Articles de revues sur le sujet « Beyond CMOS technologie »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les 50 meilleurs articles de revues pour votre recherche sur le sujet « Beyond CMOS technologie ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Parcourez les articles de revues sur diverses disciplines et organisez correctement votre bibliographie.
Mohamed, Khaled Salah. « Work around Moore’s Law : Current and next Generation Technologies ». Applied Mechanics and Materials 110-116 (octobre 2011) : 3278–83. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.110-116.3278.
Texte intégralThomas, S. G., P. Tomasini, M. Bauer, B. Vyne, Y. Zhang, M. Givens, J. Devrajan, S. Koester et I. Lauer. « Enabling Moore's Law beyond CMOS technologies through heteroepitaxy ». Thin Solid Films 518, no 6 (janvier 2010) : S53—S56. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.10.054.
Texte intégralMa, T. P. « (Plenary) Beyond-Si CMOS Technologies Based on High-Mobility Channels ». ECS Transactions 54, no 1 (28 juin 2013) : 15–24. http://dx.doi.org/10.1149/05401.0015ecst.
Texte intégralChen, An, Supriyo Datta, X. Sharon Hu, Michael T. Niemier, Tajana Simunic Rosing et J. Joshua Yang. « A Survey on Architecture Advances Enabled by Emerging Beyond-CMOS Technologies ». IEEE Design & ; Test 36, no 3 (juin 2019) : 46–68. http://dx.doi.org/10.1109/mdat.2019.2902359.
Texte intégralBourianoff, George, et Dmitri Nikonov. « (Keynote) Progress, Opportunities and Challenges for Beyond CMOS Information Processing Technologies ». ECS Transactions 35, no 2 (16 décembre 2019) : 43–53. http://dx.doi.org/10.1149/1.3568847.
Texte intégralLI, QILIANG. « HYBRID SILICON-MOLECULAR ELECTRONICS ». Modern Physics Letters B 22, no 12 (20 mai 2008) : 1183–202. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984908016054.
Texte intégralDe Gendt, Stefan. « (Dielectric Science & ; Technology Thomas Callinan Award) Materials and Processes As Enablers for Moore Moore and Beyond Moore Technologies ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 18 (7 juillet 2022) : 1036. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01181036mtgabs.
Texte intégralPan, Chenyun, Qiuwen Lou, Michael Niemier, Sharon Hu et Azad Naeemi. « Energy-Efficient Convolutional Neural Network Based on Cellular Neural Network Using Beyond-CMOS Technologies ». IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 5, no 2 (décembre 2019) : 85–93. http://dx.doi.org/10.1109/jxcdc.2019.2960307.
Texte intégralLi, Cheng, Zijin Pan, Xunyu Li, Weiquan Hao, Runyu Miao et Albert Wang. « Selective Overview of 3D Heterogeneity in CMOS ». Nanomaterials 12, no 14 (8 juillet 2022) : 2340. http://dx.doi.org/10.3390/nano12142340.
Texte intégralGrella, K., S. Dreiner, H. Vogt et U. Paschen. « Reliability Investigations up to 350°C of Gate Oxide Capacitors Realized in a Silicon-on-Insulator CMOS Technology ». Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 10, no 4 (1 octobre 2013) : 150–54. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.391.
Texte intégralGrella, K., S. Dreiner, H. Vogt et U. Paschen. « High Temperature Reliability Investigations up to 350 °C of Gate Oxide Capacitors realized in a Silicon-on-Insulator CMOS-Technology ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, HITEN (1 janvier 2013) : 000116–21. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-ta13.
Texte intégralShaheen, Saleh, Gady Golan, Moshe Azoulay et Joseph Bernstein. « A comparative study of reliability for finfet ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 31, no 3 (2018) : 343–66. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1803343s.
Texte intégralFiorelli, Rafaella, Eduardo Peralías, Roberto Méndez-Romero, Mona Rajabali, Akash Kumar, Mohammad Zahedinejad, Johan Åkerman, Farshad Moradi, Teresa Serrano-Gotarredona et Bernabé Linares-Barranco. « CMOS Front End for Interfacing Spin-Hall Nano-Oscillators for Neuromorphic Computing in the GHz Range ». Electronics 12, no 1 (3 janvier 2023) : 230. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12010230.
Texte intégralBanerjee, Writam. « Challenges and Applications of Emerging Nonvolatile Memory Devices ». Electronics 9, no 6 (22 juin 2020) : 1029. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061029.
Texte intégralChen, An. « (Invited, Digital Presentation) Emerging Materials and Devices for Energy-Efficient Computing ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 19 (7 juillet 2022) : 1073. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191073mtgabs.
Texte intégralKerber, Andreas. « Reliability of Metal Gate / High-k devices and its impact on CMOS technology scaling ». MRS Advances 2, no 52 (2017) : 2973–82. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.504.
Texte intégralLallas, Efthymios. « Key Roles of Plasmonics in Wireless THz Nanocommunications—A Survey ». Applied Sciences 9, no 24 (13 décembre 2019) : 5488. http://dx.doi.org/10.3390/app9245488.
