Artículos de revistas sobre el tema "Transistors"
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Vukic, Vladimir y Predrag Osmokrovic. "Power lateral pnp transistor operating with high current density in irradiated voltage regulator". Nuclear Technology and Radiation Protection 28, n.º 2 (2013): 146–57. http://dx.doi.org/10.2298/ntrp1302146v.
Texto completoKnyaginin, D. A., E. A. Kulchenkov, S. B. Rybalka y A. A. Demidov. "Study of characteristics of n-p-n type bipolar power transistor in small-sized metalpolymeric package type SOT-89". Journal of Physics: Conference Series 2086, n.º 1 (1 de diciembre de 2021): 012057. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012057.
Texto completoHorng. "Thin Film Transistor". Crystals 9, n.º 8 (9 de agosto de 2019): 415. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9080415.
Texto completoBLALOCK, BENJAMIN J., SORIN CRISTOLOVEANU, BRIAN M. DUFRENE, F. ALLIBERT y MOHAMMAD M. MOJARRADI. "THE MULTIPLE-GATE MOS-JFET TRANSISTOR". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, n.º 02 (junio de 2002): 511–20. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001423.
Texto completoArunabala, Dr C. "Design of a 4 bit Arithmetic and Logical unit with Low Power and High Speed". International Journal of Innovative Technology and Exploring Engineering 10, n.º 5 (30 de marzo de 2021): 87–92. http://dx.doi.org/10.35940/ijitee.e8660.0310521.
Texto completoTappertzhofen, S., L. Nielen, I. Valov y R. Waser. "Memristively programmable transistors". Nanotechnology 33, n.º 4 (5 de noviembre de 2021): 045203. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac317f.
Texto completoXie, Fangqing, Maryna N. Kavalenka, Moritz Röger, Daniel Albrecht, Hendrik Hölscher, Jürgen Leuthold y Thomas Schimmel. "Copper atomic-scale transistors". Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (1 de marzo de 2017): 530–38. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.57.
Texto completoYarmukhamedov, A., A. Zhabborov y B. Turimbetov. "EXPERIMENTAL RESEARCH AND COMPUTER SIMULATION OF MULTI-CASCADE COMPOSITE TRANSISTORS FOR STABILIZING THE OPERATING MODE OF OUTPUT CASCADES OF RADIO ENGINEERING DEVICES". Technical science and innovation 2019, n.º 1 (11 de junio de 2019): 33–42. http://dx.doi.org/10.51346/tstu-01.18.2.-77-0009.
Texto completoHebali, Mourad, Menaouer Bennaoum, Mohammed Berka, Abdelkader Baghdad Bey, Mohammed Benzohra, Djilali Chalabi y Abdelkader Saidane. "A high electrical performance of DG-MOSFET transistors in 4H-SiC and 6H-SiC 130 nm technology by BSIM3v3 model". Journal of Electrical Engineering 70, n.º 2 (1 de abril de 2019): 145–51. http://dx.doi.org/10.2478/jee-2019-0021.
Texto completoBalti, M., D. Pasquet y A. Samet. "PROPAGATION EFFECTS ON Z PARAMETERS IN AN FET EQUIVALENT CIRCUIT". SYNCHROINFO JOURNAL 7, n.º 5 (2021): 21–25. http://dx.doi.org/10.36724/2664-066x-2021-7-5-21-25.
Texto completoChoi, Woo Young. "Negative Capacitance Vacuum Channel Transistors for Low Operating Voltage". Micromachines 11, n.º 6 (27 de mayo de 2020): 543. http://dx.doi.org/10.3390/mi11060543.
Texto completoLin, Jinhan. "Advancement and Challenges of Field Effect Transistors based on Multi-gate Transistor". Journal of Physics: Conference Series 2370, n.º 1 (1 de noviembre de 2022): 012004. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2370/1/012004.
