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LIAO, HAIFANG, WAYNE WEI-MING DAI et RUI WANG. « A NEW CMOS DRIVER MODEL FOR TRANSIENT ANALYSIS AND POWER DISSIPATION ANALYSIS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 07, no 02 (juin 1996) : 269–85. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156496000116.
Texte intégralCheyette, Oren. « OAS Analysis for CMOs ». Journal of Portfolio Management 20, no 4 (31 juillet 1994) : 53–66. http://dx.doi.org/10.3905/jpm.1994.409485.
Texte intégralJomaah, Jalal, Majida Fadlallah et Gerard Ghibaudo. « Low Frequency Noise Analysis in Advanced CMOS Devices ». Advanced Materials Research 324 (août 2011) : 441–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.441.
Texte intégralSheikh, Shireen T. « Comparative Analysis of CMOS OTA ». IOSR journal of VLSI and Signal Processing 1, no 3 (2012) : 01–05. http://dx.doi.org/10.9790/4200-0130105.
Texte intégralSchmitt-Landsiedel, D. « Yield Analysis of CMOS Ics ». Solid State Phenomena 57-58 (juillet 1997) : 327–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.57-58.327.
Texte intégralDimitrijev, S., et N. Stojadinović. « Analysis of CMOS transistor instabilities ». Solid-State Electronics 30, no 10 (octobre 1987) : 991–1003. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(87)90090-6.
Texte intégralGajare, Milind, et Shedge D.K. « CMOS Trans Conductance based Instrumentation Amplifier for Various Biomedical Signal Analysis ». NeuroQuantology 20, no 5 (30 avril 2022) : 53–60. http://dx.doi.org/10.14704/nq.2022.20.5.nq22148.
Texte intégralYao, Hong Tao, Zi Qiang Wang, Yuan Bao Gu et Zhen Gang Jiang. « Analysis of Black Level Calibration Algorithm for CIS ». Applied Mechanics and Materials 599-601 (août 2014) : 1397–402. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.599-601.1397.
Texte intégralPrajapati, Pankaj P., Anilkumar J. Kshatriya, Sureshbhai L. Bharvad et Abhay B. Upadhyay. « Performance analysis of CMOS based analog circuit design with PVR variation ». Bulletin of Electrical Engineering and Informatics 12, no 1 (1 février 2023) : 141–48. http://dx.doi.org/10.11591/eei.v12i1.4357.
Texte intégralCho, Won-ho, et Ki-sang Hong. « Affine Motion Based CMOS Distortion Analysis and CMOS Digital Image Stabilization ». IEEE Transactions on Consumer Electronics 53, no 3 (août 2007) : 833–41. http://dx.doi.org/10.1109/tce.2007.4341553.
Texte intégralXiong, Qi, Shao Hua Zhou et Jiang Ping Zeng. « The Analysis of Device Model in CMOS Integrated Temperature Sensor ». Advanced Materials Research 986-987 (juillet 2014) : 1600–1605. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.986-987.1600.
Texte intégralProf. Nikhil Surkar. « Design and Analysis of Optimized Fin-FETs ». International Journal of New Practices in Management and Engineering 4, no 04 (31 décembre 2015) : 01–06. http://dx.doi.org/10.17762/ijnpme.v4i04.39.
Texte intégralMun, Hye Jin, Min Su Cho, Jun Hyeok Jung, Won Douk Jang, Sang Ho Lee, Jaewon Jang, Jin-Hyuk Bae et In Man Kang. « Analysis of Logic Inverter Based on Polycrystalline Silicon with Single Grain Boundary ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, no 11 (1 novembre 2020) : 6616–21. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.18769.
Texte intégralLe, H. P., A. Zayegh et J. Singh. « Performance analysis of optimised CMOS comparator ». Electronics Letters 39, no 11 (2003) : 833. http://dx.doi.org/10.1049/el:20030546.
Texte intégralZhao, Zhixing, Sebastian Magierowski et Leonid Belostotski. « Linearity Analysis of CMOS Parametric Upconverters ». IEEE Access 8 (2020) : 190906–21. http://dx.doi.org/10.1109/access.2020.3032397.
Texte intégralVerhelst, M., et B. Murmann. « Area scaling analysis of CMOS ADCs ». Electronics Letters 48, no 6 (2012) : 314. http://dx.doi.org/10.1049/el.2012.0253.
Texte intégralKress, Rainer, Elmar Melcher, Reiner Hartenstein et Michel Dana. « CMOS interconnect modelling for timing analysis ». Microprocessing and Microprogramming 37, no 1-5 (janvier 1993) : 7–10. http://dx.doi.org/10.1016/0165-6074(93)90004-5.