Texte intégralWiehe, Moritz. « Silicon Detectors for the LHC Phase-II Upgrade and Beyond – RD50 Status Report ». Journal of Physics : Conference Series 2374, no 1 (1 novembre 2022) : 012167. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2374/1/012167.
Texte intégralSingh, Inderjit, Balwinder Raj, Mamta Khosla et Brajesh Kumar Kaushik. « Comparative Analysis of Spintronic Memories for Low Power on-chip Caches ». SPIN 10, no 04 (16 novembre 2020) : 2050027. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324720500277.
Texte intégralKumaresan, Raja Sekar, Marshal Raj et Lakshminarayanan Gopalakrishnan. « Design and implementation of a nano magnetic logic barrel shifter using beyond-CMOS technology ». Journal of Electrical Engineering 73, no 1 (1 février 2022) : 1–10. http://dx.doi.org/10.2478/jee-2022-0001.
Texte intégralWong, H. S. Philip. « (Digital Presentation) Low Dimensional Channel Materials for Logic Transistors ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 32 (9 octobre 2022) : 1182. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321182mtgabs.
Texte intégralGuendouz, Djeber, Chhandak Mukherjee, Marina Deng, Magali De Matos, Christophe Caillaud, Hervé Bertin, Antoine Bobin et al. « Multiscale Compact Modelling of UTC-Photodiodes Enabling Monolithic Terahertz Communication Systems Design ». Applied Sciences 11, no 23 (23 novembre 2021) : 11088. http://dx.doi.org/10.3390/app112311088.
Texte intégralKim, Heewoo, Aporva Amarnath, Javad Bagherzadeh, Nishil Talati et Ronald G. Dreslinski. « A Survey Describing Beyond Si Transistors and Exploring Their Implications for Future Processors ». ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems 17, no 3 (25 juin 2021) : 1–44. http://dx.doi.org/10.1145/3453143.
Texte intégralTakenaka, Mitsuru, et Shinichi Takagi. « III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics ». Materials Science Forum 783-786 (mai 2014) : 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Texte intégralZhou, Chongwu. « (Invited) Nanoelectronics Based on Assembled High-Density and High-Semiconducting-Purity Carbon Nanotube Films ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 9 (7 juillet 2022) : 751. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-019751mtgabs.
Texte intégralFuhrer, Michael S., Chun Ning Lau et Allan H. MacDonald. « Graphene : Materially Better Carbon ». MRS Bulletin 35, no 4 (avril 2010) : 289–95. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2010.551.
Texte intégralManipatruni, Sasikanth, Dmitri E. Nikonov, Chia-Ching Lin, Bhagwati Prasad, Yen-Lin Huang, Anoop R. Damodaran, Zuhuang Chen, Ramamoorthy Ramesh et Ian A. Young. « Voltage control of unidirectional anisotropy in ferromagnet-multiferroic system ». Science Advances 4, no 11 (novembre 2018) : eaat4229. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aat4229.
Texte intégralKotus, Katarzyna A., Mathieu Moalic, Matusz Zelent, Maciej Krawczyk et Pawel Gruszecki. « Scattering of spin waves in a multimode waveguide under the influence of confined magnetic skyrmion ». APL Materials 10, no 9 (1 septembre 2022) : 091101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0100594.
Texte intégralYadav, Sachin, Pieter Cardinael, Ming Zhao, Komal Vondkar, Uthayasankaran Peralagu, Alireza Alian, Raul Rodriguez et al. « (Digital Presentation) Substrate Effects in GaN-on-Si Hemt Technology for RF FEM Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 32 (9 octobre 2022) : 1208. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321208mtgabs.
Texte intégralGupta, Prateek, Dr Avnish Kumar Upadhyay, Dr Chandan Kumar Jha, Anuj Gupta et Lakshay Gupta. « Performance Analysis and Comparison of Different High-K Materials Used as Gate Dielectrics in DH-TMSG MOSFET ». International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology 10, no 12 (31 décembre 2022) : 1870–89. http://dx.doi.org/10.22214/ijraset.2022.48089.
Texte intégralBez, Roberto, Emilio Camerlenghi et Agostino Pirovano. « Materials and Processes for Non-Volatile Memories ». Materials Science Forum 608 (décembre 2008) : 111–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.608.111.
Texte intégralGnoli, Luca, et Fabrizio Riente. « A skyrmion content-addressable cell for skyrmion magnetic memories ». Nanotechnology 33, no 20 (21 février 2022) : 205203. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac4dc2.
Texte intégralLinder, Barry, Vamsi Paruchuri, Vijay Narayanan, Eduard Cartier, Nestor Bojarczuk, Supratik Guha, Stephen Brown et Y. Wang. « Recent Advances in Search for Suitable High-k/Metal Gate Solutions to Replace SiON/Poly-Silicon Gate Stacks in CMOS Devices for 45nm and Beyond Technologies ». ECS Transactions 6, no 1 (19 décembre 2019) : 287–94. http://dx.doi.org/10.1149/1.2727412.
