Littérature scientifique sur le sujet « 22nm CMOS FD-SOI »
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Thèses sur le sujet "22nm CMOS FD-SOI"
Paquien, Lucien. « Transmetteur intégré bidirectionnel dédié à la 5G mmW dans un système de formation de faisceaux hybride et numérique ». Electronic Thesis or Diss., Bordeaux, 2024. http://www.theses.fr/2024BORD0064.
Texte intégralThe increasing demand for data rate for mobile telecommunications has led to the use of beamforming systems in order to notably limit the impact of free space propagation losses (FSPL) over the link budget, due to the elevation of the operating frequency. In order to be able to direct a directional beam concentrating the majority of the gain of the antenna array towards a given user, a large number of integrated radio frequency front-ends (RFFE) is necessary.Conventionally, 5G RFFEs generally consist of a low noise amplifier (LNA), and a power amplifier (PA). The latter are physically dissociated, and are alternatively addressed using a commuted element, in order to operate in time division duplexing (TDD). In this case, not only does the switched element involve losses and a significant silicon surface requirement, but also the RFFEs are only used half the time (due to TDD). Also, this large silicon area required must then be multiplied by the number of elements that constitutes the beamforming system. In addition, the spacing between each antenna constituting the antenna array being proportional to the wavelength, the latter could therefore reach higher operating frequencies if the RFFEs are miniaturized. In this work, a solution allowing the elimination of the need for a commuted element, as well as the merging of the LNA and PA is proposed, inducing a strong reduction in the silicon surface area required for the same operation that conventional architectures, using the GF 22nm CMOS FD-SOI technology. Although the design of millimeter functions (mmW) will be discussed, the frequency conversion aspect as well as the study of baseband functions will also be covered, including the design of a RF passive mixer, two reconfigurable second- and fourth-order active-RC low-pass filters, a variable gain amplifier (VGA), a 50Ω analog buffer, a double pole double throw (DPDT) switch, as well as a generation chain of quadrature signals, done from the combination of a hybrid coupler (HCPLR), and an external off-chip local oscillator (LO). The complete system will be simulated to demonstrate the relevancy of these structures regarding performances and required silicon surface, and axis for improvement will also be listed
Actes de conférences sur le sujet "22nm CMOS FD-SOI"
Jain, Ritesh, Robin Zatta, Janusz Grzyb, David Harame et Ullrich R. Pfeiffer. « A Terahertz Direct Detector in 22nm FD-SOI CMOS ». Dans 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.23919/eumic.2018.8539908.
Texte intégralSolano, Jose, Matthew Spear, Trace Wallace, Donald Wilson, Oliver Forman, Ivan Sanchez Esqueda, Hugh Barnaby, Aymeric Privat, Marek Turowski et Rudolf Vonniederhausern. « Total Ionizing Dose Response of Commercial 22nm FD-SOI CMOS Technology ». Dans 2022 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW) (in conjunction with 2022 NSREC). IEEE, 2022. http://dx.doi.org/10.1109/redw56037.2022.9921673.
Texte intégralTesta, P. V., V. Riess, C. Carta et F. Ellinger. « An Inductorless 60GHz Down-Conversion Mixer in 22nm FD-SOI CMOS Technology ». Dans 2019 14th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.23919/eumic.2019.8909566.
Texte intégralLuo, Yu-Lun, Dharma Paladugu, Ramy Rady, Kamran Entesari et Samuel Palermo. « A 16-32GHz RF Silicon Photonic Receiver with 22nm FD-SOI CMOS Driver ». Dans 2023 IEEE Photonics Conference (IPC). IEEE, 2023. http://dx.doi.org/10.1109/ipc57732.2023.10360718.
Texte intégralZhang, Yang, Giovanni Mangraviti, Johan Nguyen, Zhiwei Zong et Piet Wambacq. « 26.4 A Reflection-Coefficient Sensor for 28GHz Beamforming Transmitters in 22nm FD-SOI CMOS ». Dans 2021 IEEE International Solid- State Circuits Conference (ISSCC). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/isscc42613.2021.9366018.
Texte intégralMayeda, Jill C., Donald Y. C. Lie et Jerry Lopez. « A 24-28GHz Reconfigurable CMOS Power Amplifier in 22nm FD-SOI for Intelligent SoC Applications ». Dans 2018 International SoC Design Conference (ISOCC). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/isocc.2018.8649915.
Texte intégralRitter, Philipp, Michael Geyer, Tilman Gloekler, Xiaolei Gai, Thomas Schwarzenberger, Gregor Tretter, Yikun Yu et Guenter Vogel. « A Fully Integrated 78 GHz Automotive Radar System-an-Chip in 22nm FD-SOI CMOS ». Dans 2020 17th European Radar Conference (EuRAD). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/eurad48048.2021.00026.
Texte intégralMayeda, Jill C., Jerry Lopez et Donald Y. C. Lie. « Highly-Efficient Broadband Medium Power Amplifier Design in 22nm CMOS FD-SOI for mm-Wave 5G ». Dans 2020 IEEE Texas Symposium on Wireless and Microwave Circuits and Systems (WMCS). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/wmcs49442.2020.9172413.
Texte intégralMayeda, Jill C., Jerry Tsay, Donald Y. C. Lie et Jerry Lopez. « Effective AM-PM Cancellation with Body Bias for 5G CMOS Power Amplifier Design in 22nm FD-SOI ». Dans 2019 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/iscas.2019.8702159.
Texte intégralMayeda, Jill, Clint Sweeney, Donald Y. C. Lie et Jerry Lopez. « A 19.1 - 46.5 GHz Broadband Efficient Power Amplifier in 22nm CMOS FD-SOI for mm-Wave 5G ». Dans 2022 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS). IEEE, 2022. http://dx.doi.org/10.1109/iscas48785.2022.9937729.
Texte intégral