Articles de revues sur le sujet « Algabal »
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Awad, Abdel Aziz, Dakhel H. Alzubaidi et Mohamed A. Mohamed. « A STUDY OF ENVIRONMENTAL AWARENESS FOR FARMERS’ SONS IN THE REGION OF ALGABAL ALAKHDAR-LIBYA. » Fayoum Journal of Agricultural Research and Development 23, no 1 (1 janvier 2009) : 8–17. http://dx.doi.org/10.21608/fjard.2009.197043.
Texte intégralabdelghany, abdelghany, Almahdi Akraeim et Salah eldein Saad. « Evaluation the impact of the transition period on some hematobiochemical and hormonal parameters in Native sheep in Algabal Alakhdar governorate in Libya ». Benha Veterinary Medical Journal 40, no 2 (1 juillet 2021) : 19–23. http://dx.doi.org/10.21608/bvmj.2021.71045.1390.
Texte intégralRemmik, Marvi, Liina Lepp et Ingrid Koni. « Algajad õpetajad koolijuhi ja kolleegide toetusest esimestel tööaastatel ». Eesti Haridusteaduste Ajakiri. Estonian Journal of Education 3, no 1 (30 avril 2015) : 173–201. http://dx.doi.org/10.12697/eha.2015.3.1.08.
Texte intégralKang, Donghan, et Keugtae Kim. « Real Wastewater Treatment Using a Moving Bed and Wastewater-Borne Algal–Bacterial Consortia with a Short Hydraulic Retention Time ». Processes 9, no 1 (7 janvier 2021) : 116. http://dx.doi.org/10.3390/pr9010116.
Texte intégralKang, Donghan, et Keugtae Kim. « Real Wastewater Treatment Using a Moving Bed and Wastewater-Borne Algal–Bacterial Consortia with a Short Hydraulic Retention Time ». Processes 9, no 1 (7 janvier 2021) : 116. http://dx.doi.org/10.3390/pr9010116.
Texte intégralKuzuhara, M., K. Kim et K. Hess. « Transient simulation of AlGaAs/GaAs/AlGaAs and AlGaAs/InGaAs/AlGaAs hot-electron transistors ». IEEE Transactions on Electron Devices 36, no 1 (janvier 1989) : 118–23. http://dx.doi.org/10.1109/16.21190.
Texte intégralKetterson, A. A., et H. Morkoc. « GaAs/AlGaAs and InGaAs/AlGaAs MODFET inverter simulations ». IEEE Transactions on Electron Devices 33, no 11 (novembre 1986) : 1626–34. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1986.22720.
Texte intégralCirlin, G. E., R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, L. Leandro, T. Kasama et Nika Akopian. « AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates ». Journal of Physics D : Applied Physics 50, no 48 (8 novembre 2017) : 484003. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aa9169.
Texte intégralGai, Hongxing, Jun Deng, Jian Jun Li, Guang Di Shen et Jianxin Chen. « Comparison the Gain Characteristic of AlInGaAs/AlGaAs and GaAs/AlGaAs Quantum Wells ». Materials Science Forum 475-479 (janvier 2005) : 1685–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.475-479.1685.
Texte intégralTerpitskiy, A. N., I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko et G. E. Cirlin. « MBE growth of AlGaAs/Ge/AlGaAs core-shell nanowire ». Journal of Physics : Conference Series 2086, no 1 (1 décembre 2021) : 012039. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012039.
Texte intégralMokerov, V. G., G. B. Galiev, J. Pozela, K. Pozela et V. Juciene. « Electron mobility in a AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well ». Semiconductors 36, no 6 (juin 2002) : 674–78. http://dx.doi.org/10.1134/1.1485669.
Texte intégralFricke, K., H. L. Hartnagel, W. Y. Lee et M. Schussler. « AlGaAs/GaAs/AlGaAs DHBT's for high-temperature stable circuits ». IEEE Electron Device Letters 15, no 3 (mars 1994) : 88–90. http://dx.doi.org/10.1109/55.285393.
Texte intégralZou, Nanzhi, K. A. Chao et Yu M. Galperin. « Phonon-assisted resonant magnetotunneling in AlGaAs-GaAs-AlGaAs heterostructures ». Physical Review Letters 71, no 11 (13 septembre 1993) : 1756–59. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.71.1756.
Texte intégralUenishi, Y., H. Tanaka et H. Ukita. « Characterization of AlGaAs microstructure fabricated by AlGaAs/GaAs micromachining ». IEEE Transactions on Electron Devices 41, no 10 (1994) : 1778–83. http://dx.doi.org/10.1109/16.324588.
Texte intégralOu, H. J., A. A. Higgs, P. R. Perkes et J. M. Cowley. « High spatial resolution microanalysis on the (200) nanodiffraction intensity to determine the Al concentration of AlGaAs-GaAs MQWS ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (6 août 1989) : 232–33. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100153130.
Texte intégralPentecost, Allan. « The ellipsoidal algal cell ». Algological Studies 155 (3 septembre 2019) : 41–55. http://dx.doi.org/10.1127/algol_stud/2019/0283.
