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Articles de revues sur le sujet « Carrier capture »

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Auteur : Grafiati
Publié le 14 mars 2023

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1

Raghunandan, A., et J. Andrus. « What's captured in Binocular Capture : Envelope or carrier ? » Journal of Vision 12, no 9 (10 août 2012) : 220. http://dx.doi.org/10.1167/12.9.220.

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2

Kim, Sunghyun, Samantha Hood, Puck van Gerwen, Lucy Whalley et Aron Walsh. « CarrierCapture.jl : Anharmonic Carrier Capture ». Journal of Open Source Software 5, no 47 (12 mars 2020) : 2102. http://dx.doi.org/10.21105/joss.02102.

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3

Pons, D., et J. C. Bourgoin. « Carrier hopping capture in semiconductors ». Physical Review B 43, no 14 (15 mai 1991) : 11840–49. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.43.11840.

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4

Deveaud, B., A. Chomette, D. Morris et A. Regreny. « Carrier capture in quantum wells ». Solid State Communications 85, no 4 (janvier 1993) : 367–71. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(93)90034-k.

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5

Blom, P. W. M., J. E. M. Haverkort, P. J. van Hall et J. H. Wolter. « Carrier‐carrier scattering induced capture in quantum well lasers ». Applied Physics Letters 62, no 13 (29 mars 1993) : 1490–92. http://dx.doi.org/10.1063/1.108668.

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6

Rosati, R., F. Lengers, D. E. Reiter et T. Kuhn. « Effective detection of spatio-temporal carrier dynamics by carrier capture ». Journal of Physics : Condensed Matter 31, no 28 (26 avril 2019) : 28LT01. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ab17a8.

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7

Mansour, N. S., Yu M. Sirenko, K. W. Kim, M. A. Littlejohn, J. Wang et J. P. Leburton. « Carrier capture in cylindrical quantum wires ». Applied Physics Letters 67, no 23 (4 décembre 1995) : 3480–82. http://dx.doi.org/10.1063/1.115253.

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8

Munoz, E., et Enrique Calleja. « Carrier Capture Processes at DX Centers ». Solid State Phenomena 10 (janvier 1991) : 99–120. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.10.99.

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9

Kersting, R., R. Schwedler, K. Wolter, K. Leo et H. Kurz. « Dynamics of carrier transport and carrier capture inIn1−xGaxAs/InP heterostructures ». Physical Review B 46, no 3 (15 juillet 1992) : 1639–48. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.46.1639.

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10

Bourgoin, J. C., et M. Zazoui. « Carrier capture on defects in multiband semiconductors ». Physical Review B 45, no 19 (15 mai 1992) : 11324–27. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.11324.

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11

Blom, P. W. M., C. Smit, J. E. M. Haverkort et J. H. Wolter. « Carrier capture into a semiconductor quantum well ». Physical Review B 47, no 4 (15 janvier 1993) : 2072–81. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.47.2072.

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12

Stehr, D., C. M. Morris, D. Talbayev, M. Wagner, H. C. Kim, A. J. Taylor, H. Schneider, P. M. Petroff et M. S. Sherwin. « Ultrafast carrier capture in InGaAs quantum posts ». Applied Physics Letters 95, no 25 (21 décembre 2009) : 251105. http://dx.doi.org/10.1063/1.3275666.

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Preisel, Michael, Jesper Mo/rk et Hartmut Haug. « Calculation of Coulomb-mediated carrier-capture times ». Physical Review B 49, no 20 (15 mai 1994) : 14478–85. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.49.14478.

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Brum, J. A., et G. Bastard. « Resonant carrier capture by semiconductor quantum wells ». Physical Review B 33, no 2 (15 janvier 1986) : 1420–23. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.33.1420.

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Binet, F., J. Y. Duboz, C. Grattepain, F. Scholz et J. Off. « Carrier capture in InGaN quantum wells and hot carrier effects in GaN ». Materials Science and Engineering : B 59, no 1-3 (mai 1999) : 323–29. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00376-6.

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Sun, K. W., J. W. Chen, B. C. Lee, C. P. Lee et A. M. Kechiantz. « Carrier capture and relaxation in InAs quantum dots ». Nanotechnology 16, no 9 (29 juin 2005) : 1530–35. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/16/9/021.

