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Alfonsetti, R., L. Lozzi, M. Passacantando, P. Picozzi et S. Santucci. « Determination of stoichiometry of SiOx thin films using an Auger parameter ». Thin Solid Films 213, no 2 (juin 1992) : 158–59. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(92)90276-h.
Texte intégralZamchiy, Alexandr, Evgeniy Baranov, Sergey Khmel et Marat Sharafutdinov. « Effect of annealing time on aluminum-induced crystallization of silicon suboxide thin films ». EPJ Web of Conferences 196 (2019) : 00039. http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/201919600039.
Texte intégralNagatomi, Y., S. Yoshidomi, M. Hasumi, T. Sameshima et A. Kohno. « Formation of Aluminum Oxide Films on Silicon Surface by Aluminum Evaporation in Oxygen Gas Atmosphere ». MRS Proceedings 1426 (2012) : 421–26. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.868.
Texte intégralGlesener, J. W., J. M. Anthony et A. Cunningham. « Photoluminescence investigation of a-C : H thin films ». Diamond and Related Materials 2, no 5-7 (avril 1993) : 670–72. http://dx.doi.org/10.1016/0925-9635(93)90201-c.
Texte intégralLabrador, Natalie Yumiko, et Daniel V. Esposito. « (Invited) Multifunctional Membrane Coated Electrocatalysts ». ECS Meeting Abstracts MA2018-01, no 31 (13 avril 2018) : 1875. http://dx.doi.org/10.1149/ma2018-01/31/1875.
Texte intégralRahman, Mujib Ur, Yonghao Xi, Haipeng Li, Fei Chen, Dongjie Liu et Jinjia Wei. « Dynamics and Structure Formation of Confined Polymer Thin Films Supported on Solid Substrates ». Polymers 13, no 10 (17 mai 2021) : 1621. http://dx.doi.org/10.3390/polym13101621.
Texte intégralVanek, J., V. Cech, R. Prikryl, J. Zemek et V. Perina. « Basic characteristics of the a-SiOC∶H thin films prepared by PE CVD ». Czechoslovak Journal of Physics 54, S3 (mars 2004) : C937—C942. http://dx.doi.org/10.1007/bf03166511.
Texte intégralNagai, Hiroki, Naoki Ogawa et Mitsunobu Sato. « Deep-Ultraviolet Transparent Conductive MWCNT/SiO2 Composite Thin Film Fabricated by UV Irradiation at Ambient Temperature onto Spin-Coated Molecular Precursor Film ». Nanomaterials 11, no 5 (20 mai 2021) : 1348. http://dx.doi.org/10.3390/nano11051348.
Texte intégralSingh, Sarab Preet, et Pankaj Srivastava. « Recent Progress in the Understanding of Si-Nanostructures Formation in a-SiNx:H Thin Film for Si-Based Optoelectronic Devices ». Solid State Phenomena 171 (mai 2011) : 1–17. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.171.1.
Texte intégralLU, WANBING, SHAOGANG GUO, JIANTAO WANG, YUN LI, XINZHAN WANG, GENGXI YU, SHANSHAN FAN et GUANGSHENG FU. « MICROSTRUCTURAL PROPERTIES OF NC-Si/SiO2 FILMS IN SITU GROWN BY REACTIVE MAGNETRON CO-SPUTTERING ». International Journal of Nanoscience 11, no 06 (décembre 2012) : 1240035. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x12400352.
Texte intégralBurlaka, Vladimir, Kai Nörthemann et Astrid Pundt. « Nb-H Thin Films : On Phase Transformation Kinetics ». Defect and Diffusion Forum 371 (février 2017) : 160–65. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.371.160.
Texte intégralLoboda, M. J., C. M. Grove et R. F. Schneider. « Properties of a ‐ SiO x : H Thin Films Deposited from Hydrogen Silsesquioxane Resins ». Journal of The Electrochemical Society 145, no 8 (1 août 1998) : 2861–66. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838726.
