Artículos de revistas sobre el tema "SUBMICRON TECHNOLOGIES"
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Claeys, Cor, Jan Vanhellemont y Eddy Simoen. "Defect Engineering in Submicron CMOS Technologies". Solid State Phenomena 19-20 (enero de 1991): 95–108. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.19-20.95.
Texto completoGal, Laszlo, C. Prunty y R. Kumar. "Comparative study of submicron BiCMOS technologies". Microelectronics Journal 23, n.º 1 (marzo de 1992): 59–74. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2692(92)90097-k.
Texto completoZhu, Tao, Hai Rong Li, Yan Dong Wan, Sha Chen y Hai Bing Liu. "Recognizability and Controlling Technology of Submicron Particles". Applied Mechanics and Materials 182-183 (junio de 2012): 369–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.182-183.369.
Texto completoLiu, Xiaoxiao, Guangsheng Ma, Jingbo Shao, Zhi Yang y Guanjun Wang. "Interconnect crosstalk noise evaluation in deep-submicron technologies". Microelectronics Reliability 49, n.º 2 (febrero de 2009): 170–77. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2008.11.013.
Texto completoJarron, P., G. Anelli, T. Calin, J. Cosculluela, M. Campbell, M. Delmastro, F. Faccio et al. "Deep submicron CMOS technologies for the LHC experiments". Nuclear Physics B - Proceedings Supplements 78, n.º 1-3 (agosto de 1999): 625–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0920-5632(99)00615-5.
Texto completoChong, Y. F., K. L. Pey, A. T. S. Wee, A. See, Z. X. Shen, C. H. Tung, R. Gopalakrishnan y Y. F. Lu. "Laser-induced titanium disilicide formation for submicron technologies". Journal of Electronic Materials 30, n.º 12 (diciembre de 2001): 1549–53. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-001-0172-2.
Texto completoAchkasov, A., Maksim Solodilov, Nikolay Litvinov, Pavel Chubunov, V. Zolnikov, Dmitriy Shehovcov y Oleg Bordyuzha. "Features of the design of microcircuits made using deep-submicron technologies". Modeling of systems and processes 15, n.º 4 (13 de diciembre de 2022): 7–17. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2022-15-4-7-17.
Texto completoSchwalke, U., M. Kerber, K. Koller y H. J. Jacobs. "EXTIGATE: The ultimate process architecture for submicron CMOS technologies". IEEE Transactions on Electron Devices 44, n.º 11 (1997): 2070–77. http://dx.doi.org/10.1109/16.641386.
Texto completoNikolaidis, T. y C. Papadas. "ESD production for deep submicron triple well CMOS technologies". Electronics Letters 35, n.º 23 (1999): 2025. http://dx.doi.org/10.1049/el:19991393.
Texto completoЧубур, K. Chubur, Яньков, A. Yankov, Зольников, Konstantin Zolnikov, Ачкасов y A. Achkasov. "ALGORITHMIC BASIS OF MODELING FAILURES IN DEEP-SUBMICRON TECHNOLOGIES". Modeling of systems and processes 8, n.º 1 (2 de julio de 2015): 15–17. http://dx.doi.org/10.12737/12014.
Texto completoShields, Christopher. "Submicron Filtration Media". International Nonwovens Journal os-14, n.º 3 (septiembre de 2005): 1558925005os—14. http://dx.doi.org/10.1177/1558925005os-1400305.
Texto completoClaeys, C., J. Vanhellemont, T. Cavioni y F. Gualandris. "Structural and Electrical Characterization of SWAMI Techniques for Submicron Technologies". Journal of The Electrochemical Society 136, n.º 9 (1 de septiembre de 1989): 2619–24. http://dx.doi.org/10.1149/1.2097519.
Texto completoYao, Chunhua, Kewal K. Saluja y Parameswaran Ramanathan. "Power and Thermal Constrained Test Scheduling Under Deep Submicron Technologies". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 30, n.º 2 (febrero de 2011): 317–22. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2010.2079350.
Texto completoMogul, H. C., T. A. Rost y Der-Gao Lin. "Advantages of LDD-only implanted fluorine with submicron CMOS technologies". IEEE Transactions on Electron Devices 44, n.º 3 (marzo de 1997): 388–94. http://dx.doi.org/10.1109/16.556148.
Texto completoPonomarev, Y. V., P. A. Stolk, C. Salm, J. Schmitz y P. H. Woerlee. "High-performance deep submicron CMOS technologies with polycrystalline-SiGe gates". IEEE Transactions on Electron Devices 47, n.º 4 (abril de 2000): 848–55. http://dx.doi.org/10.1109/16.831003.
Texto completoManghisoni, M., L. Ratti, V. Re y V. Speziali. "Submicron CMOS technologies for low-noise analog front-end circuits". IEEE Transactions on Nuclear Science 49, n.º 4 (agosto de 2002): 1783–90. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2002.801540.
