Artículos de revistas sobre el tema "Tunneling field effect transistor"
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Hähnel, D., M. Oehme, M. Sarlija, A. Karmous, M. Schmid, J. Werner, O. Kirfel, I. Fischer y J. Schulze. "Germanium vertical Tunneling Field-Effect Transistor". Solid-State Electronics 62, n.º 1 (agosto de 2011): 132–37. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.03.011.
Texto completoChou, S. Y., J. S. Harris y R. F. W. Pease. "Lateral resonant tunneling field‐effect transistor". Applied Physics Letters 52, n.º 23 (6 de junio de 1988): 1982–84. http://dx.doi.org/10.1063/1.99656.
Texto completoGHOREISHI, SEYED SALEH, KAMYAR SAGHAFI y MOHAMMAD KAZEM MORAVVEJ-FARSHI. "A NOVEL GRAPHENE NANO-RIBBON FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SCHOTTKY TUNNELING DRAIN AND OHMIC TUNNELING SOURCE". Modern Physics Letters B 27, n.º 26 (10 de octubre de 2013): 1350189. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984913501893.
Texto completoOh, Jong Hyeok y Yun Seop Yu. "Investigation of Tunneling Effect for a N-Type Feedback Field-Effect Transistor". Micromachines 13, n.º 8 (16 de agosto de 2022): 1329. http://dx.doi.org/10.3390/mi13081329.
Texto completoCapasso, Federico, Susanta Sen y Alfred Y. Cho. "Negative transconductance resonant tunneling field‐effect transistor". Applied Physics Letters 51, n.º 7 (17 de agosto de 1987): 526–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.98387.
Texto completoIsmail, K., D. A. Antoniadis y H. I. Smith. "A planar resonant-tunneling field-effect transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 36, n.º 11 (noviembre de 1989): 2617. http://dx.doi.org/10.1109/16.43732.
Texto completoYOUSEFI, REZA y SEYED SALEH GHOREYSHI. "NUMERICAL STUDY OF OHMIC-SCHOTTKY CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR". Modern Physics Letters B 26, n.º 15 (17 de mayo de 2012): 1250096. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984912500960.
Texto completoAbdul-Kadir, Firas Natheer, Yasir Hashim, Muhammad Nazmus Shakib y Faris Hassan Taha. "Electrical characterization of si nanowire GAA-TFET based on dimensions downscaling". International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 11, n.º 1 (1 de febrero de 2021): 780. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v11i1.pp780-787.
Texto completoPeng-Fei Guo, Li-Tao Yang, Yue Yang, Lu Fan, Gen-Quan Han, G. S. Samudra y Yee-Chia Yeo. "Tunneling Field-Effect Transistor: Effect of Strain and Temperature on Tunneling Current". IEEE Electron Device Letters 30, n.º 9 (septiembre de 2009): 981–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2026296.
Texto completoKim, Hyun Woo y Daewoong Kwon. "Analysis on Tunnel Field-Effect Transistor with Asymmetric Spacer". Applied Sciences 10, n.º 9 (27 de abril de 2020): 3054. http://dx.doi.org/10.3390/app10093054.
Texto completoPang, Chin-Sheng, Shu-Jen Han y Zhihong Chen. "Steep slope carbon nanotube tunneling field-effect transistor". Carbon 180 (agosto de 2021): 237–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2021.03.068.
Texto completoCherik, Iman Chahardah y Saeed Mohammadi. "Double quantum-well nanotube tunneling field-effect transistor". Materials Science in Semiconductor Processing 142 (mayo de 2022): 106514. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106514.
Texto completoTucker, J. R., Chinlee Wang y P. Scott Carney. "Silicon field‐effect transistor based on quantum tunneling". Applied Physics Letters 65, n.º 5 (agosto de 1994): 618–20. http://dx.doi.org/10.1063/1.112250.
