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IÑIGUEZ, BENJAMIN, ROMAIN RITZENTHALER et FRANÇOIS LIME. « COMPACT MODELING OF DOUBLE AND TRI-GATE MOSFETs ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 22, no 01 (novembre 2013) : 1350004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156413500043.
Texte intégralRahimo, Munaf T., Iulian Nistor et David Green. « Advanced 1200V SiC MOSFET Concept Based on Singular Point Source MOS (S-MOS) Technology ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 539–43. http://dx.doi.org/10.4028/p-u88313.
Texte intégralAguirre, P., M. Rau et A. Schenk. « 2D and 3D TCAD simulation of III-V channel FETs at the end of scaling ». Solid-State Electronics 159 (septembre 2019) : 123–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.043.
Texte intégralDash, T. P., S. Dey, S. Das, J. Jena, E. Mahapatra et C. K. Maiti. « Source/Drain Stressor Design for Advanced Devices at 7 nm Technology Node ». Nanoscience & ; Nanotechnology-Asia 10, no 4 (26 août 2020) : 447–56. http://dx.doi.org/10.2174/2210681209666190809101307.
Texte intégralMo, Fei, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto et Masaharu Kobayashi. « A simulation study on memory characteristics of InGaZnO-channel ferroelectric FETs with 2D planar and 3D structures ». Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (9 février 2022) : SC1013. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac3d0e.
Texte intégralRahimo, Munaf, Iulian Nistor et David Green. « Suppression of Short Channel Effects for a SiC MOSFET Based on the S-MOS Cell Concept ». Key Engineering Materials 945 (19 mai 2023) : 83–89. http://dx.doi.org/10.4028/p-g4w5h5.
Texte intégralItalia, Markus, Ioannis Deretzis, Alfio Nastasi, Silvia Scalese, Antonino La Magna, Massimo Pirnaci, Daniele Pagano, Dario Tenaglia et Patrizia Vasquez. « Multiscale Simulations of Plasma Etching in Silicon Carbide Structures ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 214–18. http://dx.doi.org/10.4028/p-n9v122.
Texte intégralTripathi, Suman Lata. « Pocket Vertical Junction-Less U-Shape Tunnel FET and Its Challenges in Nano-Scale Regime ». Advanced Science, Engineering and Medicine 11, no 12 (1 décembre 2019) : 1225–30. http://dx.doi.org/10.1166/asem.2019.2466.
Texte intégralAssiouras, P., P. Asenov, A. Kyriakis et D. Loukas. « Fast calculation of capacitances in silicon sensors with 3D and 2D numerical solutions of the Laplace's equation and comparison with experimental data and TCAD simulations ». Journal of Instrumentation 15, no 11 (24 novembre 2020) : P11034. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/15/11/p11034.
Texte intégralSulaiman, Raed, Pradip De, Jennifer C. Aske, Xiaoqian Lin, Adam Dale, Kris Gaster, Luis Rojas Espaillat, David Starks et Nandini Dey. « A CAF-Based Two-Cell Hybrid Co-Culture Model to Test Drug Resistance in Endometrial Cancers ». Biomedicines 11, no 5 (29 avril 2023) : 1326. http://dx.doi.org/10.3390/biomedicines11051326.
Texte intégralSchwindt, D., et C. Kneisel. « Optimisation of quasi-3D electrical resistivity imaging – application and inversion for investigating heterogeneous mountain permafrost ». Cryosphere Discussions 5, no 6 (5 décembre 2011) : 3383–421. http://dx.doi.org/10.5194/tcd-5-3383-2011.
Texte intégralDagorn, Y., A. Leble, J. J. Rousseau et J. C. Fayet. « Precursor-order clusters, critical slowing down and 2D to 3D crossover above Tcand NH4AlF4:Fe3+through EPR ». Journal of Physics C : Solid State Physics 18, no 2 (20 janvier 1985) : 383–95. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/18/2/016.
Texte intégralChang, Kyungwook, Saurabh Sinha, Brian Cline, Greg Yeric et Sung Kyu Lim. « Design-aware Partitioning-based 3D IC Design Flow with 2D Commercial Tools ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2021, 1. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2021.3065005.
Texte intégralDang, Cong Thinh. « APPLICATIONS OF TCAD SIMULATION SOFTWARE TO THE STUDY OF FLOATING-GATE DEVICE ». Journal of Science and Technique 8, no 2 (8 janvier 2021). http://dx.doi.org/10.56651/lqdtu.jst.v8.n02.61.ict.
Texte intégralPlummer, J. D. « Defects and Diffusion issues for the Manufacturing of Semiconductors in the 21st Century ». MRS Proceedings 469 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-469-3.
Texte intégralGeißendörfer, Stefan, Karsten von Maydell et Carsten Agert. « Numerical 3D-Simulation of Micromorph Silicon Thin Film Solar Cells ». MRS Proceedings 1321 (2011). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.934.
Texte intégralSwe, Khine Thandar Nyunt, Chanvit Pamonchom, Amporn Poyai et Toempong Phetchakul. « Novel MAGFinFET : Operation, Design and Geometry Effect for Modern Sensors ». Journal of Mobile Multimedia, 21 mars 2022. http://dx.doi.org/10.13052/jmm1550-4646.18416.
Texte intégralMichalak, Tyler J., Chris Borst, Dan Franca, Josh Herman et Martin Rodgers. « Simulation of Millisecond Laser Anneal on SOI : A Study of Dopant Activation and Mobility and its Application to Scaled FinFET Thermal Processing ». MRS Proceedings 1562 (2013). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.825.
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