Artículos de revistas sobre el tema "Ultrathin oxides"
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Bec, Romulad B., Andrzej Jakubowsk, Lidia Łukasiak y Michał Korwin-Pawłowski. "Challenges in ultrathin oxide layers formation". Journal of Telecommunications and Information Technology, n.º 1 (30 de marzo de 2001): 27–34. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2001.1.46.
Texto completoTaylor, Seth T., John Mardinly y Michael A. O'Keefe. "HRTEM Image Simulations for the Study of Ultrathin Gate Oxides". Microscopy and Microanalysis 8, n.º 5 (octubre de 2002): 412–21. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927602020123.
Texto completoMorgen, P., A. Bahari, U. Robenhagen, J. F. Andersen, J. K. Hansen, K. Pedersen, M. G. Rao y Z. S. Li. "Roads to ultrathin silicon oxides". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 23, n.º 1 (enero de 2005): 201–7. http://dx.doi.org/10.1116/1.1842113.
Texto completoHuang, Feng, W. J. Liu, J. F. Sullivan, J. A. Barnard y M. L. Weaver. "Room-temperature oxidation of ultrathin TiB2 films". Journal of Materials Research 17, n.º 4 (abril de 2002): 805–13. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0118.
Texto completoZhu, Jianhui, Jian Jiang, Wei Ai, Zhanxi Fan, Xintang Huang, Hua Zhang y Ting Yu. "Encapsulation of nanoscale metal oxides into an ultra-thin Ni matrix for superior Li-ion batteries: a versatile strategy". Nanoscale 6, n.º 21 (2014): 12990–3000. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr03661a.
Texto completoWang, Kai, Bolong Huang, Weiyu Zhang, Fan Lv, Yi Xing, Wenshu Zhang, Jinhui Zhou et al. "Ultrathin RuRh@(RuRh)O2 core@shell nanosheets as stable oxygen evolution electrocatalysts". Journal of Materials Chemistry A 8, n.º 31 (2020): 15746–51. http://dx.doi.org/10.1039/d0ta03213a.
Texto completoTing, D. Z. Y. "Tunneling characteristics of nonuniform ultrathin oxides". Applied Physics Letters 73, n.º 19 (9 de noviembre de 1998): 2769–71. http://dx.doi.org/10.1063/1.122585.
Texto completoLobinsky, A. A. y V. I. Popkov. "Ultrathin 2D nanosheets of transition metal (hydro)oxides as prospective materials for energy storage devices: A short review". Electrochemical Materials and Technologies 1, n.º 1 (2022): 20221008. http://dx.doi.org/10.15826/elmattech.2022.1.008.
Texto completoRotondaro, A. L. Pacheco, R. T. Laaksonen y S. P. Singh. "Impact of the Nitrogen Concentration of Sub-1.3 nm Gate Oxides on 65 nm Technology Transistor Parameters". Journal of Integrated Circuits and Systems 2, n.º 2 (17 de noviembre de 2007): 63–66. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v2i2.265.
Texto completoChari, K. S. y S. Kar. "Interface Characteristics of Metal‐Oxide‐Semiconductor Capacitors with Ultrathin Oxides". Journal of The Electrochemical Society 138, n.º 7 (1 de julio de 1991): 2046–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085921.
Texto completoTing, D. Z. Y., Erik S. Daniel y T. C. Mcgill. "Interface Roughness Effects in Ultra-Thin Tunneling Oxides". VLSI Design 8, n.º 1-4 (1 de enero de 1998): 47–51. http://dx.doi.org/10.1155/1998/23567.
Texto completoChoi, B. D. y D. K. Schroder. "Degradation of ultrathin oxides by iron contamination". Applied Physics Letters 79, n.º 16 (15 de octubre de 2001): 2645–47. http://dx.doi.org/10.1063/1.1410363.
Texto completoDonggun Park y Chenming Hu. "Plasma charging damage on ultrathin gate oxides". IEEE Electron Device Letters 19, n.º 1 (enero de 1998): 1–3. http://dx.doi.org/10.1109/55.650333.
Texto completoWen, H. J. y R. Ludeke. "Localized degradation studies of ultrathin gate oxides". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 16, n.º 3 (mayo de 1998): 1735–40. http://dx.doi.org/10.1116/1.581293.
Texto completoEng, J., R. L. Opila, J. M. Rosamilia, B. J. Sapjeta, Y. J. Chabal, T. Boone, R. Masaitis, Thomas Sorsch y Martin L. Green. "The Evolution of Chemical Oxides Into Ultrathin Oxides: A Spectroscopic Characterization". Solid State Phenomena 76-77 (enero de 2001): 145–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.145.
Texto completoTakeda, Mikako, Takeshi Ohwaki, Hideo Fujii, Eisuke Kusumoto, Yoshiyuki Kaihara, Yoshizo Takai y Ryuichi Shimizu. "Influence of Native Oxides on the Reliability of Ultrathin Gate Oxide". Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 1, No. 2 (15 de febrero de 1998): 397–401. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.397.
