Artículos de revistas sobre el tema "Zincblend"
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Yasuda, Hidehiro, Kimihisa Matsumoto, Tatsuya Furukawa, Masaki Imamura, Noriko Nitta y Hirotaro Mori. "Structural Stabilities in GaAs Nanocrystals Grown on Si (111) Surface". Materials Science Forum 654-656 (junio de 2010): 1772–75. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.654-656.1772.
Texto completoMousavi, S. Javad. "The effect of etchants on surface of CdTe single crystal". JOURNAL OF ADVANCES IN PHYSICS 12, n.º 1 (30 de julio de 2016): 4145–47. http://dx.doi.org/10.24297/jap.v12i1.166.
Texto completoMahmood, A. y L. Enrique Sansores. "Band structure and bulk modulus calculations of germanium carbide". Journal of Materials Research 20, n.º 5 (mayo de 2005): 1101–6. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2005.0172.
Texto completoZhao, Q. H., J. D. Parsons, H. S. Chen, A. K. Chaddha, J. Wu, G. B. Kruaval y D. Downham. "Single crystal titanium carbide, epitaxially grown on zincblend and wurtzite structures of silicon carbide". Materials Research Bulletin 30, n.º 6 (junio de 1995): 761–69. http://dx.doi.org/10.1016/0025-5408(95)00056-9.
Texto completoGupta, Monika, Jaya Shrivastava, Vidhika Sharma, Anjana Solanki, Ananad Pal Singh, V. R. Satsangi, S. Dass y Rohit Shrivastav. "Enhanced Photoelectrochemical Activity of 120 MeV Ag9+ Irradiated Nanostructured Thin Films of ZnO for Solar-Hydrogen Generation via Splitting of Water". Advanced Materials Research 67 (abril de 2009): 95–102. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.67.95.
Texto completoBhattacharya, P., T. K. Sharma, S. Singh, A. Ingale y L. M. Kukreja. "Observation of zincblend phase in InN thin films grown on sapphire by nitrogen plasma-assisted pulsed laser deposition". Journal of Crystal Growth 236, n.º 1-3 (marzo de 2002): 5–9. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(01)02083-8.
Texto completoEdossa, Teshome Gerbaba y Menberu Woldemariam. "Electronic, structural and optical properties of zincblend and wurtizite cadmium selenide (CdSe) using density functional theory and hubbard correction". Physics and Chemistry of Solid State 22, n.º 1 (25 de enero de 2021): 16–23. http://dx.doi.org/10.15330/pcss.22.1.16-23.
Texto completoEspitia R., Miguel Jose, John Hernan Diaz Forero y Octavio Jose Salcedo Parra. "Computational calculation of the relative phase of the MnN compound". International Journal of Mathematical Analysis 11, n.º 22 (2017): 1081–88. http://dx.doi.org/10.12988/ijma.2017.711144.
Texto completoSink, Joseph y Craig Pryor. "Empirical tight-binding parameters for wurtzite group III–V(non-nitride) and IV materials". AIP Advances 13, n.º 2 (1 de febrero de 2023): 025354. http://dx.doi.org/10.1063/5.0129007.
Texto completoFarahmand, Maziar y Kevin F. Brennan. "Full Band Monte Carlo Comparison of Wurtzite and Zincblende Phase GaN MESFETs". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 633–39. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004865.
Texto completoHernández-Cocoletzi, Heribert, Gregorio H. Cocoletzi, J. F. Rivas-Silva, A. Flores y Noboru Takeuchi. "Density Functional Study of the Structural Properties of Copper Iodide: LDA vs GGA Calculations". Journal of Nano Research 5 (febrero de 2009): 25–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.5.25.
Texto completoAHMED, B. y B. I. SHARMA. "STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF AlN IN ROCKSALT, ZINC BLENDE AND WURTZITE PHASE: A DFT STUDY". Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures 16, n.º 1 (enero de 2021): 125–33. http://dx.doi.org/10.15251/djnb.2021.161.125.
