Artículos de revistas sobre el tema "Si Quantum Dot"
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Porod, Wolfgang. "Quantum-Dot Devices and Quantum-Dot Cellular Automata". International Journal of Bifurcation and Chaos 07, n.º 10 (octubre de 1997): 2199–218. http://dx.doi.org/10.1142/s0218127497001606.
Texto completoDvurechenskii, Anatolii V. y Andrei I. Yakimov. "Quantum dot Ge/Si heterostructures". Uspekhi Fizicheskih Nauk 171, n.º 12 (2001): 1371. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0171.200112h.1371.
Texto completoDvurechenskii, Anatolii V. y Andrei I. Yakimov. "Quantum dot Ge/Si heterostructures". Physics-Uspekhi 44, n.º 12 (31 de diciembre de 2001): 1304–7. http://dx.doi.org/10.1070/pu2001v044n12abeh001057.
Texto completoLambert, K., I. Moreels, D. Van Thourhout y Z. Hens. "Quantum Dot Micropatterning on Si". Langmuir 24, n.º 11 (junio de 2008): 5961–66. http://dx.doi.org/10.1021/la703664r.
Texto completoDvurechenskii, Anatoly, Andrew Yakimov, Victor Kirienko, Alekcei Bloshkin, Vladimir Zinovyev, Aigul Zinovieva y Alexander Mudryi. "Enhanced Optical Properties of Silicon Based Quantum Dot Heterostructures". Defect and Diffusion Forum 386 (septiembre de 2018): 68–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.386.68.
Texto completoGudlavalleti, R. H., B. Saman, R. Mays, M. Lingalugari, E. Heller, J. Chandy y F. Jain. "Modeling of Multi-State Si and Ge Cladded Quantum Dot Gate FETs Using Verilog and ABM Simulations". International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, n.º 03n04 (septiembre de 2019): 1940026. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400263.
Texto completoKondo, Jun, Pial Mirdha, Barath Parthasarathy, Pik-Yiu Chan, Bander Saman, Faquir Jain y Evan Heller. "Modeling and Fabrication of GeOx-Ge Cladded Quantum Dot Channel (QDC) FETs on Poly-Silicon". International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, n.º 01n02 (marzo de 2018): 1840005. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400050.
Texto completoParthasarathy, Barath, Pial Mirdha, Jun Kondo y Faquir Jain. "Dual Quantum Dot Superlattice". International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, n.º 01n02 (marzo de 2018): 1840003. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400037.
Texto completoChen, Minhan y Wolfgang Porod. "Simulation of Quantum-Dot Structures in Si/SiO2". VLSI Design 6, n.º 1-4 (1 de enero de 1998): 335–39. http://dx.doi.org/10.1155/1998/89258.
Texto completoHe, Peng, Chong Wang, Jie Yang y Yu Yang. "Advance of Ge/Si Quantum Dot Infrared Photodetector". Advanced Materials Research 873 (diciembre de 2013): 799–808. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.873.799.
Texto completoLingalugari, Murali, Evan Heller, Barath Parthasarathy, John Chandy y Faquir Jain. "Quantum Dot Floating Gate Nonvolatile Random Access Memory Using Ge Quantum Dot Channel for Faster Erasing". International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, n.º 01n02 (marzo de 2018): 1840006. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400062.
Texto completoLe, Thu-Huong, Dang Thi Thanh Le y Nguyen Van Tung. "Synthesis of Colloidal Silicon Quantum Dot from Rice Husk Ash". Journal of Chemistry 2021 (2 de marzo de 2021): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2021/6689590.
Texto completoLin, C. H., C. Y. Yu, C. Y. Peng, W. S. Ho y C. W. Liu. "Broadband SiGe∕Si quantum dot infrared photodetectors". Journal of Applied Physics 101, n.º 3 (febrero de 2007): 033117. http://dx.doi.org/10.1063/1.2433768.
