Artículos de revistas sobre el tema "Surface Activated Bonding"
Crea una cita precisa en los estilos APA, MLA, Chicago, Harvard y otros
Consulte los 50 mejores artículos de revistas para su investigación sobre el tema "Surface Activated Bonding".
Junto a cada fuente en la lista de referencias hay un botón "Agregar a la bibliografía". Pulsa este botón, y generaremos automáticamente la referencia bibliográfica para la obra elegida en el estilo de cita que necesites: APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
También puede descargar el texto completo de la publicación académica en formato pdf y leer en línea su resumen siempre que esté disponible en los metadatos.
Explore artículos de revistas sobre una amplia variedad de disciplinas y organice su bibliografía correctamente.
Takeuchi, Kai, Junsha Wang, Beomjoon Kim, Tadatomo Suga y Eiji Higurashi. "Room temperature bonding of Au assisted by self-assembled monolayer". Applied Physics Letters 122, n.º 5 (30 de enero de 2023): 051603. http://dx.doi.org/10.1063/5.0128187.
Texto completoLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Jean-Michel Hartmann, Christophe Morales, Paul Noël, Tanguy Marion, Christophe Lecouvey, Anne-Marie Papon y Frank Fournel. "Soft Surface Activated Bonding of Hydrophobic Silicon Substrates". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, n.º 33 (22 de diciembre de 2023): 1601. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331601mtgabs.
Texto completoODA, Tomohiro, Tomoyuki ABE y Isao KUSUNOKI. "Wafer Bonding by Surface Activated Method". Shinku 49, n.º 5 (2006): 310–12. http://dx.doi.org/10.3131/jvsj.49.310.
Texto completoLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Jean-Michel Hartmann, Christophe Morales, Paul Noël, Tanguy Marion, Christophe Lecouvey, Anne-Marie Papon y Frank Fournel. "Soft Surface Activated Bonding of Hydrophobic Silicon Substrates". ECS Transactions 112, n.º 3 (29 de septiembre de 2023): 139–45. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0139ecst.
Texto completoYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu y Hongxing Wang. "Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding". Materials 15, n.º 9 (25 de abril de 2022): 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Texto completoYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu y Hongxing Wang. "Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding". Materials 15, n.º 9 (25 de abril de 2022): 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Texto completoYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu y Hongxing Wang. "Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding". Materials 15, n.º 9 (25 de abril de 2022): 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Texto completoSuga, Tadatomo, Fengwen Mu, Masahisa Fujino, Yoshikazu Takahashi, Haruo Nakazawa y Kenichi Iguchi. "Silicon carbide wafer bonding by modified surface activated bonding method". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 3 (15 de enero de 2015): 030214. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030214.
Texto completoHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi y Tadatomo Suga. "Novel hydrophilic SiO2wafer bonding using combined surface-activated bonding technique". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 3 (12 de febrero de 2015): 030218. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030218.
Texto completoSUGA, Tadatomo. "Low Temperature Bonding for 3D Integration-Surface Activated Bonding (SAB)". Hyomen Kagaku 35, n.º 5 (2014): 262–66. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.35.262.
Texto completoSuga, Tadatomo. "Low Temperature Bonding by Means of the Surface Activated Bonding Method." Materia Japan 35, n.º 5 (1996): 496–500. http://dx.doi.org/10.2320/materia.35.496.
Texto completoKim, T. H., M. M. R. Howlader, T. Itoh y T. Suga. "Room temperature Cu–Cu direct bonding using surface activated bonding method". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 21, n.º 2 (marzo de 2003): 449–53. http://dx.doi.org/10.1116/1.1537716.
Texto completoChang, Chao Cheng. "Molecular Dynamics Simulation of Aluminium Thin Film Surface Activated Bonding". Key Engineering Materials 486 (julio de 2011): 127–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.486.127.
Texto completoUTSUMI, Jun, Kensuke IDE y Yuko ICHIYANAGI. "Room Temperature Wafer Bonding by Surface Activated Method". Hyomen Kagaku 38, n.º 2 (2017): 72–76. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.38.72.
Texto completoKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav y Kurt Hingerl. "Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization". ECS Transactions 112, n.º 3 (29 de septiembre de 2023): 159–72. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0159ecst.
Texto completoHigurashi, Eiji, Yuta Sasaki, Ryuji Kurayama, Tadatomo Suga, Yasuo Doi, Yoshihiro Sawayama y Iwao Hosako. "Room-temperature direct bonding of germanium wafers by surface-activated bonding method". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 3 (22 de enero de 2015): 030213. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030213.
Texto completoHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi y Tadatomo Suga. "Combined surface-activated bonding technique for low-temperature hydrophilic direct wafer bonding". Japanese Journal of Applied Physics 55, n.º 4S (9 de marzo de 2016): 04EC02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.04ec02.
Texto completoHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi, Yinghui Wang y Tadatomo Suga. "Combined Surface Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/Dielectric Hybrid Bonding". ECS Journal of Solid State Science and Technology 5, n.º 7 (2016): P419—P424. http://dx.doi.org/10.1149/2.0201607jss.
