Articles de revues sur le sujet « Atomic Layer Etching »
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AOYAGI, Yoshinobu, et Takashi MEGURO. « Atomic Layer Etching. » Nihon Kessho Gakkaishi 33, no 3 (1991) : 169–74. http://dx.doi.org/10.5940/jcrsj.33.169.
Texte intégralEliceiri, Matthew, Yoonsoo Rho, Runxuan Li et Costas P. Grigoropoulos. « Pulsed laser induced atomic layer etching of silicon ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 41, no 2 (mars 2023) : 022602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002399.
Texte intégralHatch, Kevin A., Daniel C. Messina et Robert J. Nemanich. « Plasma enhanced atomic layer deposition and atomic layer etching of gallium oxide using trimethylgallium ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 40, no 4 (juillet 2022) : 042603. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001871.
Texte intégralOh, Chang-Kwon, Sang-Duk Park et Geun-Young Yeom. « Atomic Layer Etching of Silicon Using a Ar Neutral Beam of Low Energy ». Korean Journal of Materials Research 16, no 4 (27 avril 2006) : 213–17. http://dx.doi.org/10.3740/mrsk.2006.16.4.213.
Texte intégralGeorge, Steven M. « (Tutorial) Thermal Atomic Layer Etching ». ECS Meeting Abstracts MA2021-02, no 29 (19 octobre 2021) : 847. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0229847mtgabs.
Texte intégralIkeda, Keiji, Shigeru Imai et Masakiyo Matsumura. « Atomic layer etching of germanium ». Applied Surface Science 112 (mars 1997) : 87–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00995-6.
Texte intégralNieminen, Heta-Elisa, Mykhailo Chundak, Mikko J. Heikkilä, Paloma Ruiz Kärkkäinen, Marko Vehkamäki, Matti Putkonen et Mikko Ritala. « In vacuo cluster tool for studying reaction mechanisms in atomic layer deposition and atomic layer etching processes ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 41, no 2 (mars 2023) : 022401. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002312.
Texte intégralYao, Yong Zhao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara et Koji Sato. « Removal of Mechanical-Polishing-Induced Surface Damages on 4H-SiC Wafers by Using Chemical Etching with Molten KCl+KOH ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 746–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.746.
Texte intégralReif, Johanna, Martin Knaut, Sebastian Killge, Matthias Albert, Thomas Mikolajick et Johann W. Bartha. « In situ studies on atomic layer etching of aluminum oxide using sequential reactions with trimethylaluminum and hydrogen fluoride ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 40, no 3 (mai 2022) : 032602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001630.
Texte intégralHirano, Tomoki, Kenya Nishio, Takashi Fukatani, Suguru Saito, Yoshiya Hagimoto et Hayato Iwamoto. « Characterization of Wet Chemical Atomic Layer Etching of InGaAs ». Solid State Phenomena 314 (février 2021) : 95–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.314.95.
Texte intégralFischer, Andreas, Aaron Routzahn, Steven M. George et Thorsten Lill. « Thermal atomic layer etching : A review ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 39, no 3 (mai 2021) : 030801. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000894.
Texte intégralT. Carver, Colin, John J. Plombon, Patricio E. Romero, Satyarth Suri, Tristan A. Tronic et Robert B. Turkot. « Atomic Layer Etching : An Industry Perspective ». ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, no 6 (2015) : N5005—N5009. http://dx.doi.org/10.1149/2.0021506jss.
Texte intégralTAKAKUWA, Yuji. « Surface Reactions in Atomic Layer Etching. » Hyomen Kagaku 16, no 6 (1995) : 373–77. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.16.373.
Texte intégralKanarik, Keren J., Samantha Tan, Wenbing Yang, Taeseung Kim, Thorsten Lill, Alexander Kabansky, Eric A. Hudson et al. « Predicting synergy in atomic layer etching ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 35, no 5 (septembre 2017) : 05C302. http://dx.doi.org/10.1116/1.4979019.
Texte intégralGong, Yukun, et Rohan Akolkar. « Electrochemical Atomic Layer Etching of Ruthenium ». Journal of The Electrochemical Society 167, no 6 (14 avril 2020) : 062510. http://dx.doi.org/10.1149/1945-7111/ab864b.
Texte intégralChalker, P. R. « Photochemical atomic layer deposition and etching ». Surface and Coatings Technology 291 (avril 2016) : 258–63. http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2016.02.046.
Texte intégralGeorge, Steven M. « Mechanisms of Thermal Atomic Layer Etching ». Accounts of Chemical Research 53, no 6 (1 juin 2020) : 1151–60. http://dx.doi.org/10.1021/acs.accounts.0c00084.
Texte intégralKuzmenko, V., A. Miakonkikh et K. Rudenko. « Atomic layer etching of Silicon Oxide ». Journal of Physics : Conference Series 1410 (décembre 2019) : 012023. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012023.