Texto completoGrützmacher, Detlev, Thomas Fromherz, Christian Dais, Julian Stangl, Elisabeth Müller, Yasin Ekinci, Harun H. Solak et al. "Three-Dimensional Si/Ge Quantum Dot Crystals". Nano Letters 7, n.º 10 (octubre de 2007): 3150–56. http://dx.doi.org/10.1021/nl0717199.
Texto completoAl-Douri, Y., R. Khenata y A. H. Reshak. "Investigated optical studies of Si quantum dot". Solar Energy 85, n.º 9 (septiembre de 2011): 2283–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.solener.2011.06.017.
Texto completoRappaport, N., E. Finkman, P. Boucaud, S. Sauvage, T. Brunhes, V. Le Thanh, D. Bouchier y S. E. Schacham. "Photoconductivity of Ge/Si quantum dot photodetectors". Infrared Physics & Technology 44, n.º 5-6 (octubre de 2003): 513–16. http://dx.doi.org/10.1016/s1350-4495(03)00173-7.
Texto completoShcherbyna, L. y T. Torchynska. "Si quantum dot structures and their applications". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 51 (junio de 2013): 65–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2012.09.026.
Texto completoYakimov, A. I., A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov y Yu Yu Proskuryakov. "Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector". Journal of Applied Physics 89, n.º 10 (15 de mayo de 2001): 5676–81. http://dx.doi.org/10.1063/1.1346651.
Texto completoVandersypen, Lieven. "(Digital Presentation) Quantum Computing in Si/Sige Quantum Dot Arrays". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1205. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321205mtgabs.
Texto completoMurphy, Jessica K., Robert Hull, Devin Pyle, Hao Wang, Jennifer Gray y Jerrold Floro. "Control of semiconductor quantum dot nanostructures: Variants of SixGe1−x/Si quantum dot molecules". Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 29, n.º 1 (enero de 2011): 011029. http://dx.doi.org/10.1116/1.3533938.
Texto completoHyldgaard, Per, Henry K. Harbury y Wolfgang Porod. "Electrostatic Formation of Coupled Si/SiO2 Quantum Dot Systems". VLSI Design 8, n.º 1-4 (1 de enero de 1998): 555–58. http://dx.doi.org/10.1155/1998/67609.
Texto completoKondo, Jun, Murali Lingalugari, Pik-Yiu Chan, Evan Heller y Faquir Jain. "Modeling and Fabrication of Quantum Dot Channel Field Effect Transistors Incorporating Quantum Dot Gate". MRS Proceedings 1551 (2013): 149–54. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.899.
Texto completoKang, Ji-Hoon, Junghee Ryu y Hoon Ryu. "Exploring the behaviors of electrode-driven Si quantum dot systems: from charge control to qubit operations". Nanoscale 13, n.º 1 (2021): 332–39. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr05070a.
Texto completoPOROD, WOLFGANG. "QUANTUM-DOT CELLULAR AUTOMATA DEVICES AND ARCHITECTURES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, n.º 01 (marzo de 1998): 37–63. http://dx.doi.org/10.1142/s012915649800004x.
Texto completoLei, Hui, Tong Zhou, Shuguang Wang, Yongliang Fan y Zhenyang Zhong. "Large-area ordered Ge-Si compound quantum dot molecules on dot-patterned Si (001) substrates". Nanotechnology 25, n.º 34 (31 de julio de 2014): 345301. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/25/34/345301.
Texto completoNENASHEV, A. V., A. V. DVURECHENSKII, A. F. ZINOVIEVA y E. A. GOLOVINA. "ZEEMAN EFFECT FOR ELECTRONS AND HOLES IN Ge/Si QUANTUM DOTS". International Journal of Nanoscience 02, n.º 06 (diciembre de 2003): 511–19. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x03001620.
