Littérature scientifique sur le sujet « 2d-3d tcad »
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Articles de revues sur le sujet "2d-3d tcad"
IÑIGUEZ, BENJAMIN, ROMAIN RITZENTHALER et FRANÇOIS LIME. « COMPACT MODELING OF DOUBLE AND TRI-GATE MOSFETs ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 22, no 01 (novembre 2013) : 1350004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156413500043.
Texte intégralRahimo, Munaf T., Iulian Nistor et David Green. « Advanced 1200V SiC MOSFET Concept Based on Singular Point Source MOS (S-MOS) Technology ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 539–43. http://dx.doi.org/10.4028/p-u88313.
Texte intégralAguirre, P., M. Rau et A. Schenk. « 2D and 3D TCAD simulation of III-V channel FETs at the end of scaling ». Solid-State Electronics 159 (septembre 2019) : 123–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.043.
Texte intégralDash, T. P., S. Dey, S. Das, J. Jena, E. Mahapatra et C. K. Maiti. « Source/Drain Stressor Design for Advanced Devices at 7 nm Technology Node ». Nanoscience & ; Nanotechnology-Asia 10, no 4 (26 août 2020) : 447–56. http://dx.doi.org/10.2174/2210681209666190809101307.
Texte intégralMo, Fei, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto et Masaharu Kobayashi. « A simulation study on memory characteristics of InGaZnO-channel ferroelectric FETs with 2D planar and 3D structures ». Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (9 février 2022) : SC1013. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac3d0e.
Texte intégralRahimo, Munaf, Iulian Nistor et David Green. « Suppression of Short Channel Effects for a SiC MOSFET Based on the S-MOS Cell Concept ». Key Engineering Materials 945 (19 mai 2023) : 83–89. http://dx.doi.org/10.4028/p-g4w5h5.
Texte intégralItalia, Markus, Ioannis Deretzis, Alfio Nastasi, Silvia Scalese, Antonino La Magna, Massimo Pirnaci, Daniele Pagano, Dario Tenaglia et Patrizia Vasquez. « Multiscale Simulations of Plasma Etching in Silicon Carbide Structures ». Materials Science Forum 1062 (31 mai 2022) : 214–18. http://dx.doi.org/10.4028/p-n9v122.
Texte intégralTripathi, Suman Lata. « Pocket Vertical Junction-Less U-Shape Tunnel FET and Its Challenges in Nano-Scale Regime ». Advanced Science, Engineering and Medicine 11, no 12 (1 décembre 2019) : 1225–30. http://dx.doi.org/10.1166/asem.2019.2466.
Texte intégralAssiouras, P., P. Asenov, A. Kyriakis et D. Loukas. « Fast calculation of capacitances in silicon sensors with 3D and 2D numerical solutions of the Laplace's equation and comparison with experimental data and TCAD simulations ». Journal of Instrumentation 15, no 11 (24 novembre 2020) : P11034. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/15/11/p11034.
Texte intégralSulaiman, Raed, Pradip De, Jennifer C. Aske, Xiaoqian Lin, Adam Dale, Kris Gaster, Luis Rojas Espaillat, David Starks et Nandini Dey. « A CAF-Based Two-Cell Hybrid Co-Culture Model to Test Drug Resistance in Endometrial Cancers ». Biomedicines 11, no 5 (29 avril 2023) : 1326. http://dx.doi.org/10.3390/biomedicines11051326.
Texte intégralThèses sur le sujet "2d-3d tcad"
Bourgeat, Johan. « Etude du thyristor en technologies CMOS avancées pour implémentation dans des stratégies locale et globale de protection contre les décharges électrostatiques ». Toulouse 3, 2011. http://thesesups.ups-tlse.fr/5671/.
Texte intégralThe research work presented in this thesis addresses the issues related to the protection against electrostatic discharges (ESD) of integrated circuits in advanced technology nodes, CMOS45nm and CMOS32nm. The lithography dimension shrinking and the introduction of new technological process steps contribute to increase the ESD sensitivity. Excellent IC environment control together with the addition of dedicated protection circuits enable to decrease ESD failures. Thus, this research work consists to propose new protections based on the use of silicon controlled rectifier (SCR) devices. For that reason, a thorough study of the SCR behavior during ESD events has been carried out using three-dimensional TCAD simulations. This study enables the optimization of the main SCR parameters to improve its performance. To allow the SCR utilization as a local ESD protection with a power IO, a trigger circuit has been studied and firstly validated in CMOS45nm technology. Then, the trigger circuit optimization has been realized with SPICE simulations. The full protection has been developed in CMOS32nm and improved with bidirectional SCR (Triac). Finally, a new global protection strategy based on one network of three bidirectional SCRs, called "Beta-Matrix" has been investigated. A first study is focused on the development of its trigger circuit and a second one on the optimization of the "Beta-Matrix" topology. This protection strategy has been fully validated in CMOS32nm node
Postel-Pellerin, Jérémy. « Fiabilité des Mémoires Non-Volatiles de type Flash en architectures NOR et NAND ». Phd thesis, Université de Provence - Aix-Marseille I, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00370377.
Texte intégralChapitres de livres sur le sujet "2d-3d tcad"
Wu, Yung-Chun, et Yi-Ruei Jhan. « 2D MOSFET Simulation ». Dans 3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices, 19–90. Singapore : Springer Singapore, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-10-3066-6_2.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "2d-3d tcad"
Kaid, Achraf, Fabrice Roqueta, Jean-Baptiste Kammerer et Luc Hebrard. « Electro-thermal Modeling Method of Protection Power Diodes Using TCAD 3D / 2D approach ». Dans 2019 25th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/therminic.2019.8923815.
Texte intégralPostel-Pellerin, J., F. Lalande, P. Canet, R. Bouchakour, F. Jeuland, B. Bertello et B. Villard. « A full 2D and 3D TCAD simulation of ultimate 22nm NAND Flash memories ». Dans 2009 10th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2009). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/nvmt.2009.5429787.
Texte intégralAguirre, P., M. Rau et A. Schenk. « 2D and 3D TCAD simulation of III-V channel FETs at the end of scaling ». Dans 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/ulis.2018.8354744.
Texte intégralBenistant, F., M. Bazizi, L. Jiang, J. H. M. Tng et M. H. J. Goh. « Full 3D process/device simulations re-using 2D TCAD knowledge for optimizing N and P-type FinFET transistors ». Dans 2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/istdm.2014.6874650.
Texte intégralMorabito, Caterina, Simone Guarnieri, Marika Berardini, Luisa Gesualdi, Francesca Ferranti, Anna Reale, Giulia Ricci, Angela Catizone et Maria A. Mariggiò. « Microgravity-Induced Metabolic Response in 2D and 3D TCam-2 Cell Cultures ». Dans Cells 2023. Basel Switzerland : MDPI, 2023. http://dx.doi.org/10.3390/blsf2023021007.
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