Texto completoKim, Hyun Woo, Sihyun Kim, Kitae Lee, Junil Lee, Byung-Gook Park y Daewoong Kwon. "Demonstration of Tunneling Field-Effect Transistor Ternary Inverter". IEEE Transactions on Electron Devices 67, n.º 10 (octubre de 2020): 4541–44. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2020.3017186.
Texto completoYue Yang, Xin Tong, Li-Tao Yang, Peng-Fei Guo, Lu Fan y Yee-Chia Yeo. "Tunneling Field-Effect Transistor: Capacitance Components and Modeling". IEEE Electron Device Letters 31, n.º 7 (julio de 2010): 752–54. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2047240.
Texto completoWang, Ying, Wen-hao Zhang, Cheng-hao Yu y Fei Cao. "Sandwich double gate vertical tunneling field-effect transistor". Superlattices and Microstructures 93 (mayo de 2016): 138–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2016.03.026.
Texto completoRobbins, Matthew C., Prafful Golani y Steven J. Koester. "Right-Angle Black Phosphorus Tunneling Field Effect Transistor". IEEE Electron Device Letters 40, n.º 12 (diciembre de 2019): 1988–91. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2946763.
Texto completoYan, Xiao, Chunsen Liu, Chao Li, Wenzhong Bao, Shijin Ding, David Wei Zhang y Peng Zhou. "Tunable SnSe2 /WSe2 Heterostructure Tunneling Field Effect Transistor". Small 13, n.º 34 (17 de julio de 2017): 1701478. http://dx.doi.org/10.1002/smll.201701478.
Texto completoGuo, P., Y. Yang, Y. Cheng, G. Han, C. K. Chia y Y. C. Yeo. "Tunneling Field-Effect Transistor (TFET) with Novel Ge/In0.53Ga0.47As Tunneling Junction". ECS Transactions 50, n.º 9 (15 de marzo de 2013): 971–78. http://dx.doi.org/10.1149/05009.0971ecst.
Texto completoGuo, Pengfei, Yue Yang, Yuanbing Cheng, Genquan Han, Jisheng Pan, Ivana, Zheng Zhang et al. "Tunneling field-effect transistor with Ge/In0.53Ga0.47As heterostructure as tunneling junction". Journal of Applied Physics 113, n.º 9 (7 de marzo de 2013): 094502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4794010.
Texto completoHan, Tao, Hongxia Liu, Shupeng Chen, Shulong Wang y Wei Li. "A Doping-Less Tunnel Field-Effect Transistor with Si0.6Ge0.4 Heterojunction for the Improvement of the On–Off Current Ratio and Analog/RF Performance". Electronics 8, n.º 5 (24 de mayo de 2019): 574. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8050574.
Texto completoMangel, Shai, Maxim Skripnik, Katharina Polyudov, Christian Dette, Tobias Wollandt, Paul Punke, Dongzhe Li et al. "Electric-field control of single-molecule tautomerization". Physical Chemistry Chemical Physics 22, n.º 11 (2020): 6370–75. http://dx.doi.org/10.1039/c9cp06868f.
Texto completoGupta, Abhinav y Sneh Saurabh. "Novel attributes of a dual pocket tunnel field-effect transistor". Japanese Journal of Applied Physics 61, n.º 3 (18 de febrero de 2022): 035001. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac3722.
Texto completoNajam, Faraz y Yun Seop Yu. "Compact Trap-Assisted-Tunneling Model for Line Tunneling Field-Effect-Transistor Devices". Applied Sciences 10, n.º 13 (28 de junio de 2020): 4475. http://dx.doi.org/10.3390/app10134475.
Texto completoWan, J., C. Le Royer, A. Zaslavsky y S. Cristoloveanu. "A tunneling field effect transistor model combining interband tunneling with channel transport". Journal of Applied Physics 110, n.º 10 (15 de noviembre de 2011): 104503. http://dx.doi.org/10.1063/1.3658871.