Texte intégralWang, Jian, et Jian Kang Liu. « Role of phosphorus cycling in algal metabolism and algal succession in Lake Donghu, China ». Archiv für Hydrobiologie 120, no 4 (21 février 1991) : 433–45. http://dx.doi.org/10.1127/archiv-hydrobiol/120/1991/433.
Texte intégralWasilewski, Z. R., M. M. Dion, D. J. Lockwood, P. Poole, R. W. Streater et A. J. SpringThorpe. « Composition of AlGaAs ». Journal of Applied Physics 81, no 4 (15 février 1997) : 1683–94. http://dx.doi.org/10.1063/1.364012.
Texte intégralMatsueda, H. « AlGaAs OEIC transmitters ». Journal of Lightwave Technology 5, no 10 (1987) : 1382–90. http://dx.doi.org/10.1109/jlt.1987.1075427.
Texte intégralZhang, Jizhi, Neal G. Anderson et Kei May Lau. « AlGaAs superlattice microcoolers ». Applied Physics Letters 83, no 2 (14 juillet 2003) : 374–76. http://dx.doi.org/10.1063/1.1591242.
Texte intégralRadmer, Richard J. « Algal Diversity and Commercial Algal Products ». BioScience 46, no 4 (avril 1996) : 263–70. http://dx.doi.org/10.2307/1312833.
Texte intégralPožela,, J., K. Požela,, A. Sužiedėlis,, V. Jucienė, et V. Petkun. « Enhanced Electron Saturated Drift Velocity in AlGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructures ». Acta Physica Polonica A 113, no 3 (mars 2008) : 989–92. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.113.989.
Texte intégralUeda, Y., N. Hayama et K. Honjo. « Submicron-square emitter AlGaAs/GaAs HBTs with AlGaAs hetero-guardring ». IEEE Electron Device Letters 15, no 2 (février 1994) : 66–68. http://dx.doi.org/10.1109/55.285371.
Texte intégralBÖsl, J., R. Bauer, H. Rauch, U. Penning, G. Weimann et W. Schlapp. « Modelocking of AlGaAs laser diode by intracavity AlGaAs phase-modulator ». Electronics Letters 25, no 13 (1989) : 864. http://dx.doi.org/10.1049/el:19890582.
Texte intégralBantien, F., et J. Weber. « Manganese luminescence in AlGaAs-alloys and AlGaAs/GaAs quantum wells ». Solid State Communications 61, no 7 (février 1987) : 423–26. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(87)90131-1.
Texte intégralMakiyama, K., K. Kasai, T. Ohori et J. Komeno. « Hot electron scattering mechanisms in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells ». Semiconductor Science and Technology 7, no 3B (1 mars 1992) : B248—B250. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/7/3b/059.
Texte intégralKarpińska, K., M. Godlewski, Z. R. Żytkiewicz, W. M. Chen et E. R. Weber. « AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures ». Acta Physica Polonica A 82, no 4 (octobre 1992) : 713–16. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.82.713.
Texte intégralvan Hall, P. J., et E. A. E. Zwaal. « Impact ionisation in the AlGaAs layer of GaAs/AlGaAs heterojunctions ». Superlattices and Microstructures 13, no 3 (avril 1993) : 323. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.1993.1064.
Texte intégralAlamkan, Jocelyn, Henri Happy, Yvon Cordier et Alain Cappy. « Modelling of pseudomorphic AlGaAs/GaInAs/AlGaAs layers using selfconsistent approach ». European Transactions on Telecommunications 1, no 4 (juillet 1990) : 429–32. http://dx.doi.org/10.1002/ett.4460010410.
Texte intégralShoji, Yasushi, Ryo Tamaki et Yoshitaka Okada. « Temperature Dependence of Carrier Extraction Processes in GaSb/AlGaAs Quantum Nanostructure Intermediate-Band Solar Cells ». Nanomaterials 11, no 2 (29 janvier 2021) : 344. http://dx.doi.org/10.3390/nano11020344.
Texte intégralKang, Byung-Sub, Kie-Moon Song et Haeng-Ki Lee. « Ferromagnetism in Mn-doped Chalcopyrite AlGaAs₂ and (Al,Ga)As Semiconductors ». Journal of the Korean Magnetics Society 30, no 5 (31 octobre 2020) : 168–74. http://dx.doi.org/10.4283/jkms.2020.30.5.168.
Texte intégralVetrova, Natalia F., Evgeny V. Kuimov, Sergey A. Meshkov et Vasily D. Shashurin. « ABOUT AlGaAs-HETEROSTRUCTURES CVC KINETICS SIMULATION ». Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies 11, no 3 (29 décembre 2019) : 299–306. http://dx.doi.org/10.17725/rensit.2019.11.299.
Texte intégralBlokhin, E. E., A. S. Pashchenko, L. S. Lunin, S. N. Chebotarev et D. L. Alfimova. « THE STUDY OF InAs/GaAs HETEROSTRUCTURES WITH POTENTIAL BARRIERS AlGaAs ». Science in the South of Russia 13, no 1 (2017) : 11–17. http://dx.doi.org/10.23885/2500-0640-2017-13-1-11-17.
