Artículos de revistas sobre el tema "Si (111) Substrates"
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Severino, Andrea, Ruggero Anzalone, Corrado Bongiorno, M. Italia, Giuseppe Abbondanza, Massimo Camarda, L. M. S. Perdicaro, Giuseppe Condorelli, Marco Mauceri y Francesco La Via. "Towards Large Area (111)3C-SiC Films Grown on Off-Oriented (111)Si". Materials Science Forum 615-617 (marzo de 2009): 149–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.149.
Texto completoTsai, Chin-Yi, Jyong-Di Lai, Shih-Wei Feng, Chien-Jung Huang, Chien-Hsun Chen, Fann-Wei Yang, Hsiang-Chen Wang y Li-Wei Tu. "Growth and characterization of textured well-faceted ZnO on planar Si(100), planar Si(111), and textured Si(100) substrates for solar cell applications". Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (15 de septiembre de 2017): 1939–45. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.194.
Texto completoKoryakin, Alexander A., Sergey A. Kukushkin, Andrey V. Osipov, Shukrillo Sh Sharofidinov y Mikhail P. Shcheglov. "Growth Mechanism of Semipolar AlN Layers by HVPE on Hybrid SiC/Si(110) Substrates". Materials 15, n.º 18 (6 de septiembre de 2022): 6202. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186202.
Texto completoFerro, Gabriel, Taguhi Yeghoyan, François Cauwet, Stéphane Coindeau, Thierry Encinas y Véronique Soulière. "3C-SiC Heteroepitaxial Layers Grown on Silicon Substrates with Various Orientations". Materials Science Forum 1062 (31 de mayo de 2022): 23–27. http://dx.doi.org/10.4028/p-aaf11g.
Texto completoSadoh, Taizoh, Kaoru Toko, Masashi Kurosawa, Takanori Tanaka, Takashi Sakane, Yasuharu Ohta, Naoyuki Kawabata, Hiroyuki Yokoyama y Masanobu Miyao. "SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth of High-Mobility Ge-On-Insulator". Key Engineering Materials 470 (febrero de 2011): 8–13. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.8.
Texto completoZhao, Qiang, Michael Lukitsch, Jie Xu, Gregory Auner, Ratna Niak y Pao-Kuang Kuo. "Development of Wide Bandgap Semiconductor Photonic Device Structures by Excimer Laser Micromachining". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 852–58. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300005172.
Texto completoIsshiki, Toshiyuki, Koji Nishio, Yoshihisa Abe, Jun Komiyama, Shunichi Suzuki y Hideo Nakanishi. "HRTEM Analysis of AlN Layer Grown on 3C-SiC/Si Heteroepitaxial Substrates with Various Surface Orientations". Materials Science Forum 600-603 (septiembre de 2008): 1317–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1317.
Texto completoHanda, Hiroyuki, Shun Ito, Hirokazu Fukidome y Maki Suemitsu. "Transmission-Electron-Microscopy Observations on the Growth of Epitaxial Graphene on 3C-SiC(110) and 3C-SiC(100) Virtual Substrates". Materials Science Forum 711 (enero de 2012): 242–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.711.242.
Texto completoLee, Dong Nyung. "Directed Crystallization of Amorphous Silicon Deposits on Glass Substrates". Advanced Materials Research 26-28 (octubre de 2007): 623–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.26-28.623.
Texto completoGo, Hyun Young, Naoki Wakiya, Takanori Kiguchi, Tomohiko Yoshioka, Osamu Sakurai, Jeffrey S. Cross, M. Tanaka y Kazuo Shinozaki. "Ferroelectric Properties of Epitaxial BiFe0.97Mn0.03O3 Thin Films with Different Crystal Orientations Deposited on Buffered Si Substrates". Key Engineering Materials 421-422 (diciembre de 2009): 111–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.421-422.111.
Texto completoKuan, T. S., S. S. Iyer y E. M. Yeo. "GexSi1-x/Si superlattices grown on (100)-, (111)-, and (110)-oriented Si substrates". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (6 de agosto de 1989): 580–81. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100154871.
