Literatura académica sobre el tema "Si (111) Heterojunction"
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Artículos de revistas sobre el tema "Si (111) Heterojunction"
Chao, Xiong, Chen Lei y Yuan Hongchun. "Study on the Synthesis, Characterization of p-CuSCN/n-Si Heterojunction". Open Materials Science Journal 7, n.º 1 (31 de octubre de 2013): 29–32. http://dx.doi.org/10.2174/1874088x01307010029.
Texto completoRazooqi, Mohammed A., Ameer F. Abdulameer, Adwan N. Hameed, Rasha A. Abdullaha y Ehsan I. Sabbar. "The Electrical Characterization of p-CdTe/n-Si (111) Heterojunction Diode". Advanced Materials Research 702 (mayo de 2013): 236–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.702.236.
Texto completoHe, Xiao-Min, Zhi-Ming Chen, Lei Huang y Lian-Bi Li. "First-principles calculations on atomic and electronic properties of Si(111)/6H-SiC(0001) heterojunction". Modern Physics Letters B 29, n.º 29 (25 de octubre de 2015): 1550182. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984915501821.
Texto completoCho, Sung-Pyo, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu Ichikawa y Nobuo Tanaka. "Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces". Journal of Applied Crystallography 46, n.º 4 (4 de julio de 2013): 1076–80. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889813015355.
Texto completoXu, Bei, Changjun Zhu, Xiaomin He, Yuan Zang, Shenghuang Lin, Lianbi Li, Song Feng y Qianqian Lei. "First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge/4H-SiC Heterojunction". Advances in Condensed Matter Physics 2018 (2018): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2018/8010351.
Texto completoXiong, Chao, An Cheng Xu, Xing Zhong Lu, Lei Chen, Xi Fang Zhu y Ruo He Yao. "Fabrication and Characterization of p-CuI/n-Si Heterojunction Diode". Key Engineering Materials 538 (enero de 2013): 324–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.538.324.
Texto completoMahowald, P. H. "Heterojunction band discontinuity at the Si–Ge(111) interface". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 3, n.º 4 (julio de 1985): 1252. http://dx.doi.org/10.1116/1.583050.
Texto completoGonzález, M. L., F. Soria y M. Alonso. "Initial stages of heterojunction formation: Si on GaAs(111)". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 8, n.º 3 (mayo de 1990): 1977–82. http://dx.doi.org/10.1116/1.576791.
Texto completoTsai, Chin-Yi, Jyong-Di Lai, Shih-Wei Feng, Chien-Jung Huang, Chien-Hsun Chen, Fann-Wei Yang, Hsiang-Chen Wang y Li-Wei Tu. "Growth and characterization of textured well-faceted ZnO on planar Si(100), planar Si(111), and textured Si(100) substrates for solar cell applications". Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (15 de septiembre de 2017): 1939–45. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.194.
Texto completoAbdul Majeed E.Ibrahim, Raid A. Isma'el, Enad S.Ibrahim y Essam M.Ibrahim. "Study the electrical properties of ZnO/p-Si heterojunction prepared by chemical spray pyrolysis". Tikrit Journal of Pure Science 21, n.º 7 (8 de febrero de 2023): 162–66. http://dx.doi.org/10.25130/tjps.v21i7.1123.
Texto completoTesis sobre el tema "Si (111) Heterojunction"
Mohan, Lokesh. "III- Nitride Thin Films and Nanostructures on Si(111) by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy". Thesis, 2017. http://etd.iisc.ac.in/handle/2005/4297.
Texto completoLee, Eun Kyu. "Carrier transport in Ge nanowires and one dimensional Si/Ge heterojunctions". Thesis, 2004. http://library1.njit.edu/etd/fromwebvoyage.cfm?id=njit-etd2004-114.
Texto completoCapítulos de libros sobre el tema "Si (111) Heterojunction"
Ajmal Khan, M. y Yasuaki Ishikawa. "Indium (In)-Catalyzed Silicon Nanowires (Si NWs) Grown by the Vapor–Liquid–Solid (VLS) Mode for Nanoscale Device Applications". En Nanowires - Recent Progress. IntechOpen, 2021. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.97723.
Texto completoActas de conferencias sobre el tema "Si (111) Heterojunction"
Deng, Tianguo, Takuma Sato, Zhihao Xu, Ryota Takabe, Suguru Yachi, Yudai Yamashita, Kaoru Toko y Takashi Suemasu. "Investigation of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells on Si(001) and comparison to those on Si(111)". En 2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC) (A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC & 34th EU PVSEC). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2018.8547215.
Texto completoRogers, David J., V. E. Sandana, F. Hosseini Teherani, M. Razeghi y H. J. Drouhin. "Fabrication of nanostructured heterojunction LEDs using self-forming moth eye type arrays of n-ZnO nanocones grown on p-si (111)substrates by pulsed laser deposition". En SPIE OPTO: Integrated Optoelectronic Devices, editado por Ferechteh H. Teherani, Cole W. Litton y David J. Rogers. SPIE, 2009. http://dx.doi.org/10.1117/12.817030.
Texto completoMostafa, Tarek M., Motoki Takahara, Ryuji Baba, Suguru Funasaki, Mahmoud Shaban, Nathaporn Promros, Aki Tominaga, Maiko Nishibori y Tsuyoshi Yoshitake. "Epitaxial growth of n-type β-FeSi2thin films on p-type Si(111) substrates by radio-frequency magnetron sputtering and rectifying action of heterojunctions". En International Conference and Summer School on Advanced Silicide Technology 2014. Japan Society of Applied Physics, 2015. http://dx.doi.org/10.7567/jjapcp.3.011102.
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