Articles de revues sur le sujet « Amorphous Silicon (a-Si:H) »
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FU, GUANG-SHENG, YAN-BIN YANG, WEI YU, WAN-BING LU, WEN-GE DING et LI HAN. « AMORPHOUS SILICON NANO-PARTICLES IN A-SiNx:H PREPARED BY HELICON WAVE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION ». International Journal of Modern Physics B 19, no 15n17 (10 juillet 2005) : 2704–9. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979205031560.
Texte intégralRath, Chandana, J. Farjas, P. Roura, F. Kail, P. Roca i Cabarrocas et E. Bertran. « Thermally Induced Structural Transformations on Polymorphous Silicon ». Journal of Materials Research 20, no 9 (septembre 2005) : 2562–67. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2005.0322.
Texte intégralCHEN, C. Y., W. D. CHEN, S. F. SONG et C. C. HSU. « CORRELATION BETWEEN Er3+ EMISSION AND THE MICROSTRUCTURE OF A-SiOx:H FILMS ». International Journal of Modern Physics B 16, no 28n29 (20 novembre 2002) : 4246–49. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202015182.
Texte intégralFollstaedt, D. M., J. A. Knapp et S. M. Myers. « Mechanical properties of ion-implanted amorphous silicon ». Journal of Materials Research 19, no 1 (janvier 2004) : 338–46. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2004.19.1.338.
Texte intégralLIM, P. K., et W. K. TAM. « LOCAL VIBRATIONAL MODES AND THE OPTICAL ABSORPTION TAIL OF AMORPHOUS SILICON ». International Journal of Modern Physics B 20, no 25n27 (30 octobre 2006) : 4261–66. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979206041197.
Texte intégralWang, Sheng Zhao, Ying Peng Yin, Chun Juan Nan et Ming Ji Shi. « Influence of Substrate on μc-Si : H Thin Films ». Key Engineering Materials 538 (janvier 2013) : 169–72. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.538.169.
Texte intégralLeila, Ayat, Meftah Afek, Idda Ahmed et Zebri Halima. « Analysis and Optimization of the Performance of Hydrogenated Amorphous Silicon Solar Cell ». Journal of New Materials for Electrochemical Systems 24, no 3 (30 septembre 2021) : 151–58. http://dx.doi.org/10.14447/jnmes.v24i3.a02.
Texte intégralSun, Jia Xin, Bing Qing Zhou et Xin Gu. « Preparation and Spectrial Studies of Silicon Nitride Thin Films Containing Amorphous Silicon Quantum Dots ». Solid State Phenomena 323 (30 août 2021) : 48–55. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.323.48.
Texte intégralДенисова, К. Н., А. С. Ильин, М. Н. Мартышов et А. С. Воронцов. « Влияние легирования на свойства аморфного гидрогенизированного кремния, облученного фемтосекундными лазерными импульсами ». Физика твердого тела 60, no 4 (2018) : 637. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.04.45669.034.
Texte intégralIwase, Yoshiaki, Teruaki Fuchigami, Yoji Horie, Yusuke Daiko, Sawao Honda et Yuji Iwamoto. « Formation and Thermal Behaviors of Ternary Silicon Oxycarbides derived from Silsesquioxane Derivatives ». Materials 12, no 10 (27 mai 2019) : 1721. http://dx.doi.org/10.3390/ma12101721.
Texte intégralKato, Shinya, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh et Tetsuo Soga. « Fabrication of a Silicon Nanowire Solar Cell on a Silicon-on-Insulator Substrate ». Applied Sciences 9, no 5 (26 février 2019) : 818. http://dx.doi.org/10.3390/app9050818.
Texte intégralShim, Jae Hyun, Nam Hee Cho, Y. J. Kim, Chin Myung Whang, Won Seung Cho, Yeon Chul Yoo, J. G. Kim et Young Jae Kwon. « Nanostructural and Optical Features of nc-Si:H Thin Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Techniques ». Materials Science Forum 510-511 (mars 2006) : 962–65. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.510-511.962.
