Littérature scientifique sur le sujet « Active gate driver »
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Articles de revues sur le sujet "Active gate driver"
Lasek, Bartosz, Przemysław Trochimiuk, Rafał Kopacz et Jacek Rąbkowski. « Parasitic-Based Active Gate Driver Improving the Turn-On Process of 1.7 kV SiC Power MOSFET ». Applied Sciences 11, no 5 (3 mars 2021) : 2210. http://dx.doi.org/10.3390/app11052210.
Texte intégralLiang, Mei, Jiwen Chen, Jinchao Bai, Pengyu Jia et Yuzhe Jiao. « A New Gate Driver for Suppressing Crosstalk of SiC MOSFET ». Electronics 11, no 20 (11 octobre 2022) : 3268. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11203268.
Texte intégralFahmi, M. I., M. F. Mukmin, H. F. Liew, C. L. Wai, M. A. Aazmi et S. N. M. Arshad. « Design new voltage balancing control series connected for HV-IGBT`s ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 11, no 4 (1 août 2021) : 2899. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v11i4.pp2899-2906.
Texte intégralSukhatme, Yash, Vamshi Krishna Miryala, P. Ganesan et Kamalesh Hatua. « Digitally Controlled Gate Current Source-Based Active Gate Driver for Silicon Carbide MOSFETs ». IEEE Transactions on Industrial Electronics 67, no 12 (décembre 2020) : 10121–33. http://dx.doi.org/10.1109/tie.2019.2958301.
Texte intégralGras, David, Christophe Pautrel, Amir Fanaei, Gregory Thepaut, Maxime Chabert, Fabien Laplace et Gonzalo Picun. « Highly Integrated and Isolated Universal Half-Bridge Power Gate Driver and Associated Flyback Power Supply for High Temperature and High Reliability Applications ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, HITEC (1 janvier 2014) : 000206–13. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-wp12.
Texte intégralGhorbani, Hamidreza, Vicent Sala, Alejandro Paredes Camacho et Jose Romeral Martinez. « A Simple Closed-Loop Active Gate Voltage Driver for Controlling diC/dt and dvCE/dt in IGBTs ». Electronics 8, no 2 (30 janvier 2019) : 144. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8020144.
Texte intégralBagheri, Alireza, Hossein Iman-Eini et Shahrokh Farhangi. « A Gate Driver Circuit for Series-Connected IGBTs Based on Quasi-Active Gate Control ». IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 6, no 2 (juin 2018) : 791–99. http://dx.doi.org/10.1109/jestpe.2018.2791202.
Texte intégralColeman, Fred, et Young J. Moon. « System Simulation of Dual-Gate At-Grade Railroad-Highway Crossings : Development and Verification ». Transportation Research Record : Journal of the Transportation Research Board 1605, no 1 (janvier 1997) : 88–95. http://dx.doi.org/10.3141/1605-11.
Texte intégralCamacho, Alejandro Paredes, Vicent Sala, Hamidreza Ghorbani et Jose Luis Romeral Martinez. « A Novel Active Gate Driver for Improving SiC MOSFET Switching Trajectory ». IEEE Transactions on Industrial Electronics 64, no 11 (novembre 2017) : 9032–42. http://dx.doi.org/10.1109/tie.2017.2719603.
Texte intégralWaradzyn, Zbigniew, Robert Stala, Aleksander Skała, Andrzej Mondzik et Adam Penczek. « A Cost-Effective Resonant Switched-Capacitor DC-DC Boost Converter – Experimental Results and Feasibility Model ». Power Electronics and Drives 3, no 1 (1 décembre 2018) : 75–83. http://dx.doi.org/10.2478/pead-2018-0004.
Texte intégralThèses sur le sujet "Active gate driver"
Lui, Dawei. « Active gate driver design for GaN FET power devices ». Thesis, University of Bristol, 2017. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.730883.
Texte intégralRaszmann, Emma Barbara. « Series-Connection of Silicon Carbide MOSFET Modules using Active Gate-Drivers with dv/dt Control ». Thesis, Virginia Tech, 2019. http://hdl.handle.net/10919/95938.
