Littérature scientifique sur le sujet « Anderson-Mott transition »
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Articles de revues sur le sujet "Anderson-Mott transition"
Belitz, D., et T. R. Kirkpatrick. « The Anderson-Mott transition ». Reviews of Modern Physics 66, no 2 (1 avril 1994) : 261–380. http://dx.doi.org/10.1103/revmodphys.66.261.
Texte intégralLadieu, F., M. Sanquer et J. P. Bouchaud. « Depinning transition in Mott-Anderson insulators ». Physical Review B 53, no 3 (15 janvier 1996) : 973–76. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.53.973.
Texte intégralDobrosavljević, V. « TYPICAL-MEDIUM THEORY OF MOTT–ANDERSON LOCALIZATION ». International Journal of Modern Physics B 24, no 12n13 (20 mai 2010) : 1680–726. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979210064563.
Texte intégralAguiar, M. C. O., V. Dobrosavljević, E. Abrahams et G. Kotliar. « Disorder screening near the Mott–Anderson transition ». Physica B : Condensed Matter 403, no 5-9 (avril 2008) : 1417–19. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2007.10.213.
Texte intégralDobrosavljević, V., et G. Kotliar. « Mean Field Theory of the Mott-Anderson Transition ». Physical Review Letters 78, no 20 (19 mai 1997) : 3943–46. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.78.3943.
Texte intégralBelitz, D., et T. R. Kirkpatrick. « Order parameter description of the Anderson-Mott transition ». Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 98, no 4 (décembre 1995) : 513–26. http://dx.doi.org/10.1007/bf01320853.
Texte intégralBelitz, D., et T. R. Kirkpatrick. « Anderson-Mott transition as a quantum-glass problem ». Physical Review B 52, no 19 (15 novembre 1995) : 13922–35. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.52.13922.
Texte intégralKirkpatrick, T. R., et D. Belitz. « Anderson-Mott Transition as a Random-Field Problem ». Physical Review Letters 74, no 7 (13 février 1995) : 1178–81. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.74.1178.
Texte intégralSHANKAR, R. « SOLVABLE MODEL OF A METAL-INSULATOR TRANSITION ». International Journal of Modern Physics B 04, no 15n16 (décembre 1990) : 2371–94. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979290001121.
Texte intégralBelitz, D., et T. R. Kirkpatrick. « Anderson-Mott transition in a magnetic field : Corrections to scaling ». Physical Review B 62, no 3 (15 juillet 2000) : 1655–59. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.62.1655.
Texte intégralThèses sur le sujet "Anderson-Mott transition"
Pai, R. V., A. Punnoose et R. A. Römer. « The Mott-Anderson transition in the disordered one-dimensional Hubbard model ». Universitätsbibliothek Chemnitz, 1998. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199801405.
Texte intégralSordi, Giovanni. « Mott-Hubbard transition in strongly correlated electron systems ». Paris 11, 2008. http://www.theses.fr/2008PA112160.
Texte intégralI study the Mott metal-insulator transition within the dynamical mean-field theory in two schematic Hamiltonians widely used to describe the strongly correlated electron systems : the Hubbard model and the periodic Anderson model. The scenario for the transition in the Hubbard model is reviewed and the analysis of the photoemission spectra near the transition is presented in detail. The doping driven Mott transition in the periodic Anderson model is discussed with respect to the one realized in the Hubbard model. The main finding is a qualitatively different scenario for electron or hole driven transitions. In the former case the transition is expectedly similar to the first order transition of the Hubbard model. However, in the latter case, a second order transition is found. Thus I demonstrate that the transition scenario of the Hubbard model is not generic for the periodic Anderson model
Pezzoli, Maria Elisabetta. « Disorder and Interaction : ground state properties of the disordered Hubbard model ». Doctoral thesis, SISSA, 2008. http://hdl.handle.net/20.500.11767/4178.
Texte intégralMoutaabbid, Hicham. « Localisation et corrélations électroniques en deux dimensions dans des nouvelles phases dérivées de 1T-VS2 ». Thesis, Paris 6, 2016. http://www.theses.fr/2016PA066506/document.
Texte intégralThis thesis work aims at studying the stability of the metallic and insulating phases that compete in the two-dimensional 1T-VS2 system and related compounds, Cu⅔V⅓V2S4, and Sr3V5S11. We have developed and optimized ad hoc high-pressure synthesis routes in order to stabilize the above novel phases in the form of high-quality single crystals, which enabled us to reliably investigate their electronic and transport properties. An important achievement of our study is the control of the concentration, x, of interstitial V atoms located between adjacent VS2 planes in the V1+xS2 system, which is obtained by varying synthesis pressure. This has enabled us to explore the T-x phase diagram of the system. The main result of this study is that the CDW phase observed in the stoichiometric (x=0) phase quickly disappears with x, whilst the metallic properties are enhanced. In Cu⅔V⅓V2S4, the partial substitution of V for Cu in the interstitial site is found to completely change the system into a semi-heavy fermion with pronounced Fermi-liquid characteristics down to ~20 K, where a Kondo transition occurs. These unexpected phenomena in sulfides suggest that the strength of the electronic correlations in these compounds can be tuned by simply varying the chemical nature and concentration of the intercalant atom. The moderate strength of the correlations in Cu⅔V⅓V2S4 opens the way towards a reliable theoretical description of the breakdown of the Fermi liquid regime. Electronic correlations appear to be important also to drive an insulating phase in Sr3V5S11, which should be a metal within a conventional band picture. In this case, the correlations may be enhanced by the reduced dimensionality caused by a large spacing between VS2 layers and by a 1D structural modulation of the layers. Further studies may clarify whether the Anderson’s mechanism of weak localization contributes to the stabilization of an insulating state in the pristine metallic VS2 planes
Chapitres de livres sur le sujet "Anderson-Mott transition"
Jaroszyński, J., T. Dietl, M. Sawicki, T. Wojtowicz et W. Plesiewicz. « Critical Behavior of the Hall Coefficient and Dielectric Susceptibility near the Anderson-Mott Transition in p-Hg1−xMnxTe ». Dans High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II, 514–17. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83810-1_78.
Texte intégralPollak, M., et L. Friedman. « An Alternative Theory for Thermoelectric Power in Anderson-Mott Insulators ». Dans Localization and Metal-Insulator Transitions, 347–54. Boston, MA : Springer US, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-2517-8_28.
Texte intégralByczuk, Krzysztof, Walter Hofstetter et Dieter Vollhardty. « ANDERSON LOCALIZATION VS. MOTT–HUBBARD METAL–INSULATOR TRANSITION IN DISORDERED, INTERACTING LATTICE FERMION SYSTEMS ». Dans 50 Years of Anderson Localization, 473–501. WORLD SCIENTIFIC, 2010. http://dx.doi.org/10.1142/9789814299084_0020.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Anderson-Mott transition"
Muller, Jens, Robert Rommel et Takahiko Sasaki. « Charge-carrier dynamics near the Mott-Anderson transition in molecular conductors ». Dans 2015 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/icnf.2015.7288537.
Texte intégralFabrizio, Michele. « What can be learned about the Mott transition from the physics of Anderson impurities ». Dans LECTURES ON THE PHYSICS OF STRONGLY CORRELATED SYSTEMS XI : Eleventh Training Course in the Physics of Strongly Correlated Systems. AIP, 2007. http://dx.doi.org/10.1063/1.2751989.
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