Texte intégralKAPOOR, MANISH, et VIJAY A. SINGH. « A PHENOMENOLOGICAL STUDY OF THE Si–H INFRARED SPECTRA IN POROUS AND AMORPHOUS SILICON ». Modern Physics Letters B 13, no 20 (30 août 1999) : 703–8. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984999000889.
Texte intégralRella, C. W., M. van der Voort, A. V. Akimov, A. F. G. van der Meer et J. I. Dijkhuis. « Localization of the Si–H stretch vibration in amorphous silicon ». Applied Physics Letters 75, no 19 (8 novembre 1999) : 2945–47. http://dx.doi.org/10.1063/1.125196.
Texte intégralChen, Lan Li, Jia Hui Yu, Sheng Zhao Wang et Ming Ji Shi. « Influence of Hydrogen Dilution on Microstructure of μc-Si : H Films ». Key Engineering Materials 538 (janvier 2013) : 138–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.538.138.
Texte intégralCazako, Catheline, Karim Inal, Alain Burr, Frederic Georgi et Rodolphe Cauro. « Hypothetic impact of chemical bonding on the moisture resistance of amorphous SixNyHz by plasma-enhanced chemical vapor deposition ». Metallurgical Research & ; Technology 115, no 4 (2018) : 406. http://dx.doi.org/10.1051/metal/2018072.
Texte intégralHAMMAM, M. « PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF GRADED BANDGAP AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON-SULFUR THIN FILMS ». Modern Physics Letters B 06, no 08 (10 avril 1992) : 469–75. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984992000545.
Texte intégralPonomarev, Ilia, et Peter Kroll. « 29Si NMR Chemical Shifts in Crystalline and Amorphous Silicon Nitrides ». Materials 11, no 9 (7 septembre 2018) : 1646. http://dx.doi.org/10.3390/ma11091646.
Texte intégralKEFFOUS, AISSA, ABDELHAK CHERIET, YOUCEF BELKACEM, AMAR MANSERI, NOUREDDINE GABOUZE, MOHAMED KECHOUANE, AMER BRIGHET et al. « INVESTIGATION PROPERTIES OF a-Si1-xCx:H FILMS ELABORATED BY CO-SPUTTERING OF Si AND 6H-SiC ». Modern Physics Letters B 24, no 19 (30 juillet 2010) : 2101–12. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984910024262.
Texte intégralBugaev, Kirill O., Anastasia A. Zelenina et Vladimir A. Volodin. « Vibrational Spectroscopy of Chemical Species in Silicon and Silicon-Rich Nitride Thin Films ». International Journal of Spectroscopy 2012 (2 octobre 2012) : 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2012/281851.
Texte intégralLEOY, C. C., EWH KAN, J. ARIANTO, W. K. CHOI, A. T. S. WEE et Y. J. LIU. « OXIDATION STUDY OF RF SPUTTERED AMORPHOUS AND POLYCRYSTALLINE SILICON GERMANIUM FILMS ». International Journal of Modern Physics B 16, no 28n29 (20 novembre 2002) : 4224–27. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202015133.
Texte intégralZamchiy, Alexandr, Evgeniy Baranov, Sergey Khmel et Marat Sharafutdinov. « Effect of annealing time on aluminum-induced crystallization of silicon suboxide thin films ». EPJ Web of Conferences 196 (2019) : 00039. http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/201919600039.
Texte intégralGat, E., M. A. El Khakani, M. Chaker, A. Jean, S. Boily, H. Pépin, J. C. Kieffer et al. « A study of the effect of composition on the microstructural evolution of a–SixC1−x : H PECVD films : IR absorption and XPS characterizations ». Journal of Materials Research 7, no 9 (septembre 1992) : 2478–87. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.2478.
