. Kim. « A 512-Ch Dual-Mode Microchip for Simultaneous Measurements of Electrophysiological and Neurochemical Activities ». Biosensors 13, no 5 (26 avril 2023) : 502. http://dx.doi.org/10.3390/bios13050502.
Texte intégralDunai, L., G. Peris-Fajarnés, E. Lluna et B. Defez. « Sensory Navigation Device for Blind People ». Journal of Navigation 66, no 3 (25 janvier 2013) : 349–62. http://dx.doi.org/10.1017/s0373463312000574.
Texte intégralWan Muhamad Hatta, Sharifah Fatmadiana, Dayanasari Abdul Hadi et Norhayati Soin. « Laser Anneal-Induced Effects on the NBTI Degradation of Advanced-Process 45nm High-K PMOS ». Advanced Materials Research 189-193 (février 2011) : 1862–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.189-193.1862.
Texte intégralWANG, YANGYUAN, RU HUANG, JINFENG KANG et SHENGDONG ZHANG. « HIGHLY SCALED CMOS DEVICE TECHNOLOGIES WITH NEW STRUCTURES AND NEW MATERIALS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, no 01 (mars 2006) : 147–73. http://dx.doi.org/10.1142/s012915640600359x.
Texte intégralThomas, Dave, Jean Michailos, Nicolas Hotellier, Gilles Metellus, Francois Guyader, Alain Inard, Keith Buchanan, Dorleta Cortaberria Sanz, Yiping Song et Tony Wilby. « Integration Aspects of the Implementation of Through Silicon Vias (TSV) for CMOS Image Sensors ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, DPC (1 janvier 2010) : 000539–56. http://dx.doi.org/10.4071/2010dpc-ta14.
Texte intégralTakagi, Shinichi, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Rui Zhang et Mitsuru Takenaka. « (Invited) Device and Integration Technologies of III-V/Ge Channel CMOS ». ECS Transactions 41, no 7 (16 décembre 2019) : 203–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633300.
Texte intégralSong, Boxin. « Metal Oxide Neural Devices and Their Applications ». Highlights in Science, Engineering and Technology 87 (26 mars 2024) : 226–31. http://dx.doi.org/10.54097/zwgj1t76.
Texte intégralHall, Steve, et Bill Eccleston. « Silicon-germanium for ULSI ». Journal of Telecommunications and Information Technology, no 3-4 (30 décembre 2000) : 3–9. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2000.3-4.33.
Texte intégralSánchez-Chiva, Josep Maria, Juan Valle, Daniel Fernández et Jordi Madrenas. « A CMOS-MEMS BEOL 2-axis Lorentz-Force Magnetometer with Device-Level Offset Cancellation ». Sensors 20, no 20 (19 octobre 2020) : 5899. http://dx.doi.org/10.3390/s20205899.
Texte intégralZhang, Zhao Yun, Zhi Gui Shi, Zhen Chuan Yang et Bo Peng. « MEMS Monolithic Integration Technology ». Key Engineering Materials 562-565 (juillet 2013) : 1387–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.562-565.1387.
Texte intégralSoh, Mei, T. Teo, S. Selvaraj, Lulu Peng, Don Disney et Kiat Yeo. « Heterogeneous Integration of GaN and BCD Technologies ». Electronics 8, no 3 (22 mars 2019) : 351. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8030351.
Texte intégralHeyns, M., et W. Tsai. « Ultimate Scaling of CMOS Logic Devices with Ge and III–V Materials ». MRS Bulletin 34, no 7 (juillet 2009) : 485–92. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.136.
Texte intégralJoubert, James, et Deepak Sharma. « Using CMOS Cameras for Light Microscopy ». Microscopy Today 19, no 4 (juillet 2011) : 22–28. http://dx.doi.org/10.1017/s155192951100054x.
Texte intégralKumar, K. R. Lakshmi, R. A. Hadaway, M. A. Copeland et M. I. H. King. « A precision design technique for analog very large scale integration ». Canadian Journal of Physics 63, no 6 (1 juin 1985) : 702–6. http://dx.doi.org/10.1139/p85-109.
Texte intégralHadizadeh, Rameen, Anssi Laitinen, Niko Kuusniemi, Volker Blaschke, David Molinero, Eoin O'Toole et Márcio Pinheiro. « Low-Density Fan-Out Heterogeneous Integration of MEMS Tunable Capacitor and RF SOI Switch ». International Symposium on Microelectronics 2019, no 1 (1 octobre 2019) : 000051–55. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2019.1.000051.
Texte intégralKhaja, Fareen Adeni. « Contact Resistance Improvement for Advanced Logic by Integration of Epi, Implant and Anneal Innovations ». MRS Advances 4, no 48 (2019) : 2559–76. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2019.416.
