Littérature scientifique sur le sujet « CARRIER RELIABILITY »
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Articles de revues sur le sujet "CARRIER RELIABILITY"
NASEH, SASAN, et M. JAMAL DEEN. « RF CMOS RELIABILITY ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, no 04 (décembre 2001) : 1249–95. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401001088.
Texte intégralZHAO, Lijuan. « Reliability Design of Shearer's Planet Carrier ». Journal of Mechanical Engineering 55, no 8 (2019) : 192. http://dx.doi.org/10.3901/jme.2019.08.192.
Texte intégralCheng, Junji, et Xingbi Chen. « Hot-carrier reliability in OPTVLD-LDMOS ». Journal of Semiconductors 33, no 6 (juin 2012) : 064003. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/33/6/064003.
Texte intégralJie Liao, Cher Ming Tan et Geert Spierings. « Hot-Carrier Reliability of Power SOI EDNMOS ». IEEE Transactions on Power Electronics 25, no 7 (juillet 2010) : 1685–91. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2010.2041255.
Texte intégralSoares, C. Guedes, et A. P. Teixeira. « Structural reliability of two bulk carrier designs ». Marine Structures 13, no 2 (mars 2000) : 107–28. http://dx.doi.org/10.1016/s0951-8339(00)00004-6.
Texte intégralKoeppel, Gaudenz, et Göran Andersson. « Reliability modeling of multi-carrier energy systems ». Energy 34, no 3 (mars 2009) : 235–44. http://dx.doi.org/10.1016/j.energy.2008.04.012.
Texte intégralSugiharto, D. S., C. Y. Yang, Huy Le et J. E. Chung. « Beating the heat [CMOS hot-carrier reliability] ». IEEE Circuits and Devices Magazine 14, no 5 (1998) : 43–51. http://dx.doi.org/10.1109/101.721519.
Texte intégralHwang, Hyunsang, Jack Lee, Pierre Fazan et Chuck Dennison. « Hot-carrier reliability characteristics of narrow-width MOSFETs ». Solid-State Electronics 36, no 4 (avril 1993) : 665–66. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(93)90284-w.
Texte intégralAur, S., et Ping Yang. « IVB-6 hot-carrier reliability of trench transistor ». IEEE Transactions on Electron Devices 34, no 11 (novembre 1987) : 2374. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1987.23289.
Texte intégralMinehane, S., S. Healy, P. O'Sullivan, K. McCarthy, A. Mathewson et B. Mason. « Direct parameter extraction for hot-carrier reliability simulation ». Microelectronics Reliability 37, no 10-11 (octobre 1997) : 1437–40. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(97)00081-4.
Texte intégralThèses sur le sujet "CARRIER RELIABILITY"
Tsarouchas, Ioannis. « Through life reliability of a bulk carrier ». Thesis, University of Glasgow, 2001. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.368736.
Texte intégralJiang, Wenjie 1963. « Hot-carrier reliability assessment in CMOS digital integrated circuits ». Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1998. http://hdl.handle.net/1721.1/47514.
Texte intégralChan, Vei-Han. « Hot-carrier reliability evaluation for CMOS devices and circuits ». Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1995. http://hdl.handle.net/1721.1/36532.
Texte intégralWang, Lei. « Reliability control of GNSS carrier-phase integer ambiguity resolution ». Thesis, Queensland University of Technology, 2015. https://eprints.qut.edu.au/86976/1/Lei_Wang_Thesis.pdf.
Texte intégralLe, Huy X. P. « Characterization of hot-carrier reliability in analog sub-circuit design ». Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1996. http://hdl.handle.net/1721.1/41379.
Texte intégralIncludes bibliographical references (leaves 52-54).
by Huy X.P. Le.
M.Eng.
Kim, SeokWon Abraham 1970. « Hot-carrier reliability of MOSFETs at room and cryogenic temperature ». Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1999. http://hdl.handle.net/1721.1/28215.
Texte intégralVita.
Includes bibliographical references.
Hot-carrier reliability is an increasingly important issue as the geometry scaling of MOSFET continues down to the sub-quarter micron regime. The power-supply voltage does not scale at the same rate as the device dimensions, and thus, the peak lateral E-field in the channel increases. Hot-carriers, generated by this high lateral E-field, gain more kinetic energy and cause damage to the device as the geometry dimension of MOSFETs shortens. In order to model the device hot-carrier degradation accurately, accurate model parameter extraction is critically important. This thesis discusses the model parameters' dependence on the stress conditions and its implications in terms of the device lifetime prediction procedure. As geometry scaling approaches the physical limit of fabrication techniques, such as photolithography, temperature scaling becomes a more viable alternative. MOSFET performance enhancement has been investigated and verified at cryogenic temperatures, such as at 77K. However, hot-carrier reliability problems have been shown to be exacerbated at low temperature. As the mean-free path increases at low temperature due to reduced phonon-scattering, hot-carriers become more energetic at low temperature, causing more device degradation. It is clear that various hot-carrier reliability issues must be clearly understood in order to optimize the device performance vs. reliability trade-off, both at short channel lengths and low temperatures. This thesis resolves numerous, unresolved issues of hot-carrier reliability at both room and cryogenic temperature, and develops a general framework for hot carrier reliability assessment.
by SeokWon Abraham Kim.
