Artículos de revistas sobre el tema "Si/β-FeSi2"
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Cho, Sung-Pyo, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu Ichikawa y Nobuo Tanaka. "Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces". Journal of Applied Crystallography 46, n.º 4 (4 de julio de 2013): 1076–80. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889813015355.
Texto completoEguchi, Hajime, Motoki Iinuma, Hirofumi Hoshida, Naoki Murakoso y Yoshikazu Terai. "Growth of Sb-Doped β-FeSi2 Epitaxial Films and Optimization of Donor Activation Conditions". Defect and Diffusion Forum 386 (septiembre de 2018): 38–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.386.38.
Texto completoAkiyama, Kensuke, Hiroshi Funakubo y Masaru Itakura. "Epitaxial growth of (010)-oriented β-FeSi2 film on Si(110) substrate". MRS Proceedings 1493 (2013): 189–94. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.407.
Texto completoLi, Xiao Na, Bing Hu, Chuang Dong y Xin Jiang. "Structural Evolution Upon Annealing of Multi-Layer Si/Fe Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering". Materials Science Forum 561-565 (octubre de 2007): 1161–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.561-565.1161.
Texto completoAkiyama, Kensuke, Yuu Motoizumi, Tetsuya Okuda, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Irie y Yoshihisa Matsumoto. "Synthesis and Photocatalytic Properties of Iron Disilicide/SiC Composite Powder". MRS Advances 2, n.º 8 (2017): 471–76. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.221.
Texto completoTsunoda, Tatsuo, Masakazu Mukaida, Akio Watanabe y Yoji Imai. "Composition dependence of morphology, structure, and thermoelectric properties of FeSi2 films prepared by sputtering deposition". Journal of Materials Research 11, n.º 8 (agosto de 1996): 2062–70. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1996.0259.
Texto completoLin, X. W., Z. Liliental-Weber, J. Washburn, J. Desimoni y H. Bernas. "Formation of β-FeSi2, by thermal annealing of Fe-implanted (001) Si". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (1 de agosto de 1993): 808–9. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149878.
Texto completoNanko, Makoto, Se Hun Chang, Koji Matsumaru, Kozo Ishizaki y Masatoshi Takeda. "Isothermal Oxidation of Sintered β-FeSi2 in Air". Materials Science Forum 522-523 (agosto de 2006): 641–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.522-523.641.
Texto completoVisotin, Maxim A., I. A. Tarasov, A. S. Fedorov, S. N. Varnakov y S. G. Ovchinnikov. "Prediction of orientation relationships and interface structures between α-, β-, γ-FeSi2 and Si phases". Acta Crystallographica Section B Structural Science, Crystal Engineering and Materials 76, n.º 3 (22 de mayo de 2020): 469–82. http://dx.doi.org/10.1107/s2052520620005727.
Texto completoAkiyama, Kensuke, Satoru Kaneko, Yasuo Hirabayashi y Hiroshi Funakubo. "Photoluminescence properties of Si/β-FeSi2/Si double heterostructure". Thin Solid Films 508, n.º 1-2 (junio de 2006): 380–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.07.353.
Texto completoDimitriadis, C. A. "Electrical properties of β‐FeSi2/Si heterojunctions". Journal of Applied Physics 70, n.º 10 (15 de noviembre de 1991): 5423–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.350372.
Texto completoSuemasu, T., Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa y T. Chikyow. "Influence of Si growth temperature for embedding β-FeSi2 and resultant strain in β-FeSi2 on light emission from p-Si/β-FeSi2 particles/n-Si light-emitting diodes". Applied Physics Letters 79, n.º 12 (17 de septiembre de 2001): 1804–6. http://dx.doi.org/10.1063/1.1405001.
Texto completoGrimaldi, M. G., G. Franzò, S. Ravesi, A. Terrasi, C. Spinella y A. La Mantia. "Formation of epitaxial γ-FeSi2 and β-FeSi2 layers on (111) Si". Applied Surface Science 74, n.º 1 (enero de 1994): 19–26. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(94)90095-7.