Texte intégralbin Rosly, Hasrul Nisham, Mamun bin Ibne Reaz, Noorfazila Kamal et Fazida Hanim Hashim. « Design and Analysis of CMOS Linear Feedback Shift Registers for Low Power Application ». Applied Mechanics and Materials 833 (avril 2016) : 111–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.833.111.
Texte intégralSharma, Prakash. « Performance Analysis of Ring Oscillators and Current-Starved VCO in 45-nm CMOS Technology ». International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology 10, no 1 (31 janvier 2022) : 732–37. http://dx.doi.org/10.22214/ijraset.2022.39908.
Texte intégralLee, Sangho, et Edwin W. Greeneich. « CMOS Delay and Power Model Equations for Simultaneous Transistor and Interconnect Wire Analysis and Optimization ». VLSI Design 15, no 3 (1 janvier 2002) : 619–28. http://dx.doi.org/10.1080/1065514021000012237.
Texte intégralPatel, Ambresh, et Ritesh Sadiwala. « Performance Analysis of Various Complementary Metaloxide Semiconductor Logics for High Speed Very Large Scale Integration Circuits ». SAMRIDDHI : A Journal of Physical Sciences, Engineering and Technology 15, no 01 (30 janvier 2023) : 91–95. http://dx.doi.org/10.18090/10.18090/samriddhi.v15i01.13.
Texte intégralLi, Ming Jing, Yu Bing Dong et Guang Liang Cheng. « Multiple CMOS Intersection Measuring System Modeling and Analysis ». Advanced Materials Research 614-615 (décembre 2012) : 1299–302. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.614-615.1299.
Texte intégralZhang, Yichen. « Comparative analysis of logic gates based on CMOS, FINFET, and CNFET : Characteristics and simulation insights ». Theoretical and Natural Science 26, no 1 (20 décembre 2023) : 44–53. http://dx.doi.org/10.54254/2753-8818/26/20241011.
Texte intégralAnusha, N., et T. Sasilatha. « Performance Analysis of Wide AND OR Structures Using Keeper Architectures in Various Complementary Metal Oxide Semiconductors Technologies ». Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 13, no 10 (1 octobre 2016) : 6999–7008. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2016.5660.
Texte intégralChen, Jiahao. « Integrated circuit design based on CMOS technology principle and its application in GPU ». Theoretical and Natural Science 12, no 1 (17 novembre 2023) : 141–46. http://dx.doi.org/10.54254/2753-8818/12/20230454.
Texte intégralPanwar, Shikha, Mayuresh Piske et Aatreya Vivek Madgula. « Performance Analysis of Modified Drain Gating Techniques for Low Power and High Speed Arithmetic Circuits ». VLSI Design 2014 (15 juillet 2014) : 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2014/380362.
Texte intégralKAKKAR, VIPAN. « PERFORMANCE ANALYSIS OF CMOS FOR HIGH SPEED MIXED SIGNAL CIRCUITS ». Journal of Circuits, Systems and Computers 20, no 06 (octobre 2011) : 1067–74. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126611007761.
Texte intégralR.Rajprabu, R. Rajprabu. « Performance Analysis of CMOS and FinFET Logic ». IOSR journal of VLSI and Signal Processing 2, no 1 (2013) : 01–06. http://dx.doi.org/10.9790/4200-0210106.
Texte intégralZHANG Jing-shui, 张镜水, 孔令琴 KONG Lingqin, 董立泉 DONG Li-quan et 赵跃进 ZHAO Yue-jin. « Terahertz CMOS transistor model and experimental analysis ». Optics and Precision Engineering 25, no 12 (2017) : 3128–36. http://dx.doi.org/10.3788/ope.20172512.3128.
Texte intégralWang, Fei, et Albert Theuwissen. « Linearity analysis of a CMOS image sensor ». Electronic Imaging 2017, no 11 (29 janvier 2017) : 84–90. http://dx.doi.org/10.2352/issn.2470-1173.2017.11.imse-191.
Texte intégralSanghoon Kang, Byounggi Choi et Bumman Kim. « Linearity analysis of CMOS for RF application ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 51, no 3 (mars 2003) : 972–77. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2003.808709.
Texte intégralPinto, M. R., et R. W. Dutton. « Accurate trigger condition analysis for CMOS latchup ». IEEE Electron Device Letters 6, no 2 (février 1985) : 100–102. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1985.26057.
Texte intégralRangavajjhala, V. S., B. L. Bhuva et S. E. Kerns. « Statistical degradation analysis of digital CMOS IC's ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 12, no 6 (juin 1993) : 837–44. http://dx.doi.org/10.1109/43.229759.
Texte intégralChao, H. J., et C. A. Johnston. « Behavior analysis of CMOS D flip-flops ». IEEE Journal of Solid-State Circuits 24, no 5 (octobre 1989) : 1454–58. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.1989.572637.
