Artículos de revistas sobre el tema "Two Dimensional Electron Systems (2DES)"
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Satou, Akira y Koichi Narahara. "Numerical Characterization of Dyakonov-Shur Instability in Gated Two-Dimensional Electron Systems". International Journal of High Speed Electronics and Systems 25, n.º 03n04 (septiembre de 2016): 1640024. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156416400243.
Texto completoFreeman, M. L., Tzu-Ming Lu y L. W. Engel. "Resistively loaded coplanar waveguide for microwave measurements of induced carriers". Review of Scientific Instruments 93, n.º 4 (1 de abril de 2022): 043901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0085112.
Texto completoD’Antuono, M., A. Kalaboukhov, R. Caruso, S. Wissberg, S. Weitz Sobelman, B. Kalisky, G. Ausanio, M. Salluzzo y D. Stornaiuolo. "Nanopatterning of oxide 2-dimensional electron systems using low-temperature ion milling". Nanotechnology 33, n.º 8 (30 de noviembre de 2021): 085301. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac385e.
Texto completoVerseils, Marine, Alexandre Voute, Benjamin Langerome, Maxime Deutsch, Jean-Blaise Brubach, Alexei Kalaboukhov, Alessandro Nucara, Paolo Calvani y Pascale Roy. "Grazing-angle reflectivity setup for the low-temperature infrared spectroscopy of two-dimensional systems". Journal of Synchrotron Radiation 26, n.º 6 (11 de septiembre de 2019): 1945–50. http://dx.doi.org/10.1107/s1600577519010920.
Texto completoPHONG, TRAN CONG, VO THANH LAM y LUONG VAN TUNG. "CALCULATION OF THE INTENSITY-DEPENDENT ABSORPTION SPECTRUM IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON SYSTEMS". Modern Physics Letters B 25, n.º 11 (10 de mayo de 2011): 863–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984911026061.
Texto completoCHEBOTAREV, ANDREY y GALINA CHEBOTAREVA. "CYCLOTRON RESONANCE VANISHING EFFECT AND THz DETECTION". International Journal of High Speed Electronics and Systems 18, n.º 04 (diciembre de 2008): 959–69. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156408005916.
Texto completoCangas, R. y M. A. Hidalgo. "Influence of the Spin–Orbit Interaction on the Magnetotransport Properties of a Two-Dimensional Electron System". SPIN 05, n.º 03 (septiembre de 2015): 1530003. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324715300030.
Texto completoMORGENSTERN, MARKUS. "PROBING THE LOCAL DENSITY OF STATES OF DILUTE ELECTRON SYSTEMS IN DIFFERENT DIMENSIONS". Surface Review and Letters 10, n.º 06 (diciembre de 2003): 933–62. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x0300575x.
Texto completoBAENNINGER, MATTHIAS, ARINDAM GHOSH, MICHAEL PEPPER, HARVEY E. BEERE, IAN FARRER y DAVID A. RITCHIE. "MAGNETIC FIELD INDUCED INSTABILITIES IN LOCALIZED TWO-DIMENSIONAL ELECTRON SYSTEMS". International Journal of Modern Physics B 23, n.º 12n13 (20 de mayo de 2009): 2708–12. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209062232.
Texto completoDOHI, M., R. YONAMINE, K. OTO y K. MURO. "POTENTIAL IMAGING IN QUANTUM HALL DEVICES BY OPTICAL FIBER BASED POCKELS MEASUREMENT". International Journal of Modern Physics B 21, n.º 08n09 (10 de abril de 2007): 1414–18. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207042926.
Texto completoHatke, A. T., H. Deng, Yang Liu, L. W. Engel, L. N. Pfeiffer, K. W. West, K. W. Baldwin y M. Shayegan. "Wigner solid pinning modes tuned by fractional quantum Hall states of a nearby layer". Science Advances 5, n.º 3 (marzo de 2019): eaao2848. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aao2848.
Texto completoDAHAN, PINCHAS y ISRAEL VAGNER. "HIGH FIELD RESONANT TUNING OF THE NUCLEAR SPIN-QUBIT RELAXATION RATE IN 2DES WITH MAGNETIC IMPURITIES: STRONG SCATTERING LIMIT". International Journal of Modern Physics B 18, n.º 27n29 (30 de noviembre de 2004): 3865–70. http://dx.doi.org/10.1142/s021797920402761x.
