Articles de revues sur le sujet « Active semiconductors »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les 50 meilleurs articles de revues pour votre recherche sur le sujet « Active semiconductors ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Parcourez les articles de revues sur diverses disciplines et organisez correctement votre bibliographie.
Wang, Xuejiao, Erjin Zhang, Huimin Shi, Yufeng Tao et Xudong Ren. « Semiconductor-based surface enhanced Raman scattering (SERS) : from active materials to performance improvement ». Analyst 147, no 7 (2022) : 1257–72. http://dx.doi.org/10.1039/d1an02165f.
Texte intégralCui, Can, Junqing Ma, Kai Chen, Xinjie Wang, Tao Sun, Qingpu Wang, Xijian Zhang et Yifei Zhang. « Active and Programmable Metasurfaces with Semiconductor Materials and Devices ». Crystals 13, no 2 (6 février 2023) : 279. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13020279.
Texte intégralDUTA, ANCA, CRISTINA BOGATU, IOANA TISMANAR, DANA PERNIU et MARIA COVEI. « VIS-ACTIVE PHOTOCATALYTIC COMPOSITES FOR ADVANCED WASTEWATER TREATEMENT ». Journal of Engineering Sciences and Innovation 5, no 3 (15 septembre 2020) : 247–52. http://dx.doi.org/10.56958/jesi.2020.5.3.5.
Texte intégralNguyen, Thien-Phap, Cédric Renaud et Chun-Hao Huang. « Electrically Active Defects in Organic Semiconductors ». Journal of the Korean Physical Society 52, no 5 (15 mai 2008) : 1550–53. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.52.1550.
Texte intégralFriend, R. H. « Conjugated polymers. New materials for optoelectronic devices ». Pure and Applied Chemistry 73, no 3 (1 janvier 2001) : 425–30. http://dx.doi.org/10.1351/pac200173030425.
Texte intégralSharma, Shweta, Rakshit Ameta, R. K. Malkani et Suresh Ameta. « Photocatalytic degradation of rose Bengal by semiconducting zinc sulphide used as a photocatalyst ». Journal of the Serbian Chemical Society 78, no 6 (2013) : 897–905. http://dx.doi.org/10.2298/jsc120716141s.
Texte intégralForrest, S. R. « Active optoelectronics using thin-film organic semiconductors ». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6, no 6 (novembre 2000) : 1072–83. http://dx.doi.org/10.1109/2944.902156.
Texte intégralKamiya, Toshio, et Masashi Kawasaki. « ZnO-Based Semiconductors as Building Blocks for Active Devices ». MRS Bulletin 33, no 11 (novembre 2008) : 1061–66. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2008.226.
Texte intégralFortunato, Elvira, Alexandra Gonçalves, António Marques, Ana Pimentel, Pedro Barquinha, Hugo Águas, Luís Pereira et al. « Multifunctional Thin Film Zinc Oxide Semiconductors : Application to Electronic Devices ». Materials Science Forum 514-516 (mai 2006) : 3–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.514-516.3.
Texte intégralBakranova, Dina, Bekbolat Seitov et Nurlan Bakranov. « Preparation and Photocatalytic/Photoelectrochemical Investigation of 2D ZnO/CdS Nanocomposites ». ChemEngineering 6, no 6 (9 novembre 2022) : 87. http://dx.doi.org/10.3390/chemengineering6060087.
Texte intégralMukerjee, Sanjeev, Benjamin William Kaufold, Parisa Nematollahi, Bernardo Barbiellini, Dirk Lamoen, Arun Bansil et Sijia Dong. « (Invited) Fundamentals of Plasmon-Induced Charge Transfer in Semiconducting Materials : Showcasing OER Catalysis ». ECS Meeting Abstracts MA2024-01, no 35 (9 août 2024) : 1956. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-01351956mtgabs.
Texte intégralABDUL RANI, ABDUL ISMAIL, Muhammad Afif Abdul Rani, Samat Iderus, Mohd Shahril Osman et Nuramalina Bohari. « The Effect of SiGe/PTAA Thin Film Thickness as An Active Layer for Solar Cell Application ». ASM Science Journal 17 (3 août 2022) : 1–6. http://dx.doi.org/10.32802/asmscj.2022.1127.
