Articles de revues sur le sujet « BAND GAP REFERENCE CIRCUITS »
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AZAROV, Oleksiy, et Anna FIGAS. « THERMOSTABLE REFERENCE CURRENT AND VOLTAGE SOURCES FOR HIGH-LINEAR ANALOGUE-CODE-ANALOGUE SYSTEM ». Herald of Khmelnytskyi National University. Technical sciences 311, no 4 (août 2022) : 23–28. http://dx.doi.org/10.31891/2307-5732-2022-311-4-23-28.
Texte intégralZhang, Wei Juan, Yan Zhao, Ju Wang et Kun Li. « A Band-Gap Voltage Reference for LDO Circuit ». Applied Mechanics and Materials 599-601 (août 2014) : 626–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.599-601.626.
Texte intégralGrella, K., S. Dreiner, A. Schmidt, W. Heiermann, H. Kappert, H. Vogt et U. Paschen. « High Temperature Characterization up to 450°C of MOSFETs and Basic Circuits Realized in a Silicon-on-Insulator (SOI) CMOS Technology ». Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 10, no 2 (1 avril 2013) : 67–72. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.374.
Texte intégralMarani, R., et A. G. Perri. « Review—Thermal Effects in the Design of CNTFET-Based Digital Circuits ». ECS Journal of Solid State Science and Technology 11, no 4 (1 avril 2022) : 041006. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac63e6.
Texte intégralLi, Zheng Da, et Lin Xie. « One Kind of Band-Gap Voltage Reference Source with Piecewise High-Order Temperature Compensation and Power Supply Rejection Ratio ». Applied Mechanics and Materials 644-650 (septembre 2014) : 3575–78. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.644-650.3575.
Texte intégralShrivastava, Amandeep, R. S. Gamad et R. C. Gurjar. « Design of Improved Band Gap Reference Circuit for CS-VCO Application Using 180nm CMOS Technology ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 1272, no 1 (1 décembre 2022) : 012009. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/1272/1/012009.
Texte intégralLiang, Chao-Jui, Chiu-Chiao Chung et Hongchin Lin. « A low-voltage band-gap reference circuit with second-order analyses ». International Journal of Circuit Theory and Applications 39, no 12 (12 juillet 2010) : 1247–56. http://dx.doi.org/10.1002/cta.699.
Texte intégralLi, Fan, Ang Li, Yuhao Zhu, Chengmurong Ding, Yubo Wang, Weisheng Wang, Miao Cui, Yinchao Zhao, Huiqing Wen et Wen Liu. « Monolithic Si-Based AlGaN/GaN MIS-HEMTs Comparator and Its High Temperature Characteristics ». Applied Sciences 11, no 24 (17 décembre 2021) : 12057. http://dx.doi.org/10.3390/app112412057.
Texte intégralMa, Bill, et Feng Qi Yu. « A 1.2-V 1.76-Ppm/°C Low Voltage CMOS Band-Gap Reference ». Applied Mechanics and Materials 303-306 (février 2013) : 1798–802. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.303-306.1798.
Texte intégralHan, Yifeng, Mingjing Zhai et Junfeng Zhou. « A thermal protection module for automotive integrated circuits ». Modern Physics Letters B 31, no 19-21 (27 juillet 2017) : 1740097. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984917400978.
Texte intégralAloulou, Rahma, P.-O. Lucas de Peslouan, J. Armand, Hassene Mnif, Frederic Alicalapa, Mourad Loulou et Jean Daniel Lan Sun Luk. « Micropower Clock Generator Circuit Using an Optimized Band-Gap Reference for Energy Harvesting Charge Pumps ». International Review of Electrical Engineering (IREE) 10, no 2 (30 avril 2015) : 257. http://dx.doi.org/10.15866/iree.v10i2.5132.
Texte intégralYao, Fang Fang, Xiao Jing Zhang, Zhi Qiang Gao et Xiao Wei Liu. « Design of Charge Pump for Inertial Sensor Drive Circuit ». Key Engineering Materials 609-610 (avril 2014) : 942–51. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.609-610.942.
