Literatura académica sobre el tema "Semiconductor Properties of ZnO"
Crea una cita precisa en los estilos APA, MLA, Chicago, Harvard y otros
Consulte las listas temáticas de artículos, libros, tesis, actas de conferencias y otras fuentes académicas sobre el tema "Semiconductor Properties of ZnO".
Junto a cada fuente en la lista de referencias hay un botón "Agregar a la bibliografía". Pulsa este botón, y generaremos automáticamente la referencia bibliográfica para la obra elegida en el estilo de cita que necesites: APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
También puede descargar el texto completo de la publicación académica en formato pdf y leer en línea su resumen siempre que esté disponible en los metadatos.
Artículos de revistas sobre el tema "Semiconductor Properties of ZnO"
Fortunato, Elvira, Alexandra Gonçalves, António Marques, Ana Pimentel, Pedro Barquinha, Hugo Águas, Luís Pereira et al. "Multifunctional Thin Film Zinc Oxide Semiconductors: Application to Electronic Devices". Materials Science Forum 514-516 (mayo de 2006): 3–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.514-516.3.
Texto completoDi Trolio, Antonio, Alberto M. Testa y Aldo Amore Bonapasta. "Ferromagnetic Behavior and Magneto-Optical Properties of Semiconducting Co-Doped ZnO". Nanomaterials 12, n.º 9 (1 de mayo de 2022): 1525. http://dx.doi.org/10.3390/nano12091525.
Texto completoAmananti, Wilda, Riky Ardiyanto, Heri Sutanto, Iis Nurhasanah y Inur Tivani. "Analysis of the optical properties of ZnO thin films deposited on a glass substrate by the So-gel method". Journal of Natural Sciences and Mathematics Research 8, n.º 1 (27 de junio de 2022): 52–58. http://dx.doi.org/10.21580/jnsmr.2022.8.1.9623.
Texto completoBakranova, Dina, Bekbolat Seitov y Nurlan Bakranov. "Preparation and Photocatalytic/Photoelectrochemical Investigation of 2D ZnO/CdS Nanocomposites". ChemEngineering 6, n.º 6 (9 de noviembre de 2022): 87. http://dx.doi.org/10.3390/chemengineering6060087.
Texto completoBrillson, Leonard, Jonathan Cox, Hantian Gao, Geoffrey Foster, William Ruane, Alexander Jarjour, Martin Allen, David Look, Holger von Wenckstern y Marius Grundmann. "Native Point Defect Measurement and Manipulation in ZnO Nanostructures". Materials 12, n.º 14 (12 de julio de 2019): 2242. http://dx.doi.org/10.3390/ma12142242.
Texto completoKobayashi, Masakazu, Masanobu Izaki, Pei Loon Khoo, Tsutomu Shinagawa, Akihisa Takeuchi y Kentaro Uesugi. "High-Resolution Mapping of Local Photoluminescence Properties in CuO/Cu2O Semiconductor Bi-Layers by Using Synchrotron Radiation". Materials 14, n.º 19 (25 de septiembre de 2021): 5570. http://dx.doi.org/10.3390/ma14195570.
Texto completoShu, Xinpeng. "Research on Photoelectric Properties of ZnO-based Semiconductor Material". Journal of Physics: Conference Series 2541, n.º 1 (1 de julio de 2023): 012060. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2541/1/012060.
Texto completoSong, Yixiao, Jingwen Qin, Lei Li, Naveed Mushtaq, M. A. K. Yousaf Shah y Jun Xie. "Introducing Fuel Cell Application Using Sodium Vacancies in Hexagonal Wurtzite Structured ZnO Nanorods for Developing Proton–Ion Conductivity". Crystals 12, n.º 11 (9 de noviembre de 2022): 1594. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12111594.
Texto completoFoo, K. L., U. Hashim, Chun Hong Voon y M. Kashif. "Structural and Electrical Properties of Hydrothermal Growth ZnO Nanorods". Advanced Materials Research 1109 (junio de 2015): 104–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1109.104.
Texto completoMoon, Yeon-Keon, Dae-Yong Moon, Sang-Ho Lee, Chang-Oh Jeong y Jong-Wan Park. "High Performance Thin Film Transistor with ZnO Channel Layer Deposited by DC Magnetron Sputtering". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, n.º 9 (1 de septiembre de 2008): 4557–60. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.ic24.
Texto completoTesis sobre el tema "Semiconductor Properties of ZnO"
Lee, William (Chun-To). "Harvesting Philosopher's Wool: A Study in the Growth, Structure and Optoelectrical Behaviour of Epitaxial ZnO". Thesis, University of Canterbury. Electrical and Computer Engineering, 2008. http://hdl.handle.net/10092/2507.
Texto completoYang, Li Li. "Synthesis and Characterization of ZnO Nanostructures". Doctoral thesis, Linköpings universitet, Institutionen för teknik och naturvetenskap, 2010. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-60815.
