Articles de revues sur le sujet « Active gate driver »
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Lasek, Bartosz, Przemysław Trochimiuk, Rafał Kopacz et Jacek Rąbkowski. « Parasitic-Based Active Gate Driver Improving the Turn-On Process of 1.7 kV SiC Power MOSFET ». Applied Sciences 11, no 5 (3 mars 2021) : 2210. http://dx.doi.org/10.3390/app11052210.
Texte intégralLiang, Mei, Jiwen Chen, Jinchao Bai, Pengyu Jia et Yuzhe Jiao. « A New Gate Driver for Suppressing Crosstalk of SiC MOSFET ». Electronics 11, no 20 (11 octobre 2022) : 3268. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11203268.
Texte intégralFahmi, M. I., M. F. Mukmin, H. F. Liew, C. L. Wai, M. A. Aazmi et S. N. M. Arshad. « Design new voltage balancing control series connected for HV-IGBT`s ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 11, no 4 (1 août 2021) : 2899. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v11i4.pp2899-2906.
Texte intégralSukhatme, Yash, Vamshi Krishna Miryala, P. Ganesan et Kamalesh Hatua. « Digitally Controlled Gate Current Source-Based Active Gate Driver for Silicon Carbide MOSFETs ». IEEE Transactions on Industrial Electronics 67, no 12 (décembre 2020) : 10121–33. http://dx.doi.org/10.1109/tie.2019.2958301.
Texte intégralGras, David, Christophe Pautrel, Amir Fanaei, Gregory Thepaut, Maxime Chabert, Fabien Laplace et Gonzalo Picun. « Highly Integrated and Isolated Universal Half-Bridge Power Gate Driver and Associated Flyback Power Supply for High Temperature and High Reliability Applications ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, HITEC (1 janvier 2014) : 000206–13. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-wp12.
Texte intégralGhorbani, Hamidreza, Vicent Sala, Alejandro Paredes Camacho et Jose Romeral Martinez. « A Simple Closed-Loop Active Gate Voltage Driver for Controlling diC/dt and dvCE/dt in IGBTs ». Electronics 8, no 2 (30 janvier 2019) : 144. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8020144.
Texte intégralBagheri, Alireza, Hossein Iman-Eini et Shahrokh Farhangi. « A Gate Driver Circuit for Series-Connected IGBTs Based on Quasi-Active Gate Control ». IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 6, no 2 (juin 2018) : 791–99. http://dx.doi.org/10.1109/jestpe.2018.2791202.
Texte intégralColeman, Fred, et Young J. Moon. « System Simulation of Dual-Gate At-Grade Railroad-Highway Crossings : Development and Verification ». Transportation Research Record : Journal of the Transportation Research Board 1605, no 1 (janvier 1997) : 88–95. http://dx.doi.org/10.3141/1605-11.
Texte intégralCamacho, Alejandro Paredes, Vicent Sala, Hamidreza Ghorbani et Jose Luis Romeral Martinez. « A Novel Active Gate Driver for Improving SiC MOSFET Switching Trajectory ». IEEE Transactions on Industrial Electronics 64, no 11 (novembre 2017) : 9032–42. http://dx.doi.org/10.1109/tie.2017.2719603.
Texte intégralWaradzyn, Zbigniew, Robert Stala, Aleksander Skała, Andrzej Mondzik et Adam Penczek. « A Cost-Effective Resonant Switched-Capacitor DC-DC Boost Converter – Experimental Results and Feasibility Model ». Power Electronics and Drives 3, no 1 (1 décembre 2018) : 75–83. http://dx.doi.org/10.2478/pead-2018-0004.
Texte intégralZhou, Yan, Lihua Chen, Shuitao Yang, Fan Xu et Mohammed Khorshed Alam. « A Smart Gate Driver with Active Switching Speed Control for Traction Inverters ». SAE International Journal of Alternative Powertrains 6, no 2 (28 mars 2017) : 298–302. http://dx.doi.org/10.4271/2017-01-1243.
Texte intégralShu, Lu, Junming Zhang et Shuai Shao. « Crosstalk Analysis and Suppression for a Closed-Loop Active IGBT Gate Driver ». IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 7, no 3 (septembre 2019) : 1931–40. http://dx.doi.org/10.1109/jestpe.2018.2869678.
Texte intégralYin, Shan, Yingzhe Wu, Yitao Liu et Xuewei Pan. « Comparative Design of Gate Drivers with Short-Circuit Protection Scheme for SiC MOSFET and Si IGBT ». Energies 12, no 23 (29 novembre 2019) : 4546. http://dx.doi.org/10.3390/en12234546.
