Littérature scientifique sur le sujet « BULK SEMICONDUCTING »
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Articles de revues sur le sujet "BULK SEMICONDUCTING"
Look, D. C., P. W. Yu, W. M. Theis, W. Ford, G. Mathur, J. R. Sizelove, D. H. Lee et S. S. Li. « Semiconducting/semi‐insulating reversibility in bulk GaAs ». Applied Physics Letters 49, no 17 (27 octobre 1986) : 1083–85. http://dx.doi.org/10.1063/1.97429.
Texte intégralSolozhenko, Vladimir L., Natalia A. Dubrovinskaia et Leonid S. Dubrovinsky. « Synthesis of bulk superhard semiconducting B–C material ». Applied Physics Letters 85, no 9 (30 août 2004) : 1508–10. http://dx.doi.org/10.1063/1.1786363.
Texte intégralYe, Yumin, Dominick J. Bindl, Robert M. Jacobberger, Meng-Yin Wu, Susmit Singha Roy et Michael S. Arnold. « Semiconducting Carbon Nanotube Aerogel Bulk Heterojunction Solar Cells ». Small 10, no 16 (9 avril 2014) : 3299–306. http://dx.doi.org/10.1002/smll.201400696.
Texte intégralMahmood, A., et L. Enrique Sansores. « Band structure and bulk modulus calculations of germanium carbide ». Journal of Materials Research 20, no 5 (mai 2005) : 1101–6. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2005.0172.
Texte intégralZuo, H., R. D. Griffin, G. M. Janowski et R. N. Andrews. « Characterization of Bulk-Grown Hg1-xcdxTe ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 49 (août 1991) : 902–3. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100088828.
Texte intégralCasellas, Nicolás M., Indre Urbanaviciute, Tim D. Cornelissen, José Augusto Berrocal, Tomás Torres, Martijn Kemerink et Miguel García-Iglesias. « Resistive switching in an organic supramolecular semiconducting ferroelectric ». Chemical Communications 55, no 60 (2019) : 8828–31. http://dx.doi.org/10.1039/c9cc02466b.
Texte intégralHua, Chi-Chung, Chih-Yuan Kuo et Show-An Chen. « Controlling bulk aggregation state in semiconducting conjugated polymer solution ». Applied Physics Letters 93, no 12 (22 septembre 2008) : 123303. http://dx.doi.org/10.1063/1.2988193.
Texte intégralHe, Yuping, Ivana Savić, Davide Donadio et Giulia Galli. « Lattice thermal conductivity of semiconducting bulk materials : atomistic simulations ». Physical Chemistry Chemical Physics 14, no 47 (2012) : 16209. http://dx.doi.org/10.1039/c2cp42394d.
Texte intégralHua, Chi Chung, Chih Jung Lin, Yu Ho Wen et Show An Chen. « Stabilization of bulk aggregation state in semiconducting polymer solutions ». Journal of Polymer Research 18, no 4 (28 juillet 2010) : 793–800. http://dx.doi.org/10.1007/s10965-010-9476-3.
Texte intégralJiang, Li-Feng, Lei Xu et Jun Zhang. « Electronic properties of armchair graphene nanoribbons under uniaxial strain and electric field ». International Journal of Modern Physics B 32, no 24 (13 septembre 2018) : 1850263. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979218502636.
Texte intégralThèses sur le sujet "BULK SEMICONDUCTING"
Lafalce, Evan. « Photophysical and Electronic Properties of Low-Bandgap Semiconducting Polymers ». Scholar Commons, 2014. https://scholarcommons.usf.edu/etd/5424.
Texte intégralChan, Ka Hin. « Charge injection and transport characterization of semiconducting polymers and their bulk heterojunction blends ». HKBU Institutional Repository, 2012. https://repository.hkbu.edu.hk/etd_ra/1405.
Texte intégralPRAVEEN. « STUDY OF THIN FILM AND BULK SEMICONDUCTING MATERIALS FOR INTERFACE STRUCTURE AND OTHER PROPERTIES ». Thesis, DELHI TECHNOLOGICAL UNIVERSITY, 2021. http://dspace.dtu.ac.in:8080/jspui/handle/repository/18645.
Texte intégralBudde, Melanie. « Heteroepitaxy, surface- and bulk hole transport, and application of the p-type semiconducting oxides NiO and SnO ». Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, 2020. http://dx.doi.org/10.18452/22240.