Texte intégralMaster of Science
According to ABB, 40% of the world's power demand is supplied by electrical energy. Specifically, in 2018, the world's electrical demand has grown by 4% since 2010. The growing need for electric energy makes it increasingly essential for systems that can efficiently and reliably convert and control energy levels for various end applications, such as electric motors, electric vehicles, data centers, and renewable energy systems. Power electronics are systems by which electrical energy is converted to different levels of power (voltage and current) depending on the end application. The use of power electronics systems is critical for controlling the flow of electrical energy in all applications of electric energy generation, transmission, and distribution. Advances in power electronics technologies, such as new control techniques and manufacturability of power semiconductor devices, are enabling improvements to the overall performance of electrical energy conversion systems. Power semiconductor devices, which are used as switches or rectifiers in various power electronic converters, are a critical building block of power electronic systems. In order to enable higher output power capability for converter systems, power semiconductor switches are required to sustain higher levels of voltage and current. Wide bandgap semiconductor devices are a particular new category of power semiconductors that have superior material properties compared to traditional devices such as Silicon (Si) Insulated-Gate Bipolar Junction Transistors (IGBTs). In particular, wide bandgap devices such as Silicon Carbide (SiC) Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) have better ruggedness and thermal capabilities. These properties provide wide bandgap semiconductor devices to operate at higher temperatures and switching frequencies, which is beneficial for maximizing the overall efficiency and volume of power electronic converters. This work investigates a method of scaling up voltage in particular for medium-voltage power conversion, which can be applied for a variety of application areas. SiC MOSFET devices are becoming more attractive for utilization in medium-voltage high-power converter systems due to the need to further improve the efficiency and density of these systems. Rather than using individual high voltage rated semiconductor devices, this thesis demonstrates the effectiveness of using several low voltage rated semiconductor devices connected in series in order to operate them as a single switch. Using low voltage devices as a single series-connected switch rather than a using single high voltage switch can lead to achieving a lower total on-state resistance, expectedly maximizing the overall efficiency of converter systems for which the series-connected semiconductor switches would be applied. In particular, this thesis focuses on the implementation of a newer approach of compensating for the natural unbalance in voltage between series-connected devices. An active gate control method is used for monitoring and regulating the switching speed of several devices operated in series in this work. The objective of this thesis is to investigate the feasibility of this method in order to achieve up to 6 kV total dc bus voltage using eight series-connected SiC MOSFET devices.
Paredes, Camacho Alejandro. « Active gate drivers for high-frequency application of SiC MOSFETs ». Doctoral thesis, Universitat Politècnica de Catalunya, 2020. http://hdl.handle.net/10803/669291.
Texte intégralLa tendencia en el diseño y desarrollo de convertidores de potencia está enfocada en realizar sistemas eficientes con alta densidad de potencia, fiabilidad y bajo costo. Los retos para cubrir esta tendencia están centrados principalmente en el uso de nuevas tecnologías de dispositivos de conmutación tales como, MOSFETs de carburo de silicio (SiC). Los MOSFETs de SiC presentan mejores características que sus homólogos de silicio; tienen baja resistencia de conducción, pueden trabajar a mayores velocidades de conmutación y pueden operar a mayores niveles de temperatura y tensión. A pesar de las ventajas de los transistores de SiC, existen problemas que se manifiestan cuando estos dispositivos operan a altas frecuencias de conmutación. Las rápidas velocidades de conmutación de los MOSFETs de SiC pueden provocar sobre-voltajes y sobre-corrientes que conllevan a problemas de interferencia electromagnética (EMI). Por tal motivo, el desarrollo de controladores de puertas es una etapa fundamental en los MOSFETs de SiC para eliminar los problemas a altas frecuencias de conmutación y aumentar su rendimiento. En consecuencia, aprovechar las ventajas de estos dispositivos y lograr sistemas más eficientes y con alta densidad de potencia. En esta tesis, se realiza un estudio, diseño y desarrollo de controladores activos de puerta para mejorar el rendimiento de conmutación de los MOSFETs de SiC aplicados a convertidores de potencia de alta frecuencia. Los controladores son validados a través de pruebas y estudios experimentales. Además, los controladores de puerta desarrollados son aplicados en convertidores para sistemas de carga inalámbrica de baterías de vehículos eléctricos. Los resultados muestran la importancia de los controladores de compuerta propuestos y su viabilidad en convertidores de potencia basados en carburo de silicio.
Na, Xiaoxiang. « Game theoretical modelling of a driver's interaction with active steering ». Thesis, University of Cambridge, 2014. https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.708392.
