Littérature scientifique sur le sujet « Beyond CMOS technologie »
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Articles de revues sur le sujet "Beyond CMOS technologie"
Mohamed, Khaled Salah. « Work around Moore’s Law : Current and next Generation Technologies ». Applied Mechanics and Materials 110-116 (octobre 2011) : 3278–83. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.110-116.3278.
Texte intégralThomas, S. G., P. Tomasini, M. Bauer, B. Vyne, Y. Zhang, M. Givens, J. Devrajan, S. Koester et I. Lauer. « Enabling Moore's Law beyond CMOS technologies through heteroepitaxy ». Thin Solid Films 518, no 6 (janvier 2010) : S53—S56. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.10.054.
Texte intégralMa, T. P. « (Plenary) Beyond-Si CMOS Technologies Based on High-Mobility Channels ». ECS Transactions 54, no 1 (28 juin 2013) : 15–24. http://dx.doi.org/10.1149/05401.0015ecst.
Texte intégralChen, An, Supriyo Datta, X. Sharon Hu, Michael T. Niemier, Tajana Simunic Rosing et J. Joshua Yang. « A Survey on Architecture Advances Enabled by Emerging Beyond-CMOS Technologies ». IEEE Design & ; Test 36, no 3 (juin 2019) : 46–68. http://dx.doi.org/10.1109/mdat.2019.2902359.
Texte intégralBourianoff, George, et Dmitri Nikonov. « (Keynote) Progress, Opportunities and Challenges for Beyond CMOS Information Processing Technologies ». ECS Transactions 35, no 2 (16 décembre 2019) : 43–53. http://dx.doi.org/10.1149/1.3568847.
Texte intégralLI, QILIANG. « HYBRID SILICON-MOLECULAR ELECTRONICS ». Modern Physics Letters B 22, no 12 (20 mai 2008) : 1183–202. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984908016054.
Texte intégralDe Gendt, Stefan. « (Dielectric Science & ; Technology Thomas Callinan Award) Materials and Processes As Enablers for Moore Moore and Beyond Moore Technologies ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 18 (7 juillet 2022) : 1036. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01181036mtgabs.
Texte intégralPan, Chenyun, Qiuwen Lou, Michael Niemier, Sharon Hu et Azad Naeemi. « Energy-Efficient Convolutional Neural Network Based on Cellular Neural Network Using Beyond-CMOS Technologies ». IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 5, no 2 (décembre 2019) : 85–93. http://dx.doi.org/10.1109/jxcdc.2019.2960307.
Texte intégralLi, Cheng, Zijin Pan, Xunyu Li, Weiquan Hao, Runyu Miao et Albert Wang. « Selective Overview of 3D Heterogeneity in CMOS ». Nanomaterials 12, no 14 (8 juillet 2022) : 2340. http://dx.doi.org/10.3390/nano12142340.
Texte intégralGrella, K., S. Dreiner, H. Vogt et U. Paschen. « Reliability Investigations up to 350°C of Gate Oxide Capacitors Realized in a Silicon-on-Insulator CMOS Technology ». Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 10, no 4 (1 octobre 2013) : 150–54. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.391.
Texte intégralThèses sur le sujet "Beyond CMOS technologie"
Ceyhan, Ahmet. « Interconnects for future technology generations - conventional CMOS with copper/low-k and beyond ». Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/53080.
Texte intégralBalijepalli, Heman. « Design, Implementation, and Test of Novel Quantum-dot Cellular Automata FPGAs for the beyond CMOS Era ». University of Toledo / OhioLINK, 2012. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=toledo1333730938.
Texte intégralLee, Wei-Chin, et 李威縉. « MBE-grown High quality Oxide Thin Film for CMOS Technology beyond 16nm node ». Thesis, 2009. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/08939201900273523191.