Texto completoVarsha, Mohamed Kria, Jawad El Hamdaoui, Laura M. Pérez, Vinod Prasad, Mohamed El-Yadri, David Laroze y El Mustapha Feddi. "Quantum Confined Stark Effect on the Linear and Nonlinear Optical Properties of SiGe/Si Semi Oblate and Prolate Quantum Dots Grown in Si Wetting Layer". Nanomaterials 11, n.º 6 (8 de junio de 2021): 1513. http://dx.doi.org/10.3390/nano11061513.
Texto completoZhang, Jie-Yin, Fei Gao y Jian-Jun Zhang. "Research progress of silicon and germanium quantum computing materials". Acta Physica Sinica 70, n.º 21 (2021): 217802. http://dx.doi.org/10.7498/aps.70.20211492.
Texto completoZhang, Li Hong, Chong Wang, Jie Yang, Jin Tao Yao y Yu Yang. "Coulomb Effects in the Ge/Si Single Quantum Dot". Applied Mechanics and Materials 320 (mayo de 2013): 176–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.320.176.
Texto completoSarkisyan, Hayk A., David B. Hayrapetyan, Lyudvig S. Petrosyan, Eduard M. Kazaryan, Anton N. Sofronov, Roman M. Balagula, Dmitry A. Firsov, Leonid E. Vorobjev y Alexander A. Tonkikh. "Realization of the Kohn’s Theorem in Ge/Si Quantum Dots with Hole Gas: Theory and Experiment". Nanomaterials 9, n.º 1 (3 de enero de 2019): 56. http://dx.doi.org/10.3390/nano9010056.
Texto completoTsai, Yi-Chia, Ming-Yi Lee, Yiming Li y Seiji Samukawa. "Miniband formulation in Ge/Si quantum dot array". Japanese Journal of Applied Physics 55, n.º 4S (15 de marzo de 2016): 04EJ14. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.04ej14.
Texto completoWan, Yating, Chao Xiang, Joel Guo, Rosalyn Koscica, MJ Kennedy, Jennifer Selvidge, Zeyu Zhang et al. "High Speed Evanescent Quantum‐Dot Lasers on Si". Laser & Photonics Reviews 15, n.º 8 (27 de junio de 2021): 2100057. http://dx.doi.org/10.1002/lpor.202100057.
Texto completoHaskins, J. B., A. Kinaci y T. Çağin. "Thermal conductivity of Si–Ge quantum dot superlattices". Nanotechnology 22, n.º 15 (10 de marzo de 2011): 155701. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/22/15/155701.
Texto completoHsu, B. C., C. H. Lin, P. S. Kuo, S. T. Chang, P. S. Chen, C. W. Liu, J. H. Lu y C. H. Kuan. "Novel MIS Ge–Si Quantum-Dot Infrared Photodetectors". IEEE Electron Device Letters 25, n.º 8 (agosto de 2004): 544–46. http://dx.doi.org/10.1109/led.2004.831969.
Texto completoYang, Zheng, Yi Shi, Jianlin Liu, Bo Yan, Rong Zhang, Youdou Zheng y Kanglong Wang. "Optical properties of Ge/Si quantum dot superlattices". Materials Letters 58, n.º 29 (noviembre de 2004): 3765–68. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2004.08.016.
Texto completoKawashima, Yuki, Kenta Nakahara, Hiroshi Sato, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani y Michio Kondo. "Quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles". Transactions of the Materials Research Society of Japan 35, n.º 3 (2010): 597–99. http://dx.doi.org/10.14723/tmrsj.35.597.
Texto completoJo, M., K. Ishida, N. Yasuhara, Y. Sugawara, K. Kawamoto y S. Fukatsu. "A Si-based quantum-dot light-emitting diode". Applied Physics Letters 86, n.º 10 (7 de marzo de 2005): 103509. http://dx.doi.org/10.1063/1.1882757.
Texto completoCHAN, M. Y. y P. S. LEE. "FABRICATION OF SILICON NANOCRYSTALS AND ITS ROOM TEMPERATURE LUMINESCENCE EFFECTS". International Journal of Nanoscience 05, n.º 04n05 (agosto de 2006): 565–70. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x06004802.