Texto completoFong, C. Y., M. C. Qian, Kai Liu, L. H. Yang y J. E. Pask. "Design of Spintronic Materials with Simple Structures". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, n.º 7 (1 de julio de 2008): 3652–60. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.18331.
Texto completoSaleem, Samra, Ammara Maryam, Kaneez Fatima, Hadia Noor, Fatima Javed y Muhammad Asghar. "Phase Control Growth of InAs Nanowires by Using Bi Surfactant". Coatings 12, n.º 2 (15 de febrero de 2022): 250. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12020250.
Texto completoLiang, Xiao Lu y Xian Hua Wei. "Synthesis and Characterization of Cu2FeSnS4 Semiconductor Nanocrystals with Zincblende Structure". Advanced Materials Research 512-515 (mayo de 2012): 2019–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.512-515.2019.
Texto completoBiermanns, Andreas, Steffen Breuer, Anton Davydok, Lutz Geelhaar y Ullrich Pietsch. "Structural polytypism and residual strain in GaAs nanowires grown on Si(111) probed by single-nanowire X-ray diffraction". Journal of Applied Crystallography 45, n.º 2 (15 de marzo de 2012): 239–44. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889812003007.
Texto completoJHA, PRAFULLA K., SANJAY D. GUPTA, SANJEEV K. GUPTA y DAVOR KIRIN. "STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES AND PHONONS OF PLATINUM NITRIDES BY DENSITY FUNCTIONAL THEORY". International Journal of Modern Physics B 25, n.º 11 (30 de abril de 2011): 1543–51. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979211100382.
Texto completoGundimeda, Abhiram, Martin Frentrup, Simon M. Fairclough, Menno J. Kappers, David J. Wallis y Rachel A. Oliver. "Investigation of wurtzite formation in MOVPE-grown zincblende GaN epilayers on AlxGa1−xN nucleation layers". Journal of Applied Physics 131, n.º 11 (21 de marzo de 2022): 115703. http://dx.doi.org/10.1063/5.0077186.
Texto completoLiang, Xiaolu, Xianhua Wei y Daocheng Pan. "Dilute Magnetic SemiconductorCu2FeSnS4Nanocrystals with a Novel Zincblende Structure". Journal of Nanomaterials 2012 (2012): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2012/708648.
Texto completoARABSHAHI, H. "COMPARISON OF HIGH FIELD ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES IN WURTZITE AND ZINCBLENDE PHASE GaN AT ROOM TEMPERATURE". Modern Physics Letters B 21, n.º 04 (10 de febrero de 2007): 199–206. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984907012669.
Texto completoLee, Sanghwa, Yuri Sohn, Chinkyo Kim, Dong Ryeol Lee y Hyun-Hwi Lee. "Nanostructural analysis of GaN tripods and hexapods grown onc-plane sapphire". Journal of Applied Crystallography 43, n.º 6 (13 de octubre de 2010): 1300–1304. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889810036472.
Texto completoKim, Young-Geun, Ho-Jun Song, Seok-Kyun Oh, Wha-Tek Kim, Kwang-Ho Park, Duck-Tae Kim, Moon-Seog Jin, Chang-Dae Kim y Chang-Sun Yoon. "Photoluminescence Spectral Lines Identification in Ho3+-, Er3+-, and Tm3+-doped MgxZn1–xSe Single Crystals". Journal of Materials Research 14, n.º 4 (abril de 1999): 1227–34. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0167.
Texto completoHIRAI, T., K. EDAMATSU, T. ITOH, Y. HARADA y S. HASHIMOTO. "EXCITONS IN COLLOIDAL CuI PARTICLES DISPERSED IN A KI CRYSTAL". International Journal of Modern Physics B 15, n.º 28n30 (10 de diciembre de 2001): 3789–92. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979201008676.
Texto completoBöttcher, Rolf, Michael Lorenz, Andreas Pöppl, Daniel Spemann y Marius Grundmann. "Local zincblende coordination in heteroepitaxial wurtzite Zn1−xMgxO:Mn thin films with 0.01 ≤ x ≤ 0.04 identified by electron paramagnetic resonance". Journal of Materials Chemistry C 3, n.º 45 (2015): 11918–29. http://dx.doi.org/10.1039/c5tc02720a.