Texte intégralChan, Hao-Ping, et Yu-Cherng Hung. « None Operational Amplifier (OPA) Based : Design of Analogous Bandgap Reference Voltage ». MATEC Web of Conferences 201 (2018) : 02002. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/201820102002.
Texte intégralLi, Xiangyu, Liang Yin, Weiping Chen, Zhiqiang Gao et Xiaowei Liu. « A high-resolution tunneling magneto-resistance sensor interface circuit ». Modern Physics Letters B 31, no 04 (10 février 2017) : 1750030. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984917500300.
Texte intégralTavora de Albuquerque Silva, Andre, Claudio Ferreira Dias, Eduardo Rodrigues de Lima, Gustavo Fraidenraich et Larissa Medeiros de Almeida. « A New Reconfigurable Filter Based on a Single Electromagnetic Bandgap Honey Comb Geometry Cell ». Electronics 10, no 19 (30 septembre 2021) : 2390. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10192390.
Texte intégralOre, Erenn, Gehan Amaratunga et Stefaan De Wolf. « HIT Solar Cell With V2Ox Window Layer ». MRS Advances 2, no 53 (2017) : 3147–56. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.465.
Texte intégralRiches, S. T., C. Warn, K. Cannon, G. Rickard, L. Stoica et C. Johnston. « Design and Assembly of High Temperature Distributed Aero-engine Control System Demonstrator ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, HITEC (1 janvier 2014) : 000285–90. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-tha12.
Texte intégralSeo, Kyeong-Ho, Xue Zhang, Jaehoon Park et Jin-Hyuk Bae. « Numerical Approach to the Plasmonic Enhancement of Cs2AgBiBr6 Perovskite-Based Solar Cell by Embedding Metallic Nanosphere ». Nanomaterials 13, no 13 (23 juin 2023) : 1918. http://dx.doi.org/10.3390/nano13131918.
Texte intégralNawito, M., H. Richter, A. Stett et J. N. Burghartz. « A programmable energy efficient readout chip for a multiparameter highly integrated implantable biosensor system ». Advances in Radio Science 13 (3 novembre 2015) : 103–8. http://dx.doi.org/10.5194/ars-13-103-2015.
Texte intégralKaradoğan, Betül, İbrahim Erden et Savaş Berber. « Asymmetric phthalocyanine compounds in the structure D-π-A containing cyano groups : Design, synthesis and dye-sensitized solar cell applications ». Main Group Chemistry 20, no 2 (22 juillet 2021) : 155–63. http://dx.doi.org/10.3233/mgc-210018.
Texte intégralDas, Suman, Hengfei Gu, Lu Wang, Ayayi Ahyi, Leonard C. Feldman, Eric Garfunkel, Marcelo Kuroda et Sarit Dhar. « Nitrogen Annealing As a Sustainable Method for Interface Trap Passivation in 4H-SiC Mosfets ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 15 (9 octobre 2022) : 817. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0215817mtgabs.
Texte intégralDaves, Glenn G. « Trends in Automotive Packaging ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, DPC (1 janvier 2014) : 001818–50. http://dx.doi.org/10.4071/2014dpc-keynote_th1_daves.
Texte intégralFarzan Moghaddam, Ali, et Alex Van den Bossche. « A Smart High-Voltage Cell Detecting and Equalizing Circuit for LiFePO4 Batteries in Electric Vehicles ». Applied Sciences 9, no 24 (10 décembre 2019) : 5391. http://dx.doi.org/10.3390/app9245391.
Texte intégralLian, Ziyang, Hongping Hu, Longxiang Dai, Yuxing Liang, Bin Luo et Xuedong Chen. « Coupling between two kinds of band gaps of a shunted tube piezoelectric phononic crystal ». Journal of Intelligent Material Systems and Structures 28, no 16 (24 janvier 2017) : 2153–66. http://dx.doi.org/10.1177/1045389x16685437.
