Artículos de revistas sobre el tema "Technologie III-V"
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Perret, C., C. Lallement y A. Belleville. "Le Moulinet d'hydrométrie à axe horizontal à travers l'expérience française. Quel avenir pour cette technique ?" La Houille Blanche, n.º 5-6 (octubre de 2018): 75–86. http://dx.doi.org/10.1051/lhb/2018054.
Texto completoČULÍK, J., V. KELLNER, B. ŠPINAR, J. PROKEŠ y G. BASAŘOVÁ. "Volatile N-nitrosamines in malt. III. Effect of barley germination on the formation of natural precursors of N-nitrosodimethylamine in green malt and final malt." Kvasny Prumysl 36, n.º 6 (1 de junio de 1990): 162–65. http://dx.doi.org/10.18832/kp1990020.
Texto completoKawanami, H. "Heteroepitaxial technologies of III–V on Si". Solar Energy Materials and Solar Cells 66, n.º 1-4 (febrero de 2001): 479–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(00)00209-9.
Texto completoDutta, Nlloy K. "III-V Device Technologies for Lightwave Applications". AT&T Technical Journal 68, n.º 1 (2 de enero de 1989): 5–18. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00642.x.
Texto completoShah, Nitin J. y Shin-Shem Pei. "III-V Device Technologies for Electronic Applications". AT&T Technical Journal 68, n.º 1 (2 de enero de 1989): 19–28. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00643.x.
Texto completoTakagi, S., R. Zhang, S. H. Kim, M. Yokoyama y M. Takenaka. "(Invited) Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs". ECS Transactions 58, n.º 9 (31 de agosto de 2013): 137–48. http://dx.doi.org/10.1149/05809.0137ecst.
Texto completoHeinecke, Harald y Eberhard Veuhoff. "Evaluation of III–V growth technologies for optoelectronic applications". Materials Science and Engineering: B 21, n.º 2-3 (noviembre de 1993): 120–29. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90334-j.
Texto completoRaj, Vidur, Tuomas Haggren, Wei Wen Wong, Hark Hoe Tan y Chennupati Jagadish. "Topical review: pathways toward cost-effective single-junction III–V solar cells". Journal of Physics D: Applied Physics 55, n.º 14 (3 de diciembre de 2021): 143002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3aa9.
Texto completoCaimi, D., H. Schmid, T. Morf, P. Mueller, M. Sousa, K. E. Moselund y C. B. Zota. "III-V-on-Si transistor technologies: Performance boosters and integration". Solid-State Electronics 185 (noviembre de 2021): 108077. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108077.
Texto completoTakagi, S., M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi y M. Takenaka. "(Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials". ECS Transactions 69, n.º 10 (2 de octubre de 2015): 99–108. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0099ecst.
Texto completoTakagi, S. y M. Takenaka. "(Invited) III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI". ECS Transactions 54, n.º 1 (28 de junio de 2013): 39–54. http://dx.doi.org/10.1149/05401.0039ecst.
Texto completoTomioka, Katsuhiro, Hironori Gamo y Junichi Motohisa. "(Invited) Vertical Tunnel FET Technologies Using III-V/Si Heterojunction". ECS Transactions 92, n.º 4 (3 de julio de 2019): 71–78. http://dx.doi.org/10.1149/09204.0071ecst.
Texto completoNedelcu, Alexandru, Cyrille Bonvalot, Rachid Taalat, Jérôme Fantini, Thierry Colin, Philippe Muller, Odile Huet et al. "III-V detector technologies at Sofradir: Dealing with image quality". Infrared Physics & Technology 94 (noviembre de 2018): 273–79. http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2018.09.027.
Texto completoTongesayi, Tsanangurayi y Ronald B. Smart. "Arsenic Speciation: Reduction of Arsenic(V) to Arsenic(III) by Fulvic Acid". Environmental Chemistry 3, n.º 2 (2006): 137. http://dx.doi.org/10.1071/en05095.
Texto completoCHANG, M. F. y P. M. ASBECK. "III-V HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS FOR HIGH-SPEED APPLICATIONS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 01, n.º 03n04 (septiembre de 1990): 245–301. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156490000137.
Texto completoTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Junkyo Suh, Sang-Hyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Koichi Nishi y Mitsuru Takenaka. "III–V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 6S1 (7 de mayo de 2015): 06FA01. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.06fa01.
Texto completoKAMIMURA, Ryuichiro y Kanji FURUTA. "Dry Etching Technologies of Optical Device and III-V Compound Semiconductors". IEICE Transactions on Electronics E100.C, n.º 2 (2017): 150–55. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e100.c.150.