Texte intégralAcharya, Sayan, Xu She, Fengfeng Tao, Tony Frangieh, Maja Harfman Todorovic et Rajib Datta. « Active Gate Driver for SiC-MOSFET-Based PV Inverter With Enhanced Operating Range ». IEEE Transactions on Industry Applications 55, no 2 (mars 2019) : 1677–89. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2018.2878764.
Texte intégralBau, Plinio, Marc Cousineau, Bernardo Cougo, Frederic Richardeau et Nicolas Rouger. « CMOS Active Gate Driver for Closed-Loop dv/dt Control of GaN Transistors ». IEEE Transactions on Power Electronics 35, no 12 (décembre 2020) : 13322–32. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2020.2995531.
Texte intégralCheng, Hung Liang, Chun An Cheng, Chao Shun Chen et Kuan Lung Huang. « Design and Implementation of a Dimmable LED Driver with Low-Frequency PWM Control ». Applied Mechanics and Materials 284-287 (janvier 2013) : 2538–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.284-287.2538.
Texte intégralLi, Chen, Kun Tan, Bing Ji, Zhiqiang Wang, Shuai Ding et Paul Lefley. « A four‐step control for IGBT switching improvement using an active voltage gate driver ». IET Power Electronics 15, no 6 (2 février 2022) : 548–57. http://dx.doi.org/10.1049/pel2.12248.
Texte intégralYASUDA, Satomu, Yukihisa SUZUKI et Keiji WADA. « Estimation of Switching Loss and Voltage Overshoot of Active Gate Driver by Neural Network ». IEICE Transactions on Electronics E103.C, no 11 (1 novembre 2020) : 609–12. http://dx.doi.org/10.1587/transele.2019ess0004.
Texte intégralZhang, Zheyu, Fred Wang, Leon M. Tolbert et Benjamin J. Blalock. « Active Gate Driver for Crosstalk Suppression of SiC Devices in a Phase-Leg Configuration ». IEEE Transactions on Power Electronics 29, no 4 (avril 2014) : 1986–97. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2013.2268058.
Texte intégralZhao, Shuang, Xingchen Zhao, Audrey Dearien, Yuheng Wu, Yue Zhao et H. Alan Mantooth. « An Intelligent Versatile Model-Based Trajectory-Optimized Active Gate Driver for Silicon Carbide Devices ». IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 8, no 1 (mars 2020) : 429–41. http://dx.doi.org/10.1109/jestpe.2019.2922824.
Texte intégralWang, Rui, Lin Liang, Yu Chen, Yan Pan, Jinyuan Li, Lubin Han et Guoqiang Tan. « Self-Adaptive Active Gate Driver for IGBT Switching Performance Optimization Based on Status Monitoring ». IEEE Transactions on Power Electronics 35, no 6 (juin 2020) : 6362–72. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2019.2947268.
Texte intégralObara, Hidemine, Keiji Wada, Koutarou Miyazaki, Makoto Takamiya et Takayasu Sakurai. « Active Gate Control in Half-Bridge Inverters Using Programmable Gate Driver ICs to Improve Both Surge Voltage and Converter Efficiency ». IEEE Transactions on Industry Applications 54, no 5 (septembre 2018) : 4603–11. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2018.2835812.
Texte intégralTian, Chao, Haiming Cao, Jiebing Feng, Mingyue Li, Yanqing Guan et Guanghui Liu. « P‐7 : In‐Cell‐Touch Display Design Using Gate Driver Circuits Integrated within Active Area and De‐Mux Source Driver ». SID Symposium Digest of Technical Papers 52, no 1 (mai 2021) : 1081–84. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.14880.
Texte intégralMata-Carballeira, Óscar, Jon Gutiérrez-Zaballa, Inés del Campo et Victoria Martínez. « An FPGA-Based Neuro-Fuzzy Sensor for Personalized Driving Assistance ». Sensors 19, no 18 (17 septembre 2019) : 4011. http://dx.doi.org/10.3390/s19184011.
Texte intégralKim, Jong-Seok, et Byong-Deok Choi. « A new decoder-type integrated gate driver with a-Si:H TFTs for active-matrix displays ». Japanese Journal of Applied Physics 53, no 3S1 (1 janvier 2014) : 03CD03. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.53.03cd03.
Texte intégralDymond, Harry C. P., Jianjing Wang, Dawei Liu, Jeremy J. O. Dalton, Neville McNeill, Dinesh Pamunuwa, Simon J. Hollis et Bernard H. Stark. « A 6.7-GHz Active Gate Driver for GaN FETs to Combat Overshoot, Ringing, and EMI ». IEEE Transactions on Power Electronics 33, no 1 (janvier 2018) : 581–94. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2017.2669879.