Texto completoRiah, Badis, Julien Camus, Abdelhak Ayad, Mohammad Rammal, Raouia Zernadji, Nadjet Rouag y Mohamed Abdou Djouadi. "Hetero-Epitaxial Growth of AlN Deposited by DC Magnetron Sputtering on Si(111) Using a AlN Buffer Layer". Coatings 11, n.º 9 (3 de septiembre de 2021): 1063. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11091063.
Texto completoKandilioti, Georgia, Angeliki Siokou, Vasiliki Papaefthimiou, Stella Kennou y Vasilis G. Gregoriou. "Molecular Composition and Orientation of Interstitial versus Surface Silicon Oxides for Si(111)/SiO2 and Si(100)/SiO2 Interfaces using FT-IR and X-ray Photoelectron Spectroscopies". Applied Spectroscopy 57, n.º 6 (junio de 2003): 628–35. http://dx.doi.org/10.1366/000370203322005300.
Texto completoCHOU, L. J., M. L. HUANG, J. Y. HSIEH, Y. L. CHUEH, S. GWO, C. C. HSUEH y SAM PAN. "INTERFACIAL STRUCTURES OF Si3N4 on Si (100) & Si (111)". International Journal of Modern Physics B 16, n.º 28n29 (20 de noviembre de 2002): 4493–96. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202015686.
Texto completoXin, Y., S. Rujirawat, G. Brill, N. D. Browning, S. J. Pennycook, S. Sivananthan y R. Sporken. "Investigating the Effect of As and Te Passivation on the MBE Growth of Cdte (111) On Si (111) Substrates". Microscopy and Microanalysis 5, S2 (agosto de 1999): 724–25. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600016949.
Texto completoChiang, Yi-Ting, Yi Chou, Chang-Hsun Huang, Wei-Ting Lin y Yi-Chia Chou. "Dependence of the structure and orientation of VSS grown Si nanowires on an epitaxy process". CrystEngComm 21, n.º 29 (2019): 4298–304. http://dx.doi.org/10.1039/c9ce00539k.
Texto completoMartins, Rui M. S., Manfred Beckers, A. Mücklich, Norbert Schell, Rui Jorge C. Silva, Karimbi Koosappa Mahesh y Francisco Manuel Braz Fernandes. "The Interfacial Diffusion Zone in Magnetron Sputtered Ni-Ti Thin Films Deposited on Different Si Substrates Studied by HR-TEM". Materials Science Forum 587-588 (junio de 2008): 820–23. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.587-588.820.
Texto completoBeisenov, R., R. Ebrahim, Z. A. Mansurov, S. Zh Tokmoldin, B. Z. Mansurov y A. Ignatiev. "Growth of 3C-SiC Films on Si (111) and Sapphire (0001) Substrates by MOCVD". Eurasian Chemico-Technological Journal 15, n.º 1 (24 de diciembre de 2012): 25. http://dx.doi.org/10.18321/ectj136.
Texto completoChen, Wei-Chun, Tung-Yuan Yu, Fang-I. Lai, Hung-Pin Chen, Yu-Wei Lin y Shou-Yi Kuo. "Growth of Catalyst-Free Hexagonal Pyramid-Like InN Nanocolumns on Nitrided Si(111) Substrates via Radio-Frequency Metal–Organic Molecular Beam Epitaxy". Crystals 9, n.º 6 (5 de junio de 2019): 291. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9060291.
Texto completoКукушкин, С. А., А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев y М. С. Соболев. "Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)". Физика и техника полупроводников 53, n.º 2 (2019): 190. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.02.47097.8915.
Texto completoSuemitsu, Maki, Shota Sanbonsuge, Eiji Saito, Myung Ho Jung, Hirokazu Fukidome y Sergey Filimonov. "High-Rate Rotated Epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) Substrate for Qualified Epitaxial Graphene on Silicon". Materials Science Forum 740-742 (enero de 2013): 327–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.327.
Texto completoJung, Hun Chae, Han Ki Yoon y Yun Sik Yu. "Mechanical Properties and Process of ZnO Deposited Various Substrates". Key Engineering Materials 297-300 (noviembre de 2005): 533–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.297-300.533.