Texto completoMeng, You, Fangzhou Li, Changyong Lan, Xiuming Bu, Xiaolin Kang, Renjie Wei, SenPo Yip et al. "Artificial visual systems enabled by quasi–two-dimensional electron gases in oxide superlattice nanowires". Science Advances 6, n.º 46 (noviembre de 2020): eabc6389. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.abc6389.
Texto completoWEXLER, CARLOS y ORION CIFTJA. "NOVEL LIQUID CRYSTALLINE PHASES IN QUANTUM HALL SYSTEMS". International Journal of Modern Physics B 20, n.º 07 (20 de marzo de 2006): 747–78. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979206033632.
Texto completoDu, Shuo, Yang Guo, Xin Huang, Chi Sun, Zhaoqian Zhang, Leyong Hu, Ruixuan Zheng et al. "Strain lithography for two-dimensional materials by electron irradiation". Applied Physics Letters 120, n.º 9 (28 de febrero de 2022): 093104. http://dx.doi.org/10.1063/5.0082556.
Texto completoXU, W. "FAR-INFRARED EMISSION BY HEATED ELECTRONS IN A TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR SYSTEM". Modern Physics Letters B 10, n.º 06 (10 de marzo de 1996): 181–88. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984996000225.
Texto completoJavaid Iqbal, Muhammad, Dirk Reuter, Andreas Dirk Wieck y Caspar van der Wal. "Characterization of low-resistance ohmic contacts to a two-dimensional electron gas in a GaAs/AlGaAs heterostructure". European Physical Journal Applied Physics 89, n.º 2 (febrero de 2020): 20101. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2020190202.
Texto completoJin, Eric N., Lior Kornblum, Charles H. Ahn y Frederick J. Walker. "Integrating 2D electron gas oxide heterostructures on silicon using rare-earth titanates". MRS Advances 1, n.º 4 (2016): 287–92. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.95.
Texto completoAn, Yuan, Kailin Ren, Luqiao Yin y Jianhua Zhang. "Modeling on Monolithic Integration Structure of AlGaN/InGaN/GaN High Electron Mobility Transistors and LEDs: 2DEG Density and Radiative Recombination". Electronics 12, n.º 5 (22 de febrero de 2023): 1087. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12051087.
Texto completoNITTA, JUNSAKU. "SPIN RELATED TRANSPORT IN RASHBA 2DEG SYSTEMS". International Journal of Modern Physics B 22, n.º 01n02 (20 de enero de 2008): 107. http://dx.doi.org/10.1142/s021797920804613x.
Texto completoFARID, BEHNAM. "ON THE RESPONSE OF COMPOSITE FERMIONS TO WEAK ELECTROSTATIC POTENTIALS". International Journal of Modern Physics B 18, n.º 22 (20 de septiembre de 2004): 3047–55. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979204026378.
Texto completoChauhan, Prashant, Candice Thomas, Tyler Lindemann, Geoffrey C. Gardner, J. Gukelberger, M. J. Manfra y N. P. Armitage. "Measurements of cyclotron resonance of the interfacial states in strong spin–orbit coupled 2D electron gases proximitized with aluminum". Applied Physics Letters 120, n.º 14 (4 de abril de 2022): 142105. http://dx.doi.org/10.1063/5.0087401.
Texto completoRodríguez, Eduardo Martín y Estrella González R. "GaAs/AlGaAs nanoheterostructures: Simulation and application on high mobility transistors". Ingeniería e Investigación 31, n.º 1 (1 de enero de 2011): 144–53. http://dx.doi.org/10.15446/ing.investig.v31n1.20535.
Texto completoThalhammer, Stefan, Andreas Hörner, Matthias Küß, Stephan Eberle, Florian Pantle, Achim Wixforth y Wolfgang Nagel. "GaN Heterostructures as Innovative X-ray Imaging Sensors—Change of Paradigm". Micromachines 13, n.º 2 (19 de enero de 2022): 147. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020147.
Texto completoTan, Yuting, Vladimir Dobrosavljević y Louk Rademaker. "How to Recognize the Universal Aspects of Mott Criticality?" Crystals 12, n.º 7 (30 de junio de 2022): 932. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12070932.