Texte intégralThis thesis presents a comprehensive study on the growth by molecular beam epitaxy (MBE) and the measured Seebeck coefficients and hole transport properties of p‑type oxides, a material class which combines transparency and tunable conductivity. Specifically, Nickel oxide (NiO) and tin monoxide (SnO) were grown by plasma‑assisted MBE using a metal effusion cell and an oxygen plasma. For NiO growth, the focus lies on high temperature growth limits which were determined by the substrate stability of magnesium oxide and gallium nitride. Quality evaluation by Raman spectroscopy for rock‑salt crystal structures is demonstrated. Investigations of NiO doping by surface acceptors and the related surface hole accumulation layer reveal a new doping possibility for p‑type oxides in general. The meta‑stable SnO is stabilized by PAMBE utilizing known growth kinetics of tin dioxide and various in‑situ methods, its application-relevant thermal stability is investigated. Following ex‑situ characterizations by XRD and Raman spectroscopy identify secondary phases and a small growth window for the epitaxial growth of SnO. Electrical measurements confirm the p‑type carriers with promising hole mobilities accessible to Hall measurements. Temperature dependent Hall measurements show band‑like transport indicating a high quality of the grown layers. The functionality of the grown layers is proven by various applications. For example, pn‑heterojunctions were achieved by heteroepitaxial growth of the SnO layers on gallium oxide substrates. The first reported SnO based pn‑junction with an ideality factor below two is accomplished.
Budde, Melanie [Verfasser]. « Heteroepitaxy, surface- and bulk hole transport, and application of the p-type semiconducting oxides NiO and SnO / Melanie Budde ». Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin, 2020. http://d-nb.info/122392355X/34.
Texte intégralSree, Rama Murthy A. « Physicochemical Characterization and Gas Sensing Studies of Cr1-xFexNbO4 and Application of Principal Component Analysis ». Thesis, 2016. http://etd.iisc.ac.in/handle/2005/3215.
Texte intégralSree, Rama Murthy A. « Physicochemical Characterization and Gas Sensing Studies of Cr1-xFexNbO4 and Application of Principal Component Analysis ». Thesis, 2016. http://hdl.handle.net/2005/3215.
Texte intégralLivres sur le sujet "BULK SEMICONDUCTING"
GaAs and related materials : Bulk semiconducting and superlattice properties. Singapore : World Scientific, 1994.
Trouver le texte intégralTransparent Semiconducting Oxides : Bulk Crystal Growth and Fundamental Properties. Jenny Stanford Publishing, 2020.
Trouver le texte intégralGalazka, Zbigniew. Transparent Semiconducting Oxides : Bulk Crystal Growth and Fundamental Properties. Jenny Stanford Publishing, 2020.
Trouver le texte intégralGalazka, Zbigniew. Transparent Semiconducting Oxides : Bulk Crystal Growth and Fundamental Properties. Jenny Stanford Publishing, 2020.
Trouver le texte intégralGalazka, Zbigniew. Transparent Semiconducting Oxides : Bulk Crystal Growth and Fundamental Properties. Jenny Stanford Publishing, 2020.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "BULK SEMICONDUCTING"
White, Matthew Schuette, et Niyazi Serdar Sariciftci. « Semiconducting Polymer-based Bulk Heterojunction Solar Cells ». Dans Polymers for Energy Storage and Conversion, 199–214. Hoboken, NJ, USA : John Wiley & Sons, Inc., 2013. http://dx.doi.org/10.1002/9781118734162.ch7.
Texte intégralBonner, W. A., et A. G. Ostrogorsky. « Bulk Ternary Semiconducting Compounds ». Dans Encyclopedia of Materials : Science and Technology, 865–71. Elsevier, 2001. http://dx.doi.org/10.1016/b0-08-043152-6/00165-0.
Texte intégralGalazka, Zbigniew. « Basics of Growth Techniques Used for Bulk Single Crystals of Transparent Semiconducting Oxides ». Dans Transparent Semiconducting Oxides, 1–41. Jenny Stanford Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1201/9781003045205-1.
Texte intégralGalazka, Zbigniew. « Basics of Growth Techniques Used for Bulk Single Crystals of Transparent Semiconducting Oxides ». Dans Transparent Semiconducting Oxides, 1–41. Jenny Stanford Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.4324/9781003045205-1.
Texte intégralSchaeffer, H. A. « Silicon Dioxide : Bulk Properties ». Dans Concise Encyclopedia of Semiconducting Materials & ; Related Technologies, 455–58. Elsevier, 1992. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-08-034724-0.50105-0.