Texto completoDeleonibus, S., P. Molle, L. Tosti y M. C. Taccusel. "Sealing Silicon Nitride Removal in SILO Field Isolation for Submicron Technologies". Journal of The Electrochemical Society 138, n.º 12 (1 de diciembre de 1991): 3739–42. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085491.
Texto completoPriya, M. Geetha, K. Baskaran y D. Krishnaveni. "Leakage Power Reduction Techniques in Deep Submicron Technologies for VLSI Applications". Procedia Engineering 30 (2012): 1163–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2012.01.976.
Texto completoHansen, D. L. "Proton Cross-Sections from Heavy-Ion Data in Deep-Submicron Technologies". IEEE Transactions on Nuclear Science 62, n.º 6 (diciembre de 2015): 2874–80. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2015.2482360.
Texto completoVincent, E., S. Bruyere, C. Papadas y P. Mortini. "Dielectric reliability in deep-submicron technologies: From thin to ultrathin oxides". Microelectronics Reliability 37, n.º 10-11 (octubre de 1997): 1499–506. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(97)00095-4.
Texto completoKobeda, E., J. D. Warnock, J. P. Gambino, S. B. Brodsky, B. Cunningham y S. Basavaiah. "Diffusion barrier properties of TiN films for submicron silicon bipolar technologies". Journal of Applied Physics 72, n.º 7 (octubre de 1992): 2743–48. http://dx.doi.org/10.1063/1.351525.
Texto completoDeura, Manabu, Yasuo Nara, Tatsuya Yamazaki, Kenichi Gotoh, Fumio Ohtake, Hajime Kurata y Toshihiro Sugii. "Deep-submicron CMOS technologies for low-power and high-performance operation". Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics) 79, n.º 11 (1996): 1–9. http://dx.doi.org/10.1002/ecjb.4420791101.
Texto completoNGAN, A. H. W., P. C. WO, L. ZUO, H. LI y N. AFRIN. "THE STRENGTH OF SUBMICRON-SIZED MATERIALS". International Journal of Modern Physics B 20, n.º 25n27 (30 de octubre de 2006): 3579–86. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979206040027.
Texto completoLiu, Xiao Xiao, Jing Bo Shao y Ling Ling Zhao. "An Efficient Methodology for Estimating Interconnect Crosstalk Noise in Deep-Submicron Technologies". Advanced Materials Research 989-994 (julio de 2014): 2647–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.989-994.2647.
Texto completoАчкасов, A. Achkasov, Яньков, A. Yankov, Зольников, Konstantin Zolnikov, Чубур y K. Chubur. "THE ALGORITHMIC BASIS OF MODELLING OF FAILURES FROM EXPOSURE TO HEAVY CHARGED PARTICLES IN VLSI, MADE BY DEEP-SUBMICRON TECHNOLOGIES". Modeling of systems and processes 8, n.º 3 (11 de enero de 2016): 36–38. http://dx.doi.org/10.12737/17166.
Texto completoKalra, Shruti. "On the mathematical insight of moderate inversion for ultradeep submicron CMOS technologies". Journal of Computational Electronics 17, n.º 1 (16 de noviembre de 2017): 205–10. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-017-1109-1.
Texto completoSimoen, E. y C. Claeys. "Reliability aspects of the low-frequency noise behaviour of submicron CMOS technologies". Semiconductor Science and Technology 14, n.º 8 (1 de enero de 1999): R61—R71. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/14/8/201.
Texto completoClaeys, Cor, Geert Eneman, Mireia Bargallo Gonzalez, Sofie Put y Eddy Simoen. "Electrical Performance and Reliability Aspects of Strain Engineered Deep Submicron CMOS Technologies". ECS Transactions 8, n.º 1 (19 de diciembre de 2019): 15–22. http://dx.doi.org/10.1149/1.2767280.
Texto completoKim, Jisu, Kyungho Ryu, Jung Pill Kim, Seung H. Kang y Seong-Ook Jung. "STT-MRAM Sensing Circuit With Self-Body Biasing in Deep Submicron Technologies". IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 22, n.º 7 (julio de 2014): 1630–34. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2013.2272587.
Texto completoEndzhievskaya, I. G., A. V. Demina y M. A. Galkin. "Industrial waste-based submicron additives in cement mortars". Vestnik Tomskogo gosudarstvennogo arkhitekturno-stroitel'nogo universiteta. JOURNAL of Construction and Architecture 24, n.º 3 (26 de junio de 2022): 114–27. http://dx.doi.org/10.31675/1607-1859-2022-24-3-114-127.
Texto completoStaman, J. W., R. L. Hodges, G. A. Dixit, F. R. Bryant, R. Sundaresan, C. C. Wei y F. T. Liou. "Characterization of defects resulting from the poly-buffered local oxidation isolation process". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 50, n.º 2 (agosto de 1992): 1392–93. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100131590.
Texto completoSchmitz, A. y R. Tielert. "A new circuit technique for reduced leakage current in Deep Submicron CMOS technologies". Advances in Radio Science 3 (13 de mayo de 2005): 355–58. http://dx.doi.org/10.5194/ars-3-355-2005.