Texte intégralSon, Won-Ho, M. Siva Pratap Reddy et Sie-Young Choi. « Hydrogenated amorphous silicon thin film solar cell with buffer layer of DNA-CTMA biopolymer ». Modern Physics Letters B 28, no 13 (30 mai 2014) : 1450107. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984914501073.
Texte intégralKamaev, Gennadiy, Mikhail Efremov, Aleksandr Antonenko, Vladimir Volodin, Sofia Arzhannikova, Denis Marin et Andrey Gismatulin. « Creation of Nanoperiodical Multilayer Si/SiO2 Structures in Plasma-Chemical Reactor of Induction Type and Their Properties ». Siberian Journal of Physics 6, no 4 (1 décembre 2011) : 107–14. http://dx.doi.org/10.54362/1818-7919-2011-6-4-107-114.
Texte intégralHeyne, Markus H., Jean-François de Marneffe, Thomas Nuytten, Johan Meersschaut, Thierry Conard, Matty Caymax, Iuliana Radu, Annelies Delabie, Erik C. Neyts et Stefan De Gendt. « The conversion mechanism of amorphous silicon to stoichiometric WS2 ». Journal of Materials Chemistry C 6, no 15 (2018) : 4122–30. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc00760h.
Texte intégralOheda, Hidetoshi. « Real-time modulation of Si-H vibration in hydrogenated amorphous silicon ». Physical Review B 60, no 24 (15 décembre 1999) : 16531–42. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.60.16531.
Texte intégralGong, Dao Ren, Dong Sheng Li, Zhi Zhong Yuan et De Ren Yang. « Reaction of Iron with Amorphous Silicon and Crystal Silicon for the Fabrication of Iron Silicides ». Defect and Diffusion Forum 272 (mars 2008) : 99–106. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.272.99.
Texte intégralZyubin, A. S., et S. A. Dembovsky. « Quantum chemical modelling of three-centre Si-H-Si bonds in amorphous hydrogenated silicon ». Solid State Communications 87, no 3 (juillet 1993) : 175–78. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(93)90470-8.
Texte intégralEl Khakani, M. A., M. Chaker, A. Jean, S. Boily, J. C. Kieffer, M. E. O'Hern, M. F. Ravet et F. Rousseaux. « Hardness and Young's modulus of amorphous a-SiC thin films determined by nanoindentation and bulge tests ». Journal of Materials Research 9, no 1 (janvier 1994) : 96–103. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.0096.
Texte intégralJo, Seungil, Hyunsoo Kim et Nae-Man Park. « Snow-Ice-Inspired Approach for Growth of Amorphous Silicon Nanotips ». Nanomaterials 9, no 5 (2 mai 2019) : 680. http://dx.doi.org/10.3390/nano9050680.
Texte intégralSHI, J., E. F. CHOR et W. K. CHOI. « ICP ETCHING OF RF SPUTTERED AND PECVD SILICON CARBIDE FILMS ». International Journal of Modern Physics B 16, no 06n07 (20 mars 2002) : 1067–71. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202010877.
Texte intégralTalbi, Mourad, Nawel Mensia, Jassem Arfaoui et Abdelmajid Zairi. « Modelling of Novel Architecture of PV Generator Based on a-Si : H/c-Si Materials and Using Solar Tracker for Partial Shading ». Light & ; Engineering, no 05-2022 (octobre 2022) : 92–97. http://dx.doi.org/10.33383/2021-085.
Texte intégralKlaumünzer, S., M. Rammensee, S. Löffler, H. C. Neitzert et G. Saemann-Ischenko. « Cavity formation and plastic flow of a–Si : H during heavy ion bombardment ». Journal of Materials Research 6, no 10 (octobre 1991) : 2109–19. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1991.2109.
Texte intégralЛунев, Н. А., А. О. Замчий, Е. А. Баранов, И. Е. Меркулова, В. О. Константинов, И. В. Корольков, Е. А. Максимовский et В. А. Володин. « Золото-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния ». Письма в журнал технической физики 47, no 14 (2021) : 35. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.14.51185.18793.
