Artículos de revistas sobre el tema "Wind band gap Semiconductors"
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Rome, Grace, Fry Intia, Talysa Klein, Zebulon Schicht, Adele Tamboli, Emily L. Warren y Ann L. Greenaway. "Utilizing a Transparent Conductive Encapsulant to Protect Photoelectrodes during Solar Fuel Formation". ECS Meeting Abstracts MA2023-01, n.º 55 (28 de agosto de 2023): 2705. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01552705mtgabs.
Texto completoWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson y Andriy Zakutayev. "Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors". Chemical Reviews 120, n.º 9 (6 de abril de 2020): 4007–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.9b00600.
Texto completoMedvid, Arthur, Igor Dmitruk, Pavels Onufrijevs y Iryna Pundyk. "Properties of Nanostructure Formed on SiO2/Si Interface by Laser Radiation". Solid State Phenomena 131-133 (octubre de 2007): 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.559.
Texto completoLI, KEYAN, YANJU LI y DONGFENG XUE. "BAND GAP PREDICTION OF ALLOYED SEMICONDUCTORS". Functional Materials Letters 04, n.º 03 (septiembre de 2011): 217–19. http://dx.doi.org/10.1142/s179360471100210x.
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Texto completoKeßler, P., K. Lorenz y R. Vianden. "Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors". Defect and Diffusion Forum 311 (marzo de 2011): 167–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.311.167.
Texto completoJin, Haiwei, Li Qin, Lan Zhang, Xinlin Zeng y Rui Yang. "Review of wide band-gap semiconductors technology". MATEC Web of Conferences 40 (2016): 01006. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/20164001006.
Texto completoWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson y Andriy Zakutayev. "Correction to Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors". Chemical Reviews 120, n.º 15 (3 de agosto de 2020): 8035. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.0c00643.
Texto completoCam, Hoang Ngoc, Nguyen Van Hieu y Nguyen Ai Viet. "Excitons in direct band gap cubic semiconductors". Annals of Physics 164, n.º 1 (octubre de 1985): 172–88. http://dx.doi.org/10.1016/0003-4916(85)90007-7.
Texto completoSalvatori, S. "Wide-band gap semiconductors for noncontact thermometry". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, n.º 1 (2001): 219. http://dx.doi.org/10.1116/1.1342007.
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Texto completoLI, KEYAN, YANJU LI y DONGFENG XUE. "BAND GAP ENGINEERING OF CRYSTAL MATERIALS: BAND GAP ESTIMATION OF SEMICONDUCTORS VIA ELECTRONEGATIVITY". Functional Materials Letters 05, n.º 02 (junio de 2012): 1260002. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604712600028.
Texto completoLund, Mark W. "More than One Ever Wanted to Know about X-Ray Detectors Part VI: Alternate Semiconductors for Detectors". Microscopy Today 3, n.º 5 (junio de 1995): 12–13. http://dx.doi.org/10.1017/s1551929500066116.
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Texto completoPramanik, Md Bappi, Md Abdullah Al Rakib, Md Abubakor Siddik y Shorab Bhuiyan. "Doping Effects and Relationship between Energy Band Gaps, Impact of Ionization Coefficient and Light Absorption Coefficient in Semiconductors". European Journal of Engineering and Technology Research 9, n.º 1 (18 de enero de 2024): 10–15. http://dx.doi.org/10.24018/ejeng.2024.9.1.3118.
Texto completoTu, Haoran, Jing Zhang, Zexuan Guo y Chunyan Xu. "Biaxial strain modulated the electronic structure of hydrogenated 2D tetragonal silicene". RSC Advances 9, n.º 72 (2019): 42245–51. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra08634j.
Texto completoKrivosheeva, A. V. y V. L. Shaposhnikov. "The structure and optical properties of semiconductor nitrides MgSiN<sub>2</sub>, MgGeN<sub>2</sub>, ZnSiN<sub>2</sub>, ZnGeN<sub>2</sub>". Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series 58, n.º 4 (1 de enero de 2023): 424–30. http://dx.doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-4-424-430.