Texto completoVinter, B. y A. Tardella. "Tunneling transfer field‐effect transistor: A negative transconductance device". Applied Physics Letters 50, n.º 7 (16 de febrero de 1987): 410–12. http://dx.doi.org/10.1063/1.98186.
Texto completoDubey, Prabhat Kumar y Brajesh Kumar Kaushik. "T-Shaped III-V Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 64, n.º 8 (agosto de 2017): 3120–25. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2715853.
Texto completoBritnell, L., R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou et al. "Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures". Science 335, n.º 6071 (2 de febrero de 2012): 947–50. http://dx.doi.org/10.1126/science.1218461.
Texto completoChen, J., C. H. Yang y R. A. Wilson. "Modeling of a new field‐effect resonant tunneling transistor". Journal of Applied Physics 71, n.º 3 (febrero de 1992): 1537–39. http://dx.doi.org/10.1063/1.351226.
Texto completoTakagi, Shinichi, Kimihiko Kato y Mitsuru Takenaka. "Group IV Based Bi-Layer Tunneling Field Effect Transistor". ECS Transactions 93, n.º 1 (22 de octubre de 2019): 23–27. http://dx.doi.org/10.1149/09301.0023ecst.
Texto completoZhao, Pei, Randall M. Feenstra, Gong Gu y Debdeep Jena. "SymFET: A Proposed Symmetric Graphene Tunneling Field-Effect Transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 60, n.º 3 (marzo de 2013): 951–57. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2238238.
Texto completoRyzhii, Victor, Maxim Ryzhii y Taiichi Otsuji. "Tunneling Current–Voltage Characteristics of Graphene Field-Effect Transistor". Applied Physics Express 1, n.º 1 (28 de diciembre de 2007): 013001. http://dx.doi.org/10.1143/apex.1.013001.
Texto completoAgarwal, Sapan, James T. Teherani, Judy L. Hoyt, Dimitri A. Antoniadis y Eli Yablonovitch. "Engineering the Electron–Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 61, n.º 5 (mayo de 2014): 1599–606. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2014.2312939.
Texto completoCho, Min Su, Ra Hee Kwon, Jae Hwa Seo, Young Jun Yoon, Young In Jang, Chul-Ho Won, Jeong-Gil Kim et al. "Electrical Performances of InN/GaN Tunneling Field-Effect Transistor". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 17, n.º 11 (1 de noviembre de 2017): 8355–59. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2017.15134.
Texto completoSalimian, Faranak y Daryoosh Dideban. "A resonant tunneling field effect transistor utilizing silicene nanoribbon". AEU - International Journal of Electronics and Communications 110 (octubre de 2019): 152841. http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2019.152841.
Texto completoLan, Yann-Wen, Carlos M. Torres, Shin-Hung Tsai, Xiaodan Zhu, Yumeng Shi, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Wen-Kuan Yeh y Kang L. Wang. "Atomic-Monolayer MoS2Band-to-Band Tunneling Field-Effect Transistor". Small 12, n.º 41 (4 de septiembre de 2016): 5676–83. http://dx.doi.org/10.1002/smll.201601310.
Texto completoSong, Hyun-Dong, Hyeong-Sub Song, Sunil Babu Eadi, Hyun-Woong Choi, Ga-Won Lee y Hi-Deok Lee. "Temperature Dependence of Low Frequency Noise in Silicon on Insulator Tunneling Field Effect Transistor". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, n.º 8 (1 de agosto de 2020): 4699–703. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.17796.
Texto completoJuang, M. H., Y. S. Peng, J. L. Wang, D. C. Shye, C. C. Hwang y S. L. Jang. "Submicron-meter polycrystalline-SiGe thin-film transistors with tunneling field-effect-transistor structure". Solid-State Electronics 54, n.º 12 (diciembre de 2010): 1686–89. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2010.08.009.