Texte intégralZhang, Xiao-Ying, Yue Yang, Zhi-Xuan Zhang, Xin-Peng Geng, Chia-Hsun Hsu, Wan-Yu Wu, Shui-Yang Lien et Wen-Zhang Zhu. « Deposition and Characterization of RP-ALD SiO2 Thin Films with Different Oxygen Plasma Powers ». Nanomaterials 11, no 5 (29 avril 2021) : 1173. http://dx.doi.org/10.3390/nano11051173.
Texte intégralMarteau, Baptiste, Thibaut Desrues, Quentin Rafhay, Anne Kaminski et Sébastien Dubois. « Passivating Silicon Tunnel Diode for Perovskite on Silicon Nip Tandem Solar Cells ». Energies 16, no 11 (26 mai 2023) : 4346. http://dx.doi.org/10.3390/en16114346.
Texte intégralPrado, R. J., D. R. S. Bittencourt, M. H. Tabacniks, M. C. A. Fantini, M. N. P. Carreño et I. Pereyra. « Distribution of Pores in a-Si1−x C x :H Thin Films ». Journal of Applied Crystallography 30, no 5 (1 octobre 1997) : 659–63. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889897001349.
Texte intégralHattori, Yoshiaki, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe et Masatoshi Kitamura. « Visualization of a hexagonal boron nitride monolayer on an ultra-thin gold film via reflected light microscopy ». Nanotechnology 33, no 6 (15 novembre 2021) : 065702. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3357.
Texte intégralViard, J., E. Beche, J. Durand et R. Berjoan. « SiH bonding environment in PECVD a-SiOxNy:H thin films ». Journal of the European Ceramic Society 17, no 15-16 (janvier 1997) : 2029–32. http://dx.doi.org/10.1016/s0955-2219(97)00083-6.
Texte intégralde O. Graeff, C. F., F. L. Freire et I. Chambouleyron. « Hydrogen diffusion in RF-sputtered a-Ge : H thin films ». Journal of Non-Crystalline Solids 137-138 (janvier 1991) : 41–44. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3093(05)80052-3.
Texte intégralEl Khakani, M. A., M. Chaker, A. Jean, S. Boily, J. C. Kieffer, M. E. O'Hern, M. F. Ravet et F. Rousseaux. « Hardness and Young's modulus of amorphous a-SiC thin films determined by nanoindentation and bulge tests ». Journal of Materials Research 9, no 1 (janvier 1994) : 96–103. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.0096.
Texte intégralZhou, Rui, Zhaoyang Zhao, Juanxia Wu et Liming Xie. « Chemical Vapor Deposition of IrTe2 Thin Films ». Crystals 10, no 7 (3 juillet 2020) : 575. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10070575.
Texte intégralChen, Yuan-Tsung. « Nanoindentation and Adhesion Properties of Ta Thin Films ». Journal of Nanomaterials 2013 (2013) : 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2013/154179.
Texte intégralShin, Dae Yong, et Kyung Nam Kim. « Effective of SiO2 Addition on the Self-Cleaning and Photocatalytic Properties of TiO2 Films by Sol-Gel Process ». Materials Science Forum 620-622 (avril 2009) : 679–82. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.620-622.679.
Texte intégralRüther, R., et J. Livingstone. « An infrared study of SiH cluster formation in a-Si : H thin films ». Infrared Physics & ; Technology 37, no 4 (juin 1996) : 533–37. http://dx.doi.org/10.1016/s1350-4495(95)00082-8.
Texte intégralMisra, A., H. Kung, T. E. Mitchell et M. Nastasi. « Residual stresses in polycrystalline Cu/Cr multilayered thin films ». Journal of Materials Research 15, no 3 (mars 2000) : 756–63. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2000.0109.
Texte intégralKLAUS, J. W., O. SNEH, A. W. OTT et S. M. GEORGE. « ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SiO2 USING CATALYZED AND UNCATALYZED SELF-LIMITING SURFACE REACTIONS ». Surface Review and Letters 06, no 03n04 (juin 1999) : 435–48. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x99000433.
Texte intégralLee, Hean Ju, Kyoung Suk Oh et Chi Kyu Choi. « The mechanical properties of the SiOC(H) composite thin films with a low dielectric constant ». Surface and Coatings Technology 171, no 1-3 (juillet 2003) : 296–301. http://dx.doi.org/10.1016/s0257-8972(03)00289-5.