Texte intégralYang, Yuan, Yang Wen et Yong Gao. « A Novel Active Gate Driver for Improving Switching Performance of High-Power SiC MOSFET Modules ». IEEE Transactions on Power Electronics 34, no 8 (août 2019) : 7775–87. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2018.2878779.
Texte intégralWen, Yang, Yuan Yang et Yong Gao. « Active Gate Driver for Improving Current Sharing Performance of Paralleled High-Power SiC MOSFET Modules ». IEEE Transactions on Power Electronics 36, no 2 (février 2021) : 1491–505. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2020.3006071.
Texte intégralJiang, Wen-Zhuang, Kuo-Ing Hwu et Jenn-Jong Shieh. « Four-Channel Buck-Type LED Driver with Automatic Current Sharing and Soft Switching ». Applied Sciences 12, no 12 (8 juin 2022) : 5842. http://dx.doi.org/10.3390/app12125842.
Texte intégralBeye, Mamadou Lamine, Thilini Wickramasinghe, Jean François Mogniotte, Luong Viêt Phung, Nadir Idir, Hassan Maher et Bruno Allard. « Active Gate Driver and Management of the Switching Speed of GaN Transistors during Turn-On and Turn-Off ». Electronics 10, no 2 (7 janvier 2021) : 106. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10020106.
Texte intégralBeye, Mamadou Lamine, Thilini Wickramasinghe, Jean François Mogniotte, Luong Viêt Phung, Nadir Idir, Hassan Maher et Bruno Allard. « Active Gate Driver and Management of the Switching Speed of GaN Transistors during Turn-On and Turn-Off ». Electronics 10, no 2 (7 janvier 2021) : 106. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10020106.
Texte intégralKim, Tae-Wook, Gyu-Tae Park, Byong-Deok Choi, MunPyo Hong, Jin-Nyoung Jang, Byoung-Cheol Song, Dong Hyeok Lee et Byung Seong Bae. « Decoder-Type Gate Driver Circuits Fabricated with Amorphous Silicon Thin-Film Transistors for Active Matrix Displays ». Japanese Journal of Applied Physics 50, no 3S (1 mars 2011) : 03CC03. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.50.03cc03.
Texte intégralKrishna Miryala, Vamshi, et Kamalesh Hatua. « Low‐cost analogue active gate driver for SiC MOSFET to enable operation in higher parasitic environment ». IET Power Electronics 13, no 3 (février 2020) : 463–74. http://dx.doi.org/10.1049/iet-pel.2019.0589.
Texte intégralKim, Tae-Wook, Gyu-Tae Park, Byong-Deok Choi, MunPyo Hong, Jin-Nyoung Jang, Byoung-Cheol Song, Dong Hyeok Lee et Byung Seong Bae. « Decoder-Type Gate Driver Circuits Fabricated with Amorphous Silicon Thin-Film Transistors for Active Matrix Displays ». Japanese Journal of Applied Physics 50, no 3 (22 mars 2011) : 03CC03. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.50.03cc03.
Texte intégralMarzoughi, Alinaghi, Rolando Burgos et Dushan Boroyevich. « Active Gate-Driver With dv/dt Controller for Dynamic Voltage Balancing in Series-Connected SiC MOSFETs ». IEEE Transactions on Industrial Electronics 66, no 4 (avril 2019) : 2488–98. http://dx.doi.org/10.1109/tie.2018.2842753.
Texte intégralZhang, Zhengda, Chunhui Liu, Mengzhi Wang, Yunpeng Si, Yifu Liu et Qin Lei. « A Novel Current-Source-Based Gate Driver With Active Voltage Balancing Control for Series-Connected GaN HEMTs ». IEEE Open Journal of Power Electronics 2 (2021) : 346–67. http://dx.doi.org/10.1109/ojpel.2021.3070527.
Texte intégralKim, Jong-Seok, Gyu-Tae Park, Hyun-Woo Kim et Byong-Deok Choi. « Compact Decoder-Type Gate Driver Circuits with Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistors for Active Matrix Displays ». Japanese Journal of Applied Physics 52, no 3S (1 mars 2013) : 03BC01. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.52.03bc01.
Texte intégralWang, Zhiqiang, Xiaojie Shi, Leon M. Tolbert, Fei Wang et Benjamin J. Blalock. « A di/dt Feedback-Based Active Gate Driver for Smart Switching and Fast Overcurrent Protection of IGBT Modules ». IEEE Transactions on Power Electronics 29, no 7 (juillet 2014) : 3720–32. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2013.2278794.
