Artículos de revistas sobre el tema "XPS/ARPES"
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Ostler, Markus, Roland J. Koch, Florian Speck, Felix Fromm, Hendrik Vita, Martin Hundhausen, Karsten Horn y Thomas Seyller. "Decoupling the Graphene Buffer Layer from SiC(0001) via Interface Oxidation". Materials Science Forum 717-720 (mayo de 2012): 649–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.649.
Texto completoChaluvadi, Sandeep, Debashis Mondal, Chiara Bigi, Jun Fujii, Rajdeep Adhikari, Regina Ciancio, Alberta Bonanni et al. "Direct-ARPES and STM Investigation of FeSe Thin Film Growth by Nd:YAG Laser". Coatings 11, n.º 3 (26 de febrero de 2021): 276. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11030276.
Texto completoOzawa, Kenichi, Yoshihiro Aiura, Daisuke Wakabayashi, Hirokazu Tanaka, Takashi Kikuchi, Akio Toyoshima y Kazuhiko Mase. "Beamline commissioning for microscopic measurements with ultraviolet and soft X-ray beam at the upgraded beamline BL-13B of the Photon Factory". Journal of Synchrotron Radiation 29, n.º 2 (16 de febrero de 2022): 400–408. http://dx.doi.org/10.1107/s160057752200090x.
Texto completoJohansson, Leif I., Somsakul Watcharinyanon, Alexei A. Zakharov, Rositza Yakimova y Chariya Virojanadara. "The Registry of Graphene Layers Grown on SiC(000-1)." Materials Science Forum 717-720 (mayo de 2012): 613–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.613.
Texto completoMaier, F., R. Graupner, M. Hollering, L. Hammer, J. Ristein y L. Ley. "The hydrogenated and bare diamond (110) surface: a combined LEED-, XPS-, and ARPES study". Surface Science 443, n.º 3 (diciembre de 1999): 177–85. http://dx.doi.org/10.1016/s0039-6028(99)01010-9.
Texto completoHollering, M., J. Bernhardt, J. Schardt, A. Ziegler, R. Graupner, B. Mattern, A. P. J. Stampfl, U. Starke, K. Heinz y L. Ley. "Electronic and atomic structure of the6H−SiC(0001¯)surface studied by ARPES, LEED, and XPS". Physical Review B 58, n.º 8 (15 de agosto de 1998): 4992–5000. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.58.4992.
Texto completoEmtsev, Konstantin V., Thomas Seyller, Florian Speck, Lothar Ley, P. Stojanov, J. D. Riley y R. C. G. Leckey. "Initial Stages of the Graphite-SiC(0001) Interface Formation Studied by Photoelectron Spectroscopy". Materials Science Forum 556-557 (septiembre de 2007): 525–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.525.
Texto completoRybkina, Anna A., Alevtina A. Gogina, Artem V. Tarasov, Ye Xin, Vladimir Yu Voroshnin, Dmitrii A. Pudikov, Ilya I. Klimovskikh et al. "Origin of Giant Rashba Effect in Graphene on Pt/SiC". Symmetry 15, n.º 11 (12 de noviembre de 2023): 2052. http://dx.doi.org/10.3390/sym15112052.
Texto completoHung, Nguyen Van. "Contributions to Developments of Photoelectron Spectroscopy and X-ray Absorption Fine Structure Applied to Materials Studies". Communications in Physics 31, n.º 2 (15 de marzo de 2021): 113. http://dx.doi.org/10.15625/0868-3166/15826.
Texto completoVillarreal, Renan. "(Invited, Digital Presentation) Single-Atom Quantum Magnetism in 2D Materials". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 12 (7 de julio de 2022): 874. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0112874mtgabs.
Texto completoRubano, Andrea y Domenico Paparo. "Optical Second Harmonic Generation on LaAlO3/SrTiO3 Interfaces: A Review". Materials 16, n.º 12 (12 de junio de 2023): 4337. http://dx.doi.org/10.3390/ma16124337.
Texto completoStania, Roland, Ari Paavo Seitsonen, Hyunjin Jung, David Kunhardt, Alexey A. Popov, Matthias Muntwiler y Thomas Greber. "Correlation of Work Function and Conformation of C80 Endofullerenes on h‐BN/Ni(111)". Advanced Materials Interfaces, 11 de enero de 2024. http://dx.doi.org/10.1002/admi.202300935.
Texto completoCameau, Mathis, Natalia Olszowska, Marcin Rosmus, Mathieu G. Silly, Tristan Cren, Axel Malécot, Pascal David y Marie D'angelo. "Synthesis and characterisation of Cu2Ge, a new two-dimensional Dirac nodal line semimetal". 2D Materials, 3 de mayo de 2024. http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/ad471e.
Texto completoLev, L. L., V. N. Strocov, Y. Y. Lebedinskii, T. Schmitt y A. V. Zenkevich. "Band bending and k -resolved band offsets at the HfO2/n+(p+)Si interfaces explored with synchrotron-radiation ARPES/XPS". Physical Review Materials 6, n.º 8 (30 de agosto de 2022). http://dx.doi.org/10.1103/physrevmaterials.6.084605.
Texto completoGöhler, Fabian, Philip Schädlich, Niels Rösch, Mike Zeißig y Thomas Seyller. "Transfer doping of epitaxial graphene on SiC(0001) using Cs". 2D Materials, 23 de enero de 2024. http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/ad2192.
Texto completoZhu Meng-Long, Yang Jun, Dong Yu-Lan, Zhou Yuan, Shao Yan, Hou Hai-Liang, Chen Zhi-Hui y He Jun. "Atomic and electronic structure of monolayer ferroelectric GeS on Cu(111)". Acta Physica Sinica, 2024, 0. http://dx.doi.org/10.7498/aps.73.20231246.
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