Texte intégral國立清華大學
材料科學工程學系
98
Looking beyond the 16 nm node ICs, researchers have come up a consensus that high-κ dielectrics will become the channel material in the long-standing SiO2/Si system. The combination of high-κ dielectrics with channel made of III-Vs will have to be integrated onto Si. Themes of this thesis work focus on utilizing unique MBE technique to grow high quality oxides to search potential solutions to solve this issue. Two major achievements has been obtained by employing the MBE method: (I) further reducing the EOT by (a) interfacial engineering and (b) phase transition engineering, (II) the integration of GaN onto Si through the high quality MBE-grown crystalline oxide. (III) (a) By employing the MBE technique, the formation of the oxide/Si interfacial layer has been effectively suppressed. HfO2 films with 4.9 nm thickness show low leakage current density ~0.4 A/cm2 at 1V, a dielectric constant �� of 20.7, and an EOT of 0.9 nm. The composite film of ALD-HfO2(1.4 nm)/MBE-HfO2(1.5 nm) exhibits an overall�n�� value of 16.2, and an EOT of 0.7 nm with a leakage current density of 5.3×10-1 A/cm2 at Vfb -1V. The Dit value at midgap is 3.6×1011 cm-2eV-1 calculated by the conductance method. (b) Cubic phase yttrium-doped HfO2 (YDH) ultrathin films were grown on both Si (111) and GaAs(100) substrates by molecular beam epitaxy. Thorough structural and morphological investigations by x-ray scattering and transmission electron microscopy reveal that the YDH thin films are epitaxially grown on the Si(111) and GaAs(100) substrates. From the electrical measurements, optimized doping concentration of yttrium into HfO2 increases the dielectric value to 32, achieving lower EOT on both Si and GaAs. (IV) The epitaxial growth of GaN on Si (111) substrates with a thin crystalline oxide (Sc2O3, or ��-Al2O3) as a template/buffer layer is fabricated. The structural properties and in-situ epitaxial growth were studied using reflection high energy electron diffraction (RHEED), high-resolution transmission electron microscopy, and high-resolution x-ray diffraction. The crystalline oxide template serves as an effective barrier layer, and no cracking is observed in GaN.
Pan, Chun-Peng, et 潘俊澎. « The 1.8~1.6nm Gate Dielectrics Prepared by Plasma-Nitridation for 0.13um CMOS Technology Application and Beyond ». Thesis, 2004. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/48938724714296935755.
Texte intégral國立臺北科技大學
機電整合研究所
92
In order to improve the device performance, gate oxide has been scaled aggressively. The gate leakage current through the gate oxide increases significantly because direct tunneling is the primary conduction mechanism. The high gate leakage increases standby power consumption, which is a major concern for low power device applications. Decoupled plasma nitridation of is a new technology using inductive coupling to generate nitrogen plasma and implant a high level of nitrogen concentration onto the top surface layer of an ultra-thin gate oxide. This will help to increase the dielectric constant of the gate dielectric, and improve the boron penetration problem in p-channel MOSFETs. Traditional nitrided oxide prepared using N2O or NO thermal nitridation will have nitrogen piling up at the oxide/substrate interface, which results in boron pile up within the oxide causing an increase in the electron trapping and degradation of the oxide reliability. In our study, using traditional nitrided oxide methods result in poor performance、worse resistance to boron penetration、small EOT (effective oxide thickness) decreasing range. In this thesis, we use the current-voltage (I-V) measurements, capacitance-voltage (C-V) measurements, and lots of electric parameters studies were used to characterize the MOSFETs performance with Decoupled-Plasma nitrided oxide and compared with conventional methods.
Kang, Inkuk. « Formation of N⁺P junctions using in-situ phosphorus doped selective Si1-xGex alloys for CMOS technology nodes beyond 50nm ». 2004. http://www.lib.ncsu.edu/theses/available/etd-03312004-172745/unrestricted/etd.pdf.
Texte intégralChang, Pen, et 張翔筆. « Interface engineering between high-κ dielectrics and III-V high mobility channel materials for passivation enabling the technology beyond Si CMOS ». Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/26050156900427811103.