Ph.D.
Jiang, Liangjun. « HOT CARRIER EFFECT ON LDMOS TRANSISTORS ». Doctoral diss., University of Central Florida, 2007. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/3230.
Texte intégralPh.D.
School of Electrical Engineering and Computer Science
Engineering and Computer Science
Electrical Engineering
Le, Huy X. P. « On the methodology of assessing hot-carrier reliability of analog circuits ». Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1999. http://hdl.handle.net/1721.1/84212.
Texte intégralDas, A. G. Man Mohan. « Effect of wearout processes on the critical timing parameters and reliability of CMOS bistable circuits ». Thesis, Durham University, 1997. http://etheses.dur.ac.uk/4701/.
Texte intégralKoeppel, Gaudenz Alesch. « Reliability considerations of future energy systems : multi-carrier systems and the effect of energy storage / ». Zürich : ETH, 2007. http://e-collection.ethbib.ethz.ch/show?type=diss&nr=17058.
Texte intégralLivres sur le sujet "CARRIER RELIABILITY"
Y, Tsui Paul G., dir. Hot-carrier circuit reliability simulation. Reading, Mass : Addison-Wesley, 1992.
Trouver le texte intégralLeblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7.
Texte intégralLeblebici, Yusuf. Hot-carrier reliability of MOS VLSI circuits. Boston : Kluwer Academic, 1993.
Trouver le texte intégralLeblebici, Yusuf. Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits. Boston, MA : Springer US, 1993.
Trouver le texte intégralUtas, Greg. Robust communications software : Extreme availability, reliability and scalability for carrier-grade systems. Chichester : John Wiley & Sons, 2005.
Trouver le texte intégralFord-class carriers : Lead ship testing and reliability shortfalls will limit initial fleet capabilities : report to congressional requesters. [Washington, D.C.] : United States Government Accountability Office, 2013.
Trouver le texte intégralChhutiashvili, Lela. Environmental sustainability control system of economic entities. ru : INFRA-M Academic Publishing LLC., 2022. http://dx.doi.org/10.12737/1819036.
Texte intégralBartoli, Gianni, Francesco Ricciardelli et Vincenzo Sepe, dir. WINDERFUL Wind and INfrastructures. Florence : Firenze University Press, 2004. http://dx.doi.org/10.36253/8884531381.
Texte intégralLeonovich, Sergey, Evgeniy Shalyy, Elena Polonina, Elena Sadovskaya, Lev Kim et Valentin Dorkin. Durability of port reinforced concrete structures (Far East and Sakhalin). ru : INFRA-M Academic Publishing LLC., 2021. http://dx.doi.org/10.12737/1816638.
Texte intégralOffice, General Accounting. Operation Desert Storm : Apache helicopter was considered effective in combat, but reliability problems persist : report to the Chairman, Subcommittee on Oversight and Investigations, Committee on Energy and Commerce, House of Representatives. Washington, D.C : U.S. General Accounting Office, 1992.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "CARRIER RELIABILITY"
Leblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. « Circuit Design for Reliability ». Dans Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits, 191–207. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7_8.
Texte intégralIoannou, D. E. « Hot Carrier Reliability of SOI Structures ». Dans Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, 199–210. Dordrecht : Springer Netherlands, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-0109-7_18.
Texte intégralScholten, A. J., B. De Vries, J. Bisschop et G. T. Sasse. « Reliability Simulation Models for Hot Carrier Degradation ». Dans Hot Carrier Degradation in Semiconductor Devices, 477–517. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-08994-2_16.
Texte intégralLeblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. « Transistor-Level Simulation for Circuit Reliability ». Dans Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits, 111–42. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7_5.
Texte intégralLeblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. « Fast Timing Simulation for Circuit Reliability ». Dans Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits, 143–63. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7_6.
Texte intégralLeblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. « Introduction ». Dans Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits, 1–13. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7_1.
Texte intégralLeblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. « Oxide Degradation Mechanisms in MOS Transistors ». Dans Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits, 15–53. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7_2.
Texte intégralLeblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. « Modeling of Degradation Mechanisms ». Dans Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits, 55–76. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7_3.
Texte intégralLeblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. « Modeling of Damaged Mosfets ». Dans Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits, 77–109. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7_4.
Texte intégralLeblebici, Yusuf, et Sung-Mo Kang. « Macromodeling of Hot-Carrier Induced Degradation in Mos Circuits ». Dans Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits, 165–90. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3250-7_7.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "CARRIER RELIABILITY"
Burnett, David, et Chenming Hu. « Hot-Carrier Reliability of Bipolar Transistors ». Dans 28th International Reliability Physics Symposium. IEEE, 1990. http://dx.doi.org/10.1109/irps.1990.363517.
Texte intégralJiang, W., H. Le, J. Chung, T. Kopley, P. Marcoux et C. Dai. « Assessing circuit-level hot-carrier reliability ». Dans 1998 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 36th Annual. IEEE, 1998. http://dx.doi.org/10.1109/relphy.1998.670509.