Texte intégralŠtěpánek, Jan, Luboš Streit et Tomáš Komrska. « Comparison of Si and SiC based Power Converter Module of 150 kVA for Power System Applications ». TRANSACTIONS ON ELECTRICAL ENGINEERING 7, no 1 (30 mars 2020) : 10–13. http://dx.doi.org/10.14311/tee.2018.1.010.
Texte intégralZhang, Ziyang, Zhengran He, Kyeiwaa Asare-Yeboah et Sheng Bi. « Organic Semiconductors with Benzoic Acid Based Additives for Solution- Processed Thin Film Transistors ». Current Chinese Science 1, no 3 (16 juillet 2021) : 306–14. http://dx.doi.org/10.2174/2210298101666210204161237.
Texte intégralGómez Rivas, J., M. Kuttge, H. Kurz, P. Haring Bolivar et J. A. Sánchez-Gil. « Low-frequency active surface plasmon optics on semiconductors ». Applied Physics Letters 88, no 8 (20 février 2006) : 082106. http://dx.doi.org/10.1063/1.2177348.
Texte intégralJusto, Joa~ao F., et Lucy V. C. Assali. « Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors ». Physica B : Condensed Matter 308-310 (décembre 2001) : 489–92. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5.
Texte intégralBatstone, J. L. « Structural and electronic properties of defects in semiconductors ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13 août 1995) : 4–5. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100136398.
Texte intégralHong, Jin, Siqi Gang, Fei Wang et Guang Lu. « Preparation of ZnO-BiOCl Composite and its Visible-light Photocatalytic Degradation of RhB ». Journal of Physics : Conference Series 2285, no 1 (1 juin 2022) : 012007. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2285/1/012007.
Texte intégralSingha Roy, Subhamoy. « On the Einstein relation between mobility and diffusion cofficint in an active Nanostructured Materials ». Physics & ; Astronomy International Journal 7, no 1 (3 février 2023) : 7–9. http://dx.doi.org/10.15406/paij.2023.07.00277.
Texte intégralNoh, Hee, Joonwoo Kim, June-Seo Kim, Myoung-Jae Lee et Hyeon-Jun Lee. « Role of Hydrogen in Active Layer of Oxide-Semiconductor-Based Thin Film Transistors ». Crystals 9, no 2 (31 janvier 2019) : 75. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9020075.
Texte intégralMeraj, Sheikh Tanzim, Nor Zaihar Yahaya, Molla Shahadat Hossain Lipu, Jahedul Islam, Law Kah Haw, Kamrul Hasan, Md Sazal Miah, Shaheer Ansari et Aini Hussain. « A Hybrid Active Neutral Point Clamped Inverter Utilizing Si and Ga2O3 Semiconductors : Modelling and Performance Analysis ». Micromachines 12, no 12 (27 novembre 2021) : 1466. http://dx.doi.org/10.3390/mi12121466.
Texte intégralLi, Nan, Yang Li, Zhe Cheng, Youdi Liu, Yahao Dai, Seounghun Kang, Songsong Li et al. « Bioadhesive polymer semiconductors and transistors for intimate biointerfaces ». Science 381, no 6658 (11 août 2023) : 686–93. http://dx.doi.org/10.1126/science.adg8758.
Texte intégralAlghamdi, Noweir Ahmad. « Study and Analysis of Simple and Precise of Contact Resistance Single-Transistor Extracting Method for Accurate Analytical Modeling of OTFTs Current-Voltage Characteristics : Application to Different Organic Semiconductors ». Crystals 11, no 12 (24 novembre 2021) : 1448. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11121448.
Texte intégralCai, Songhua, Jun Dai, Zhipeng Shao, Mathias Uller Rothmann, Yinglu Jia, Caiyun Gao, Mingwei Hao et al. « Atomically Resolved Electrically Active Intragrain Interfaces in Perovskite Semiconductors ». Journal of the American Chemical Society 144, no 4 (21 janvier 2022) : 1910–20. http://dx.doi.org/10.1021/jacs.1c12235.