Texto completoHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi y T. Suga. "Combined Surface-Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/SiO2 Hybrid Bonding". ECS Transactions 69, n.º 6 (2 de octubre de 2015): 79–88. http://dx.doi.org/10.1149/06906.0079ecst.
Texto completoSuga, T. "Cu-Cu Room Temperature Bonding - Current Status of Surface Activated Bonding(SAB) -". ECS Transactions 3, n.º 6 (21 de diciembre de 2019): 155–63. http://dx.doi.org/10.1149/1.2357065.
Texto completoShigetou, A., T. Itoh y T. Suga. "Direct bonding of CMP-Cu films by surface activated bonding (SAB) method". Journal of Materials Science 40, n.º 12 (junio de 2005): 3149–54. http://dx.doi.org/10.1007/s10853-005-2677-1.
Texto completoMu, Fengwen, Kenichi Iguchi, Haruo Nakazawa, Yoshikazu Takahashi, Masahisa Fujino, Ran He y Tadatomo Suga. "A comparison study: Direct wafer bonding of SiC–SiC by standard surface-activated bonding and modified surface-activated bonding with Si-containing Ar ion beam". Applied Physics Express 9, n.º 8 (13 de julio de 2016): 081302. http://dx.doi.org/10.7567/apex.9.081302.
Texto completoDanner, Matthias, Bernhard Rebhan, Péter Kerepesi y Wolfgang S. M. Werner. "Surface Activated Si-Si Wafer Bonding Using Different Ion Species". ECS Transactions 112, n.º 3 (29 de septiembre de 2023): 119–24. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0119ecst.
Texto completoDanner, Matthias, Bernhard Rebhan, Péter Kerepesi y Wolfgang S. M. Werner. "Surface Activated Si-Si Wafer Bonding Using Different Ion Species". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, n.º 33 (22 de diciembre de 2023): 1599. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331599mtgabs.
Texto completoAbadie, Karine, Quentin Lomonaco, Laurent Michaud, Frank Fournel y Christophe Morales. "(First Best Paper Award) Vacuum Quality Impact on Covalent Bonding". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, n.º 33 (22 de diciembre de 2023): 1600. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331600mtgabs.
Texto completoLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Christophe Morales, Laurent Gaëtan Michaud, Jérôme Richy, Stephane Moreau, Jean-Philippe Colonna y Frank Fournel. "Stress Engineering in Germanium-Silicon Heterostructure Using Surface Activated Hot Bonding". ECS Transactions 109, n.º 4 (30 de septiembre de 2022): 277–87. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0277ecst.
Texto completoChoowitsakunlert, Salinee, Kenji Takagiwa, Takuya Kobashigawa, Nariaki Hosoya, Rardchawadee Silapunt y Hideki Yokoi. "Fabrication Processes of SOI Structure for Optical Nonreciprocal Devices". Key Engineering Materials 777 (agosto de 2018): 107–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.777.107.
Texto completoKim, Kyung Hoon, Soon Hyung Hong, Seung Il Cha, Sung Chul Lim, Hyouk Chon Kwon y Won Kyu Yoon. "Bonding Quality of Copper-Nickel Fine Clad Metal Prepared by Surface Activated Bonding". MATERIALS TRANSACTIONS 51, n.º 4 (2010): 787–92. http://dx.doi.org/10.2320/matertrans.m2009354.
Texto completoHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi y T. Suga. "Combined Surface Activated Bonding Technique for Hydrophilic SiO2-SiO2 and Cu-Cu Bonding". ECS Transactions 75, n.º 9 (23 de septiembre de 2016): 117–28. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0117ecst.
Texto completoTakagi, H., Y. Kurashima y T. Suga. "(Invited) Surface Activated Wafer Bonding; Principle and Current Status". ECS Transactions 75, n.º 9 (23 de septiembre de 2016): 3–8. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0003ecst.
Texto completoLi, Y., S. Wang, B. Sun, H. Chang, W. Zhao, X. Zhang y H. Liu. "Room Temperature Wafer Bonding by Surface Activated ALD- Al2O3". ECS Transactions 50, n.º 7 (15 de marzo de 2013): 303–11. http://dx.doi.org/10.1149/05007.0303ecst.
Texto completoHowlader, M. M. R., H. Okada, T. H. Kim, T. Itoh y T. Suga. "Wafer Level Surface Activated Bonding Tool for MEMS Packaging". Journal of The Electrochemical Society 151, n.º 7 (2004): G461. http://dx.doi.org/10.1149/1.1758723.
Texto completoTakagi, H., K. Kikuchi, R. Maeda, T. R. Chung y T. Suga. "Surface activated bonding of silicon wafers at room temperature". Applied Physics Letters 68, n.º 16 (15 de abril de 1996): 2222–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.115865.
Texto completoHowlader, M. M. R., T. Suga, A. Takahashi, K. Saijo, S. Ozawa y K. Nanbu. "Surface activated bonding of LCP/Cu for electronic packaging". Journal of Materials Science 40, n.º 12 (junio de 2005): 3177–84. http://dx.doi.org/10.1007/s10853-005-2681-5.
