Artículos de revistas sobre el tema "Type II Heterostructures"
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Maevskaya, Maria V., Aida V. Rudakova, Alexandra V. Koroleva, Aleksandr S. Sakhatskii, Alexei V. Emeline y Detlef W. Bahnemann. "Effect of the Type of Heterostructures on Photostimulated Alteration of the Surface Hydrophilicity: TiO2/BiVO4 vs. ZnO/BiVO4 Planar Heterostructured Coatings". Catalysts 11, n.º 12 (23 de noviembre de 2021): 1424. http://dx.doi.org/10.3390/catal11121424.
Texto completoBhardwaj, Garima, Sandhya K., Richa Dolia, M. Abu-Samak, Shalendra Kumar y P. A. Alvi. "A Comparative Study on Optical Characteristics of InGaAsP QW Heterostructures of Type-I and Type-II Band Alignments". Bulletin of Electrical Engineering and Informatics 7, n.º 1 (1 de marzo de 2018): 35–41. http://dx.doi.org/10.11591/eei.v7i1.872.
Texto completoBehara, Dilip Kumar, Jalajakshi Tammineni y Mukkara Sudha Maheswari. "TiO2/ZnO: Type-II Heterostructures for electrochemical crystal violet dye degradation studies". Macedonian Journal of Chemistry and Chemical Engineering 39, n.º 2 (26 de octubre de 2020): 217. http://dx.doi.org/10.20450/mjcce.2020.2058.
Texto completoLi, Jiayi, Yanming Lin, Minjie Zhang, Ying Peng, Xinru Wei, Zhengkun Wang, Zhenyi Jiang y Aijun Du. "Ferroelectric polarization and interface engineering coupling of Z-scheme ZnIn2S4/α-In2Se3 heterostructure for efficient photocatalytic water splitting". Journal of Applied Physics 133, n.º 10 (14 de marzo de 2023): 105702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0136862.
Texto completoZakharova, A. y V. Gergel. "Resonant tunneling in type II heterostructures". Solid State Communications 96, n.º 4 (octubre de 1995): 209–13. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(95)00435-1.
Texto completoSchäfer, F., M. Stein, J. Lorenz, F. Dobener, C. Ngo, J. T. Steiner, C. Fuchs et al. "Gain recovery dynamics in active type-II semiconductor heterostructures". Applied Physics Letters 122, n.º 8 (20 de febrero de 2023): 082104. http://dx.doi.org/10.1063/5.0128777.
Texto completoLi, Honglin, Yuting Cui, Haijun Luo y Wanjun Li. "The strain induced type-II band re-alignment of blue phosphorus-GeX (X = C/H/Se) heterostructures". European Physical Journal Applied Physics 89, n.º 1 (enero de 2020): 10103. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2020190325.
Texto completoIchimura, Masaya. "Calculation of Band Offsets of Mg(OH)2-Based Heterostructures". Electronic Materials 2, n.º 3 (1 de julio de 2021): 274–83. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat2030019.
Texto completoБаженов, Н. Л., К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова y Г. Г. Зегря. "Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-". Физика и техника полупроводников 56, n.º 5 (2022): 477. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52349.9805.
Texto completoLiu, Zixiang y Zhiguo Wang. "Electronic Properties of MTe2/AsI3(M=Mo and W) Van der Waals Heterostructures". MATEC Web of Conferences 380 (2023): 01011. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/202338001011.
Texto completoSchlichenmaier, C., H. Grüning, A. Thränhardt, P. J. Klar, B. Kunert, K. Volz, W. Stolz et al. "Type I-type II transition in InGaAs–GaNAs heterostructures". Applied Physics Letters 86, n.º 8 (21 de febrero de 2005): 081903. http://dx.doi.org/10.1063/1.1870132.
Texto completoMa, Zechen, Ruifeng Li, Rui Xiong, Yinggan Zhang, Chao Xu, Cuilian Wen y Baisheng Sa. "InSe/Te van der Waals Heterostructure as a High-Efficiency Solar Cell from Computational Screening". Materials 14, n.º 14 (6 de julio de 2021): 3768. http://dx.doi.org/10.3390/ma14143768.