Texte intégralFaraz, T., F. Roozeboom, H. C. M. Knoops et W. M. M. Kessels. « Atomic Layer Etching : What Can We Learn from Atomic Layer Deposition ? » ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, no 6 (2015) : N5023—N5032. http://dx.doi.org/10.1149/2.0051506jss.
Texte intégralCrawford, Kevin G., James Grant, Dilini Tania Hemakumara, Xu Li, Iain Thayne et David A. J. Moran. « High synergy atomic layer etching of AlGaN/GaN with HBr and Ar ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 40, no 4 (juillet 2022) : 042601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001862.
Texte intégralde Marneffe, J. F., D. Marinov, A. Goodyear, P. J. Wyndaele, N. St. J. Braithwaite, S. Kundu, I. Asselberghs, M. Cooke et S. De Gendt. « Plasma enhanced atomic layer etching of high-k layers on WS2 ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 40, no 4 (juillet 2022) : 042602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001726.
Texte intégralAroulanda, Sébastien, Olivier Patard, Philippe Altuntas, Nicolas Michel, Jorge Pereira, Cédric Lacam, Piero Gamarra et al. « Cl2/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 37, no 4 (juillet 2019) : 041001. http://dx.doi.org/10.1116/1.5090106.
Texte intégralKim, Y. Y., W. S. Lim, J. B. Park et G. Y. Yeom. « Layer by Layer Etching of the Highly Oriented Pyrolythic Graphite by Using Atomic Layer Etching ». Journal of The Electrochemical Society 158, no 12 (2011) : D710. http://dx.doi.org/10.1149/2.061112jes.
Texte intégralYao, Yikun, Xinjia Zhao, Xiangqian Tang, Jianmei Li, Xinyan Shan et Xinghua Lu. « Laser etching of 2D materials with single-layer precision up to ten layers ». Journal of Laser Applications 34, no 4 (novembre 2022) : 042051. http://dx.doi.org/10.2351/7.0000848.
Texte intégralHirata, Akiko, Masanaga Fukasawa, Katsuhisa Kugimiya, Kojiro Nagaoka, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi et Hayato Iwamoto. « Mechanism of SiN etching rate fluctuation in atomic layer etching ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 38, no 6 (décembre 2020) : 062601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000257.
Texte intégralGuan, Lulu, Xingyu Li, Dongchen Che, Kaidong Xu et Shiwei Zhuang. « Plasma atomic layer etching of GaN/AlGaN materials and application : An overview ». Journal of Semiconductors 43, no 11 (1 novembre 2022) : 113101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/11/113101.
Texte intégralHoffmann, M., J. A. Murdzek, S. M. George, S. Slesazeck, U. Schroeder et T. Mikolajick. « Atomic layer etching of ferroelectric hafnium zirconium oxide thin films enables giant tunneling electroresistance ». Applied Physics Letters 120, no 12 (21 mars 2022) : 122901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0084636.
Texte intégralLee, Y., J. W. DuMont et S. M. George. « (Invited) Atomic Layer Etching Using Thermal Reactions : Atomic Layer Deposition in Reverse ». ECS Transactions 69, no 7 (2 octobre 2015) : 233–41. http://dx.doi.org/10.1149/06907.0233ecst.
Texte intégralJung, Junho, et Kyongnam Kim. « Atomic Layer Etching Using a Novel Radical Generation Module ». Materials 16, no 10 (9 mai 2023) : 3611. http://dx.doi.org/10.3390/ma16103611.
Texte intégralKim, Seon Yong, In-Sung Park et Jinho Ahn. « Atomic layer etching of SiO2 using trifluoroiodomethane ». Applied Surface Science 589 (juillet 2022) : 153045. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.153045.
Texte intégralKim, Doo San, Ju Eun Kim, You Jung Gill, Yun Jong Jang, Ye Eun Kim, Kyong Nam Kim, Geun Young Yeom et Dong Woo Kim. « Anisotropic/Isotropic Atomic Layer Etching of Metals ». Applied Science and Convergence Technology 29, no 3 (31 mai 2020) : 41–49. http://dx.doi.org/10.5757/asct.2020.29.3.041.
Texte intégralSakaue, Hiroyuki, Seiji Iseda, Kazushi Asami, Jirou Yamamoto, Masataka Hirose et Yasuhiro Horiike. « Atomic Layer Controlled Digital Etching of Silicon ». Japanese Journal of Applied Physics 29, Part 1, No. 11 (20 novembre 1990) : 2648–52. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.29.2648.
Texte intégralSherpa, Sonam D., et Alok Ranjan. « Quasi-atomic layer etching of silicon nitride ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 35, no 1 (janvier 2017) : 01A102. http://dx.doi.org/10.1116/1.4967236.
Texte intégralKauppinen, Christoffer, Sabbir Ahmed Khan, Jonas Sundqvist, Dmitry B. Suyatin, Sami Suihkonen, Esko I. Kauppinen et Markku Sopanen. « Atomic layer etching of gallium nitride (0001) ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 35, no 6 (novembre 2017) : 060603. http://dx.doi.org/10.1116/1.4993996.