Texto completoOostra, D. J., D. E. W. Vandenhoudt, C. W. T. Bulle‐Lieuwma y E. P. Naburgh. "Ion‐beam synthesis of a Si/β‐FeSi2/Si heterostructure". Applied Physics Letters 59, n.º 14 (30 de septiembre de 1991): 1737–39. http://dx.doi.org/10.1063/1.106235.
Texto completoDatta, A., S. Kal y S. Basu. "Current-voltage studies on β-FeSi2/Si heterojunction". Bulletin of Materials Science 23, n.º 4 (agosto de 2000): 331–34. http://dx.doi.org/10.1007/bf02720092.
Texto completoEvangelou, E. K., G. E. Giakoumakis y C. A. Dimitriadis. "Deep levels in β-FeSi2/n-Si heterojunctions". Solid State Communications 86, n.º 5 (mayo de 1993): 309–12. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(93)90379-2.
Texto completoLefki, K. y P. Muret. "Internal photoemission in metal/β-FeSi2/Si heterojunctions". Applied Surface Science 65-66 (marzo de 1993): 772–76. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(93)90754-y.
Texto completoLiu, Hongfei, Chengcheh Tan y Dongzhi Chi. "Magnetron-sputter epitaxy of β-FeSi2(220)/Si(111) and β-FeSi2(431)/Si(001) thin films at elevated temperatures". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 30, n.º 4 (julio de 2012): 041516. http://dx.doi.org/10.1116/1.4731200.
Texto completoSuzuno, Mitsushi, Keiichi Akutsu, Hideki Kawakami, Kensuke Akiyama y Takashi Suemasu. "Metalorganic chemical vapor deposition of β-FeSi2 on β-FeSi2 seed crystals formed on Si substrates". Thin Solid Films 519, n.º 24 (octubre de 2011): 8473–76. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.05.029.
Texto completoFedorov, A. S., A. A. Kuzubov, T. A. Kozhevnikova, N. S. Eliseeva, N. G. Galkin, S. G. Ovchinnikov, A. A. Saranin y A. V. Latyshev. "Features of the structure and properties of β-FeSi2 nanofilms and a β-FeSi2/Si interface". JETP Letters 95, n.º 1 (marzo de 2012): 20–24. http://dx.doi.org/10.1134/s0021364012010055.
Texto completoKimura, Yoshisato, Hiroaki Otani, Ayaka Mori y Yaw-Wang Chai. "Evaluation of Microstructure Formation and Phase Equilibria for Thermoelectric β-FeSi2 Composite Alloys". MRS Advances 2, n.º 26 (2017): 1369–74. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.115.
Texto completoOlk, C. H., O. P. Karpenko, S. M. Yalisove, G. L. Doll y J. F. Mansfield. "Growth of epitaxial β-FeSi2 thin films by pulsed laser deposition on silicon (111)". Journal of Materials Research 9, n.º 11 (noviembre de 1994): 2733–36. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.2733.
Texto completoOkajima, Keiichi, Ching-ju Wen, Manabu Ihara, Isao Sakata y Koichi Yamada. "Optical and Electrical Properties of β-FeSi2/Si, β-FeSi2/InP Heterojunction Prepared by RF-Sputtering Deposition". Japanese Journal of Applied Physics 38, Part 1, No. 2A (15 de febrero de 1999): 781–86. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.38.781.
Texto completoCharoenyuenyao, Peerasil, Nathaporn Promros, Rawiwan Chaleawpong, Nattakorn Borwornpornmetee, Pattarapol Sittisart, Yūki Tanaka y Tsuyoshi Yoshitake. "Wettability, Surface Morphology and Structural Properties of β-FeSi2 Films Manufactured Through Usage of Radio-Frequency Magnetron Sputtering". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, n.º 8 (1 de agosto de 2020): 5075–81. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.17839.
Texto completoHe Jiuyang, 何久洋, 马媛媛 Ma Yuanyuan, 万英 Wan Ying, 阿孜古丽·热合曼 Aziguli·Reheman y 艾尔肯·斯地克 Aierken·Sidike. "1540 nm Photoluminescence Enhancement in Er Doped β-FeSi2/Si". Laser & Optoelectronics Progress 52, n.º 8 (2015): 083101. http://dx.doi.org/10.3788/lop52.083101.