Texto completoShim, Moonsub, Hunter McDaniel y Nuri Oh. "Prospects for Strained Type-II Nanorod Heterostructures". Journal of Physical Chemistry Letters 2, n.º 21 (13 de octubre de 2011): 2722–27. http://dx.doi.org/10.1021/jz201111y.
Texto completoJezewski, M., F. Mollot y R. Planel. "Photoinduced electric fields in type II heterostructures". Applied Physics Letters 56, n.º 24 (11 de junio de 1990): 2422–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.102897.
Texto completoLiu, Congying, Zhenwei Wang, Wenqi Xiong, Hongxia Zhong y Shengjun Yuan. "Effect of vertical strain and in-plane biaxial strain on type-II MoSi2N4/Cs3Bi2I9 van der Waals heterostructure". Journal of Applied Physics 131, n.º 16 (28 de abril de 2022): 163102. http://dx.doi.org/10.1063/5.0080224.
Texto completoРоманов, В. В., Э. В. Иванов y К. Д. Моисеев. "Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP". Физика твердого тела 60, n.º 3 (2018): 585. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.03.45565.268.
Texto completoGui, Qingzhong, Zhen Wang, Chunmin Cheng, Xiaoming Zha, John Robertson, Sheng Liu, Zhaofu Zhang y Yuzheng Guo. "Theoretical study of the interface engineering for H-diamond field effect transistors with h-BN gate dielectric and graphite gate". Applied Physics Letters 121, n.º 21 (21 de noviembre de 2022): 211601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0117263.
Texto completoDuez, V., O. Vanbésien, D. Lippens, D. Vignaud, X. Wallart y F. Mollot. "Type II and mixed type I–II radiative recombinations in AlInAs–InP heterostructures". Journal of Applied Physics 85, n.º 4 (15 de febrero de 1999): 2202–6. http://dx.doi.org/10.1063/1.369517.
Texto completoVasil’ev, Yu B., V. A. Solov’ev, B. Ya Mel’tser, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, Yu L. Ivanov y P. S. Kop’ev. "Far infrared electroluminescence in cascade type-II heterostructures". Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters 75, n.º 8 (abril de 2002): 391–94. http://dx.doi.org/10.1134/1.1490006.
Texto completoPlatonov, A. V., V. P. Kochereshko, E. L. Ivchenko, G. V. Mikhailov, D. R. Yakovlev, M. Keim, W. Ossau, A. Waag y G. Landwehr. "Giant Electro-optical Anisotropy in Type-II Heterostructures". Physical Review Letters 83, n.º 17 (25 de octubre de 1999): 3546–49. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.83.3546.
Texto completoWilson, B. A. "Recombination mechanisms in type II (GaAs/AlAs) heterostructures". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 6, n.º 4 (julio de 1988): 1156. http://dx.doi.org/10.1116/1.584270.
Texto completoSuzuki, N., T. Anan, H. Hatakeyama y M. Tsuji. "Low resistance tunnel junctions with type-II heterostructures". Applied Physics Letters 88, n.º 23 (5 de junio de 2006): 231103. http://dx.doi.org/10.1063/1.2210082.
Texto completoMcDaniel, Hunter, Philip Edward Heil, Cheng-Lin Tsai, Kyekyoon (Kevin) Kim y Moonsub Shim. "Integration of Type II Nanorod Heterostructures into Photovoltaics". ACS Nano 5, n.º 9 (septiembre de 2011): 7677–83. http://dx.doi.org/10.1021/nn2029988.
Texto completoMendez, E. E., V. V. Kuznetsov, D. Chokin y J. D. Bruno. "Anomalous resonant-tunneling effect in type II heterostructures". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 6, n.º 1-4 (febrero de 2000): 335–38. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(99)00173-3.
Texto completoMendez, E. E. "Interband magneto-tunneling in polytype type II heterostructures". Surface Science 267, n.º 1-3 (enero de 1992): 370–76. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(92)91156-6.
Texto completoGuan, Yue, Xiaodan Li, Ruixia Niu, Ningxia Zhang, Taotao Hu y Liyao Zhang. "Tunable Electronic Properties of Type-II SiS2/WSe2 Hetero-Bilayers". Nanomaterials 10, n.º 10 (15 de octubre de 2020): 2037. http://dx.doi.org/10.3390/nano10102037.