Texte intégralGong, Yukun, Kailash Venkatraman et Rohan Akolkar. « Communication—Electrochemical Atomic Layer Etching of Copper ». Journal of The Electrochemical Society 165, no 7 (2018) : D282—D284. http://dx.doi.org/10.1149/2.0901807jes.
Texte intégralAthavale, Satish D. « Realization of atomic layer etching of silicon ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 14, no 6 (novembre 1996) : 3702. http://dx.doi.org/10.1116/1.588651.
Texte intégralKanarik, Keren J., Samantha Tan, Wenbing Yang, Ivan L. Berry, Yang Pan et Richard A. Gottscho. « Universal scaling relationship for atomic layer etching ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 39, no 1 (janvier 2021) : 010401. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000762.
Texte intégralFischer, Andreas, Aaron Routzahn, Younghee Lee, Thorsten Lill et Steven M. George. « Thermal etching of AlF3 and thermal atomic layer etching of Al2O3 ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 38, no 2 (mars 2020) : 022603. http://dx.doi.org/10.1116/1.5135911.
Texte intégralPark, Sang-Duk, Kyung-Suk Min, Byoung-Young Yoon, Do-Haing Lee et Geun-Young Yeom. « Precise Depth Control of Silicon Etching Using Chlorine Atomic Layer Etching ». Japanese Journal of Applied Physics 44, no 1A (11 janvier 2005) : 389–93. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.44.389.
Texte intégralTsutsumi, Takayoshi, Masaru Zaitsu, Akiko Kobayashi, Nobuyoshi Kobayashi et Masaru Hori. « (Invited) Advanced Plasma Etching Processing : Atomic Layer Etching for Nanoscale Devices ». ECS Transactions 77, no 3 (21 avril 2017) : 25–28. http://dx.doi.org/10.1149/07703.0025ecst.
Texte intégralKhan, M. B., Sh Shakeel, K. Richter, S. Ghosh, A. Erbe et Yo M. Georgiev. « Atomic layer etching of nanowires using conventional reactive ion etching tool ». Journal of Physics : Conference Series 2443, no 1 (1 février 2023) : 012004. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2443/1/012004.
Texte intégralPollet, Olivier, Nicolas Possémé, Vincent Ah-Leung et Maxime Garcia Barros. « Thin Layer Etching of Silicon Nitride : Comparison of Downstream Plasma, Liquid HF and Gaseous HF Processes for Selective Removal after Light Ion Implantation ». Solid State Phenomena 255 (septembre 2016) : 69–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.69.
Texte intégralAbromavičius, Giedrius, Martynas Skapas et Remigijus Juškėnas. « Enhancing Laser Damage Resistance of Co2+:MgAl2O4 Crystal by Plasma Etching ». Applied Sciences 13, no 2 (14 janvier 2023) : 1150. http://dx.doi.org/10.3390/app13021150.
Texte intégralChittock, Nicholas John, Wilhelmus M. M. (Erwin) Kessels, Harm Knoops et Adrie Mackus. « (Invited) The Use of Plasmas for Isotropic Atomic Layer Etching ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 29 (22 décembre 2023) : 1464. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02291464mtgabs.
Texte intégralMOCHIJI, KOZO. « Atomic Layer Etching by Using Multiply-Charged Ions. » Hyomen Kagaku 16, no 6 (1995) : 367–72. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.16.367.
Texte intégralTan, Samantha, Wenbing Yang, Keren J. Kanarik, Thorsten Lill, Vahid Vahedi, Jeff Marks et Richard A. Gottscho. « Highly Selective Directional Atomic Layer Etching of Silicon ». ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, no 6 (2015) : N5010—N5012. http://dx.doi.org/10.1149/2.0031506jss.
Texte intégralKim, Woo-Hee, Dougyong Sung, Sejin Oh, Jehun Woo, Seungkyu Lim, Hyunju Lee et Stacey F. Bent. « Thermal adsorption-enhanced atomic layer etching of Si3N4 ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 36, no 1 (janvier 2018) : 01B104. http://dx.doi.org/10.1116/1.5003271.
Texte intégralBerry, Ivan L., Keren J. Kanarik, Thorsten Lill, Samantha Tan, Vahid Vahedi et Richard A. Gottscho. « Applying sputtering theory to directional atomic layer etching ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 36, no 1 (janvier 2018) : 01B105. http://dx.doi.org/10.1116/1.5003393.
Texte intégralLee, Kang-Il, Dong Chan Seok, Soo Ouk Jang et Yong Sup Choi. « Development of Silicon Carbide Atomic Layer Etching Technology ». Thin Solid Films 707 (août 2020) : 138084. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138084.
Texte intégralKim, Ki Seok, Ki Hyun Kim, Yeonsig Nam, Jaeho Jeon, Soonmin Yim, Eric Singh, Jin Yong Lee et al. « Atomic Layer Etching Mechanism of MoS2 for Nanodevices ». ACS Applied Materials & ; Interfaces 9, no 13 (27 mars 2017) : 11967–76. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b15886.
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