Texto completoHamed, Mai Hussein, David N. Mueller y Martina Müller. "Thermal phase design of ultrathin magnetic iron oxide films: from Fe3O4 to γ-Fe2O3 and FeO". Journal of Materials Chemistry C 8, n.º 4 (2020): 1335–43. http://dx.doi.org/10.1039/c9tc05921k.
Texto completoHardy, An, Sven Van Elshocht, Jan D’Haen, Olivier Douhéret, Stefan De Gendt, Christoph Adelmann, Matty Caymax et al. "Aqueous chemical solution deposition of ultrathin lanthanide oxide dielectric films". Journal of Materials Research 22, n.º 12 (diciembre de 2007): 3484–93. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2007.0433.
Texto completoLiao, Zhaoliang y Jiandi Zhang. "Metal-to-Insulator Transition in Ultrathin Manganite Heterostructures". Applied Sciences 9, n.º 1 (3 de enero de 2019): 144. http://dx.doi.org/10.3390/app9010144.
Texto completoChen, Zongkun, Minghua Huang y Helmut Cölfen. "Synthesis of ultrathin metal oxide and hydroxide nanosheets using formamide in water at room temperature". CrystEngComm 23, n.º 21 (2021): 3794–801. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce00277e.
Texto completoFukuda, Masatoshi, Wataru Mizubayashi, Atsushi Kohno, Seiichi Miyazaki y Masataka Hirose. "Analysis of Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides". Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 2, No. 12B (15 de diciembre de 1998): L1534—L1536. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.l1534.
Texto completoChen, C. C., C. Y. Chang, C. H. Chien, T. Y. Huang, H. C. Lin y M. S. Liang. "Temperature-accelerated dielectric breakdown in ultrathin gate oxides". Applied Physics Letters 74, n.º 24 (14 de junio de 1999): 3708–10. http://dx.doi.org/10.1063/1.123228.
Texto completoHori, Takashi, Hiroshi Iwasaki, Takuichi Ohmura, Atsuko Samizo, Minoru Sato y Yoshiaki Yoshioka. "Compositional study of ultrathin rapidly reoxidized nitrided oxides". Journal of Applied Physics 65, n.º 2 (15 de enero de 1989): 629–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.343095.
Texto completoHattori, Takeo, Hiroshi Nohira y Kensuke Takahashi. "The initial growth steps of ultrathin gate oxides". Microelectronic Engineering 48, n.º 1-4 (septiembre de 1999): 17–24. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00329-9.
Texto completoContaret, T., G. Ghibaudo, A. Ferron y F. Bœuf. "Excess drain noise simulation in ultrathin oxides MOSFETs". Journal of Computational Electronics 5, n.º 2-3 (julio de 2006): 187–92. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-006-8842-1.
Texto completoZander, D., F. Saigne, C. Petit y A. Meinertzhagen. "Electrical stress effects on ultrathin (2.3 nm) oxides". Journal of Non-Crystalline Solids 280, n.º 1-3 (febrero de 2001): 86–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3093(00)00393-8.
Texto completoChang, Chun-Yen, Chi-Chun Chen, Horng-Chih Lin, Mong-Song Liang, Chao-Hsin Chien y Tiao-Yuan Huang. "Reliability of ultrathin gate oxides for ULSI devices". Microelectronics Reliability 39, n.º 5 (mayo de 1999): 553–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00037-2.
Texto completoGiustino, Feliciano y Alfredo Pasquarello. "Infrared properties of ultrathin oxides on Si(100)". Microelectronic Engineering 80 (junio de 2005): 420–23. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2005.04.025.
Texto completoZhang, Xinyu, Yongwei Wang, Fenghua Cheng, Zhiping Zheng y Yaping Du. "Ultrathin lanthanide oxides nanomaterials: synthesis, properties and applications". Science Bulletin 61, n.º 18 (septiembre de 2016): 1422–34. http://dx.doi.org/10.1007/s11434-016-1155-2.
Texto completoVereecke, G., E. Röhr, R. J. Carter, T. Conard, H. De Witte y M. M. Heyns. "Investigation of fluorine in dry ultrathin silicon oxides". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, n.º 6 (2001): 2108. http://dx.doi.org/10.1116/1.1414050.
Texto completoCellere, G., L. Larcher, M. G. Valentini y A. Paccagnella. "Micro breakdown in small-area ultrathin gate oxides". IEEE Transactions on Electron Devices 49, n.º 8 (agosto de 2002): 1367–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2002.801443.
Texto completoLundgren, P., M. O. Andersson, K. R. Farmer y O. Engström. "Electrical instability of ultrathin thermal oxides on silicon". Microelectronic Engineering 28, n.º 1-4 (junio de 1995): 67–70. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00017-3.
Texto completoWu, E. Y., D. L. Harmon y Liang-Kai Han. "Interrelationship of voltage and temperature dependence of oxide breakdown for ultrathin oxides". IEEE Electron Device Letters 21, n.º 7 (julio de 2000): 362–64. http://dx.doi.org/10.1109/55.847381.