Texte intégralXu, Shangjun, Mingxin Wang, Zhijun Wang, Liufei Zhou, Yang Shu, Ling Yuan, Cunjian Bian et al. « P‐1.9 : The Effect of Lateral Capacitance on Flat‐Panel Display with Gate Driver Circuits Integrated in Active Area ». SID Symposium Digest of Technical Papers 52, S1 (février 2021) : 436–38. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.14513.
Texte intégralRamsay, E., James Breeze, David T. Clark, A. Murphy, D. Smith, R. Thompson, Sean Wright, R. Young et A. Horsfall. « High Temperature CMOS Circuits on Silicon Carbide ». Materials Science Forum 821-823 (juin 2015) : 859–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.859.
Texte intégralBanaei, M. R., et E. Salary. « Solid State Transformer Interface Based on Multilevel Inverter for Fuel Cell Power Generation and Management ». International Journal of Emerging Electric Power Systems 15, no 5 (1 octobre 2014) : 485–500. http://dx.doi.org/10.1515/ijeeps-2013-0176.
Texte intégralSzilágyi, László, Guido Belfiore, Ronny Henker et Frank Ellinger. « 20–25 Gbit/s low-power inductor-less single-chip optical receiver and transmitter frontend in 28 nm digital CMOS ». International Journal of Microwave and Wireless Technologies 9, no 8 (2 mai 2017) : 1667–77. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078717000472.
Texte intégralHong, Kuo-Bin, Chun-Yen Peng, Wei-Cheng Lin, Kuan-Lun Chen, Shih-Chen Chen, Hao-Chung Kuo, Edward Yi Chang et Chun-Hsiung Lin. « Thermal Analysis of Flip-Chip Bonding Designs for GaN Power HEMTs with an On-Chip Heat-Spreading Layer ». Micromachines 14, no 3 (23 février 2023) : 519. http://dx.doi.org/10.3390/mi14030519.
Texte intégralMajima, Hideaki, Hiroaki Ishihara, Katsuyuki Ikeuchi, Toshiyuki Ogawa, Yuichi Sawahara, Tatsuhiro Ogawa, Satoshi Takaya, Kohei Onizuka et Osamu Watanabe. « Cascoded GaN half-bridge with 17 MHz wide-band galvanically isolated current sensor ». Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (21 février 2022) : SC1052. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac4446.
Texte intégralLin, Chih-Lung, Ming-Yang Deng, Chia-En Wu, Po-Syun Chen et Ming-Xun Wang. « Gate Driver Circuit Using Pre-Charge Structure and Time-Division Multiplexing Driving Scheme for Active-Matrix LCDs Integrated with In-Cell Touch Structures ». Journal of Display Technology 12, no 11 (novembre 2016) : 1238–41. http://dx.doi.org/10.1109/jdt.2016.2601948.
Texte intégralKim, Kyung Min, Inhyo Han, Hae Jin Park, Seok Noh, Young In Jang, Kilhwan Oh, Bumsik Kim et In-Byeong Kang. « 58‐1 : Distinguished Paper : Bezel Free Design of Organic Light Emitting Diode Display via a‐InGaZnO Gate Driver Circuit Integration within Active Array ». SID Symposium Digest of Technical Papers 50, no 1 (29 mai 2019) : 814–17. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.13046.
Texte intégralDeng, Ming-Yang, Meng-Chieh Tsai, Yung-Chih Chen, Po-Syun Chen et Chih-Lung Lin. « 49-2 : Design of a-Si:H Bidirectional Gate Driver Circuit Using Time Division Driving Method for In-Cell Touch Active-Matrix Liquid Crystal Displays ». SID Symposium Digest of Technical Papers 48, no 1 (mai 2017) : 734–37. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.11751.
Texte intégralYamaguchi, Daiki, Yu Shan Cheng, Tomoyuki Mannen, Hidemine Obara, Keiji Wada, Toru Sai, Makoto Takamiya et Takayasu Sakurai. « An Optimization Method of a Digital Active Gate Driver Under Continuous Switching Operation Being Capable of Suppressing Surge Voltage and Power Loss in PWM Inverters ». IEEE Transactions on Industry Applications 58, no 1 (janvier 2022) : 481–93. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2021.3124864.
Texte intégralRagonese, Egidio, Nunzio Spina, Alessandro Parisi et Giuseppe Palmisano. « An Experimental Comparison of Galvanically Isolated DC-DC Converters : Isolation Technology and Integration Approach ». Electronics 10, no 10 (15 mai 2021) : 1186. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10101186.
Texte intégralMarques, Ivo, João Sousa, Bruno Sá, Diogo Costa, Pedro Sousa, Samuel Pereira, Afonso Santos et al. « Microphone Array for Speaker Localization and Identification in Shared Autonomous Vehicles ». Electronics 11, no 5 (2 mars 2022) : 766. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11050766.
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