Texto completoGusakov, Vasilii E. "A New Approach for Calculating the Band Gap of Semiconductors within the Density Functional Method". Solid State Phenomena 242 (octubre de 2015): 434–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.242.434.
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Texto completoJohn, Rita. "Band Gap Engineering in Bulk and Nano Semiconductors". MRS Proceedings 1454 (2012): 233–38. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.1445.
Texto completoHebda, Maciej, Grażyna Stochel, Konrad Szaciłowski y Wojciech Macyk. "Optoelectronic Switches Based on Wide Band Gap Semiconductors". Journal of Physical Chemistry B 110, n.º 31 (agosto de 2006): 15275–83. http://dx.doi.org/10.1021/jp061262b.
Texto completoKhurgin, Jacob B. "Band gap engineering for laser cooling of semiconductors". Journal of Applied Physics 100, n.º 11 (2006): 113116. http://dx.doi.org/10.1063/1.2395599.
Texto completoPong, C., N. M. Johnson, R. A. Street, J. Walker, R. S. Feigelson y R. C. De Mattei. "Hydrogenation of wide‐band‐gap II‐VI semiconductors". Applied Physics Letters 61, n.º 25 (21 de diciembre de 1992): 3026–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.107998.
Texto completoSontakke, Kirti, Nischhal Yadav y S. Ghosh. "Transient Brillouin gain in direct band gap semiconductors". Journal of Physics: Conference Series 365 (18 de mayo de 2012): 012043. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/365/1/012043.
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Texto completoMahanti, S. D., Khang Hoang y Salameh Ahmad. "Deep defect states in narrow band-gap semiconductors". Physica B: Condensed Matter 401-402 (diciembre de 2007): 291–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.169.
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Texto completoWalsh, Aron, John Buckeridge, C. Richard A. Catlow, Adam J. Jackson, Thomas W. Keal, Martina Miskufova, Paul Sherwood et al. "Limits to Doping of Wide Band Gap Semiconductors". Chemistry of Materials 25, n.º 15 (31 de julio de 2013): 2924–26. http://dx.doi.org/10.1021/cm402237s.
Texto completoSingh, M. y P. R. Wallace. "Inter-band magneto-optics in narrow-gap semiconductors". Journal of Physics C: Solid State Physics 20, n.º 14 (20 de mayo de 1987): 2169–81. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/20/14/018.
Texto completoJain, S. C., J. M. McGregor y D. J. Roulston. "Band‐gap narrowing in novel III‐V semiconductors". Journal of Applied Physics 68, n.º 7 (octubre de 1990): 3747–49. http://dx.doi.org/10.1063/1.346291.
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Texto completoHenriques, A. B., S. Obukhov, L. C. D. Gonçalves, B. Yavich y A. B. Henriques. "Band Gap Renormalization in Periodically Delta-Doped Semiconductors". physica status solidi (a) 164, n.º 1 (noviembre de 1997): 133–36. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(199711)164:1<133::aid-pssa133>3.0.co;2-c.
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Texto completoLin, Der-Yuh, Hung-Pin Hsu, Cheng-Wen Wang, Shang-Wei Chen, Yu-Tai Shih, Sheng-Beng Hwang y Piotr Sitarek. "Temperature-Dependent Absorption of Ternary HfS2−xSex 2D Layered Semiconductors". Materials 15, n.º 18 (11 de septiembre de 2022): 6304. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186304.
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Texto completoPanday, Suman Raj y Maxim Dzero. "Interacting fermions in narrow-gap semiconductors with band inversion". Journal of Physics: Condensed Matter 33, n.º 27 (28 de mayo de 2021): 275601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/abfc6e.
Texto completoMitrovic, Ivona Z., Harry Finch, Leanne A. H. Jones, Vinod R. Dhanak, Adrian N. Hannah, Reza Valizadeh, Arne Benjamin B. Renz, Vishal Ajit Shah, Peter Michael Gammon y P. A. Mawby. "(Invited) Rare Earth Oxides on Wide Band Gap Semiconductors". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 19 (7 de julio de 2022): 1072. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191072mtgabs.
Texto completoEdgar, J. H. "Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors". Journal of Materials Research 7, n.º 1 (enero de 1992): 235–52. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.0235.
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