Texte intégral國立清華大學
材料科學工程學系
100
The High-κ/Metal-Gate plus III-V high mobility channel materials is regarded as a urgent issue for achieving high performance and low power dissipation complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology beyond 15 nm node. A combination of electrical, chemical, and structural characterization methods to evaluate the MOS interface passivation quality. The interface engineering of in-situ directly deposited not only rare-earth oxide (REOs) but also HfO2-based high-κ dielectrics on III-V surface exhibited the successful passivation, in terms of low interfacial density of states (Dit) below 10e12 eV-1cm-2 without midgap peak, low equivalent oxide thickness (EOT) below 1 nm, low leakage current, both conduction band offset (ΔEc) and valence band offset (ΔEv) are larger than 1.5 eV, and truly high thermal stability higher than 800 oC. Moreover, high performance of self-aligned gate first inversion-channel MOS field-effect-transistors (MOSFETs) have achieved steep subthreshold swing (SS) value below 100 mV/dec, a maximum drain current (Id,max) of 1.5 mA/μm, a maximum transconductance (Gm) of 0.77 mS/μm, and a peak field-effect mobility (μFE) of 2100 cm2/Vs. This work suffices the key for realizing ultimately scaled devices with really high performance.
Livres sur le sujet "Beyond CMOS technologie"
Topaloglu, Rasit O., et H. S. Philip Wong, dir. Beyond-CMOS Technologies for Next Generation Computer Design. Cham : Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-90385-9.
Texte intégralSimon, Deleonibus, dir. Electronic device architectures for the nano-CMOS era : From ultimate CMOS scaling to beyond CMOS devices. Singapore : Pan Stanford, 2009.
Trouver le texte intégralSimon, Deleonibus, dir. Electronic device architectures for the nano-CMOS era : From ultimate CMOS scaling to beyond CMOS devices. Singapore : Pan Stanford, 2009.
Trouver le texte intégralTopaloglu, Rasit O., et H. S. Philip Wong. Beyond-CMOS Technologies for Next Generation Computer Design. Springer International Publishing AG, 2018.
Trouver le texte intégralTopaloglu, Rasit O., et H. S. Philip Wong. Beyond-CMOS Technologies for Next Generation Computer Design. Springer, 2019.
Trouver le texte intégralChen, An. Advances in Semiconductor Technologies : Selected Topics Beyond Conventional CMOS. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.
Trouver le texte intégralChen, An. Advances in Semiconductor Technologies : Selected Topics Beyond Conventional CMOS. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.
Trouver le texte intégralChen, An. Advances in Semiconductor Technologies : Selected Topics Beyond Conventional CMOS. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.
Trouver le texte intégralChen, An. Advances in Semiconductor Technologies : Selected Topics Beyond Conventional CMOS. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.
Trouver le texte intégralFerrari, Philippe, Rolf Jakoby, Onur Hamza Karabey, Gustavo P. Rehder et Holger Maune, dir. Reconfigurable Circuits and Technologies for Smart Millimeter-Wave Systems. Cambridge University Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1017/9781316212479.
Texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Beyond CMOS technologie"
Sangiorgi, E. « Part 2 New Materials, Devices and Technologies for Energy Harvesting ». Dans Beyond-CMOS Nanodevices 1, 83–87. Hoboken, NJ, USA : John Wiley & Sons, Inc., 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9781118984772.part2.
Texte intégralNassiopoulou, Androula G. « Part 4 New Materials, Devices and Technologies for RF Applications ». Dans Beyond-CMOS Nanodevices 1, 365–72. Hoboken, NJ, USA : John Wiley & Sons, Inc., 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9781118984772.part4.
Texte intégralNassiopoulou, Androula G., Panagiotis Sarafis, Jean-Pierre Raskin, Henza Issa et Phillippe Ferrari. « Substrate Technologies for Silicon-Integrated RF and mm-Wave Passive Devices ». Dans Beyond-CMOS Nanodevices 1, 373–417. Hoboken, NJ, USA : John Wiley & Sons, Inc., 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9781118984772.ch13.
Texte intégralJamaa, Haykel Ben, Bahman Kheradmand Boroujeni, Giovanni De Micheli, Yusuf Leblebici, Christian Piguet, Alexandre Schmid et Milos Stanisavljevic. « Design Technologies for Nanoelectronic Systems Beyond Ultimately Scaled CMOS ». Dans Nanosystems Design and Technology, 45–84. Boston, MA : Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0255-9_3.
Texte intégralAnghel, Costin, et Amara Amara. « Beyond Conventional CMOS Technology : Challenges for New Design Concepts ». Dans Design Technology for Heterogeneous Embedded Systems, 279–301. Dordrecht : Springer Netherlands, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-007-1125-9_13.