Texto completoJuang, Miin-Horng, P. S. Hu y S. L. Jang. "Formation of polycrystalline-Si thin-film transistors with tunneling field-effect-transistor structure". Thin Solid Films 518, n.º 14 (mayo de 2010): 3978–81. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.11.017.
Texto completoNajam, Faraz y Yun Seop Yu. "Compact Model for L-Shaped Tunnel Field-Effect Transistor Including the 2D Region". Applied Sciences 9, n.º 18 (6 de septiembre de 2019): 3716. http://dx.doi.org/10.3390/app9183716.
Texto completoSharma, Awanit y Shyam Akashe. "Analyze the Tunneling Effect on Gate-All-Around Field Effect Transistor". International Journal of Advanced Science and Technology 63 (28 de febrero de 2014): 9–22. http://dx.doi.org/10.14257/ijast.2014.63.02.
Texto completoDuan, Xiaoling, Jincheng Zhang, Jiabo Chen, Tao Zhang, Jiaduo Zhu, Zhiyu Lin y Yue Hao. "High Performance Drain Engineered InGaN Heterostructure Tunnel Field Effect Transistor". Micromachines 10, n.º 1 (21 de enero de 2019): 75. http://dx.doi.org/10.3390/mi10010075.
Texto completoHernandez, N., M. Cahay, J. Ludwick, T. Back, H. Hall y J. O’Mara. "Physics based model of an AlGaN/GaN vacuum field effect transistor". Journal of Vacuum Science & Technology B 40, n.º 5 (septiembre de 2022): 053201. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001959.
Texto completoHong, Jungmin, Jaewoong Park, Jeawon Lee, Jeonghun Ham, Kiron Park y Jongwook Jeon. "Alpha Particle Effect on Multi-Nanosheet Tunneling Field-Effect Transistor at 3-nm Technology Node". Micromachines 10, n.º 12 (4 de diciembre de 2019): 847. http://dx.doi.org/10.3390/mi10120847.
Texto completoWoodward, T. K., T. C. McGill, R. D. Burnham y H. F. Chung. "Resonant tunneling field-effect transistors". Superlattices and Microstructures 4, n.º 1 (enero de 1988): 1–9. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(88)90257-1.
Texto completoKim, HuiJung, Seongwook Choi, NakWon Yoo, SeungMan Rhee, Myoung Jin Lee y Young June Park. "Analysis of a modified recessed active tunneling field-effect transistor". Japanese Journal of Applied Physics 55, n.º 7 (9 de junio de 2016): 074201. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.074201.
Texto completoYUN WOO, Sung, Young JUN YOON, Jae HWA SEO, Gwan MIN YOO, Seongjae CHO y In MAN KANG. "InGaAs/Si Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistor on Silicon Substrate". IEICE Transactions on Electronics E97.C, n.º 7 (2014): 677–82. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e97.c.677.
Texto completoGundapaneni, Suresh, Aranya Goswami, Oves Badami, Ramya Cuduvally, Aniruddha Konar, Mohit Bajaj y Kota V. R. M. Murali. "Tunneling-triggered bipolar action in junctionless tunnel field-effect transistor". Applied Physics Express 7, n.º 12 (1 de diciembre de 2014): 124302. http://dx.doi.org/10.7567/apex.7.124302.
Texto completoBala Kumar, S., Gyungseon Seol y Jing Guo. "Modeling of a vertical tunneling graphene heterojunction field-effect transistor". Applied Physics Letters 101, n.º 3 (16 de julio de 2012): 033503. http://dx.doi.org/10.1063/1.4737394.
Texto completoKim, K. R., D. H. Kim, K. W. Song, G. Baek, H. H. Kim, J. I. Huh, J. D. Lee y B. G. Park. "Silicon-Based Field-Induced Band-to-Band Tunneling Effect Transistor". IEEE Electron Device Letters 25, n.º 6 (junio de 2004): 439–41. http://dx.doi.org/10.1109/led.2004.829668.
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