Texto completoTakagi, S., C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, J. H. Han y M. Takenaka. "(Invited) MOS Interface Control Technologies for Advanced III-V/ Ge Devices". ECS Transactions 69, n.º 5 (2 de octubre de 2015): 37–51. http://dx.doi.org/10.1149/06905.0037ecst.
Texto completoTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Takuya Hoshii, Noriyuki Taoka y Mitsuru Takenaka. "(Invited) MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs". ECS Transactions 41, n.º 3 (16 de diciembre de 2019): 3–20. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633015.
Texto completoTakagi, Shinichi, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Rui Zhang y Mitsuru Takenaka. "(Invited) Device and Integration Technologies of III-V/Ge Channel CMOS". ECS Transactions 41, n.º 7 (16 de diciembre de 2019): 203–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633300.
Texto completoTakagi, Shinichi, Dae-Hwan Ahn, Munetaka Noguchi, Sanghee Yoon, Takahiro Gotow, Koichi Nishi, Minsoo Kim et al. "(Invited) Low Power Tunneling FET Technologies Using Ge/III-V Materials". ECS Transactions 80, n.º 4 (1 de agosto de 2017): 115–24. http://dx.doi.org/10.1149/08004.0115ecst.
Texto completoTakagi, S., M. Noguchi, M. Kim, S. H. Kim, C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke y M. Takenaka. "III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems". Solid-State Electronics 125 (noviembre de 2016): 82–102. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.07.002.
Texto completoHeyns, Marc M., Marc M. Meuris y Matty R. Caymax. "Ge and III/V as Enabling Materials for Future CMOS Technologies". ECS Transactions 3, n.º 7 (21 de diciembre de 2019): 511–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.2355848.
Texto completoDautremont-Smith, William C., R. J. McCoy, Randolph H. Burton y Albert G. Baca. "Fabrication Technologies for III-V Compound Semiconductor Photonic and Electronic Devices". AT&T Technical Journal 68, n.º 1 (2 de enero de 1989): 64–82. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00647.x.
Texto completoZeng, Cong, Donghui Fu, Yunjiang Jin y Yu Han. "Recent Progress in III–V Photodetectors Grown on Silicon". Photonics 10, n.º 5 (14 de mayo de 2023): 573. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10050573.
Texto completoKühn, G. "Landolt-Börnstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, Neue Serie, Gruppe III: Kristall- und Festkörperphysik Bd. 17: Halbleiter, Teilband d: Technologie von III—V, II—VI und nicht-tetraedrisch gebundenen Verbindungen. Herausgegeben von M. Schulz und H. Weiss. Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo, 429 Seiten, 446 Abbildungen, zahlreiche Tabellen und Literaturzitate. Preis: DM 750.00. ISBN 3–540–11779–2". Crystal Research and Technology 20, n.º 7 (julio de 1985): 898. http://dx.doi.org/10.1002/crat.2170200705.
Texto completoSimon, John, Kevin Schulte, Kelsey Horowitz, Timothy Remo, David Young y Aaron Ptak. "III-V-Based Optoelectronics with Low-Cost Dynamic Hydride Vapor Phase Epitaxy". Crystals 9, n.º 1 (20 de diciembre de 2018): 3. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9010003.
Texto completoLan, Luis E., Fernando D. Reina, Graciela E. De Seta, Jorge M. Meichtry y Marta I. Litter. "Comparison between Different Technologies (Zerovalent Iron, Coagulation-Flocculation, Adsorption) for Arsenic Treatment at High Concentrations". Water 15, n.º 8 (11 de abril de 2023): 1481. http://dx.doi.org/10.3390/w15081481.
Texto completoAkram, Sabahat, Hajra Faraqat y Saadia Bano Hashmi. "Examining the Impact of Information and Communication Technologies on Female Economic Participation in Pakistan". Global Economics Review V, n.º III (30 de septiembre de 2020): 118–30. http://dx.doi.org/10.31703/ger.2020(v-iii).11.
Texto completoTakagi, S., M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Zhang, R. Suzuki, N. Taoka y M. Takenaka. "(Invited) III-V/Ge CMOS Device Technologies for High Performance Logic Applications". ECS Transactions 53, n.º 3 (2 de mayo de 2013): 85–96. http://dx.doi.org/10.1149/05303.0085ecst.
Texto completoZhao, Lixia. "Studies of III-V Semiconductor Materials and Devices Using Different Analytical Technologies". Journal of Surface Analysis 26, n.º 2 (2019): 136–37. http://dx.doi.org/10.1384/jsa.26.136.