Texto completoZIMBOVSKAYA, NATALIYA A. y JOSEPH L. BIRMAN. "DEFORMED FERMI SURFACE THEORY OF MAGNETO–ACOUSTIC RESPONSE IN MODULATED QUANTUM HALL SYSTEMS NEAR ν=1/2". International Journal of Modern Physics B 13, n.º 08 (30 de marzo de 1999): 859–68. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979299000722.
Texto completoSheu, Gene, Yu-Lin Song, Ramyasri Mogarala, Dupati Susmitha y Kutagulla Issac. "Breakdown Behavior of Metal Contact Positions in GaN HEMT with Nitrogen-Implanted Gate Using TCAD Simulation". Micromachines 13, n.º 2 (22 de enero de 2022): 169. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020169.
Texto completoZavjalov, Alexey, Sergey Tikhonov y Denis Kosyanov. "TiO2–SrTiO3 Biphase Nanoceramics as Advanced Thermoelectric Materials". Materials 12, n.º 18 (7 de septiembre de 2019): 2895. http://dx.doi.org/10.3390/ma12182895.
Texto completoNiu, Di, Quan Wang, Wei Li, Changxi Chen, Jiankai Xu, Lijuan Jiang, Chun Feng et al. "The Influence of the Different Repair Methods on the Electrical Properties of the Normally off p-GaN HEMT". Micromachines 12, n.º 2 (26 de enero de 2021): 131. http://dx.doi.org/10.3390/mi12020131.
Texto completoFang, Yi, Ling Chen, Yuqi Liu y Hong Wang. "Reduction in RF Loss Based on AlGaN Back-Barrier Structure Changes". Micromachines 13, n.º 6 (26 de mayo de 2022): 830. http://dx.doi.org/10.3390/mi13060830.
Texto completoBartoš, I. y B. Rosenstein. "Deviations from Quantized Hall Conductivity and Current Density Distribution in Finite 2DEG Samples". International Journal of Modern Physics B 11, n.º 22 (10 de septiembre de 1997): 2683–706. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979297001325.
Texto completoFauzi, Najihah, Rahil Izzati Mohd Asri, Mohamad Faiz Mohamed Omar, Asrulnizam Abd Manaf, Hiroshi Kawarada, Shaili Falina y Mohd Syamsul. "Status and Prospects of Heterojunction-Based HEMT for Next-Generation Biosensors". Micromachines 14, n.º 2 (27 de enero de 2023): 325. http://dx.doi.org/10.3390/mi14020325.
Texto completoAnda, André, Darius Abramavičius y Thorsten Hansen. "Two-dimensional electronic spectroscopy of anharmonic molecular potentials". Physical Chemistry Chemical Physics 20, n.º 3 (2018): 1642–52. http://dx.doi.org/10.1039/c7cp06583c.
Texto completoYashchyshyn, Yevhen, Paweł Bajurko, Jakub Sobolewski, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, Aleksandra Krajewska, Paweł Prystawko et al. "Graphene/AlGaN/GaN RF Switch". Micromachines 12, n.º 11 (31 de octubre de 2021): 1343. http://dx.doi.org/10.3390/mi12111343.
Texto completoRaja, P. Vigneshwara, Nandha Kumar Subramani, Florent Gaillard, Mohamed Bouslama, Raphaël Sommet y Jean-Christophe Nallatamby. "Identification of Buffer and Surface Traps in Fe-Doped AlGaN/GaN HEMTs Using Y21 Frequency Dispersion Properties". Electronics 10, n.º 24 (13 de diciembre de 2021): 3096. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10243096.
Texto completoWEIS, JÜRGEN. "Hall Potential Profiles in Quantum Hall Samples Measured by a Low-Temperature Scanning Force Microscope". International Journal of Modern Physics B 21, n.º 08n09 (10 de abril de 2007): 1297–306. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207042768.
Texto completoYe, Tianyu, R. G. Mani y W. Wegscheider. "Microwave Reflection From The Microwave Photo-Excited High Mobility GaAs/AlGaAs Two-Dimensional Electron System". MRS Proceedings 1617 (2013): 19–24. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.1158.
Texto completoNakata, H., K. Fujii, M. Saitoh y T. Ohyama. "Photoluminescence of Two-Dimensional Electron System in Modulation-Doped GaAs Quantum Well". International Journal of Modern Physics B 15, n.º 28n30 (10 de diciembre de 2001): 3897–900. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979201008949.