Texte intégralNaranjo, Santiago, Lina Castañeda, Luis Daniel Salazar Hoyos, Carlos Ignacio Sanchez et Luisa Maria Alvarez Gonzalez. « Synthesis of ZnO Nanorods-Based Photoanode and Electrochemical Characterization for Azoic Dyes Degradation : Reactive Red 239 Study Case ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 54 (9 octobre 2022) : 2012. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02542012mtgabs.
Texte intégralLemmon, Andrew, Michael Mazzola, James Gafford et Christopher Parker. « Instability in Half-Bridge Circuits Switched With Wide Band-Gap Transistors ». IEEE Transactions on Power Electronics 29, no 5 (mai 2014) : 2380–92. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2013.2273275.
Texte intégralBauer, James, et Sajeev John. « Molding light flow from photonic band gap circuits to microstructured fibers ». Applied Physics Letters 90, no 26 (25 juin 2007) : 261111. http://dx.doi.org/10.1063/1.2752732.
Texte intégralPark, Jeongpyo, et Changsik Yoo. « Band-gap Reference Voltage Generator Insensitive to Mismatch Variation ». Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 54, no 12 (31 décembre 2017) : 27–32. http://dx.doi.org/10.5573/ieie.2017.54.12.27.
Texte intégralNasre, Vrushali G., et G. M. Asutkar G. M. Asutkar. « CMOS Band Gap Reference (BGR) Design Techniques : A Review ». Indian Journal of Applied Research 3, no 8 (1 octobre 2011) : 235–38. http://dx.doi.org/10.15373/2249555x/aug2013/76.
Texte intégralClark, David T., Ewan P. Ramsay, A. E. Murphy, Dave A. Smith, Robin F. Thompson, R. A. R. Young, Jennifer D. Cormack, C. Zhu, S. Finney et John Fletcher. « High Temperature Silicon Carbide CMOS Integrated Circuits ». Materials Science Forum 679-680 (mars 2011) : 726–29. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.726.
Texte intégralYang, Fei-Ran, Yongxi Qian, Roberto Coccioli et Tatsuo Itoh. « Analysis and Application of Photonic Band-Gap (PBG) Structures for Microwave Circuits ». Electromagnetics 19, no 3 (mai 1999) : 241–54. http://dx.doi.org/10.1080/02726349908908642.
Texte intégralShen, Fengfu, Ge Zhu, Qing Shi et Zengtao Lv. « Manipulation of negative-index collimation beam using band-gap guidance ». European Physical Journal Applied Physics 82, no 1 (avril 2018) : 10401. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2018170212.
Texte intégralChen, Shengbing. « Wave propagation in acoustic metamaterials with resonantly shunted cross-shape piezos ». Journal of Intelligent Material Systems and Structures 29, no 13 (31 mai 2018) : 2744–53. http://dx.doi.org/10.1177/1045389x18778367.
Texte intégralWang, Faze, Enyi Hu, Jun Wang, Lei Yu, Soonpa Hong, Jung-Sik Kim et Bin Zhu. « Tuning La2O3 to high ionic conductivity by Ni-doping ». Chemical Communications 58, no 27 (2022) : 4360–63. http://dx.doi.org/10.1039/d1cc07183a.
Texte intégralZhou, Sui Hua, Shi Min Feng et Zhi Yi Chen. « A Single Side-Band Modulation Circuit in Underwater Electric Current Communication ». Advanced Materials Research 712-715 (juin 2013) : 1737–40. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.712-715.1737.
Texte intégralKeßler, P., K. Lorenz et R. Vianden. « Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors ». Defect and Diffusion Forum 311 (mars 2011) : 167–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.311.167.
Texte intégralKumar, Anup, Pawan Heera, P. B. Baraman et Raman Sharma. « Investigative Study of Optical Parameters of Se80.5Bi1.5Te18-yAgy Thin Films ». Materials Science Forum 710 (janvier 2012) : 739–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.710.739.
Texte intégralZhu, Yan, et Mantu K. Hudait. « Low-power tunnel field effect transistors using mixed As and Sb based heterostructures ». Nanotechnology Reviews 2, no 6 (1 décembre 2013) : 637–78. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2012-0082.