Texto completoFissel, Andreas. "Molecular Beam Epitaxy of Semiconductor Nanostructures Based on SiC". Materials Science Forum 483-485 (mayo de 2005): 163–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.163.
Texto completoHu, Rui-Zi, Rong-Long Ma, Ming Ni, Yuan Zhou, Ning Chu, Wei-Zhu Liao, Zhen-Zhen Kong et al. "Flopping-mode spin qubit in a Si-MOS quantum dot". Applied Physics Letters 122, n.º 13 (27 de marzo de 2023): 134002. http://dx.doi.org/10.1063/5.0137259.
Texto completoJi, Yang, Yingying Zhai, Huafeng Yang, Jingjing Liu, Wenyi Shao, Jun Xu, Wei Li y Kunji Chen. "Improved device performances based on Si quantum dot/Si nanowire hetero-structures by inserting an Al2O3 thin layer". Nanoscale 9, n.º 41 (2017): 16038–45. http://dx.doi.org/10.1039/c7nr05694j.
Texto completoWang, I.-Hsiang, Po-Yu Hong, Kang-Ping Peng, Horng-Chih Lin, Thomas George y Pei-Wen Li. "Germanium Quantum-Dot Array with Self-Aligned Electrodes for Quantum Electronic Devices". Nanomaterials 11, n.º 10 (16 de octubre de 2021): 2743. http://dx.doi.org/10.3390/nano11102743.
Texto completoJain, F., R. H. Gudlavalleti, R. Mays, B. Saman, J. Chandy y E. Heller. "Modeling of Quantum Dot Channel (QDC) Si FETs at Sub-Kelvin for Multi-State Logic". International Journal of High Speed Electronics and Systems 29, n.º 01n04 (marzo de 2020): 2040017. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156420400170.
Texto completoHu, Rui-Zi, Rong-Long Ma, Ming Ni, Xin Zhang, Yuan Zhou, Ke Wang, Gang Luo et al. "An Operation Guide of Si-MOS Quantum Dots for Spin Qubits". Nanomaterials 11, n.º 10 (24 de septiembre de 2021): 2486. http://dx.doi.org/10.3390/nano11102486.
Texto completoHsieh, You-Da, Ming-Way Lee y Gou-Jen Wang. "Sb2S3Quantum-Dot Sensitized Solar Cells with Silicon Nanowire Photoelectrode". International Journal of Photoenergy 2015 (2015): 1–10. http://dx.doi.org/10.1155/2015/213858.
Texto completoLi, Jun. "High-Performance Monolithic Integration of III-V QD Lasers on Si Substrates". Highlights in Science, Engineering and Technology 55 (9 de julio de 2023): 23–28. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v55i.9912.
Texto completoСофронов, А. Н., Р. М. Балагула, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, А. А. Тонких, А. А. Саркисян, Д. Б. Айрапетян, Л. С. Петросян y Э. М. Казарян. "Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si". Физика и техника полупроводников 52, n.º 1 (2018): 63. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.01.45320.8655.
Texto completoHumayun, M. A., M. A. Rashid, F. Malek, S. B. Yaakob, A. Z. Abdullah, M. I. Yusoff, M. I. Misrun y G. N. Shasidharan. "Enhancement of Intrinsic Carrier Concentration in the Active Layer of Solar Cell Using Indium Nitride Quantum Dot". Applied Mechanics and Materials 793 (septiembre de 2015): 435–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.793.435.
Texto completoShcherbyna, Lyudmula V. y Tetyana V. Torchynska. "Si Quantum Dot Structures and Some Aspects of Applications". MRS Proceedings 1534 (2013): A5—A12. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.291.
Texto completoPachinger, D., H. Groiss, M. Teuchtmann, G. Hesser y F. Schäffler. "Surfactant-mediated Si quantum dot formation on Ge(001)". Applied Physics Letters 98, n.º 22 (30 de mayo de 2011): 223104. http://dx.doi.org/10.1063/1.3595486.
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