Texte intégralSatyanarayana, B. V. V., et M. Durga Prakash. « Design and Analysis of Heterojunction Tunneling Transistor (HETT) based Standard 6T SRAM Cell ». International Journal of Engineering & ; Technology 7, no 3.29 (24 août 2018) : 8. http://dx.doi.org/10.14419/ijet.v7i3.29.18450.
Texte intégralWeikle, Robert M., N. Scott Barker, Arthur W. Lichtenberger, Matthew F. Bauwens et Naser Alijabbari. « Heterogeneous Integration and Micromachining Technologies for Terahertz Devices and Components ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2015, DPC (1 janvier 2015) : 002041–81. http://dx.doi.org/10.4071/2015dpc-tha31.
Texte intégralPrewett, Philip D., Cornelis W. Hagen, Claudia Lenk, Steve Lenk, Marcus Kaestner, Tzvetan Ivanov, Ahmad Ahmad et al. « Charged particle single nanometre manufacturing ». Beilstein Journal of Nanotechnology 9 (14 novembre 2018) : 2855–82. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.9.266.
Texte intégralMochizuki, Shogo, Juntao Li, Erin Stuckert, Huimei Zhou et Nicolas Loubet. « Compressive Strained Si1-XGex Channel for High Performance Gate-All-Around Nanosheet Transistors ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 32 (9 octobre 2022) : 1192. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321192mtgabs.
Texte intégralGilewski, Marian. « The ripple-curry amplifier in photonic applications ». Photonics Letters of Poland 14, no 4 (31 décembre 2022) : 86–88. http://dx.doi.org/10.4302/plp.v14i4.1187.
Texte intégralVeloso, Anabela, Geert Eneman, Eddy Simoen, Bogdan Cretu, An De Keersgieter, Anne Jourdain et Naoto Horiguchi. « (Invited, Digital Presentation) Innovations in Transistor Architecture and Device Connectivity Options for Advanced Logic Scaling ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 19 (7 juillet 2022) : 1059. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191059mtgabs.
Texte intégralKikkawa, Takamaro, et Isami Sakai. « 0.35 μm Technologies in Japan ». MRS Proceedings 402 (1995). http://dx.doi.org/10.1557/proc-402-199.
Texte intégralChen, An. « Beyond-CMOS roadmap - from Boolean logic to neuro-inspired computing ». Japanese Journal of Applied Physics, 14 mars 2022. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac5d86.
Texte intégral« Progress, Opportunities and Challenges for beyond CMOS Information Processing Technologies ». ECS Meeting Abstracts, 2011. http://dx.doi.org/10.1149/ma2011-01/16/1123.
Texte intégralBorland, John O. « Applications of MeV Ion Implantation in Semiconductor Device Manufacturing ». MRS Proceedings 354 (1994). http://dx.doi.org/10.1557/proc-354-123.
Texte intégralMoslehi, Mehrdad M. « Rapid Thermal Processing Requirements for 0.35-µm IC Technologies and Beyond ». MRS Proceedings 342 (1994). http://dx.doi.org/10.1557/proc-342-273.
Texte intégralKaul, Anupama B. « Carbon Nanomaterials for Energy Efficient Green Electronics ». MRS Proceedings 1478 (2012). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.195.
Texte intégralLiu, Jing, Hongxiang Mo et Mehmet C. Ötürk. « A Study on Solid Phase Reactions of Ni and Pt on Si-Ge Alloys as Contacts to Ultra-Shallow P+N Junctions for CMOS Technology Nodes Beyond 70nm ». MRS Proceedings 670 (2001). http://dx.doi.org/10.1557/proc-670-k7.2.
Texte intégralKittl, J. A., Q. Z. Hong, H. Yang, N. Yu, M. Rodder, P. P. Apte, W. T. Shiau, C. P. Chao, T. Breedijk et M. F. Pas. « Optimization of Ti and Co Self-Aligned Silicide RTP for 0.10 μm Cmos ». MRS Proceedings 525 (1998). http://dx.doi.org/10.1557/proc-525-331.
Texte intégralKittl, J. A., Q. Z. Hong, H. Yang, N. Yu, M. Rodder, P. P. Apte, W. T. Shiau, C. P. Chao, T. Breedijk et M. F. Pas. « Optimization of Ti and Co Self-Aligned Silicide RTP for 0.10 μm CMOS ». MRS Proceedings 514 (1998). http://dx.doi.org/10.1557/proc-514-255.
Texte intégralZhang, Yihan, Prashant Muthuraman, Victoria Andino-Pavlovsky, Ilke Uguz, Jeffrey Elloian et Kenneth L. Shepard. « Augmented ultrasonography with implanted CMOS electronic motes ». Nature Communications 13, no 1 (20 juin 2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-022-31166-x.
Texte intégralBhat, Navakanta. « Nanotechnology and the Future of Computation, Storage and Perception ». Advanced Computing and Communications, 30 juin 2019. http://dx.doi.org/10.34048/2019.2.f1.
Texte intégral