Texte intégralWu, Xiangjun, et Zongkai Yang. « Research on reliability of carrier ethernet ». Dans Asia-Pacific Optical Communications, sous la direction de Jianli Wang, Gee-Kung Chang, Yoshio Itaya et Herwig Zech. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.745291.
Texte intégralHao, Jifa. « Hot carrier reliability in LDMOS devices ». Dans 2017 IEEE 12th International Conference on ASIC (ASICON). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/asicon.2017.8252561.
Texte intégralPark, Hokyung, Rino Choi, Seung Song, Man Chang, Chadwin Young, Gennadi Bersuker, Byoung Lee, Jack Lee et Hyunsang Hwang. « Decoupling of cold carrier effects in hot carrier reliability of HfO2 gated nMOSFETs ». Dans 2006 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/relphy.2006.251217.
Texte intégralMittl, Steven W., et Michael J. Hargrove. « Hot Carrier Degradation in P-Channel MOSFETs ». Dans 27th International Reliability Physics Symposium. IEEE, 1989. http://dx.doi.org/10.1109/irps.1989.363369.
Texte intégralTyaginov, S. E., A. Makarov, M. Jech, J. Franco, P. Sharma, B. Kaczer et T. Grasser. « On the effect of interface traps on the carrier distribution function during hot-carrier degradation ». Dans 2016 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/iirw.2016.7904911.
Texte intégralChung, James E. « Key issues in evaluating hot-carrier reliability ». Dans Microelectronic Manufacturing 1996, sous la direction de Ih-Chin Chen, Nobuo Sasaki, Divyesh N. Patel et Girish A. Dixit. SPIE, 1996. http://dx.doi.org/10.1117/12.250889.
Texte intégralChen, Zhan, et Israel Koren. « Technology mapping for hot-carrier reliability enhancement ». Dans Microelectronic Manufacturing, sous la direction de Ali Keshavarzi, Sharad Prasad et Hans-Dieter Hartmann. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.284706.
Texte intégralAur, S. « Kinetics of Hot Carrier Effects for Circuit Simulation ». Dans 27th International Reliability Physics Symposium. IEEE, 1989. http://dx.doi.org/10.1109/irps.1989.363367.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "CARRIER RELIABILITY"
La Porte, Todd R., Karlene Roberts et Gene I. Rochlin. Aircraft Carrier Operations at Sea : The Challenges of High Reliability Performance. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juillet 1988. http://dx.doi.org/10.21236/ada198692.
Texte intégralMorrison, Robert James. SYS645 Design for Reliability Maintainability and Supportability : H12 Universal Cartridge Carrier (circa 1952). Office of Scientific and Technical Information (OSTI), janvier 2020. http://dx.doi.org/10.2172/1592836.
Texte intégralMatulionis, Arvydas, H. Morkoc, U. Ozgur, J. Xie, J. H. Leach, M. Wu, X. Ni, J. Lee, X. Li et R. Katilius. Limitation of Hot-Carrier Generated Heat Dissipation on the Frequency of Operation and Reliability of Novel Nitride-Based High-Speed HFETs. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juillet 2010. http://dx.doi.org/10.21236/ada542888.
Texte intégralNessim et Zhou. L51998 Current Status and Future Development Needs of Limit States Designs for Onshore Pipelines. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), septembre 2003. http://dx.doi.org/10.55274/r0011219.
Texte intégralChen, Qishi, Joe Zhou, Duane DeGeer, Ola Bjornoy et Richard Verley. JTM13-CCP Collapse of Corroded Pipelines. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), avril 2001. http://dx.doi.org/10.55274/r0011820.
Texte intégralSOLOVYANENKO, N. I. CROSS-BORDER BUSINESS OPERATIONS IN DIGITAL ECOSYSTEMS OF THE EAEU : LEGAL ISSUES. DOI CODE, 2021. http://dx.doi.org/10.18411/0131-5226-2021-70003.
Texte intégralNeuert, Mark, et Smitha Koduru. PR-244-173856-R01 In-line Inspection Crack Tool Reliability and Performance Evaluation. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), juin 2019. http://dx.doi.org/10.55274/r0011599.
Texte intégralNikolova, Nikolina, Pencho Mihnev, Temenuzhka Zafirova-Malcheva, Ralitza Stamenkova, Stanislav Ivanov, Donatella Persico, Marcello Passarelli, Francesca Pozzi et Erica Volta. Intellectual Output 4 : Evaluation kit for inclusion-oriented collaborative learning activities. PLEIADE Project, juillet 2023. http://dx.doi.org/10.60063/nn.2023.0089.95.
Texte intégralSkow. PR-244-093703-R01 Uncertainties of In-line Inspection Crack Detection Tools Phases 1-2. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), octobre 2014. http://dx.doi.org/10.55274/r0010828.
Texte intégralXie, Gao et Olsen. PR-179-13601-R01 CFD Analysis of the Heat Transfer Characteristics and the Effect of Thermowells. Chantilly, Virginia : Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), octobre 2013. http://dx.doi.org/10.55274/r0010818.
Texte intégral