Texte intégralNunomura, Shota, Takayoshi Tsutsumi, Kazuya Nakane, Aiko Sato, Isao Sakata et Masaru Hori. « Ion-induced interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction : possible roles and kinetics of hot mobile hydrogens ». Japanese Journal of Applied Physics 61, no 5 (1 mai 2022) : 056003. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac5210.
Texte intégralCHOI, W. K., C. C. LEOY et L. P. LEE. « INVESTIGATION ON OXIDE GROWTH MECHANISM OF PECVD SILICON CARBIDE FILMS ». International Journal of Modern Physics B 16, no 06n07 (20 mars 2002) : 1062–66. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202010865.
Texte intégralPérez, César B., et C. Reyes-Betanzo. « Stress Reduction of Amorphous Silicon Deposited by PECVD ». MRS Proceedings 1812 (2016) : 109–16. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2016.26.
Texte intégralSidhu, L. S., T. Kosteski, N. P. Kherani, F. Gaspari, S. Zukotynski et W. Shmayda. « An Infrared and Luminescence Study of Tritiated Amorphous Silicon ». MRS Proceedings 467 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-467-129.
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Texte intégralBranz, Howard M., et Eugene Iwaniczko. « Observation of Metastability in Amorphous Silicon Containing 0.1 at.% Hydrogen ». MRS Proceedings 258 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-258-389.
Texte intégralFujiwara, Hiroyuki, Michio Kondo et Akihisa Matsuda. « Effect of Strained Si-Si Bonds in Amorphous Silicon Incubation Layer on Microcrystalline Silicon Nucleation ». MRS Proceedings 664 (2001). http://dx.doi.org/10.1557/proc-664-a1.2.
Texte intégralJiang, Lin, E. A. Schiff, F. Finger, P. Hapke, S. Koynov, R. Schwarz, N. Wyrsch, A. Shah, J. Yang et S. Guha. « Electroabsorption Spectra of Hydrogenated Amorphous and Microcrystalline Silicon ». MRS Proceedings 467 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-467-295.
Texte intégralBiswas, R., B. C. Pan et V. Selvaraj. « Microcrystalline and Nanocrystalline Silicon : Simulation of Material Properties ». MRS Proceedings 862 (2005). http://dx.doi.org/10.1557/proc-862-a24.3.
Texte intégralLi, Yupu, Shaw Wang, Xue-Feng Lin et Luncun Wei. « Characterization of Amorphous Silicon by Secondary Ion Mass Spectrometry ». MRS Proceedings 862 (2005). http://dx.doi.org/10.1557/proc-862-a18.3.
Texte intégralBiswas, R., Qiming Li, B. C. Pan et Y. Yoon. « Reactivity and Migration of Hydrogen in A-SI:H ». MRS Proceedings 467 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-467-135.
Texte intégralCrandall, R. S., A. H. Mahan, E. Iwaniczko, K. M. Jones, X. Liu, B. E. White et R. O. Pohl. « New Results on the Microstructure of Amorphous Silicon as Observed by Internal Friction ». MRS Proceedings 467 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-467-191.
Texte intégralCrandall, R. S., E. Iwaniczko, A. H. Mahan, X. Liu et R. O. Pohl. « Low Temperature Vibrational Properties of Amorphous Silicon ». MRS Proceedings 507 (1998). http://dx.doi.org/10.1557/proc-507-585.
Texte intégralChoi, W. K., L. P. Lee et C. C. Leoy. « Oxidation study of hydrogenated amorphous silicon carbide films ». MRS Proceedings 640 (2000). http://dx.doi.org/10.1557/proc-640-h5.15.
Texte intégralSridhar, Nagarajan, D. D. L. Chung et W. A. Anderson. « Thermodynamics and Kinetics of Hydrogen Evolution in Hydrogenated Amorphous Silicon Films ». MRS Proceedings 377 (1995). http://dx.doi.org/10.1557/proc-377-319.
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