Texto completoClaeys, Cor, Sofie Put, Alessio Griffoni, Andrea Cester, Simone Gerardin, G. Meneghesso, Alessandro Paccagnella y Eddy Simoen. "Impact of Radiation on the Operation and Reliability of Deep Submicron CMOS Technologies". ECS Transactions 27, n.º 1 (17 de diciembre de 2019): 39–46. http://dx.doi.org/10.1149/1.3360593.
Texto completoKleczek, R. y P. Kmon. "Comparative analysis of the readout front-end electronics implemented in deep submicron technologies". Journal of Instrumentation 13, n.º 11 (5 de noviembre de 2018): C11002. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/13/11/c11002.
Texto completoLa Rosa, Giuseppe y Stewart E. Rauch. "Channel hot carrier effects in n-MOSFET devices of advanced submicron CMOS technologies". Microelectronics Reliability 47, n.º 4-5 (abril de 2007): 552–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.031.
Texto completoEkekwe, Ndubuisi y Ralph Etienne-Cummings. "Power dissipation sources and possible control techniques in ultra deep submicron CMOS technologies". Microelectronics Journal 37, n.º 9 (septiembre de 2006): 851–60. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2006.03.008.
Texto completoIsmail, Ayman y Mohamed Elmasry. "Analysis of the Flash ADC Bandwidth–Accuracy Tradeoff in Deep-Submicron CMOS Technologies". IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 55, n.º 10 (octubre de 2008): 1001–5. http://dx.doi.org/10.1109/tcsii.2008.2001979.
Texto completoAmerasekera, Ajith y Amitava Chatterjee. "An investigation of BiCMOS ESD protection circuit elements and applications in submicron technologies". Journal of Electrostatics 31, n.º 2-3 (diciembre de 1993): 145–60. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3886(93)90006-s.
Texto completoAgrawal, Pankaj y Nikhil Saxena. "Leakage current analysis for stack based Nano CMOS Digital Circuits". International Journal of Electrical and Electronics Research 2, n.º 2 (30 de junio de 2014): 5–11. http://dx.doi.org/10.37391/ijeer.020202.
Texto completoLee, Jin Woo. "3D Nanoprinting Technologies for Tissue Engineering Applications". Journal of Nanomaterials 2015 (2015): 1–14. http://dx.doi.org/10.1155/2015/213521.
Texto completoViswadha, Singathala Guru. "Next Generation Computing Using Quantum Dot Cellular Automata Nano Technology, New Promising Alternative to CMOS". Asian Journal of Computer Science and Technology 8, S3 (5 de junio de 2019): 19–24. http://dx.doi.org/10.51983/ajcst-2019.8.s3.2111.
Texto completoWirth, Gilson. "Bulk built in current sensors for single event transient detection in deep-submicron technologies". Microelectronics Reliability 48, n.º 5 (mayo de 2008): 710–15. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2008.01.002.
Texto completoHu Zhi-Yuan, Liu Zhang-Li, Shao Hua, Zhang Zheng-Xuan, Ning Bing-Xu, Bi Da-Wei, Chen Ming y Zou Shi-Chang. "The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies". Acta Physica Sinica 61, n.º 5 (2012): 050702. http://dx.doi.org/10.7498/aps.61.050702.
Texto completoFazeli, M., S. G. Miremadi, A. Ejlali y A. Patooghy. "Low energy single event upset/single event transient-tolerant latch for deep subMicron technologies". IET Computers & Digital Techniques 3, n.º 3 (2009): 289. http://dx.doi.org/10.1049/iet-cdt.2008.0099.
Texto completoJenkins, K. A., J. N. Burghartz y P. D. Agnello. "Identification of gate electrode discontinuities in submicron CMOS technologies, and effect on circuit performance". IEEE Transactions on Electron Devices 43, n.º 5 (mayo de 1996): 759–65. http://dx.doi.org/10.1109/16.491253.
Texto completoSallagoity, P., M. Ada-Hanifi, M. Paoli y M. Haond. "Analysis of width edge effects in advanced isolation schemes for deep submicron CMOS technologies". IEEE Transactions on Electron Devices 43, n.º 11 (1996): 1900–1906. http://dx.doi.org/10.1109/16.543025.
Texto completoLeonenko, Nina. "Integration of fiber lasers in processes of mineral raw material processing". E3S Web of Conferences 56 (2018): 03020. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/20185603020.
Texto completoLukyanenko, A. V. y T. E. Smolyarova. "Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography". Физика и техника полупроводников 52, n.º 5 (2018): 519. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.05.45863.52.
Texto completoLiu, Xiao Xiao, Jing Bo Shao y Ling Ling Zhao. "A New Spatial Correlation Model Based on the Distributed RC-∏ Model". Advanced Materials Research 989-994 (julio de 2014): 2204–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.989-994.2204.
Texto completoBoyes, E. D. "LVEDS For Advanced Materials and Semiconductor Technologies". Microscopy and Microanalysis 5, S2 (agosto de 1999): 314–15. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600014896.
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