Texto completoZhang, Penghao, Luyu Wang, Kaiyue Zhu, Qiang Wang, Maolin Pan, Ziqiang Huang, Yannan Yang et al. "Non-Buffer Epi-AlGaN/GaN on SiC for High-Performance Depletion-Mode MIS-HEMTs Fabrication". Micromachines 14, n.º 8 (29 de julio de 2023): 1523. http://dx.doi.org/10.3390/mi14081523.
Texto completoYe, Tianyu, Ramesh Mani y Werner Wegscheider. "Microwave reflection study of ultra-high mobility GaAs/AlGaAs 2D-electron system at large filling factors". MRS Proceedings 1635 (2014): 69–74. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.107.
Texto completoPatrizi, Barbara, Concetta Cozza, Adriana Pietropaolo, Paolo Foggi y Mario Siciliani de Cumis. "Synergistic Approach of Ultrafast Spectroscopy and Molecular Simulations in the Characterization of Intramolecular Charge Transfer in Push-Pull Molecules". Molecules 25, n.º 2 (20 de enero de 2020): 430. http://dx.doi.org/10.3390/molecules25020430.
Texto completoWang, Hongyue, Yijun Shi, Yajie Xin, Chang Liu, Guoguang Lu y Yun Huang. "Improving Breakdown Voltage and Threshold Voltage Stability by Clamping Channel Potential for Short-Channel Power p-GaN HEMTs". Micromachines 13, n.º 2 (25 de enero de 2022): 176. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020176.
Texto completoCHEN, YONG P., Z. H. WANG, R. M. LEWIS, P. D. YE, L. W. ENGEL, D. C. TSUI, L. N. PFEIFFER y K. W. WEST. "AC MAGNETOTRANSPORT IN REENTRANT INSULATING PHASES OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRONS NEAR 1/5 AND 1/3 LANDAU FILLINGS". International Journal of Modern Physics B 18, n.º 27n29 (30 de noviembre de 2004): 3553–56. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979204027001.
Texto completoDe Sio, Antonietta, Xuan Trung Nguyen y Christoph Lienau. "Signatures of Strong Vibronic Coupling Mediating Coherent Charge Transfer in Two-Dimensional Electronic Spectroscopy". Zeitschrift für Naturforschung A 74, n.º 8 (27 de agosto de 2019): 721–37. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2019-0150.
Texto completoAnna, Jessica M., Yin Song, Rayomond Dinshaw y Gregory D. Scholes. "Two-dimensional electronic spectroscopy for mapping molecular photophysics". Pure and Applied Chemistry 85, n.º 7 (26 de abril de 2013): 1307–19. http://dx.doi.org/10.1351/pac-con-12-10-21.
Texto completoNanayakkara, T. R., R. L. Samaraweera, A. Kriisa, U. Kushan Wijewardena, S. Withanage, C. Reichl, W. Wegscheider y R. G. Mani. "Influence of microwave photo-excitation on the transport properties of the high mobility GaAs/AlGaAs 2D electron system". MRS Advances 4, n.º 61-62 (2019): 3347–52. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.30.
Texto completoWang, Haiping, Haifan You, Jiangui Yang, Minqiang Yang, Lu Wang, Hong Zhao, Zili Xie y Dunjun Chen. "Simulation Study on the Structure Design of p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-Based Ultraviolet Phototransistors". Micromachines 13, n.º 12 (13 de diciembre de 2022): 2210. http://dx.doi.org/10.3390/mi13122210.
Texto completoSun, Youlei, Ying Wang, Jianxiang Tang, Wenju Wang, Yifei Huang y Xiaofei Kuang. "A Breakdown Enhanced AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with the T-Anode Position Deep into the Bottom Buffer Layer". Micromachines 10, n.º 2 (26 de enero de 2019): 91. http://dx.doi.org/10.3390/mi10020091.
Texto completoTAKEHANA, K., Y. IMANAKA, T. TAKAMASU y M. HENINI. "INFLUENCE OF NEARBY QD LAYER ON 2DES IN QUANTUM HALL REGIME". International Journal of Modern Physics B 21, n.º 08n09 (10 de abril de 2007): 1445–49. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207042987.
Texto completoTakaoka, Sadao, Kenichi Oto y Kazuo Murase. "Magnetocapacitance Investigation of Quantum Hall Effect and Edge States". International Journal of Modern Physics B 11, n.º 22 (10 de septiembre de 1997): 2593–619. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979297001295.
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