Texte intégralDogan, Hakan, Robert G. Meyer et Ali M. Niknejad. « Analysis and Design of RF CMOS Attenuators ». IEEE Journal of Solid-State Circuits 43, no 10 (octobre 2008) : 2269–83. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2008.2004325.
Texte intégralFinvers, I. G., et I. M. Filanovsky. « Analysis of a source-coupled CMOS multivibrator ». IEEE Transactions on Circuits and Systems 35, no 9 (1988) : 1182–85. http://dx.doi.org/10.1109/31.7584.
Texte intégralSamanta, Jagannath, et Bishnu Prasad De. « Delay analysis of UDSM CMOS VLSI circuits ». Procedia Engineering 30 (2012) : 135–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2012.01.844.
Texte intégralPittet, P., J. M. Galvan, G. N. Lu, L. J. Blum et B. D. Leca-Bouvier. « CMOS LIF detection system for capillary analysis ». Sensors and Actuators B : Chemical 97, no 2-3 (février 2004) : 355–61. http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2003.09.021.
Texte intégralSharroush, Sherif M. « Analysis of the subthreshold CMOS logic inverter ». Ain Shams Engineering Journal 9, no 4 (décembre 2018) : 1001–17. http://dx.doi.org/10.1016/j.asej.2016.05.005.
Texte intégralKim, Kyung Ki. « Analysis of Electromigration in Nanoscale CMOS Circuits ». Journal of the Korea Industrial Information Systems Research 18, no 1 (28 février 2013) : 19–24. http://dx.doi.org/10.9723/jksiis.2013.18.1.019.
Texte intégralShan, Yu, Zhang Dingkang et Huang Chang. « 0.8μm LDD CMOS reliability experiments and analysis ». Journal of Electronics (China) 12, no 1 (janvier 1995) : 84–89. http://dx.doi.org/10.1007/bf02684572.
Texte intégralG, Minikumari. « Performance Analysis of Deep Sub Micron Two Quadrant Analog Divider Circuits ». International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology 11, no 5 (31 mai 2023) : 663–68. http://dx.doi.org/10.22214/ijraset.2023.51561.
Texte intégral., Gudala Konica, et Sreenivasulu Mamilla . « Design and Analysis of CMOS and CNTFET based Ternary Operators for Scrambling ». Volume 4,Issue 5,2018 4, no 5 (5 janvier 2019) : 575–79. http://dx.doi.org/10.30799/jnst.187.18040530.
Texte intégralJeong, Sang-Hun, Nam-Ho Lee, Min-Woong Lee et Seong-Ik Cho. « Analysis of Radiation Effects in CMOS 0.18um Process Unit Devices ». Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers 66, no 3 (1 mars 2017) : 540–44. http://dx.doi.org/10.5370/kiee.2017.66.3.540.
Texte intégralEsonu, M. O., D. Al-Khalili et C. Rozon. « Fault Characterization and Testability Analysis of Emitter Coupled Logic and Comparison with CMOS & ; BiCMOS Circuits ». VLSI Design 1, no 4 (1 janvier 1994) : 261–76. http://dx.doi.org/10.1155/1994/70696.
Texte intégralKamde, Shilpa, Jitesh Shinde, Sanjay Badjate et Pratik Hajare. « Comparative Analysis Domino Logic Based Techniques For VLSI Circuit ». INTERNATIONAL JOURNAL OF COMPUTERS & ; TECHNOLOGY 12, no 8 (21 mars 2014) : 3803–8. http://dx.doi.org/10.24297/ijct.v12i8.2998.
Texte intégralMačaitis, Vytautas, et Romualdas Navickas. « Analysis of Main LC-VCO Parameters for Multistandard Tranceivers ». Mokslas - Lietuvos ateitis 9, no 3 (4 juillet 2017) : 324–28. http://dx.doi.org/10.3846/mla.2017.1043.
Texte intégralWagaj, S. C., et S. C. Patil. « Performance Analysis of CMOS Circuits using Shielded Channel Dual Gate Stack Silicon on Nothing Junctionless Transistor ». International Journal of Engineering and Advanced Technology 10, no 6 (30 août 2021) : 1–10. http://dx.doi.org/10.35940/ijeat.e2576.0810621.
Texte intégralHuang, Peihao. « Design and optimization of CMOS layout structure for improved semiconductor device performance ». Journal of Physics : Conference Series 2649, no 1 (1 novembre 2023) : 012040. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2649/1/012040.
Texte intégralLazzaz, Abdelaziz, Khaled Bousbahi et Mustapha Ghamnia. « Performance analysis of FinFET based inverter, NAND and NOR circuits at 10 NM,7 NM and 5 NM node technologies ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 36, no 1 (2023) : 1–16. http://dx.doi.org/10.2298/fuee2301001l.
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