Texto completoTerukov, E. I., O. I. Kon’kov, V. Kh Kudoyarova, O. B. Gusev, V. Yu Davydov y G. N. Mosina. "The formation of β-FeSi2 precipitates in microcrystalline Si". Semiconductors 36, n.º 11 (noviembre de 2002): 1235–39. http://dx.doi.org/10.1134/1.1521222.
Texto completoTassis, D. H., C. A. Dimitriadis, J. Brini, G. Kamarinos, M. Angelakeris y N. Flevaris. "Low frequency noise in β-FeSi2/n-Si heterojunctions". Applied Physics Letters 72, n.º 6 (9 de febrero de 1998): 713–15. http://dx.doi.org/10.1063/1.120854.
Texto completoChen, H., P. Han, X. D. Huang y Y. D. Zheng. "Solid phase epitaxy of β‐FeSi2 on Si(100)". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 14, n.º 3 (mayo de 1996): 905–7. http://dx.doi.org/10.1116/1.580412.
Texto completoMurakami, Y., Y. Tsukahara, A. Kenjo, T. Sadoh, Y. Maeda y M. Miyao. "Impurity conduction in ion beam synthesized β-FeSi2/Si". Thin Solid Films 461, n.º 1 (agosto de 2004): 198–201. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.02.071.
Texto completoDe Crescenzi, M., G. Gaggiotti, N. Motta, F. Patella, A. Balzarotti, G. Mattogno y J. Derrien. "Electronic structure of epitaxial β-FeSi2 on Si(111)". Surface Science Letters 251-252 (julio de 1991): A317. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(91)90849-m.
Texto completoDe Crescenzi, M., G. Gaggiotti, N. Motta, F. Patella, A. Balzarotti, G. Mattogno y J. Derrien. "Electronic structure of epitaxial β-FeSi2 on Si(111)". Surface Science 251-252 (julio de 1991): 175–79. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(91)90976-y.
Texto completoGalkin, N. G., D. L. Goroshko, A. S. Gouralnik, V. O. Polyarnyi, I. V. Louchaninov y S. V. Vavanova. "Formation and transport properties of Si(111)/β-FeSi2/Si nanocluster structures". e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3 (2005): 97–106. http://dx.doi.org/10.1380/ejssnt.2005.97.
Texto completoYoneda, K., Y. Terai, K. Noda, N. Miura y Y. Fujiwara. "Photoluminescence and photoreflectance studies in Si/β-FeSi2/Si(001) double heterostructure". Physics Procedia 11 (2011): 185–88. http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2011.01.025.
Texto completoBellani, V., G. Guizzetti, F. Marabelli, M. Patrini, S. Lagomarsino y H. von Känel. "Optical functions of epitaxial β-FeSi2 on Si(001) and Si(111)". Solid State Communications 96, n.º 10 (diciembre de 1995): 751–56. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(95)00546-3.
Texto completoAkiyama, Kensuke, Shunichi Motomura, Gohei Hayashi, Hiroshi Funakubo y Masaru Itakura. "Evaluation of β-FeSi2/Si-interface using Ag-coating on Si surface". physica status solidi (c) 10, n.º 12 (4 de noviembre de 2013): 1684–87. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201300331.
Texto completoOzawa, Y., T. Ohtsuka, Cheng Li, T. Suemasu y F. Hasegawa. "Influence of β-FeSi2 particle size and Si growth rate on 1.5 μm photoluminescence from Si/β-FeSi2-particles/Si structures grown by molecular-beam epitaxy". Journal of Applied Physics 95, n.º 10 (15 de mayo de 2004): 5483–86. http://dx.doi.org/10.1063/1.1707233.
Texto completoSuemasu, T., T. Fujii, K. Takakura y F. Hasegawa. "Dependence of photoluminescence from β-FeSi2 and induced deep levels in Si on the size of β-FeSi2 balls embedded in Si crystals". Thin Solid Films 381, n.º 2 (enero de 2001): 209–13. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01745-4.
Texto completoJe, J. H., H. K. Kim y D. Y. Noh. "Amorphous, Silicide, and Crystalline Fe Films Grown on Si(001) by Radio-frequency Magnetron Sputtering". Journal of Materials Research 14, n.º 4 (abril de 1999): 1658–63. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0223.