Texte intégralBarbaro, Massimo, Alessandra Caboni, Piero Cosseddu, Giorgio Mattana et Annalisa Bonfiglio. « Active Devices Based on Organic Semiconductors for Wearable Applications ». IEEE Transactions on Information Technology in Biomedicine 14, no 3 (mai 2010) : 758–66. http://dx.doi.org/10.1109/titb.2010.2044798.
Texte intégralDavydov, V. N. « Properties of electrically active structural defects in crystalline semiconductors ». Soviet Physics Journal 31, no 4 (avril 1988) : 338–42. http://dx.doi.org/10.1007/bf00892649.
Texte intégralFan, Zhihua, Qinling Deng, Xiaoyu Ma et Shaolin Zhou. « Phase Change Metasurfaces by Continuous or Quasi-Continuous Atoms for Active Optoelectronic Integration ». Materials 14, no 5 (7 mars 2021) : 1272. http://dx.doi.org/10.3390/ma14051272.
Texte intégralMecke, R. « Multilevel inverter with active clamping diodes for energy efficiency improvement ». Renewable Energy and Power Quality Journal 20 (septembre 2022) : 138–42. http://dx.doi.org/10.24084/repqj20.245.
Texte intégralRothschild, M., C. Arnone et D. J. Ehrlich. « Laser photosublimation of compound semiconductors ». Journal of Materials Research 2, no 2 (avril 1987) : 244–51. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1987.0244.
Texte intégralKim, Seongjae, et Hocheon Yoo. « Active-Matrix Array Based on Thin-Film Transistors Using Emerging Materials for Application : From Lab to Industry ». Electronics 13, no 1 (4 janvier 2024) : 241. http://dx.doi.org/10.3390/electronics13010241.
Texte intégralHuseynova, Gunel, et Vladislav Kostianovskii. « Doped organic field-effect transistors ». Material Science & ; Engineering International Journal 2, no 6 (5 décembre 2018) : 212–15. http://dx.doi.org/10.15406/mseij.2018.02.00059.
Texte intégralZhou, Xue Song, Bin Lu et You Jie Ma. « Superconducting Magnetic Energy Storage Summarize ». Advanced Materials Research 535-537 (juin 2012) : 2057–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.535-537.2057.
Texte intégralAn, Xiang, Kai Wang, Lubing Bai, Chuanxin Wei, Man Xu, Mengna Yu, Yamin Han et al. « Intrinsic mechanical properties of the polymeric semiconductors ». Journal of Materials Chemistry C 8, no 33 (2020) : 11631–37. http://dx.doi.org/10.1039/d0tc02255a.
Texte intégralLI, BO. « IMPROVEMENT OF THE RESPONSE TIME FOR ORGANIC PHOTODETECTORS BY USING DISPLACEMENT CURRENT ». Modern Physics Letters B 26, no 16 (29 mai 2012) : 1250100. http://dx.doi.org/10.1142/s021798491250100x.
Texte intégralKryuchyn, A. A. « Creation of active optical metasurfaces on films of chalcogenide semiconductors with phase state change ». Optoelektronìka ta napìvprovìdnikova tehnìka 58 (21 décembre 2023) : 195–205. http://dx.doi.org/10.15407/iopt.2023.58.195.
Texte intégralWright, Iain A., Neil J. Findlay, Sasikumar Arumugam, Anto R. Inigo, Alexander L. Kanibolotsky, Pawel Zassowski, Wojciech Domagala et Peter J. Skabara. « Fused H-shaped tetrathiafulvalene–oligothiophenes as charge transport materials for OFETs and OPVs ». J. Mater. Chem. C 2, no 15 (2014) : 2674–83. http://dx.doi.org/10.1039/c3tc32571g.
Texte intégralMukerjee, Sanjeev, Benjamin William Kaufold, Sijia Dong, Parisa Nematollahi, Bernardo Barbiellini et Dirk Lamoen. « (Invited) Plasmonic Enhancement of Electrochemical Reactions Using LSPR Phenomenon ». ECS Meeting Abstracts MA2023-01, no 30 (28 août 2023) : 1798. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01301798mtgabs.
Texte intégralLevine, Andrew M., Sankarsan Biswas et Adam B. Braunschweig. « Photoactive organic material discovery with combinatorial supramolecular assembly ». Nanoscale Advances 1, no 10 (2019) : 3858–69. http://dx.doi.org/10.1039/c9na00476a.