Texto completoArtoni, Pietro, Alessia Irrera, Emanuele Francesco Pecora, Simona Boninelli, Corrado Spinella y Francesco Priolo. "Heteroepitaxial Growth of Ge Nanowires on Si Substrates". International Journal of Photoenergy 2012 (2012): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2012/782835.
Texto completoWatts, Bernard Enrico, Giovanni Attolini, Tullo Besagni, Matteo Bosi, Claudio Ferrari, Francesca Rossi, Ferenc Riesz y Liu Di Jiang. "Evaluation of Curvature and Stress in 3C-SiC Grown on Differently Oriented Si Substrates". Materials Science Forum 679-680 (marzo de 2011): 137–40. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.137.
Texto completoChuang, Tung-Han, Po-Ching Wu, Yu-Chang Lai y Pei-Ing Lee. "Low-Temperature Direct Bonding of 3D-IC Packages and Power IC Modules Using Ag Nanotwinned Thin Films". International Journal of Manufacturing, Materials, and Mechanical Engineering 12, n.º 1 (1 de enero de 2022): 1–16. http://dx.doi.org/10.4018/ijmmme.313037.
Texto completoTimoshnev, S. N., A. M. Mizerov, M. N. Lapushkin, S. A. Kukushkin y A. D. Bouravleuv. "Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates". Semiconductors 53, n.º 14 (diciembre de 2019): 1935–38. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782619140239.
Texto completoKukushkin S. A., Osipov A. V., Redkov A. V., Stozharov V. M., Ubiyvovk E. V. y Sharofidinov Sh. Sh. "Peculiarities of nucleation and growth of InGaN nanowires on SiC/Si substrates by HVPE". Technical Physics Letters 48, n.º 2 (2022): 66. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.02.53584.19056.
Texto completoTsukanov D. A. y Ryzhkova M. V. "Study of structural and electrical properties of the reconstructed Si(111) surface after lithium adsorption". Technical Physics 92, n.º 8 (2022): 1040. http://dx.doi.org/10.21883/tp.2022.08.54570.83-22.
Texto completoKokott, Sebastian, Lars Matthes y Friedhelm Bechstedt. "Silicene on hydrogen-passivated Si(111) and Ge(111) substrates". physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 7, n.º 8 (25 de junio de 2013): 538–41. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201307215.
Texto completoBiswas, R., K. Roos y M. C. Tringides. "Low-temperature growth on Si(111) substrates". Physical Review B 50, n.º 15 (15 de octubre de 1994): 10932–40. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.50.10932.
Texto completoLIU, HONG-YU, XUE-MING MA y WANG-ZHOU SHI. "INFLUENCE OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON TRANSFORMATION OF PREFERRED ORIENTATIONS IN AlN FILMS". Modern Physics Letters B 19, n.º 30 (30 de diciembre de 2005): 1775–82. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984905010384.
Texto completoКукушкин, С. А., А. В. Осипов, А. В. Редьков, В. М. Стожаров, Е. В. Убыйвовк y Ш. Ш. Шарофидинов. "Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии". Письма в журнал технической физики 48, n.º 4 (2022): 24. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.04.52080.19056.
Texto completoReiprich, Johannes, Thomas Stauden, Theresa Berthold, Marcel Himmerlich, Jörg Pezoldt y Heiko O. Jacobs. "Corona Assisted Ga Based Nanowire Growth on 3C-SiC(111)/Si(111) Pseudosubstrates". Materials Science Forum 897 (mayo de 2017): 642–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.642.
Texto completoMiura, Kentaro, Takuya Ohishi, Takashi Inaba, Yusuke Mizuyoshi, Noriyuki Takagi, Takashi Matsuyama, Yoshimi Momose, Tadanobu Koyama, Yasuhiro Hayakawa y Hirokazu Tatsuoka. "Growth evolution of Sr-silicide layers on Si(111) and Mg2Si/Si(111) substrates". Thin Solid Films 508, n.º 1-2 (junio de 2006): 74–77. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.06.110.
Texto completoAngermann, H., W. Henrion, A. Röseler y M. Rebien. "Wet-chemical passivation of Si(111)- and Si(100)-substrates". Materials Science and Engineering: B 73, n.º 1-3 (abril de 2000): 178–83. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00457-2.