Texto completoClaeys, C., P.-C. Hsu, L. He, Y. Mols, R. Langer, N. Waldron, G. Eneman, N. Collaert, M. Heyns y E. Simoen. "Are Extended Defects a Show Stopper for Future III-V CMOS Technologies". Journal of Physics: Conference Series 1190 (mayo de 2019): 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1190/1/012001.
Texto completoTakagi, S., S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda et al. "High mobility CMOS technologies using III–V/Ge channels on Si platform". Solid-State Electronics 88 (octubre de 2013): 2–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2013.04.020.
Texto completoKerio, Ghulam Ali, Naimatullah Keeryo y Anjum Bano Kazimi. "A Qualitative Study on Classroom Management of Undergraduate Students: A Case of Information Technologies Class". Global Regional Review V, n.º III (30 de septiembre de 2020): 91–100. http://dx.doi.org/10.31703/grr.2020(v-iii).10.
Texto completoWattoo, Rashid Minas, Muhammad Latif y Namra Munir. "Information Communication Technologies Hauling Out University Students' Effective Learning during COVID-19: A Qualitative Study". Global Social Sciences Review V, n.º III (30 de septiembre de 2020): 351–57. http://dx.doi.org/10.31703/gssr.2020(v-iii).37.
Texto completoSeo, Jung-Hun. "Editorial for the Special Issue on Wide Bandgap Semiconductor Based Micro/Nano Devices". Micromachines 10, n.º 3 (26 de marzo de 2019): 213. http://dx.doi.org/10.3390/mi10030213.
Texto completoBrennan, B., S. McDonnell, D. Zhernokletov, H. Dong, C. L. Hinkle, J. Kim y R. M. Wallace. "In Situ Studies of III-V Surfaces and High-K Atomic Layer Deposition". Solid State Phenomena 195 (diciembre de 2012): 90–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.195.90.
Texto completoDu, Yong, Buqing Xu, Guilei Wang, Yuanhao Miao, Ben Li, Zhenzhen Kong, Yan Dong, Wenwu Wang y Henry H. Radamson. "Review of Highly Mismatched III-V Heteroepitaxy Growth on (001) Silicon". Nanomaterials 12, n.º 5 (22 de febrero de 2022): 741. http://dx.doi.org/10.3390/nano12050741.
Texto completoTakenaka, Mitsuru y Shinichi Takagi. "III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics". Materials Science Forum 783-786 (mayo de 2014): 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Texto completoGAO, GUANG-BO, S. NOOR MOHAMMAND, GREGORY A. MARTIN y HADIS MORKOÇ. "FUNDAMENTALS, PERFORMANCE AND RELIABILITY OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, n.º 01 (marzo de 1995): 1–89. http://dx.doi.org/10.1142/s012915649500002x.
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Texto completoBerd, David, Takami Sato, Henry C. Maguire, John Kairys y Michael J. Mastrangelo. "Immunopharmacologic Analysis of an Autologous, Hapten-Modified Human Melanoma Vaccine". Journal of Clinical Oncology 22, n.º 3 (1 de febrero de 2004): 403–15. http://dx.doi.org/10.1200/jco.2004.06.043.
Texto completoKong, Shu Qiong, Yan Xin Wang, Cheng Wang, Li Ling Jin, Ming Liang Liu y Mei Yu. "Nanoscale Iron-Manganese Binary Oxide for As(III) Removal in Synthesized Groundwater". Applied Mechanics and Materials 319 (mayo de 2013): 209–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.319.209.
Texto completoFeng, Qi, Wenqi Wei, Bin Zhang, Hailing Wang, Jianhuan Wang, Hui Cong, Ting Wang y Jianjun Zhang. "O-Band and C/L-Band III-V Quantum Dot Lasers Monolithically Grown on Ge and Si Substrate". Applied Sciences 9, n.º 3 (23 de enero de 2019): 385. http://dx.doi.org/10.3390/app9030385.
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Texto completoNayak, Bishwajit, Md Amir Hossain, Mrinal Kumar Sengupta, Saad Ahamed, Bhaskar Das, Arup Pal y Amitava Mukherjee. "Adsorption Studies with Arsenic onto Ferric Hydroxide Gel in a Non-oxidizing Environment: the Effect of Co-occurring Solutes and Speciation". Water Quality Research Journal 41, n.º 3 (1 de agosto de 2006): 333–40. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.037.
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Texto completoBakkers, Erik P. A. M., Magnus T. Borgström y Marcel A. Verheijen. "Epitaxial Growth of III-V Nanowires on Group IV Substrates". MRS Bulletin 32, n.º 2 (febrero de 2007): 117–22. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2007.43.
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