Texte intégralFan, Zhihua, Qinling Deng, Xiaoyu Ma et Shaolin Zhou. « Phase Change Metasurfaces by Continuous or Quasi-Continuous Atoms for Active Optoelectronic Integration ». Materials 14, no 5 (7 mars 2021) : 1272. http://dx.doi.org/10.3390/ma14051272.
Texte intégralLi, Zhichao, Shiheng Yang, Samuel B. S. Lee et Kiat Seng Yeo. « A Two-Stage X-Band 20.7-dBm Power Amplifier in 40-nm CMOS Technology ». Electronics 9, no 12 (20 décembre 2020) : 2198. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122198.
Texte intégralDeshpande, V. V., V. Djara, D. Caimi, E. O'Connor, M. Sousa, L. Czornomaz et J. Fompeyrine. « (Invited) Material and Device Integration for Hybrid III-V/SiGe CMOS Technology ». ECS Transactions 69, no 10 (2 octobre 2015) : 131–42. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0131ecst.
Texte intégralFilipovic, Lado, et Siegfried Selberherr. « Thermo-Electro-Mechanical Simulation of Semiconductor Metal Oxide Gas Sensors ». Materials 12, no 15 (28 juillet 2019) : 2410. http://dx.doi.org/10.3390/ma12152410.
Texte intégralZhang, Yinxing, Ziliang Fang et Xiaobing Yan. « HfO2-based memristor-CMOS hybrid implementation of artificial neuron model ». Applied Physics Letters 120, no 21 (23 mai 2022) : 213502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0091286.
Texte intégralBelhassen, Jérémy, Zeev Zalevsky et Avi Karsenty. « Optical Polarization Sensitive Ultra-Fast Switching and Photo-Electrical Device ». Nanomaterials 9, no 12 (7 décembre 2019) : 1743. http://dx.doi.org/10.3390/nano9121743.
Texte intégralMori, Takahiro. « (Invited, Digital Presentation) Silicon Compatible Quantum Computers : Challenges in Devices, Integration, and Circuits ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 29 (7 juillet 2022) : 1297. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01291297mtgabs.
Texte intégralKluba, Marta, Bruno Morana, Angel Savov, Henk van Zeijl, Gregory Pandraud et Ronald Dekker. « Wafer-Scale Integration for Semi-Flexible Neural Implant Miniaturization ». Proceedings 2, no 13 (10 décembre 2018) : 941. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2130941.
Texte intégralKazior, Thomas E. « Beyond CMOS : heterogeneous integration of III–V devices, RF MEMS and other dissimilar materials/devices with Si CMOS to create intelligent microsystems ». Philosophical Transactions of the Royal Society A : Mathematical, Physical and Engineering Sciences 372, no 2012 (28 mars 2014) : 20130105. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2013.0105.
Texte intégralBuchbinder, Miryam, Ora Eli, Sagie Rozental, Yami Bouhnik, Shimon Greenberg, Krish Mani, Yifat Cohen, Ken Mackay, Jeremy Pereira et Jeremy Alvarez Herault. « Integrating MTJ Devices into a 130nm CMOS Process Flow ». Advances in Science and Technology 99 (octobre 2016) : 81–89. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.99.81.
Texte intégralSebaai, Farid, Liesbeth Witters, Frank Holsteyns, Yoshida Yukifumi, Paul W. Mertens et Stefan De Gendt. « Nickel Selective Etch for Contacts on Ge Based Devices ». Solid State Phenomena 219 (septembre 2014) : 105–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.219.105.
Texte intégralMansour, Raafat R. « RF MEMS-CMOS Device Integration : An Overview of the Potential for RF Researchers ». IEEE Microwave Magazine 14, no 1 (janvier 2013) : 39–56. http://dx.doi.org/10.1109/mmm.2012.2226539.
Texte intégralFUKAISHI, MUNEO, KAZUYUKI NAKAMURA et MICHIO YOTSUYANAGI. « HIGH-SPEED AND HIGH-DATA-BANDWIDTH TRANSMITTER AND RECEIVER FOR MULTI-CHANNEL SERIAL DATA COMMUNICATION WITH CMOS TECHNOLOGY ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, no 01 (mars 2001) : 1–33. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401000770.
Texte intégralCarta, Fabio, Htay Hlaing, Hassan Edrees, Shyuan Yang, Mingoo Seok et Ioannis Kymissis. « Co-development of complementary technology and modified-CPL family for organic digital integrated circuits ». MRS Proceedings 1795 (2015) : 19–25. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2015.564.
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