Texte intégralRiley, F. L. « Silicon Nitride : Bulk Properties ». Dans Concise Encyclopedia of Semiconducting Materials & ; Related Technologies, 458–61. Elsevier, 1992. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-08-034724-0.50106-2.
Texte intégralBellon, P., J. P. Chevalier, G. Martin, P. Deconinck et J. Maluenda. « Bulk and surface defects in implanted and annealed GaAs ». Dans Microscopy of Semiconducting Materials, 1987, 309–14. CRC Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1201/9781003069621-50.
Texte intégralElliot, A. G., et E. D. Bourret. « Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals ». Dans Concise Encyclopedia of Semiconducting Materials & ; Related Technologies, 217–30. Elsevier, 1992. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-08-034724-0.50055-x.
Texte intégralVennéguès, P., M. Leroux, S. Dalmasso, M. Benaissa, P. De Mierry et B. Beaumone. « Atomic structure of Mg-induced pyramidal inversion domains in bulk GaN ». Dans Microscopy of Semiconducting Materials 2003, 273–76. CRC Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1201/9781351074636-63.
Texte intégralGalazka, Zbigniew. « Growth Measures to Achieve Bulk Single Crystals of Transparent Semiconducting and Conducting Oxides ». Dans Handbook of Crystal Growth, 209–40. Elsevier, 2015. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-63303-3.00006-7.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "BULK SEMICONDUCTING"
Luhong Mao, Niefeng Sun, Xiaolong Zhou, Xiawan Wu, Weilian Guo, Ming Hu, Linxia Li et al. « Character of non-stoichiometric InP bulk crystal ». Dans 2004 13th International Conference on Semiconducting and Insulating Materials. IEEE, 2004. http://dx.doi.org/10.1109/sim.2005.1511376.
Texte intégralKumari, Vinay, Vinod Kumar, B. P. Malik, Devendra Mohan, Arun Gaur, P. Predeep, Mrinal Thakur et M. K. Ravi Varma. « Two Photon Absorption And Refraction in Bulk of the Semiconducting Materials ». Dans OPTICS : PHENOMENA, MATERIALS, DEVICES, AND CHARACTERIZATION : OPTICS 2011 : International Conference on Light. AIP, 2011. http://dx.doi.org/10.1063/1.3643652.
Texte intégralSilvestri, Markus R., Peter D. Persans et John Schroeder. « Pressure-tuned spectroscopy of II–VI semiconducting nanocrystals ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1993. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1993.thvv.1.
Texte intégralAuret, F. D., M. Hayes, W. E. Meyer, J. M. Nel, L. Wu et M. J. Legodi. « Electrical characterization of as-grown and particle irradiated n-type bulk ZnO ». Dans 2004 13th International Conference on Semiconducting and Insulating Materials. IEEE, 2004. http://dx.doi.org/10.1109/sim.2005.1511422.
Texte intégralYi-Hsing Peng, Weilou Cao, Min Du, Danilo Romero, Warren N. Herman et Chi H. Lee. « Study of transient effects in photo-excited semiconducting polymer and bulk heterojunctions ». Dans 2007 Quantum Electronics and Laser Science Conference. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/qels.2007.4431219.
Texte intégralPeng, Yi-Hsing, Weilou Cao, Min Du, Danilo Romero, Warren N. Herman et Chi H. Lee. « Study of transient effects in photo-excited semiconducting polymer and bulk heterojunctions ». Dans CLEO 2007. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/cleo.2007.4453442.
Texte intégralBeek, Waldo J. E., Martijn M. Wienk et René A. J. Janssen. « Hybrid bulk heterojunction solar cells : blends of ZnO semiconducting nanoparticles and conjugated polymers ». Dans Optics & Photonics 2005, sous la direction de Zakya H. Kafafi et Paul A. Lane. SPIE, 2005. http://dx.doi.org/10.1117/12.614911.
Texte intégralHu, Zhijing, Tao Shen et Thomas Wong. « Evolution of plasmonic response of a semiconducting particle : Transition from surface to bulk phenomena ». Dans 2017 Progress in Electromagnetics Research Symposium - Fall (PIERS - FALL). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/piers-fall.2017.8293481.
Texte intégralHickey, Carolyn F., et Ursula J. Gibson. « Optical properties of SmS thin films ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1985.thn3.
Texte intégralJenekhe, Samson A., et X. Linda Chen. « Self-Organized Organic Semiconductor Quantum Wires and Boxes ». Dans Chemistry and Physics of Small-Scale Structures. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1997. http://dx.doi.org/10.1364/cps.1997.csub.5.
Texte intégral