Texte intégralDemirel, Gokhan, Hakan Usta, Mehmet Yilmaz, Merve Celik, Husniye Ardic Alidagi et Fatih Buyukserin. « Surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS) : an adventure from plasmonic metals to organic semiconductors as SERS platforms ». Journal of Materials Chemistry C 6, no 20 (2018) : 5314–35. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc01168k.
Texte intégralBalle, Salvador. « Analytical description of spectral hole-burning effects in active semiconductors ». Optics Letters 27, no 21 (1 novembre 2002) : 1923. http://dx.doi.org/10.1364/ol.27.001923.
Texte intégralAdams, M., H. Westlake, M. O'Mahony et I. Henning. « A comparison of active and passive optical bistability in semiconductors ». IEEE Journal of Quantum Electronics 21, no 9 (septembre 1985) : 1498–504. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.1985.1072818.
Texte intégralTua, Patrizio F., Marco Rossinelli et Felix Greuter. « Transient response of electrically active grain boundaries in polycrystalline semiconductors ». Physica Scripta 38, no 3 (1 septembre 1988) : 491–97. http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/38/3/029.
Texte intégralBonnell, D. A. « Tunneling spectroscopic analysis of optically active wide band-gap semiconductors ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 9, no 2 (mars 1991) : 551. http://dx.doi.org/10.1116/1.585566.
Texte intégralLee, Hyeon-Jun, Katsumi Abe, June-Seo Kim, Won Seok Yun et Myoung-Jae Lee. « Parasitic Current Induced by Gate Overlap in Thin-Film Transistors ». Materials 14, no 9 (29 avril 2021) : 2299. http://dx.doi.org/10.3390/ma14092299.
Texte intégralJiang, Xin, Xiaodong Sun, Di Yin, Xiuling Li, Ming Yang, Xiaoxia Han, Libin Yang et Bing Zhao. « Recyclable Au–TiO2 nanocomposite SERS-active substrates contributed by synergistic charge-transfer effect ». Physical Chemistry Chemical Physics 19, no 18 (2017) : 11212–19. http://dx.doi.org/10.1039/c7cp01610g.
Texte intégralWang, Huiru, Jiawei He, Yongye Xu, Nicolas André, Yun Zeng, Denis Flandre, Lei Liao et Guoli Li. « Impact of hydrogen dopant incorporation on InGaZnO, ZnO and In2O3 thin film transistors ». Physical Chemistry Chemical Physics 22, no 3 (2020) : 1591–97. http://dx.doi.org/10.1039/c9cp05050g.
Texte intégralMaeda, Akihiro, Aki Nakauchi, Yusuke Shimizu, Kengo Terai, Shuhei Sugii, Hironobu Hayashi, Naoki Aratani, Mitsuharu Suzuki et Hiroko Yamada. « A Windmill-Shaped Molecule with Anthryl Blades to Form Smooth Hole-Transport Layers via a Photoprecursor Approach ». Materials 13, no 10 (18 mai 2020) : 2316. http://dx.doi.org/10.3390/ma13102316.
Texte intégralWu, Huaxin, Wenjie Liu, Wenjie Ma, Tianyuan Liang, Xiaoyu Liu et Jiyang Fan. « Special roles of two-dimensional octahedral frameworks in photodynamics of Cs3Bi2Br9 nanoplatelets : Electron and lattice-wave localization ». Applied Physics Letters 121, no 18 (31 octobre 2022) : 181902. http://dx.doi.org/10.1063/5.0120767.
Texte intégralGuzman Iturra, Rodrigo, et Peter Thiemann. « Asymmetrical Three-Level Inverter SiC-Based Topology for High Performance Shunt Active Power Filter ». Energies 13, no 1 (27 décembre 2019) : 141. http://dx.doi.org/10.3390/en13010141.
Texte intégralLee, Sangyun, Bonwon Koo, Jae-Geun Park, Hyunsik Moon, Jungseok Hahn et Jong Min Kim. « Development of High-Performance Organic Thin-Film Transistors for Large-Area Displays ». MRS Bulletin 31, no 6 (juin 2006) : 455–59. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2006.118.
Texte intégral