Texte intégralHASANAIN, S. K., et UZMA KHALIQUE. « FLUX DYNAMICS IN YBCO THIN FILMS ». Modern Physics Letters B 14, no 27n28 (10 décembre 2000) : 949–59. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984900001099.
Texte intégralWang, Xiao-Dong, K. W. Hipps, J. T. Dickinso et Ursula Mazur. « Amorphous or nanocrystalline AlN thin films formed from AlN : H ». Journal of Materials Research 9, no 6 (juin 1994) : 1449–55. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.1449.
Texte intégralMota-Santiago, P., A. Nadzri, F. Kremer, T. Bierschenk, C. E. Canto, M. D. Rodriguez, C. Notthoff, S. Mudie et P. Kluth. « Characterisation of silicon oxynitride thin films and their response to swift heavy-ion irradiation ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 14 (10 janvier 2022) : 145301. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac45b1.
Texte intégralTerekhov, Vladimir A., Evgeny I. Terukov, Yury K. Undalov, Konstantin A. Barkov, Igor E. Zanin, Oleg V. Serbin et Irina N. Trapeznikova. « Structural Rearrangement of a-SiOx:H Films with Pulse Photon Annealing ». Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases 22, no 4 (15 décembre 2020) : 489–95. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2020.22/3119.
Texte intégralBayley, P. A., et J. M. Marshall. « Transient photoconductivity in a-Si1−x C x :H thin films ». Philosophical Magazine B 73, no 3 (mars 1996) : 429–44. http://dx.doi.org/10.1080/13642819608239127.
Texte intégralGuo, Zi-Hao, Na Ai, Connor Ryan McBroom, Tianyu Yuan, Yen-Hao Lin, Michael Roders, Congzhi Zhu, Alexander L. Ayzner, Jian Pei et Lei Fang. « A side-chain engineering approach to solvent-resistant semiconducting polymer thin films ». Polymer Chemistry 7, no 3 (2016) : 648–55. http://dx.doi.org/10.1039/c5py01669j.
Texte intégralSong, Lin, Volker Körstgens, David Magerl, Bo Su, Thomas Fröschl, Nicola Hüsing, Sigrid Bernstorff et Peter Müller-Buschbaum. « Low-Temperature Fabrication of Mesoporous Titania Thin Films ». MRS Advances 2, no 43 (2017) : 2315–25. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.406.
Texte intégralHu, Chih-Wei, Yasusei Yamada et Kazuki Yoshimura. « Fabrication of nickel oxyhydroxide/palladium (NiOOH/Pd) thin films for gasochromic application ». Journal of Materials Chemistry C 4, no 23 (2016) : 5390–97. http://dx.doi.org/10.1039/c6tc01541g.
Texte intégralYang, Chang Sil, Heon Ju Lee et Chi Kyu Choi. « Formation and Characteristics of the Low Dielectric Carbon Doped Silicon Oxide Thin Film Deposited by MTMS/O2 – ICPCVD ». Solid State Phenomena 107 (octobre 2005) : 103–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.107.103.
Texte intégralMu, Wen Ning, Shuang Zhi Shi et Xiu Yu Yang. « Preparation of TiO2 Nanometer Thin Film Deposited on Organic Templates by a Layer-by-Layer Self-Assembly Method ». Advanced Materials Research 391-392 (décembre 2011) : 432–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.391-392.432.
Texte intégralRosaiah, P., et O. M. Hussain. « Microstructural and Electrochemical Properties of rf-Sputtered LiFeO2 Thin Films ». Journal of Nanoscience 2014 (13 mars 2014) : 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2014/173845.
Texte intégralHellgren, Niklas, Nian Lin, Esteban Broitman, Virginie Serin, Stefano E. Grillo, Ray Twesten, Ivan Petrov, Christian Colliex, Lars Hultman et Jan-Eric Sundgren. « Thermal stability of carbon nitride thin films ». Journal of Materials Research 16, no 11 (novembre 2001) : 3188–201. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2001.0440.
