Artículos de revistas sobre el tema "Si quantum well"
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Texto completoMiller, David, R. K. Schaevitz, J. E. Roth, Shen Ren y Onur Fidaner. "Ge Quantum Well Modulators on Si". ECS Transactions 16, n.º 10 (18 de diciembre de 2019): 851–56. http://dx.doi.org/10.1149/1.2986844.
Texto completoQasaimeh, O. y P. Bhattacharya. "SiGe-Si quantum-well electroabsorption modulators". IEEE Photonics Technology Letters 10, n.º 6 (junio de 1998): 807–9. http://dx.doi.org/10.1109/68.681491.
Texto completoRobbins, D. J., M. B. Stanaway, W. Y. Leong, J. L. Glasper y C. Pickering. "Si1?XGeX/Si quantum well infrared photodetectors". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6, n.º 5 (octubre de 1995): 363–67. http://dx.doi.org/10.1007/bf00125893.
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Texto completoSasaki, Kohei, Ryuichi Masutomi, Kiyohiko Toyama, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki y Tohru Okamoto. "Well-width dependence of valley splitting in Si/SiGe quantum wells". Applied Physics Letters 95, n.º 22 (30 de noviembre de 2009): 222109. http://dx.doi.org/10.1063/1.3270539.
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Texto completoNayak, D. K., J. C. S. Woo, J. S. Park, K. L. Wang y K. P. MacWilliams. "Hole confinement in a Si/GeSi/Si quantum well on SIMOX". IEEE Transactions on Electron Devices 43, n.º 1 (1996): 180–82. http://dx.doi.org/10.1109/16.477614.
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Texto completoKarunasiri, R. P. G., J. S. Park y K. L. Wang. "Si1−xGex/Si multiple quantum well infrared detector". Applied Physics Letters 59, n.º 20 (11 de noviembre de 1991): 2588–90. http://dx.doi.org/10.1063/1.105911.
Texto completoLiu, Fei, Song Tong, Hyung-jun Kim y Kang L. Wang. "Photoconductive gain of SiGe/Si quantum well photodetectors". Optical Materials 27, n.º 5 (febrero de 2005): 864–67. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.08.025.
Texto completoPrunnila, Mika y Jouni Ahopelto. "Two sub-band conductivity of Si quantum well". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 32, n.º 1-2 (mayo de 2006): 281–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2005.12.093.
Texto completoAleshkin, V. Ya, V. I. Gavrilenko y D. V. Kozlov. "Shallow acceptors in Si/SiGe quantum well heterostructures". physica status solidi (c), n.º 2 (febrero de 2003): 687–89. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200306183.
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Texto completoTANG, Y. S., C. M. SOTOMAYOR TORRES, C. D. W. WILKINSON, D. W. SMITH, T. E. WHALL y E. H. C. PARKER. "Photoluminescence from Si/Si0.87Ge0.13 multiple quantum well wires". Le Journal de Physique IV 03, n.º C5 (octubre de 1993): 119–22. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1993521.
Texto completoTang, Y. S., C. D. W. Wilkinson, C. M. Sotomayor Torres, D. W. Smith, T. E. Whall y E. H. C. Parker. "Optical properties of Si/Si0.87Ge0.13multiple quantum well wires". Applied Physics Letters 63, n.º 4 (26 de julio de 1993): 497–99. http://dx.doi.org/10.1063/1.109984.
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Texto completoAntonova, I. V., E. P. Neustroev, S. A. Smagulova, M. S. Kagan, P. S. Alekseev, S. K. Ray, N. Sustersic y J. Kolodzey. "Confinement Levels in Passivated SiGe/Si Quantum Well Structures". Solid State Phenomena 156-158 (octubre de 2009): 541–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.156-158.541.
Texto completoRay, S. K., G. S. Kar y S. K. Banerjee. "Characteristics of UHVCVD grown Si/Si1−x−yGexCy/Si quantum well heterostructure". Applied Surface Science 182, n.º 3-4 (octubre de 2001): 361–65. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00449-4.
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Texto completoTutor, J. y F. Comas. "Si/SiGe Quantum-Well Electron Mobility. Main Scattering Mechanisms". physica status solidi (b) 191, n.º 1 (1 de septiembre de 1995): 121–28. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221910113.
Texto completoGaggero-Sager, L. M. y R. Pérez-Alvarez. "Electronic states in B δ-doped Si quantum well". physica status solidi (b) 197, n.º 1 (1 de septiembre de 1996): 105–9. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221970116.
Texto completoRached, D., N. Benkhettou y N. Sekkal. "Electronic properties of Si/SiGe ultrathin quantum well superlattices". physica status solidi (b) 235, n.º 1 (enero de 2003): 189–94. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200301356.
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Texto completoAbramkin, D. S., M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Gutakovskii y T. S. Shamirzaev. "GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates". Semiconductors 53, n.º 9 (septiembre de 2019): 1143–47. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782619090021.
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