Texto completoLiu, Maochang, Bin Wang, Yiqun Zheng, Fei Xue, Yubin Chen y Liejin Guo. "Transformation of zincblende nanoparticles into wurtzite microrods by a dissolution–regrowth process: an intergrowth homojunction with enhanced photocatalytic activity". Catalysis Science & Technology 6, n.º 10 (2016): 3371–77. http://dx.doi.org/10.1039/c6cy00298f.
Texto completoWolverson, D., L. C. Smith, C. Bradford, B. C. Cavenett y K. A. Prior. "Micro-Raman Studies of Zincblende MgS". Journal of the Korean Physical Society 53, n.º 9(5) (15 de noviembre de 2008): 2779–81. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.53.2779.
Texto completoBertrand, Guillaume H. V., Anatolii Polovitsyn, Sotirios Christodoulou, Ali Hossain Khan y Iwan Moreels. "Shape control of zincblende CdSe nanoplatelets". Chemical Communications 52, n.º 80 (2016): 11975–78. http://dx.doi.org/10.1039/c6cc05705e.
Texto completoKuo, Yen-Kuang, Han-Yi Chu, Sheng-Horng Yen, Bo-Ting Liou y Mei-Ling Chen. "Bowing parameter of zincblende InxGa1−xN". Optics Communications 280, n.º 1 (diciembre de 2007): 153–56. http://dx.doi.org/10.1016/j.optcom.2007.07.058.
Texto completoErdakos, Garnet B. y Shang-Fen Ren. "Poisson's ratios in diamond/zincblende crystals". Journal of Physics and Chemistry of Solids 59, n.º 1 (enero de 1998): 21–26. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3697(97)00120-0.
Texto completoSchneider, J. W., Hp Baumeler, H. Keller, R. F. Kiefl, W. Kündig, W. Odermatt, B. D. Patterson et al. "Muonium states in zincblende-structured compounds". Hyperfine Interactions 32, n.º 1-4 (diciembre de 1986): 607–12. http://dx.doi.org/10.1007/bf02394963.
Texto completoOHKE, Shigeaki, Yoshio CHO y Takahiro OKABE. "Electro-optic effect in zincblende crystals." Review of Laser Engineering 15, n.º 1 (1987): 2–11. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.15.2.
Texto completoRodrigues, C. G., J. R. L. Fernandez, J. R. Leite, V. A. Chitta, V. N. Freire, A. R. Vasconcellos y R. Luzzi. "Hole mobility in zincblende c–GaN". Journal of Applied Physics 95, n.º 9 (mayo de 2004): 4914–17. http://dx.doi.org/10.1063/1.1690865.
Texto completoHan, J., S. M. Durbin, R. L. Gunshor, M. Kobayashi, D. R. Menke, N. Pelekanos, M. Hagerott, A. V. Nurmikko, Y. Nakamura y N. Otsuka. "Quantum wells with zincblende MnTe barriers". Journal of Crystal Growth 111, n.º 1-4 (mayo de 1991): 767–71. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(91)91078-o.
Texto completoKonczewicz, L., P. Bigenwald, T. Cloitre, M. Chibane, R. Ricou, P. Testud, O. Briot y R. L. Aulombard. "MOVPE growth of zincblende magnesium sulphide". Journal of Crystal Growth 159, n.º 1-4 (febrero de 1996): 117–20. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(95)00832-2.
Texto completoMaliakkal, Carina B., Daniel Jacobsson, Marcus Tornberg y Kimberly A. Dick. "Post-nucleation evolution of the liquid–solid interface in nanowire growth". Nanotechnology 33, n.º 10 (17 de diciembre de 2021): 105607. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3e8d.
Texto completoARABSHAHI, H. y A. A. MOWLAVI. "LOW-FIELD ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES IN ZINCBLENDE AND WURTZITE GaN STRUCTURES USING AN ITERATION MODEL FOR SOLVING BOLTZMANN EQUATION". Modern Physics Letters B 23, n.º 10 (20 de abril de 2009): 1359–66. http://dx.doi.org/10.1142/s021798490901948x.