Texto completoBogatyrev, Yu V., D. A. Aharodnikau, S. B. Lastovsky, A. V. Ket’ko, M. M. Krechko, S. V. Shpakovsky, P. V. Rubanov, G. A. Protopopov y P. A. Chubunov. "Influence of ionizing radiation on the parameters of p-channel MOS transistors". Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series 67, n.º 4 (2 de enero de 2023): 402–8. http://dx.doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-4-402-408.
Texto completoCunţan, C. D., I. Baciu y M. Osaci. "Study of MOS and IGBT transistors at switching with variable duty cycle". Journal of Physics: Conference Series 2714, n.º 1 (1 de febrero de 2024): 012010. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2714/1/012010.
Texto completoMaftunzada, S. A. L. "The Structure and Working Principle of a Bipolar Junction Transistor (BJT)". Physical Science International Journal 26, n.º 11-12 (31 de diciembre de 2022): 35–39. http://dx.doi.org/10.9734/psij/2022/v26i11-12772.
Texto completoDallaire, Nicholas J., Samantha Brixi, Martin Claus, Stefan Blawid y Benoît H. Lessard. "Benchmarking contact quality in N-type organic thin film transistors through an improved virtual-source emission-diffusion model". Applied Physics Reviews 9, n.º 1 (marzo de 2022): 011418. http://dx.doi.org/10.1063/5.0078907.
Texto completoKumrey, G. R. y S. K. Mahobia. "STUDY AND PERFORMANCE TESTING OF TRANSISTOR WITH COMMON EMITTER AMPLIFIER CIRCUIT". International Journal of Research -GRANTHAALAYAH 4, n.º 8 (31 de agosto de 2016): 100–103. http://dx.doi.org/10.29121/granthaalayah.v4.i8.2016.2567.
Texto completoLiou, Juin J. y Frank Schwierz. "Evolution and recent advances in RF/microwave transistors". Journal of Telecommunications and Information Technology, n.º 1 (30 de marzo de 2004): 99–105. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2004.1.224.
Texto completoHassinen, Tomi, Ari Alastalo, Kim Eiroma, Tiia-Maria Tenhunen, Vesa Kunnari, Timo Kaljunen, Ulla Forsström y Tekla Tammelin. "All-Printed Transistors on Nano Cellulose Substrate". MRS Advances 1, n.º 10 (28 de diciembre de 2015): 645–50. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2015.31.
Texto completoAhmed Mohammede, Arsen, Zaidoon Khalaf Mahmood y Hüseyin Demirel. "Study of finfet transistor: critical and literature review in finfet transistor in the active filter". 3C TIC: Cuadernos de desarrollo aplicados a las TIC 12, n.º 1 (31 de marzo de 2023): 65–81. http://dx.doi.org/10.17993/3ctic.2023.121.65-81.
Texto completoSergeev, Vyacheslav A., Alexander M. Hodakov, Ilya V. Frolov y Alexander A. Kazankov. "Current distribution in comb structures of bipolar and heterobipolar microwave transistors taking into account the metallization tracks resistance". Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies. 16, n.º 3 (19 de mayo de 2024): 317–24. http://dx.doi.org/10.17725/j.rensit.2024.16.317.
Texto completoHashim, Yasir y Othman Sidek. "Dimensional Effect on DIBL in Silicon Nanowire Transistors". Advanced Materials Research 626 (diciembre de 2012): 190–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.626.190.
Texto completoKapen, Tilegen Abaiuly. "INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR". Chronos 7, n.º 8(70) (13 de octubre de 2022): 32–35. http://dx.doi.org/10.52013/2658-7556-70-8-12.
Texto completoMondzik, Andrzej. "T-NPC Soft-Commutated Inverter Based on Reverse Blocking IGBTs with the Novel Concept of a DESAT Control Circuit in the Gate Driver". Energies 16, n.º 12 (11 de junio de 2023): 4642. http://dx.doi.org/10.3390/en16124642.
Texto completoNowbahari, Arian, Avisek Roy y Luca Marchetti. "Junctionless Transistors: State-of-the-Art". Electronics 9, n.º 7 (19 de julio de 2020): 1174. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9071174.