Texte intégralHills, Gage, H. S. Philip Wong et Subhasish Mitra. « Beyond-Silicon Devices : Considerations for Circuits and Architectures ». Dans Beyond-CMOS Technologies for Next Generation Computer Design, 1–19. Cham : Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-90385-9_1.
Texte intégralBouvet, Didier, László Forró, Adrian M. Ionescu, Yusuf Leblebici, Arnaud Magrez, Kirsten E. Moselund, Giovanni A. Salvatore, Nava Setter et Igor Stolitchnov. « Materials and Devices for Nanoelectronic Systems Beyond Ultimately Scaled CMOS ». Dans Nanosystems Design and Technology, 23–44. Boston, MA : Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0255-9_2.
Texte intégralDe Man, Hugo, et Hugo De Man. « Design Technology for Advanced Digital Systems in CMOS and Beyond ». Dans Design, Automation, and Test in Europe, 269–73. Dordrecht : Springer Netherlands, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4020-6488-3_20.
Texte intégralResta, Giovanni V., Pierre-Emmanuel Gaillardon et Giovanni De Micheli. « Functionality-Enhanced Devices : From Transistors to Circuit-Level Opportunities ». Dans Beyond-CMOS Technologies for Next Generation Computer Design, 21–42. Cham : Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-90385-9_2.
Texte intégralNourbakhsh, Amirhasan, Lili Yu, Yuxuan Lin, Marek Hempel, Ren-Jye Shiue, Dirk Englund et Tomás Palacios. « Heterogeneous Integration of 2D Materials and Devices on a Si Platform ». Dans Beyond-CMOS Technologies for Next Generation Computer Design, 43–84. Cham : Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-90385-9_3.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Beyond CMOS technologie"
Ham, Donhee, et David Scott. « ES1 : Beyond CMOS - emerging technologies ». Dans 2010 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/isscc.2010.5433854.
Texte intégralYoung, Ian. « Technology Options for Beyond-CMOS ». Dans ISPD '17 : International Symposium on Physical Design. New York, NY, USA : ACM, 2017. http://dx.doi.org/10.1145/3036669.3041225.
Texte intégralSotomayor Torres, C. M., J. Ahopelto, M. W. M. Graef, R. M. Popp et W. Rosenstiel. « Beyond CMOS - benchmarking for future technologies ». Dans 2012 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE 2012). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/date.2012.6176445.
Texte intégralKawanaka, Shigeru, Akira Hokazono, Nobuaki Yasutake, Kosuke Tatsumura, Masato Koyama et Yoshiaki Toyoshima. « Advanced CMOS Technology beyond 45nm Node ». Dans 2007 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA). IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/vtsa.2007.378967.
Texte intégralFettweis, Gerhard P. « Electronics beyond CMOS (introduction) ». Dans 2012 IEEE Technology Time Machine (TTM). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/ttm.2012.6509054.
Texte intégralPrendergast, James. « Electronics beyond CMOS (challenger) ». Dans 2012 IEEE Technology Time Machine (TTM). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/ttm.2012.6509059.
Texte intégralTurner, Richard M., et Kristina M. Johnson. « CMOS position detectors for peak location ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1993. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1993.thb.7.
Texte intégralKnechtel, Johann. « Hardware Security For and Beyond CMOS Technology ». Dans ISPD '20 : International Symposium on Physical Design. New York, NY, USA : ACM, 2020. http://dx.doi.org/10.1145/3372780.3378175.
Texte intégralKnechtel, Johann. « Hardware Security for and beyond CMOS Technology ». Dans ISPD '21 : International Symposium on Physical Design. New York, NY, USA : ACM, 2021. http://dx.doi.org/10.1145/3439706.3446902.
Texte intégralZografos, O., A. De Meester, E. Testa, M. Soeken, P. E. Gaillardon, G. De Micheli, L. Amaru, P. Raghavan, F. Catthoor et R. Lauwereins. « Wave pipelining for majority-based beyond-CMOS technologies ». Dans 2017 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.23919/date.2017.7927195.
Texte intégral