Texto completoChen, Ming-Jer, Ting-Kuo Kang, Chuan-Hsi Liu, Yih J. Chang y Kuan-Yu Fu. "Oxide thinning percolation statistical model for soft breakdown in ultrathin gate oxides". Applied Physics Letters 77, n.º 4 (24 de julio de 2000): 555–57. http://dx.doi.org/10.1063/1.127042.
Texto completoBruyère, S., F. Guyader, W. De Coster, E. Vincent, M. Saadeddine, N. Revil y G. Ghibaudo. "Wet or dry ultrathin oxides: impact on gate oxide and device reliability". Microelectronics Reliability 40, n.º 4-5 (abril de 2000): 691–95. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00273-5.
Texto completoLin, M.-T., R. J. Jaccodine y T. J. Delph. "Planar oxidation of strained silicon substrates". Journal of Materials Research 16, n.º 3 (marzo de 2001): 728–33. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2001.0112.
Texto completovon Bardeleben, Hans Jürgen, J. L. Cantin, I. Vickridge, Yong Wei Song, S. Dhar, Leonard C. Feldman, John R. Williams et al. "Modification of the Oxide/Semiconductor Interface by High Temperature NO Treatments: A Combined EPR, NRA and XPS Study on Oxidized Porous and Bulk n-Type 4H-SiC". Materials Science Forum 483-485 (mayo de 2005): 277–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.277.
Texto completoSUÑE, JORDI, DAVID JIMENEZ y ENRIQUE MIRANDA. "BREAKDOWN MODES AND BREAKDOWN STATISTICS OF ULTRATHIN SiO2 GATE OXIDES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, n.º 03 (septiembre de 2001): 789–848. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401001003.
Texto completoGao, Xinlong, Wenhui Shi, Pengchao Ruan, Jinxiu Feng, Dong Zheng, Linhai Yu, Min Xue et al. "Ultrathin carbon boosted sodium storage performance in aqueous electrolyte". Functional Materials Letters 13, n.º 05 (julio de 2020): 2030002. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604720300029.
Texto completoIstomin, A. V. y S. G. Kolyshev. "ELECTROSTATIC METHOD OF FORMING ULTRATHIN FIBERS OF REFRACTORY OXIDES". «Aviation Materials and Technologies», n.º 2 (2019): 40–46. http://dx.doi.org/10.18577/2071-9140-2019-0-2-40-46.
Texto completoVereecke, Guy, Erika Röhr, R. J. Carter, Thierry Conard, H. De Witte y Marc M. Heyns. "The Origins of Fluorine in Dry Ultrathin Silicon Oxides". Solid State Phenomena 76-77 (enero de 2001): 153–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.153.
Texto completoArienzo, Maurizio, Leonello Dori y Thomas N. Szabo. "Effect of post‐oxidation anneal on ultrathin SiO2gate oxides". Applied Physics Letters 49, n.º 16 (20 de octubre de 1986): 1040–42. http://dx.doi.org/10.1063/1.97465.
Texto completoOellig, Eva M., E. G. Michel, M. C. Asensio y R. Miranda. "Ultrathin gate oxides formed by catalytic oxidation of silicon". Applied Physics Letters 50, n.º 23 (8 de junio de 1987): 1660–62. http://dx.doi.org/10.1063/1.97760.
Texto completoLiao, Wei-Jian, Yi-Lin Yang, Shun-Cheng Chuang y Jenn-Gwo Hwu. "Growth-Then-Anodization Technique for Reliable Ultrathin Gate Oxides". Journal of The Electrochemical Society 151, n.º 9 (2004): G549. http://dx.doi.org/10.1149/1.1783907.
Texto completoFair, Richard B. "Physical Models of Boron Diffusion in Ultrathin Gate Oxides". Journal of The Electrochemical Society 144, n.º 2 (1 de febrero de 1997): 708–17. http://dx.doi.org/10.1149/1.1837473.
Texto completoThompson, W. Howard, Zain Yamani, Laila AbuHassan, Osman Gurdal y Munir Nayfeh. "The effect of ultrathin oxides on luminescent silicon nanocrystallites". Applied Physics Letters 73, n.º 6 (10 de agosto de 1998): 841–43. http://dx.doi.org/10.1063/1.122019.
Texto completoMadsen, Jon M., Zhenjiang Cui y Christos G. Takoudis. "Low temperature oxidation of SiGe in ozone: Ultrathin oxides". Journal of Applied Physics 87, n.º 4 (15 de febrero de 2000): 2046–51. http://dx.doi.org/10.1063/1.372134.
Texto completoMukhopadhyay, M., S. K. Ray, D. K. Nayak y C. K. Maiti. "Ultrathin oxides using N2O on strained Si1−xGex layers". Applied Physics Letters 68, n.º 9 (26 de febrero de 1996): 1262–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.115946.
Texto completoPennetta, C., L. Reggiani y Gy Trefán. "A percolative model of soft breakdown in ultrathin oxides". Physica B: Condensed Matter 314, n.º 1-4 (marzo de 2002): 400–403. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)01408-9.
Texto completoBeck, Romuald B. "Formation of ultrathin silicon oxides—modeling and technological constraints". Materials Science in Semiconductor Processing 6, n.º 1-3 (febrero de 2003): 49–57. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-8001(03)00071-4.
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