Texto completoPark, ChangMin, SeHan Lee, MinSu Choi, MyungGil Kang, YoungChai Jung, SungWoo Hwang, Doyeol Ahn, JungHyeon Lee y ChangRyong Song. "Fabrication of Poly-Silicon Nano-Wire Transistors on Plastic Substrates". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, n.º 11 (1 de noviembre de 2007): 4150–53. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.015.
Texto completoPark, ChangMin, SeHan Lee, MinSu Choi, MyungGil Kang, YoungChai Jung, SungWoo Hwang, Doyeol Ahn, JungHyeon Lee y ChangRyong Song. "Fabrication of Poly-Silicon Nano-Wire Transistors on Plastic Substrates". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, n.º 11 (1 de noviembre de 2007): 4150–53. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.18093.
Texto completoHanko, Branislav, Michal Frivaldsky y Jan Morgos. "Evaluation of the Efficiency Performance of 3-Phase, 6-Switch PFC Circuit Based on the Used 1.2 kV SiC Transistor". Electronics 11, n.º 3 (25 de enero de 2022): 363. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11030363.
Texto completoSuman, Dr J. V. y Nekkali Ramya. "Harnessing Tunnel Field-Effect Transistors for Boolean Function Implementation". INTERANTIONAL JOURNAL OF SCIENTIFIC RESEARCH IN ENGINEERING AND MANAGEMENT 07, n.º 12 (30 de diciembre de 2023): 1–13. http://dx.doi.org/10.55041/ijsrem27821.
Texto completoAgha, Firas, Yasir Naif y Mohammed Shakib. "Review of Nanosheet Transistors Technology". Tikrit Journal of Engineering Sciences 28, n.º 1 (20 de mayo de 2021): 40–48. http://dx.doi.org/10.25130/tjes.28.1.05.
Texto completoHähnlein, Bernd, Benjamin Händel, Frank Schwierz y Jörg Pezoldt. "Properties of Graphene Side Gate Transistors". Materials Science Forum 740-742 (enero de 2013): 1028–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.1028.
Texto completoQi, Cheng, Yaswanth Rangineni, Gary Goncher, Raj Solanki, Kurt Langworthy y Jay Jordan. "SiGe Nanowire Field Effect Transistors". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, n.º 1 (1 de enero de 2008): 457–60. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.083.
Texto completoBurg, David y Jesse H. Ausubel. "Moore’s Law revisited through Intel chip density". PLOS ONE 16, n.º 8 (18 de agosto de 2021): e0256245. http://dx.doi.org/10.1371/journal.pone.0256245.
Texto completoHasan, Ghanim Thiab, Ali Hlal Mutlaq y Kamil Jadu Ali. "Comparative evaluation of SiC/GaN “MOSFET” transistors under different switching conditions". Bulletin of Electrical Engineering and Informatics 11, n.º 2 (1 de abril de 2022): 681–90. http://dx.doi.org/10.11591/eei.v11i2.3445.
Texto completoWang, Yao, Yuedan Wang, Rufeng Zhu y Dong Wang. "Research progress of fibre-based organic electrochemical transistors". Wearable Technology 2, n.º 2 (16 de junio de 2022): 67. http://dx.doi.org/10.54517/wt.v2i2.1650.
Texto completoGadgiev, H. M., Sh T. Ismailova y P. A. Kurbanova. "Kurbanova. Design of energy-efficient high-speed computer equipment based on cost-effective light transistors". Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences 47, n.º 4 (21 de enero de 2021): 20–26. http://dx.doi.org/10.21822/2073-6185-2020-47-4-20-26.
Texto completoАндреев, А. А., Ю. В. Грищенко, И. C. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных y М. Л. Занавескин. "Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния". Письма в журнал технической физики 45, n.º 4 (2019): 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.04.47340.17567.
Texto completoHolloway, Peter R. ""One Transistor, Two Transistors, Three"". IEEE Solid-State Circuits Magazine 5, n.º 3 (2013): 21–28. http://dx.doi.org/10.1109/mssc.2013.2266056.