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17

Preisel, Michael, et Jesper Mo/rk. « Phonon‐mediated carrier capture in quantum well lasers ». Journal of Applied Physics 76, no 3 (août 1994) : 1691–96. http://dx.doi.org/10.1063/1.358514.

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Brübach, J., A. Yu Silov, J. E. M. Haverkort, W. van der Vleuten et J. H. Wolter. « Carrier capture in ultrathin InAs/GaAs quantum wells ». Physical Review B 61, no 24 (15 juin 2000) : 16833–40. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.61.16833.

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Rotariu, O., N. J. C. Strachan et V. Bădescu. « Modelling of microorganisms capture on magnetic carrier particles ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 252 (novembre 2002) : 390–92. http://dx.doi.org/10.1016/s0304-8853(02)00707-2.

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Sun, K. W., et A. Kechiantz. « Ultrafast carrier capture in charged InAs quantum dots ». Journal of Non-Crystalline Solids 352, no 23-25 (juillet 2006) : 2355–59. http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.03.015.

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Prins, F. E., G. Lehr, E. M. Fröhlich, H. Schweizer, A. Forchel et J. Straka. « Polarization effects and carrier capture in quantum wires ». Superlattices and Microstructures 11, no 3 (janvier 1992) : 321–23. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(92)90390-q.

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Piwonski, T., I. O’Driscoll, J. Houlihan, G. Huyet, R. J. Manning et A. V. Uskov. « Carrier capture dynamics of InAs∕GaAs quantum dots ». Applied Physics Letters 90, no 12 (19 mars 2007) : 122108. http://dx.doi.org/10.1063/1.2715115.

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Davis, L., Y. L. Lam, Y. C. Chen, J. Singh et P. K. Bhattacharya. « Carrier capture and relaxation in narrow quantum wells ». IEEE Journal of Quantum Electronics 30, no 11 (1994) : 2560–64. http://dx.doi.org/10.1109/3.333707.

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Christen, J., E. Kapon, M. Grundmann, D. M. Hwang, M. Joschko et D. Bimberg. « 1D Charge Carrier Dynamics in GaAs Quantum Wires Carrier Capture, Relaxation, and Recombination ». physica status solidi (b) 173, no 1 (1 septembre 1992) : 307–21. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221730130.

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REGISTER, LEONARD F. « CARRIER CAPTURE IN SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASERS : A QUANTUM TRANSPORT ANALYSIS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, no 04 (décembre 1998) : 1211–33. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000476.

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Résumé :
A quantum transport-based analysis of the essential physics of carrier capture in semiconductor quantum wells is presented. First, the past progression of models of carrier capture by quantum wells is briefly reviewed. Then carrier capture is modeled using the Schrödinger Equation Monte Carlo (SEMC) quantum transport simulator. In addition to reproducing familiar effects, these simulations exhibit significant effects associated with partial phase-coherence of the carrier wave-function across the well which cannot be modeled via classical or perturbative Golden Rule calculations, and address fundamental transport limitations often overlooked in Golden Rule calculations. However, this analysis also points to simple changes that could significantly improve, although not perfect, the treatment of carrier capture via these latter more conventional approaches.
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Bimberg, D., H. Münzel, A. Steckenborn et J. Christen. « Kinetics of relaxation and recombination of nonequilibrium carriers in GaAs : Carrier capture by impurities ». Physical Review B 31, no 12 (15 juin 1985) : 7788–99. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.31.7788.

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Uskov, A. V., I. Magnusdottir, B. Tromborg, J. Mo/rk et R. Lang. « Line broadening caused by Coulomb carrier–carrier correlations and dynamics of carrier capture and emission in quantum dots ». Applied Physics Letters 79, no 11 (10 septembre 2001) : 1679–81. http://dx.doi.org/10.1063/1.1401778.

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28

Yassievich, I. N., et A. A. Pakhomov. « Multiphonon Carrier Emission and Capture by Defects in Nanostructures ». Materials Science Forum 196-201 (novembre 1995) : 491–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.196-201.491.