Texte intégralEngelmann, Georges [Verfasser], Doncker Rik W. [Akademischer Betreuer] De et Stefan [Akademischer Betreuer] Heinen. « Reducing device stress and switching losses using active gate drivers and improved switching cell design / Georges Engelmann ; Rik Wivina Anna de Doncker, Stefan Heinen ». Aachen : Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2018. http://d-nb.info/1186069376/34.
Texte intégralHudson, Robert Dearn. « Development of an integrated co-processor based power electronic drive / by Robert D. Hudson ». Thesis, North-West University, 2008. http://hdl.handle.net/10394/3723.
Texte intégralThesis (M.Ing. (Electrical Engineering))--North-West University, Potchefstroom Campus, 2009.
Alsibai, Ziad. « Návrh analogových obvodů s nízkým napájecím napětím a nízkým příkonem ». Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2014. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-233672.
Texte intégralBay, Abo Dabbous Salma. « Využití nekonvenčních CMOS technik při návrhu analogových obvodů s nízkým příkonem a nízkým napájecím napětím pro biomedicínské aplikace ». Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2016. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-255291.
Texte intégralTippner, Jeffrey E. « The Third World evangelical missiology of Orlando E. Costas ». Thesis, University of St Andrews, 2013. http://hdl.handle.net/10023/3278.
Texte intégralYen-TingLiu et 劉彥廷. « Design of Pixel and Gate Driver Circuits for High-Driving-Speed Active-Matrix OLED Displays ». Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/zmjqz2.
Texte intégralLivres sur le sujet "Active gate driver"
VAN. Toy Story : Official Game Book. Indianapolis, IN : BradyGames, 1995.
Trouver le texte intégralRICH. The Lion King : Official Game Book. Indianapolis, IN : BradyGames, 1994.
Trouver le texte intégralHodgson, David S. J. Castlevania : Official Strategy Guide. Westlake Village, CA : Millennium Publications, Inc., 1999.
Trouver le texte intégralSepowski, Stephen J., dir. The Ultimate Hint Book. Old Saybrook, CT : The Ultimate Game Club Ltd., 1991.
Trouver le texte intégralTiller, Emerson H. The “Law” and Economics of Judicial Decision-Making. Sous la direction de Francesco Parisi. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199684267.013.017.
Texte intégralValdini, Melody E. The Inclusion Calculation. Oxford University Press, 2019. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780190936198.001.0001.
Texte intégralGame Boy Advance : Miniature Gaming Masterclass. Bath, England : Future Publishing, 2001.
Trouver le texte intégralN64 Magazine Double Game Guide +, No. 18 : Castlevania 64 & Premier Manager 64. Bath, England : Future Publishing, 1999.
Trouver le texte intégralN64 Magazine Double Game Guide +, No. 25 : The World is Not Enough & WWF No Mercy. Bath, England : Future Publishing, 2001.
Trouver le texte intégralReturn of the Great N64 Magazine Games Challenge Book. Bath, England : Future Publishing, 2000.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Active gate driver"
Pnevmatikakis, Aristodemos, Harm op den Akker, Sofoklis Kyriazakos, Andrew Pomazanskyi et Albena Mihovska. « Game and Multisensory Driven Ecosystem to an Active Lifestyle ». Dans Lecture Notes of the Institute for Computer Sciences, Social Informatics and Telecommunications Engineering, 49–58. Cham : Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-23976-3_5.
Texte intégralChandu, Mankina, et K. Varalakshmi. « Gate Driver Design and Mitigation of Voltage Glitch in SiC MOSFET Using Miller Clamp ». Dans Advances in Transdisciplinary Engineering. IOS Press, 2022. http://dx.doi.org/10.3233/atde220774.
Texte intégralLokesh, Durga, M. Sai Durga, N. Sai Phani, K. Varalakshmi et Ch Govinda. « Modelling and Controlling a Buck Converter Using Shunt Active Power Filter ». Dans Advances in Transdisciplinary Engineering. IOS Press, 2023. http://dx.doi.org/10.3233/atde221231.
Texte intégralHadjistassou, Stella K., et Judith Molka-Danielsen. « Designing Alien Mysteries in Chatterdale ». Dans Advances in Game-Based Learning, 222–36. IGI Global, 2016. http://dx.doi.org/10.4018/978-1-4666-9629-7.ch011.