Texto completoZanchin, Vinicius Ramos, Marco Roberto Cavallari y Fernando Josepetti Fonseca. "Stability of Polythiophene-Based Transistors upon Bending for Gas Sensing Applications". Journal of Integrated Circuits and Systems 16, n.º 1 (22 de febrero de 2021): 1–6. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v16i1.161.
Texto completoТарасова, Е. А., С. В. Оболенский, C. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов y А. С. Пузанов. "Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм". Физика и техника полупроводников 54, n.º 9 (2020): 968. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.09.49841.35.
Texto completoSaman, Bander, P. Gogna, El-Sayed Hasaneen, J. Chandy, E. Heller y F. C. Jain. "Spatial Wavefunction Switched (SWS) FET SRAM Circuits and Simulation". International Journal of High Speed Electronics and Systems 26, n.º 03 (27 de junio de 2017): 1740009. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156417400092.
Texto completoJurnal, Redaksi Tim. "PERANCANGAN RANGKAIAN PENGUAT DAYA DENGAN TRANSISTOR". Sutet 7, n.º 2 (27 de noviembre de 2018): 88–92. http://dx.doi.org/10.33322/sutet.v7i2.81.
Texto completoLitvinov, Nikolay, Maksim Solodilov, Aleksey Plotnikov, Sergey Vital'evich Stoyanov, Artem Lapshin y Roman Ryazancev. "Simulation of the behavior of field-effect transistors when exposed to radiation". Modeling of systems and processes 15, n.º 3 (5 de octubre de 2022): 24–34. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2022-15-3-24-34.
Texto completoZhang, Jiawei, Joshua Wilson, Gregory Auton, Yiming Wang, Mingsheng Xu, Qian Xin y Aimin Song. "Extremely high-gain source-gated transistors". Proceedings of the National Academy of Sciences 116, n.º 11 (25 de febrero de 2019): 4843–48. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.1820756116.
Texto completoNerubatskyi, Volodymyr Pavlovych, Olexandr Andrievych Plakhtii, Denys Anatoliiovych Hordiienko, Hryhorii Anatoliiovych Khoruzhevskyi y Maryna Vitaliyivna Philipjeva. "RESEARCH THE ACCURACY OF MODELING POWER LOSSES IN POWER DIODES AND TRANSISTORS". Collection of Scientific Works of the Ukrainian State University of Railway Transport, n.º 203 (27 de marzo de 2023): 73–87. http://dx.doi.org/10.18664/1994-7852.203.2023.277905.
Texto completoXu, Wei, Jingxin Wang, Simin Cheng y Xiaomin Xu. "Flexible organic transistors for neural activity recording". Applied Physics Reviews 9, n.º 3 (septiembre de 2022): 031308. http://dx.doi.org/10.1063/5.0102401.
Texto completoNovosyadlyy, S. P. y A. M. Bosats'kyy. "Graded-Gap TechnologyFormattingof High-Speed GaAs – TransistorStructuresastheBasisforModern of Large Integrated Circuits". Фізика і хімія твердого тіла 16, n.º 1 (15 de marzo de 2015): 221–29. http://dx.doi.org/10.15330/pcss.16.1.221-229.
Texto completoBrtník, Bohumil. "Assembling a Formula for Current Transferring by Using a Summary Graph and Transformation Graphs". Journal of Electrical Engineering 64, n.º 5 (1 de septiembre de 2013): 334–36. http://dx.doi.org/10.2478/jee-2013-0050.
Texto completoMarkolenko, Pavlo, Lidia Vikulina, Ivan Vikulin y Oleksandr Nazarenko. "Thermosensitive generators based on single-junction and field-effect transistors". Bulletin of the National Technical University «KhPI» Series: Dynamics and Strength of Machines, n.º 1 (21 de diciembre de 2023): 71–74. http://dx.doi.org/10.20998/2078-9130.2023.1.274466.
Texto completoXu, Hui y Guo Rui Wu. "Experimental Measurement and Analysis of Pulse Transmission Source of GPR". Advanced Materials Research 503-504 (abril de 2012): 1365–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.503-504.1365.
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