Texte intégralEt. al., Suresh Akkole,. « DESIGN OF SQUARE MICROSTRIP PATCH MULTI BAND ANTENNA FOR WIRELESS COMMUNICATION USING EBG STRUCTURE ». INFORMATION TECHNOLOGY IN INDUSTRY 9, no 2 (13 avril 2021) : 1086–89. http://dx.doi.org/10.17762/itii.v9i2.456.
Texte intégralSingh, Shakti, Nourhan El Sayed, Hazem Elgabra, Tamador ElBoshra, Maisam Wahbah et Mariam Al Zaabi. « Modeling of High Performance 4H-SiC Emitter Coupled Logic Circuits ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 1009–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1009.
Texte intégralMarani, Roberto, et Anna Gina Perri. « A Review on the Study of Temperature Effects in the Design of A/D Circuits based on CNTFET ». Current Nanoscience 15, no 5 (19 juillet 2019) : 471–80. http://dx.doi.org/10.2174/1573413714666181009125058.
Texte intégralKlatt, Michael A., Paul J. Steinhardt et Salvatore Torquato. « Phoamtonic designs yield sizeable 3D photonic band gaps ». Proceedings of the National Academy of Sciences 116, no 47 (6 novembre 2019) : 23480–86. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.1912730116.
Texte intégralUma Maheswari Y, Amudha A et Ashok Kumar L. « A Review on EMI Issues in High speed Designs and Solutions ». Journal of Electronics, Electromedical Engineering, and Medical Informatics 4, no 4 (29 octobre 2022) : 191–203. http://dx.doi.org/10.35882/jeeemi.v4i4.253.
Texte intégralWang, Chuanlong, Xiongliang Yao, Guoxun Wu et Li Tang. « Vibration Band Gap Characteristics of Two-Dimensional Periodic Double-Wall Grillages ». Materials 14, no 23 (25 novembre 2021) : 7174. http://dx.doi.org/10.3390/ma14237174.
Texte intégralGuo, Hui, Yaru Zhang, Tao Yuan, Pei Sun Qian, Qian Cheng et Yansong Wang. « Vibration Attenuation Optimization in a Rod With Different Periodic Piezoelectric Shunting Configurations ». International Journal of Acoustics and Vibration 26, no 3 (30 septembre 2021) : 212–20. http://dx.doi.org/10.20855/ijav.2021.26.31751.
Texte intégralCONTI, CLAUDIO, GAETANO ASSANTO et STEFANO TRILLO. « GAP SOLITONS AND SLOW LIGHT ». Journal of Nonlinear Optical Physics & ; Materials 11, no 03 (septembre 2002) : 239–59. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863502001000.
Texte intégralTripathi, S., R. Brajpuriya, C. Mukharjee et S. M. Chaudhari. « Determination of band gap in polycrystalline Si/Ge thin film multilayers ». Journal of Materials Research 21, no 3 (1 mars 2006) : 623–31. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2006.0096.
Texte intégralZhang, Fu Chun, Ying Gao, Hong Wei Cui, Xing Xiang Ruan et Wei Hu Zhang. « First-Principles Study on Electronic Structure of 15R-SiC Polytypes ». Advanced Materials Research 971-973 (juin 2014) : 77–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.971-973.77.
Texte intégralShi, Ling-feng, et Bin Hou. « A Novel Compact Electromagnetic Band-gap Structure Using for SSN Suppression in High Speed Circuits ». Journal of Electronics & ; Information Technology 33, no 9 (30 septembre 2011) : 2283–86. http://dx.doi.org/10.3724/sp.j.1146.2011.00022.
Texte intégralLiu, Shuo, Wenlong Gao, Qian Zhang, Shaojie Ma, Lei Zhang, Changxu Liu, Yuan Jiang Xiang, Tie Jun Cui et Shuang Zhang. « Topologically Protected Edge State in Two-Dimensional Su–Schrieffer–Heeger Circuit ». Research 2019 (5 février 2019) : 1–8. http://dx.doi.org/10.34133/2019/8609875.
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