Texto completoZaumseil, P., T. Schroeder y G. Weidner. "Structural Characterization of Epitaxial Si / Pr2O3 / Si(111) Heterostructures". Solid State Phenomena 108-109 (diciembre de 2005): 741–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.741.
Texto completoYamamoto, Yuji, Wei-Chen Wen, Markus Andreas Schubert, Cedic Corley-Wiciak y Bernd Tillack. "High Quality Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1213. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321213mtgabs.
Texto completoTonisch, Katja, Wael Jatal, Ralf Granzner, Mario Kittler, Uwe Baumann, Frank Schwierz y Jörg Pezoldt. "2H-AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC(111)/Si(111) Substrates". Materials Science Forum 645-648 (abril de 2010): 1219–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.1219.
Texto completoSobanska, Marta, Núria Garro, Kamil Klosek, Ana Cros y Zbigniew R. Zytkiewicz. "Influence of Si Substrate Preparation Procedure on Polarity of Self-Assembled GaN Nanowires on Si(111): Kelvin Probe Force Microscopy Studies". Electronics 9, n.º 11 (13 de noviembre de 2020): 1904. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9111904.
Texto completoYang, Zi Yi, Zheng Tong Hao y Quan Xie. "Effects of Heat Treatment on Growth of BaSi2 Film on Si(111) Substrates". Materials Science Forum 663-665 (noviembre de 2010): 1273–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.663-665.1273.
Texto completoDaykin, A. C., C. J. Kiely y R. C. Pond. "A Transmission Electron Microscopy study of the B-type CoSi2/Si(111) interface". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 48, n.º 4 (agosto de 1990): 384–85. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100175053.
Texto completoShubina, K. Yu, D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, E. V. Pirogov, A. V. Nashchekin, Sh Sh Sharofidinov y A. M. Mizerov. "Separation of AlN layers from silicon substrates by KOH etching". Journal of Physics: Conference Series 2086, n.º 1 (1 de diciembre de 2021): 012037. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012037.
Texto completoМизеров, А. М., С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов y А. Д. Буравлев. "Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si". Физика твердого тела 61, n.º 12 (2019): 2289. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2019.12.48535.06ks.
Texto completoSato, Yuichi. "GaN Thin-Film-Depositions on Glass and Amorphous-SiO2-Layer-Deposited Si Single-Crystalline Substrates". Materials Science Forum 879 (noviembre de 2016): 1703–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.879.1703.
Texto completoLiu Zhan-Hui, Zhang Li-Li, Li Qing-Fang, Zhang Rong, Xiu Xiang-Qian, Xie Zi-Li y Shan Yun. "InGaN/GaN blue light emitting diodes grown on Si(110) and Si(111) substrates". Acta Physica Sinica 63, n.º 20 (2014): 207304. http://dx.doi.org/10.7498/aps.63.207304.
Texto completoAnzalone, Ruggero, Andrea Severino, Giuseppe D'Arrigo, Corrado Bongiorno, Patrick Fiorenza, Gaetano Foti, Giuseppe Condorelli, Marco Mauceri, Giuseppe Abbondanza y Francesco La Via. "3C-SiC Heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si Using Trichlorosilane (TCS) as the Silicon Precursor." Materials Science Forum 600-603 (septiembre de 2008): 243–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.243.
Texto completoJones, K. M., M. M. Al-Jassim y J. M. Olson. "Electron microscope characterization of MOCVD-grown gap layers on Si". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (agosto de 1986): 724–25. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100144991.
Texto completoFathauer, R. W., C. W. Nieh, Q. F. Xiao y Shin Hashimoto. "Columnar Epitaxy of CoSi2 on Si(111), Si(100), and Si(110)". MRS Proceedings 160 (1989). http://dx.doi.org/10.1557/proc-160-255.
Texto completoGong, Heng, Wei Yang, David N. Lambeth y David E. Laughlin. "Epitaxial Co/NiAl Thin Film Growth on Si Substrates". MRS Proceedings 577 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-577-359.
Texto completoRawdanowicz, T. A., H. Wang, A. Kvit y J. Narayan. "Studies on Epitaxial Relationship and Interface Structure of AlN/Si(111) and GaN/Si(111) Heterostructures". MRS Proceedings 743 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-743-l3.24.
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