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Mansour, N. S., Yu M. Sirenko, K. W. Kim, M. A. Littlejohn et M. A. Stroscio. « Carrier capture in quantum well embedded quantum wire structures ». Applied Physics Letters 69, no 3 (15 juillet 1996) : 360–62. http://dx.doi.org/10.1063/1.118060.

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30

Chin-Yi Tsai, L. F. Eastman, Yu-Hwa Lo et Chin-Yao Tsai. « Carrier capture and escape in multisubband quantum well lasers ». IEEE Photonics Technology Letters 6, no 9 (septembre 1994) : 1088–90. http://dx.doi.org/10.1109/68.324677.

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31

Brum, J. A., et G. Bastard. « Direct and indirect carrier capture by semiconductor quantum wells ». Superlattices and Microstructures 3, no 1 (janvier 1987) : 51–55. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(87)90177-7.

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32

Blom, P. W. M., J. Claes, J. E. M. Haverkort et J. H. Wolter. « Experimental and theoretical study of the carrier capture time ». Optical and Quantum Electronics 26, no 7 (juillet 1994) : S667—S677. http://dx.doi.org/10.1007/bf00326654.

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Narvaez, Gustavo A., Maria Carolina de O. Aguiar et José A. Brum. « Carrier capture time in T-shaped semiconductor quantum wires ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 2, no 1-4 (juillet 1998) : 983–86. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(98)00202-1.

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Dneprovskii, V. S., E. A. Zhukov, O. A. Shalygina, V. P. Evtikhiev et V. P. Kochereshko. « Carrier capture and recombination in CdSe/ZnSe quantum dots ». Journal of Experimental and Theoretical Physics 98, no 1 (janvier 2004) : 156–61. http://dx.doi.org/10.1134/1.1648109.

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Kim, Sunghyun, Ji-Sang Park, Samantha N. Hood et Aron Walsh. « Lone-pair effect on carrier capture in Cu2ZnSnS4solar cells ». Journal of Materials Chemistry A 7, no 6 (2019) : 2686–93. http://dx.doi.org/10.1039/c8ta10130b.

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Smith, J. M., P. A. Dalgarno, B. Urbaszek, E. J. McGhee, G. S. Buller, G. J. Nott, R. J. Warburton, J. M. Garcia, W. Schoenfeld et P. M. Petroff. « Carrier storage and capture dynamics in quantum-dot heterostructures ». Applied Physics Letters 82, no 21 (26 mai 2003) : 3761–63. http://dx.doi.org/10.1063/1.1577830.

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Cooke, D. G., F. A. Hegmann, Yu I. Mazur, Zh M. Wang, W. Black, H. Wen, G. J. Salamo, T. D. Mishima, G. D. Lian et M. B. Johnson. « Ultrafast carrier capture dynamics in InGaAs∕GaAs quantum wires ». Journal of Applied Physics 103, no 2 (15 janvier 2008) : 023710. http://dx.doi.org/10.1063/1.2831024.

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Ma?kowski, S., F. Kyrychenko, G. Karczewski, J. Kossut, W. Heiss et G. Prechtl. « Thermal Carrier Escape and Capture in CdTe Quantum Dots ». physica status solidi (b) 224, no 2 (mars 2001) : 465–69. http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200103)224:2<465 ::aid-pssb465>3.0.co;2-f.

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Fan, W. H., S. M. Olaizola, T. Wang, P. J. Parbrook, J. P. R. Wells, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick et A. M. Fox. « Carrier capture times in InGaN/GaN multiple quantum wells ». physica status solidi (b) 240, no 2 (novembre 2003) : 364–67. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200303389.

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Reid, B., M. Abou-Khalil et R. Maciejko. « Doping effects on carrier capture in a single quantum well by ensemble Monte Carlo ». Canadian Journal of Physics 74, S1 (1 décembre 1996) : 220–24. http://dx.doi.org/10.1139/p96-863.

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Résumé :
Using a bipolar ensemble Monte Carlo coupled with a Poisson equation solver, we simulate, for the first time, carrier capture with both types of carriers in an InGaAs/InP-doped single quantum well, following femtosecond light-pulse excitation. We show that Coulomb interaction between electrons and holes is very efficient in keeping the capture ambipolar for a long time. However, for short times, the capture is unipolar. Our results indicate that for these kinds of experiments, Monte Carlo simulations with only one type of carrier give questionable results.
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Zhou, Yun, Qiujie Ding, Yuan Wang, Xiaoping OuYang, Lixin Liu, Junyu Li et Bing Wang. « Carrier Transfer and Capture Kinetics of the TiO2/Ag2V4O11 Photocatalyst ». Nanomaterials 10, no 5 (27 avril 2020) : 828. http://dx.doi.org/10.3390/nano10050828.