Texto completoShaban, Mahmoud, Kazuhiro Nakashima, Wataru Yokoyama y Tsuyoshi Yoshitake. "Photovoltaic Properties ofn-type β-FeSi2/p-type Si Heterojunctions". Japanese Journal of Applied Physics 46, No. 27 (6 de julio de 2007): L667—L669. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.46.l667.
Texto completoTerai, Yoshikazu, Yoshihito Maeda y Yasufumi Fujiwara. "Nondestructive investigation of β-FeSi2/Si interface by photoluminescence measurements". Thin Solid Films 515, n.º 22 (agosto de 2007): 8129–32. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.058.
Texto completoHan, Ming, Miyoko Tanaka, Masaki Takeguchi y Kazuo Furuya. "Rod-like β-FeSi2 phase grown on Si (111) substrate". Thin Solid Films 461, n.º 1 (agosto de 2004): 136–40. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.02.087.
Texto completoZhu, Y. M., W. Z. Zhang y F. Ye. "One of the potentially optimal interfaces of β-FeSi2/Si". Journal of Crystal Growth 279, n.º 1-2 (mayo de 2005): 129–39. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.02.023.
Texto completoSakane, Shunya, Masayuki Isogawa, Kentaro Watanabe, Jun Kikkawa, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai y Yoshiaki Nakamura. "Epitaxial multilayers of β-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, n.º 4 (julio de 2017): 041402. http://dx.doi.org/10.1116/1.4984107.
Texto completoSuemasu, T., Y. Ugajin, S. Murase, T. Sunohara y M. Suzuno. "Photoluminescence decay time and electroluminescence of p-Si∕β-FeSi2 particles∕n-Si and p-Si∕β-FeSi2 film∕n-Si double-heterostructures light-emitting diodes grown by molecular-beam epitaxy". Journal of Applied Physics 101, n.º 12 (15 de junio de 2007): 124506. http://dx.doi.org/10.1063/1.2749200.
Texto completoLee, Kikang, Jejun Jeong, Yeoneyi Chu, Jongbeom Kim, Kyuhwan Oh y Jeongtak Moon. "Properties of Fe–Si Alloy Anode for Lithium-Ion Battery Synthesized Using Mechanical Milling". Materials 15, n.º 5 (2 de marzo de 2022): 1873. http://dx.doi.org/10.3390/ma15051873.
Texto completoMarinova, M., M. Baleva y G. Zlateva. "Resonant Raman and Micro-Raman Scattering from Si Matrix with Unburied β-FeSi2 Nanolayers". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, n.º 2 (1 de febrero de 2008): 775–79. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.a055.
Texto completoIshimaru, Manabu, Keisuke Omae, In-Tae Bae, Muneyuki Naito, Yoshihiko Hirotsu, James A. Valdez y Kurt E. Sickafus. "Formation process of β-FeSi2∕Si heterostructure in high-dose Fe ion implanted Si". Journal of Applied Physics 99, n.º 11 (junio de 2006): 113527. http://dx.doi.org/10.1063/1.2201729.
Texto completoHattori, Azusa N., Ken Hattori, Kenji Kodama, Nobuyoshi Hosoito y Hiroshi Daimon. "Formation of ferromagnetic interface between β-FeSi2 and Si(111) substrate". Applied Physics Letters 91, n.º 20 (12 de noviembre de 2007): 201916. http://dx.doi.org/10.1063/1.2804006.
Texto completoErlesand, U. y M. Östling. "Electrical characterization of the β‐FeSi2/Si heterojunction after thermal oxidation". Applied Physics Letters 68, n.º 1 (enero de 1996): 105–7. http://dx.doi.org/10.1063/1.116770.
Texto completoMaeda, Yoshihito, Kenji Umezawa, Yoshikazu Hayashi, Kiyoshi Miyake y Kenya Ohashi. "Photovoltaic properties of ion-beam synthesized β-FeSi2/n-Si heterojunctions". Thin Solid Films 381, n.º 2 (enero de 2001): 256–61. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01753-3.
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