Texte intégralLai, Lu-Lu, et Jin-Ming Wu. « A facile solution approach to W,N co-doped TiO2 nanobelt thin films with high photocatalytic activity ». Journal of Materials Chemistry A 3, no 31 (2015) : 15863–68. http://dx.doi.org/10.1039/c5ta03918e.
Texte intégralHeita Shafudah, Natangue, Hiroki Nagai, Yutaka Suwazono, Ryuhei Ozawa, Yukihiro Kudoh, Taiju Takahashi, Takeyoshi Onuma et Mitsunobu Sato. « Hydrophilic Titania Thin Films from a Molecular Precursor Film Formed via Electrospray Deposition on a Quartz Glass Substrate Precoated with Carbon Nanotubes ». Coatings 10, no 11 (29 octobre 2020) : 1050. http://dx.doi.org/10.3390/coatings10111050.
Texte intégralRamana, K. Venkata, M. Chandra Shekar et V. Madhusudhana Reddy. « Characterization of Blended Polymer Electrolyte Thin Films Based on PVDF + PEG Doped with Nano SiO2 ». Oriental Journal Of Chemistry 38, no 4 (31 août 2022) : 924–28. http://dx.doi.org/10.13005/ojc/380412.
Texte intégralMiceli, P. F., H. Zabel, J. A. Dura et C. P. Flynn. « Anomalous lattice expansion of metal-hydrogen thin films ». Journal of Materials Research 6, no 5 (mai 1991) : 964–68. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1991.0964.
Texte intégralAzmi, Fahmida, Brahim Ahammou, Paramita Bhattacharyya et Peter Mascher. « Optical and Mechanical Properties of Europium-Doped Silicon Oxynitride Thin Films ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 20 (7 juillet 2022) : 1093. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01201093mtgabs.
Texte intégralSarbu, Alexandru, Laure Biniek, Jean-Michel Guenet, Philippe J. Mésini et Martin Brinkmann. « Reversible J- to H-aggregate transformation in thin films of a perylenebisimide organogelator ». Journal of Materials Chemistry C 3, no 6 (2015) : 1235–42. http://dx.doi.org/10.1039/c4tc02444c.
Texte intégralYamauchi, H., R. J. White, M. Ayukawa, T. C. Murray et J. W. Robinson. « The structure of thin films sputter deposited from a Ba2 Si2TiO8 ceramic target ». Journal of Materials Research 3, no 1 (février 1988) : 105–11. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1988.0105.
Texte intégralLiu, Dage, Hongxi Zhang, Zhong Wang et Liancheng Zhao. « Preparation and Characterization of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 Powders and Thin Films by a Sol-gel Route ». Journal of Materials Research 15, no 6 (juin 2000) : 1336–41. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2000.0194.
Texte intégralZhou, Weikun, Wenqiao Han, Yihao Yang, Liang Shu, Qinggui Luo, Yanjiang Ji, Cai Jin et al. « Synthesis of freestanding perovskite oxide thin films by using brownmillerite SrCoO2.5 as a sacrificial layer ». Applied Physics Letters 122, no 6 (6 février 2023) : 062901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0131056.
Texte intégralFoschini, Cesar, Bruno Hangai, Paulo Ortega, Elson Longo, Mário Cilense et Alexandre Simões. « Evidence of ferroelectric behaviour in CaCu3Ti4O12 thin films deposited by RF-sputtering ». Processing and Application of Ceramics 13, no 3 (2019) : 219–28. http://dx.doi.org/10.2298/pac1903219f.
Texte intégralMohammed Al-Ansari, Ramiz A. « The effect of annealing temperatures on the optical parameters of NiO0.99Cu0.01 thin films ». Iraqi Journal of Physics (IJP) 14, no 29 (3 février 2019) : 73–81. http://dx.doi.org/10.30723/ijp.v14i29.223.
Texte intégralLemonds, A. M., K. Kershen, J. Bennett, K. Pfeifer, Y.-M. Sun, J. M. White et J. G. Ekerdt. « Adhesion of Cu and low-k Dielectric Thin Films with Tungsten Carbide ». Journal of Materials Research 17, no 6 (juin 2002) : 1320–28. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0197.
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