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Résumé :
In this paper, TiO2/Ag2V4O11 nanoheterojunctions have been synthesized by hydrothermal methods, which show enhanced photocatalytic activity compared to TiO2 under visible light. Moreover, the TiO2/Ag2V4O11 nanoheterojunction with set molar ratio of 2:1, referred to as TA2, show the highest visible light photocatalytic activity, which could decompose about 100% RhB molecules within 80 min of irradiation with visible light. Specially, the time-resolved photoluminescence spectrum of TA2 demonstrates that the free exciton recombination occurs in approximately 1.7 ns, and the time scale for Shockley–Read–Hall recombination of photogenerated electrons and holes is prolonged to 6.84 ns. The prolonged timescale of TA2 compared to TiO2 and Ag2V4O11 can be attributed to the carrier separation between nanojunctions and the carrier capture by interfacial defects. Furthermore, the enhanced photocatalytic activity of TiO2/Ag2V4O11 nanoheterojunctions also benefits from the synergistic effect of the broadened absorption region, higher photocarrier generation, longer carrier lifetime, and quicker collection dynamics.
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Lingk, C., W. Helfer, G. von Plessen, J. Feldmann, K. Stock, M. W. Feise, D. S. Citrin et al. « Carrier capture processes in strain-inducedInxGa1−xAs/GaAsquantum dot structures ». Physical Review B 62, no 20 (15 novembre 2000) : 13588–94. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.62.13588.

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Gombia, E., R. Mosca, S. Franchi, C. Ghezzi et R. Magnanini. « Minority carrier capture at DX centers in AlGaSb Schottky diodes ». Journal of Applied Physics 84, no 9 (novembre 1998) : 5337–41. http://dx.doi.org/10.1063/1.368783.

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Lefebvre, Kevin R., et Neal G. Anderson. « Carrier capture and unipolar avalanche multiplication in quantum well heterostructures ». Applied Physics Letters 61, no 3 (20 juillet 1992) : 282–84. http://dx.doi.org/10.1063/1.107938.

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Wang, Jin, K. W. Kim et M. A. Littlejohn. « Carrier capture in pseudomorphically strained wurtzite GaN quantum-well lasers ». Applied Physics Letters 71, no 6 (11 août 1997) : 820–22. http://dx.doi.org/10.1063/1.119657.

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Uskov, A. V., J. McInerney, F. Adler, H. Schweizer et M. H. Pilkuhn. « Auger carrier capture kinetics in self-assembled quantum dot structures ». Applied Physics Letters 72, no 1 (5 janvier 1998) : 58–60. http://dx.doi.org/10.1063/1.120643.

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Wei-zhu, Lin, Peng Wen-ji, Qiu Zhi-ren, Zhou Xue-cong et Mo Dang. « Dynamics of carrier capture in AlGaAs / GaAs multiple quantum wells ». Acta Physica Sinica (Overseas Edition) 1, no 1 (juillet 1992) : 63–68. http://dx.doi.org/10.1088/1004-423x/1/1/008.

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Hwang, Michael T., Preston B. Landon, Joon Lee, Alexander Mo, Brian Meckes, Gennadi Glinsky et Ratnesh Lal. « DNA nano-carrier for repeatable capture and release of biomolecules ». Nanoscale 7, no 41 (2015) : 17397–403. http://dx.doi.org/10.1039/c5nr05124j.

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Wang, Y., et K. P. Cheung. « Carrier capture at the SiO2–Si interface : A physical model ». Applied Physics Letters 91, no 11 (10 septembre 2007) : 113509. http://dx.doi.org/10.1063/1.2778354.

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Kuhn, T., M. Glanemann et V. M. Axt. « Quantum kinetics of carrier capture processes into a quantum dot ». Physica B : Condensed Matter 314, no 1-4 (mars 2002) : 455–58. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)01437-5.

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