Texto completoGardner, Douglas J., Jeffrey G. Ostmeyer y Thomas J. Elder. "Bonding Surface Activated Hardwood Flakeboard with Phenol-Formaldehyde Resin". Holzforschung 45, n.º 3 (enero de 1991): 215–22. http://dx.doi.org/10.1515/hfsg.1991.45.3.215.
Texto completoKim, Kyung Hoon, Sung Chul Lim y Hyouk Chon Kwon. "The Effects of Heat Treatment on the Bonding Strength of Surface-Activated Bonding (SAB)-Treated Copper-Nickel Fine Clad Metals". Materials Science Forum 654-656 (junio de 2010): 1932–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.654-656.1932.
Texto completoLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Christophe Morales, Laurent Gaëtan Michaud, Jérôme Richy, Stephane Moreau, Jean-Philippe Colonna y Frank Fournel. "Stress Engineering in Germanium-Silicon Heterostructure Using Surface Activated Hot Bonding". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1219. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321219mtgabs.
Texto completoChan, Cho X. J. y Peter N. Lipke. "Role of Force-Sensitive Amyloid-Like Interactions in Fungal Catch Bonding and Biofilms". Eukaryotic Cell 13, n.º 9 (28 de marzo de 2014): 1136–42. http://dx.doi.org/10.1128/ec.00068-14.
Texto completoKlokkevold, Katherine N., Weston Keeven, Dong Hun Lee, Michael Clevenger, Mingyuan Liu, Kwangsoo No, Han Wook Song y Sunghwan Lee. "Low-temperature metal/Zerodur heterogeneous bonding through gas-phase processed adhesion promoting interfacial layers". AIP Advances 12, n.º 10 (1 de octubre de 2022): 105224. http://dx.doi.org/10.1063/6.0002114.
Texto completoUtsumi, Jun, Kensuke Ide y Yuko Ichiyanagi. "Room temperature bonding of SiO2and SiO2by surface activated bonding method using Si ultrathin films". Japanese Journal of Applied Physics 55, n.º 2 (18 de enero de 2016): 026503. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.026503.
Texto completoTakeuchi, Kai, Masahisa Fujino, Yoshiie Matsumoto y Tadatomo Suga. "Mechanism of bonding and debonding using surface activated bonding method with Si intermediate layer". Japanese Journal of Applied Physics 57, n.º 4S (22 de marzo de 2018): 04FC11. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.57.04fc11.
Texto completoHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi y T. Suga. "Combined Surface-Activated Bonding (SAB) Technologies for New Approach to Low Temperature Wafer Bonding". ECS Transactions 64, n.º 5 (14 de agosto de 2014): 83–93. http://dx.doi.org/10.1149/06405.0083ecst.
Texto completoMatsumae, T., M. Nakano, Y. Matsumoto y T. Suga. "Room Temperature Bonding of Polymer to Glass Wafers Using Surface Activated Bonding (SAB) Method". ECS Transactions 50, n.º 7 (15 de marzo de 2013): 297–302. http://dx.doi.org/10.1149/05007.0297ecst.
Texto completoKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav y Kurt Hingerl. "Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, n.º 33 (22 de diciembre de 2023): 1603. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331603mtgabs.
Texto completoZhang, Wenting, Caorui Zhang, Junmin Wu, Fei Yang, Yunlai An, Fangjing Hu y Ji Fan. "Low Temperature Hydrophilic SiC Wafer Level Direct Bonding for Ultrahigh-Voltage Device Applications". Micromachines 12, n.º 12 (17 de diciembre de 2021): 1575. http://dx.doi.org/10.3390/mi12121575.
Texto completoAbadie, Karine, Quentin Lomonaco, Laurent Michaud, Frank Fournel y Christophe Morales. "Vacuum Quality Impact on Covalent Bonding". ECS Transactions 112, n.º 3 (29 de septiembre de 2023): 125–37. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0125ecst.
Texto completoShigekawa, Naoteru, Masashi Morimoto, Shota Nishida y Jianbo Liang. "Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells". Japanese Journal of Applied Physics 53, n.º 4S (1 de enero de 2014): 04ER05. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.53.04er05.
Texto completoSaijo, Kinji, Kazuo Yoshida, Yoshihiko Isobe, Akio Miyachi y Kazuyuki Koike. "Development of Clad Sheet Manufacturing Process by Surface Activated Bonding." Materia Japan 39, n.º 2 (2000): 172–74. http://dx.doi.org/10.2320/materia.39.172.
Texto completoMatsumae, Takashi y Tadatomo Suga. "Graphene transfer by surface activated bonding with poly(methyl glutarimide)". Japanese Journal of Applied Physics 57, n.º 2S1 (5 de diciembre de 2017): 02BB02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.57.02bb02.
Texto completoLiang, J., K. Furuna, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio y N. Shigekawa. "Ultra-Thick Metal Ohmic Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding". ECS Transactions 75, n.º 9 (23 de septiembre de 2016): 25–32. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0025ecst.
Texto completo