Texto completoMao, Bangyao, Xiurui Lv, Guijuan Zhao, Shu'an Xing, Jinjin Tang, Heyuan Huang, Guipeng Liu y Yong Gao. "Band alignment of monolayer MoS2/4H-SiC heterojunction via first-principles calculations and x-ray photoelectron spectroscopy". Applied Physics Letters 121, n.º 5 (1 de agosto de 2022): 051601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0094338.
Texto completoMoiseev, Konstantin, Eduard Ivanov y Yana Parkhomenko. "Long-Wavelength Luminescence of InSb Quantum Dots in Type II Broken-Gap Heterostructure". Electronics 12, n.º 3 (26 de enero de 2023): 609. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12030609.
Texto completoFinkman, E. y R. Planel. "Photoluminescence nonlinearities in mixed type I–type II quantum well heterostructures". Applied Physics Letters 72, n.º 20 (18 de mayo de 1998): 2604–6. http://dx.doi.org/10.1063/1.121431.
Texto completoShin, Ki Hoon, Min-Kyu Seo, Sangyeon Pak, A.-Rang Jang y Jung Inn Sohn. "Observation of Strong Interlayer Couplings in WS2/MoS2 Heterostructures via Low-Frequency Raman Spectroscopy". Nanomaterials 12, n.º 9 (19 de abril de 2022): 1393. http://dx.doi.org/10.3390/nano12091393.
Texto completoYuan, Haidong, Jie Su, Jie Zhang, Zhenhua Lin, Jincheng Zhang, Jingjing Chang y Yue Hao. "Synergistic effect of covalent functionalization and intrinsic electric field on β-Ga2O3/graphene heterostructures". Applied Physics Letters 121, n.º 23 (5 de diciembre de 2022): 231601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0120142.
Texto completoWang, Nan, Yashu Li, Lin Wang y Xuelian Yu. "Photocatalytic Applications of ReS2-Based Heterostructures". Molecules 28, n.º 6 (14 de marzo de 2023): 2627. http://dx.doi.org/10.3390/molecules28062627.
Texto completoOhno, H., L. Esaki y E. E. Mendez. "Optoelectronic devices based on type II polytype tunnel heterostructures". Applied Physics Letters 60, n.º 25 (22 de junio de 1992): 3153–55. http://dx.doi.org/10.1063/1.106726.
Texto completoMikhailova, M. P., Yu P. Yakovlev, N. L. Bazhenov, V. A. Smirnov, Y. A. Berezovets, R. V. Parfeniev y K. D. Moiseev. "Interface-induced phenomena in type II antimonide–arsenide heterostructures". IEE Proceedings - Optoelectronics 145, n.º 5 (1 de octubre de 1998): 268–74. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:19982305.
Texto completoMaksimov, A. A., I. I. Tartakovskiĭ, D. R. Yakovlev, M. Bayer y A. Waag. "Picosecond carrier relaxation in type-II ZnSe/BeTe heterostructures". Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters 83, n.º 4 (abril de 2006): 141–45. http://dx.doi.org/10.1134/s0021364006040035.
Texto completoYakovlev, D. R., A. V. Platonov, V. P. Kochereshko, E. L. Ivchenko, M. Keim, W. Ossau, A. Waag y G. Landwehr. "Giant quantum-confined Pockels effect in type-II heterostructures". Journal of Crystal Growth 214-215 (junio de 2000): 345–49. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00105-6.
Texto completoSilva, Erasmo A. de Andrada e. y Giuseppe C. La Rocca. "Exciton luminescence polarization decay in type II semiconductor heterostructures". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2, n.º 1-4 (julio de 1998): 839–42. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(98)00171-4.
Texto completoLugagne-Delpon, E., P. Voisin, J. P. Vieren, M. Voos, J. P. Andre y J. N. Patillon. "Investigations of MOCVD-grown AlInAs-InP type II heterostructures". Semiconductor Science and Technology 7, n.º 4 (1 de abril de 1992): 524–28. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/7/4/014.