Texte intégralGonzález Luque, M. ª. Ángeles. « Piccolomini, Enea Silvio, Tratado de la miseria de los cortesanos (Traducción de Diego López de Cortegana), edición crítica, introducción y notas de Nieves Algaba, Nueva York, IDEA, 2018, 191 pp., ISBN 978-1-938795-48-0. » Revista de Literatura Medieval 32 (10 décembre 2020) : 313–17. http://dx.doi.org/10.37536/rlm.2020.32.0.83400.
Texte intégralGili, Valerio Flavio, Luca Carletti, Fares Chouchane, Guillaume Wang, Christian Ricolleau, Davide Rocco, Aristide Lemaître et al. « Role of the substrate in monolithic AlGaAs nonlinear nanoantennas ». Nanophotonics 7, no 2 (24 juin 2017) : 517–21. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2017-0026.
Texte intégralMelville, Duncan J. « Centroids of nilpotent lie algabras ». Communications in Algebra 20, no 12 (janvier 1992) : 3649–82. http://dx.doi.org/10.1080/00927879208824533.
Texte intégralMasuoka, Akira, et Yukio Doi. « Genaralization fo cleft comodule algabras ». Communications in Algebra 20, no 12 (janvier 1992) : 3703–21. http://dx.doi.org/10.1080/00927879208824536.
Texte intégralГуляев, Д. В., Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов et К. С. Журавлев. « GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей ». Журнал технической физики 91, no 11 (2021) : 1727. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.11.51535.142-21.
Texte intégralSaysset, N., C. Maneux, N. Labat, A. Touboul, Y. Danto et J. M. Dumas. « LF Excess Noise of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs ». Journal de Physique III 5, no 5 (mai 1995) : 509–17. http://dx.doi.org/10.1051/jp3:1995134.
Texte intégralChristanell, R., et R. A. Höpfel. « Time‐resolved luminescence from the AlGaAs layer of AlGaAs/GaAs heterostructures ». Journal of Applied Physics 66, no 10 (15 novembre 1989) : 4827–31. http://dx.doi.org/10.1063/1.343798.
Texte intégralTimmons, M. L., T. S. Colpitts, R. Venkatasubramanian, B. M. Keyes, D. J. Dunlavy et R. K. Ahrenkiel. « Measurement of AlGaAs/AlGaAs interface recombination velocities using time‐resolved photoluminescence ». Applied Physics Letters 56, no 19 (7 mai 1990) : 1850–52. http://dx.doi.org/10.1063/1.103066.
Texte intégralHartmann, A., Ch Dieker, M. Hollfelder, H. Hardtdegen, A. Förster et H. Lüth. « Spontaneous formation of a tilted AlGaAs/GaAs superlattice during AlGaAs growth ». Applied Surface Science 123-124 (janvier 1998) : 704–9. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(97)00533-3.
Texte intégralMiyatsuji, K., H. Hihara et C. Hamaguchi. « Single quantum well transistor with modulation doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs structures ». Superlattices and Microstructures 1, no 1 (janvier 1985) : 43–47. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(85)90027-8.
Texte intégralMakiyama, K., M. Inoue, M. Ashida, Y. Cho, Y. Iwai, S. Sasa et S. Hiyamizu. « Hot electron distribution and transport in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells ». Solid-State Electronics 31, no 3-4 (mars 1988) : 371–74. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(88)90299-7.
Texte intégralAnwar, A. F. M., et Kuo-Wei Liu. « Noise temperature modeling of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs ». Solid-State Electronics 37, no 9 (septembre 1994) : 1585–88. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(94)90038-8.
Texte intégralGray, M. L., J. D. Yoder et A. D. Brotman. « Sidegating characteristics of AlGaAs/GaAs heterostructures with varied AlGaAs spacer layers ». Journal of Applied Physics 69, no 2 (15 janvier 1991) : 830–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.347317.
Texte intégralTomizawa, M., T. Furuta, K. Yokoyama et A. Yoshii. « Modeling for electron transport in AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction structures ». IEEE Transactions on Electron Devices 36, no 11 (novembre 1989) : 2380–85. http://dx.doi.org/10.1109/16.43657.
Texte intégralFujii, N., T. Kimura, M. Tsugami, T. Sonoda, S. Takamiya et S. Mitsui. « Zn diffusion mechanism in n-GaAs/Zn-AlGaAs/Se-AlGaAs structures ». Journal of Crystal Growth 145, no 1-4 (décembre 1994) : 808–12. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(94)91146-0.
Texte intégralChang, L. B., K. Y. Cheng et C. C. Liu. « The cross contamination problem in AlGaAs/InGaP/AlGaAs liquid phase epitaxy ». Crystal Research and Technology 24, no 12 (décembre 1989) : K213—K218. http://dx.doi.org/10.1002/crat.2170241224.
Texte intégralvan der Steen, P., A. Brenner, Y. Shabtai et G. Oron. « Improved fecal coliform decay in integrated duckweed and algal ponds ». Water Science and Technology 42, no 10-11 (1 novembre 2000) : 363–70. http://dx.doi.org/10.2166/wst.2000.0682.
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