Texto completoIBRIR, Miloud. "Elastic, mechanical and thermodynamic properties of zinc blende III-X (X= As, Sb): ab-initio calculations". International Journal of Energetica 4, n.º 1 (30 de junio de 2019): 23. http://dx.doi.org/10.47238/ijeca.v4i1.90.
Texto completoDaoud, Salah, Abdelhalim Bencheikh y Laarbi Belagraa. "Quasi-linear correlation between high-frequency and static die-lectric constants in II-VI and III-V semiconductors". International Journal of Physical Research 5, n.º 1 (15 de diciembre de 2016): 4. http://dx.doi.org/10.14419/ijpr.v5i1.6961.
Texto completoXU WEN-LAN y ZHENG ZHAO-BO. "VIBRATION PROPERTIES OF IMPURITIES IN ZINCBLENDE STRUCTURE". Acta Physica Sinica 38, n.º 2 (1989): 290. http://dx.doi.org/10.7498/aps.38.290.
Texto completoGhong, T. H., Y. W. Jung, J. J. Yoon, Y. D. Kim, H. J. Kim y Y. C. Chang. "Dielectric Function Study on Zincblende CdSe Film". Journal of the Korean Physical Society 53, n.º 1 (15 de julio de 2008): 367–70. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.53.367.
Texto completoFornasini, P., R. Grisenti y N. Abd el All. "EXAFS parameters and VDOS in zincblende structures". Journal of Physics: Conference Series 430 (22 de abril de 2013): 012004. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/430/1/012004.
Texto completoUno, Ryosei, Haruo Ozawa, Jun Ishigaki y Ken Yukino. "Electron Distribution in Some Zincblende-Type Crystals". Zeitschrift für Naturforschung A 48, n.º 1-2 (1 de febrero de 1993): 38–40. http://dx.doi.org/10.1515/zna-1993-1-210.
Texto completoPeng, Chen y Takamura K. "Magnetic and electrical properties of zincblende CrAs". Chinese Physics B 17, n.º 6 (junio de 2008): 2204–7. http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/17/6/044.
Texto completoAhmadian, F. "Half-metallic ferromagnetism in the zincblende TiTe". Solid State Communications 151, n.º 24 (diciembre de 2011): 1927–31. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2011.09.018.
Texto completoCaetano, E. W. S., R. N. Costa Filho, V. N. Freire y J. A. P. da Costa. "Velocity overshoot in zincblende and wurtzite GaN". Solid State Communications 110, n.º 9 (mayo de 1999): 469–72. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(99)00114-3.
Texto completoZhang, Li, Su You, Ming Zuo y Qing Yang. "Solution Synthesis of Nonequilibrium Zincblende MnS Nanowires". Inorganic Chemistry 56, n.º 14 (29 de junio de 2017): 7679–86. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.7b00247.
Texto completoGoldammer, W., J. Backhaus y W. Ludwig. "Surface phonons and reconstruction for zincblende structures". Physica Scripta 38, n.º 2 (1 de agosto de 1988): 155–58. http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/38/2/006.
Texto completoLin, M. E., B. N. Sverdlov, S. Strite, H. Morkoç y A. E. Drakin. "Refractive indices of wurtzite and zincblende GaN". Electronics Letters 29, n.º 20 (1993): 1759. http://dx.doi.org/10.1049/el:19931172.
Texto completoSoma, T., S. Tahata y H. Matsuo Kagaya. "Interstitial Atom in the Zincblende-Type Lattice". physica status solidi (b) 157, n.º 2 (1 de febrero de 1990): 509–18. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221570203.
Texto completoWolverson, D., C. Bradford, K. A. Prior y B. C. Cavenett. "UV Raman Microscopy of Zincblende Magnesium Sulphide". physica status solidi (b) 229, n.º 1 (enero de 2002): 93–96. http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200201)229:1<93::aid-pssb93>3.0.co;2-2.
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