Texte intégralMadin, Ian P., Ashley R. Streig et Scott E. K. Bennett. « The Mount Hood fault zone, active faulting at the crest of the dynamic Cascade Range, north-central Oregon, USA ». Dans From Terranes to Terrains : Geologic Field Guides on the Construction and Destruction of the Pacific Northwest, 49–71. Geological Society of America, 2021. http://dx.doi.org/10.1130/2021.0062(03).
Texte intégralWeiner, Sara P., et Melissa McMahan. « Action Taking Augmented by Artificial Intelligence ». Dans Employee Surveys and Sensing, 338–54. Oxford University Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780190939717.003.0021.
Texte intégralWilson, Joseph, et Aisha Kolo Lawan. « Digital Leisure or Digital Business ? » Dans Digital Multimedia, 1407–18. IGI Global, 2018. http://dx.doi.org/10.4018/978-1-5225-3822-6.ch067.
Texte intégralWilson, Joseph, et Aisha Kolo Lawan. « Digital Leisure or Digital Business ? » Dans Overcoming Gender Inequalities through Technology Integration, 244–59. IGI Global, 2016. http://dx.doi.org/10.4018/978-1-4666-9773-7.ch013.
Texte intégralAhdar, Rex. « Vertical Arrangements ». Dans The Evolution of Competition Law in New Zealand, 124–51. Oxford University Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198855606.003.0005.
Texte intégralWilliams, Keith. « An Individuating Rhythm : Picturing Time in a Portrait of The Artist as a Young Man ». Dans James Joyce and Cinematicity, 106–73. Edinburgh University Press, 2020. http://dx.doi.org/10.3366/edinburgh/9781474402484.003.0003.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Active gate driver"
Mahmodicherati, Sam, Nandini Ganesan, Lakshmi Ravi et Rangarajan Tallam. « Application of Active Gate Driver in Variable Frequency Drives ». Dans 2018 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/ecce.2018.8558170.
Texte intégralRubino, Luigi, et Guido Rubino. « On the Active Clamp Gate Driver Thermal Effects ». Dans 2019 International Conference on Clean Electrical Power (ICCEP). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/iccep.2019.8890213.
Texte intégralDymond, Harry C. P., Dawei Liu, Jianjing Wang, Jeremy J. O. Dalton et Bernard H. Stark. « Multi-level active gate driver for SiC MOSFETs ». Dans 2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/ecce.2017.8096860.
Texte intégralHan, Dongwoo, Sanghun Kim, Xiaofeng Dong, Zhehui Guo, Hui Li, Jinyeong Moon, Yuan Li, Fang Z. Peng, Radha Sree Krishna Moorthy et Madhu Chinthavali. « An Integrated Active Gate Driver for SiC MOSFETs ». Dans 2021 IEEE 8th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/wipda49284.2021.9645086.
Texte intégralVamshi Krishna, M., et Kamalesh Hatua. « An Easily Implementable Gate Charge Controlled Active Gate Driver for SiC MOSFET ». Dans IECON 2018 - 44th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society. IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/iecon.2018.8591843.
Texte intégralDu, Xia, Yuqi Wei, Andrea Stratta, Liyang Du, Venkata Samhitha Machireddy et Alan Mantooth. « A Four-level Active Gate Driver with Continuously Adjustable Intermediate Gate Voltages ». Dans 2022 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC). IEEE, 2022. http://dx.doi.org/10.1109/apec43599.2022.9773689.
Texte intégralVamshi Krishna M et Kamalesh Hatua. « Current controlled active gate driver for 1200V SiC MOSFET ». Dans 2016 IEEE International Conference on Power Electronics, Drives and Energy Systems (PEDES). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/pedes.2016.7914328.
Texte intégralParedes, Alejandro, Vicent Sala, Hamidreza Ghorbani et Luis Romeral. « A novel active gate driver for silicon carbide MOSFET ». Dans IECON 2016 - 42nd Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society. IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/iecon.2016.7793222.
Texte intégralWiesemann, Julius, et Axel Mertens. « An Isolated Variable-Resistance Active Gate Driver for Use in SiC-Driven Inverters ». Dans IECON 2021 - 47th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society. IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/iecon48115.2021.9589774.
Texte intégralHyon, ByongJo, Joon-Sung Park et Jin-Hong Kim. « The Active Gate Driver for Switching Loss Reduction of Inverter ». Dans 2020 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/ecce44975.2020.9236180.
Texte intégral