Texto completoVorlícek, V., K. D. Moiseev, M. P. Mikhailova, Yu P. Yakovlev, E. Hulicius y T. Šimecek. "Raman Scattering Study of Type II GaInAsSb/InAs Heterostructures". Crystal Research and Technology 37, n.º 2-3 (febrero de 2002): 259–67. http://dx.doi.org/10.1002/1521-4079(200202)37:2/3<259::aid-crat259>3.0.co;2-u.
Texto completoKisin, Mikhail V., Mitra Dutta y Michael A. Stroscio. "ELECTRON-PHONON INTERACTIONS IN INTERSUBBAND LASER HETEROSTRUCTURES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, n.º 04 (diciembre de 2002): 939–68. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001873.
Texto completoParkhomenko Ya. A., Ivanov E. V. y Moiseev K. D. "Radiative recombination in the InAs/InSb type II broken-gap heterojucntion with quantum dots at the interface". Physics of the Solid State 65, n.º 4 (2023): 628. http://dx.doi.org/10.21883/pss.2023.04.56006.11.
Texto completoRen, Da-Hua, Qiang Li, Kai Qian y Xing-Yi Tan. "Tunable electronic properties of GaS–SnS2 heterostructure by strain and electric field". Chinese Physics B 31, n.º 4 (1 de abril de 2022): 047102. http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/ac3a62.
Texto completoSoni, Udit, Anuushka Pal, Sajan Singh, Mona Mittal, Sushma Yadav, Ravikrishnan Elangovan y Sameer Sapra. "Simultaneous Type-I/Type-II Emission from CdSe/CdS/ZnSe Nano-Heterostructures". ACS Nano 8, n.º 1 (5 de diciembre de 2013): 113–23. http://dx.doi.org/10.1021/nn404537s.
Texto completoGuo, Li, Kailai Zhang, Xuanxuan Han, Qiang Zhao, Danjun Wang y Feng Fu. "2D In-Plane CuS/Bi2WO6 p-n Heterostructures with Promoted Visible-Light-Driven Photo-Fenton Degradation Performance". Nanomaterials 9, n.º 8 (11 de agosto de 2019): 1151. http://dx.doi.org/10.3390/nano9081151.
Texto completoПархоменко, Я. А., Э. В. Иванов y К. Д. Моисеев. "Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе". Физика твердого тела 65, n.º 4 (2023): 645. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2023.04.55304.11.
Texto completoCai, Yiwei, Zhengli Lu, Xin Xu, Yujia Gao, Tingting Shi, Xin Wang y Lingling Shui. "Bandgap Engineering of Two-Dimensional Double Perovskite Cs4AgBiBr8/WSe2 Heterostructure from Indirect Bandgap to Direct Bandgap by Introducing Se Vacancy". Materials 16, n.º 10 (11 de mayo de 2023): 3668. http://dx.doi.org/10.3390/ma16103668.
Texto completoGuo, Zhonglu, Naihua Miao, Jian Zhou, Baisheng Sa y Zhimei Sun. "Strain-mediated type-I/type-II transition in MXene/Blue phosphorene van der Waals heterostructures for flexible optical/electronic devices". Journal of Materials Chemistry C 5, n.º 4 (2017): 978–84. http://dx.doi.org/10.1039/c6tc04349f.
Texto completoZhuang, Qianyong, Jin Li, Chaoyu He, Tao Ouyang, Chunxiao Zhang, Chao Tang y Jianxin Zhong. "Type-II lateral SnSe/GeTe heterostructures for solar photovoltaic applications with high efficiency". Nanoscale Advances 3, n.º 12 (2021): 3643–49. http://dx.doi.org/10.1039/d1na00209k.
Texto completoZhang, Fang, Xianqi Dai, Liangliang Shang y Wei Li. "Tunable Band Alignment in the Arsenene/WS2 Heterostructure by Applying Electric Field and Strain". Crystals 12, n.º 10 (30 de septiembre de 2022): 1390. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12101390.
Texto completoDong, Fan, Zilin Ni, Peidong Li y Zhongbiao Wu. "A general method for type I and type II g-C3N4/g-C3N4 metal-free isotype heterostructures with enhanced visible light photocatalysis". New Journal of Chemistry 39, n.º 6 (2015): 4737–44. http://dx.doi.org/10.1039/c5nj00351b.
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