Texto completoEndimensionella nanostrukturer av ZnO har stora potentiella tillämpningar för optoelektroniska komponenter och sensorer. Huvudresultaten för denna avhandling är inte bara att vi framgångsrikt har realiserat med en kontrollerbar metod ZnO nanotrådar (ZNRs), ZnO nanotuber (ZNTs) och ZnMgO/ZnO heterostrukturer, utan vi har också undersökt deras struktur och optiska egenskaper i detalj. För ZNRs har diametern blivit välkontrollerad från 150 nm ner till 40 nm. Den storlekskontrollerande mekanismen är i huvudsak relaterad till tätheten av ZnO partiklarna som är fördeponerade på substratet. De optiska mätningarna ger upplysning om att ytrekombinationsprocessen spelar en betydande roll för tillväxten av ZNR. En värmebehandling i efterhand vid 500 grader Celsius eller användande av en förseglad glasbägare under tillväxtprocessen kan starkt hålla nere kanalerna för ytrekombinationen.För ZNT, dokumenterar vi inte bara samexistensen av rumsliga indirekta och direkta övergångar på grund av bandböjning, men vi konstaterar också att vi har mindre icke-strålande bidrag till den optiska emissionsprocessen i ZNT. För ZnMgO/ZnO heterostrukturer konstaterar vi med hjälp av analys av Mg diffusionen i den växta och den i efterhand uppvärmda Zn(0.94)Mg(0.06)O filmen, att en tillväxt vid 700 grader Celsius är den mest lämpliga för att växa ZnMgO/ZnO heterostrukturer eller kvantbrunnar. Denna avhandling ger en teoretisk och experimentell grund för bättre förståelse av grundläggande fysik och för tillämpningar av lågdimensionella strukturer.
SSF, VR
Li, Yun. "First Principle Calculations of the Structure and Electronic Properties of Pentacene Based Organic and ZnO Based Inorganic Semiconducting Materials". Thesis, University of North Texas, 2012. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc115112/.
Texto completoSchwarz, Casey Minna. "Radiation Effects on Wide Band Gap Semiconductor Transport Properties". Doctoral diss., University of Central Florida, 2012. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/5488.
Texto completoID: 031001520; System requirements: World Wide Web browser and PDF reader.; Mode of access: World Wide Web.; Advisers: Elena Flitsiyan, Leonid Chernyak.; Title from PDF title page (viewed August 19, 2013).; Thesis (Ph.D.)--University of Central Florida, 2012.; Includes bibliographical references (p. 104-109).
Ph.D.
Doctorate
Physics
Sciences
Physics
Mahmood, Farkhund Shakeel. "Electrical and optical properties of RF sputtered ZnO thin films". Thesis, Keele University, 1996. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.297202.
Texto completoKoch, Sandro. "Electrical and optical properties of hydrogen-related complexes and their interplay in ZnO". Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2015. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-187905.
Texto completoDer kommerzielle Durchbruch von ZnO-basierten Bauelementen ist hauptsächlich durch die beständige n-Typ Leitung des Materials eingeschränkt. Wasserstoff, der sowohl elektrisch aktive als auch inaktive Komplexe in ZnO formt, gilt als ein Hauptverursacher dieses Verhaltens. Jedoch ist die bestehende Literatur zu derartigen Defekten unvollständig, teils auch widersprüchlich. Gegenstand der vorliegenden Arbeit sind umfassende Untersuchungen der beiden wasserstoffinduzierten Donatoren HBC und HO, des Wasserstoffmoleküls H2 und eines Wasserstoffdefekts mit lokalen Schwingungsmoden (LSMn) bei 3303 und 3320 cm-1 in ZnO hinsichtlich ihrer Eigenschaften und gegenseitigen Wechselwirkung. Die Charakterisierung der Komplexe erfolgt mit Hilfe von Raman-Spektroskopie, Infrarot-Absorptionsspektroskopie, Photoleitfähigkeits- (PC) und Photolumineszenzmessungen. Basierend auf der PC Technik wird eine neuartige, hochsensitive Spektroskopiemethode etabliert, welche auch in stark absorbierenden Spektralbereichen anwendbar ist. Diese Technik ermöglicht erstmals die Detektion der LSMn von HO bei 742 und 792 cm-1 im neutralen Ladungszustand. Das experimentelle Ergebnis verifiziert theoretische Vorhersagen zur mikroskopischen Struktur dieses flachen Donators. In Raman-Messungen wird der elektrische 1s→2s Übergang von HO bei 273 cm-1 identifiziert und eine Blauverschiebung dieser Größe mit zunehmender HO-Konzentration beobachtet. Der Donator HBC zeigt ebenfalls eine Blauverschiebung des elektrischen 1s→2s(2p) Übergangs, welche durch lokale Gitterverzerrungen nach Hochtemperaturbehandlungen bedingt ist. Eine Raman-Studie charakterisiert das H2-Molekül in Bezug auf seine Bildung, Stabilität, Gitterposition und die Wechselwirkung mit dem ZnO-Kristall. Insbesondere wird seine Rolle für die fortwährende Bildung der Donatoren HO und HBC und des damit verbundenen n-Typ Verhaltens herausgearbeitet. Die Analyse ergibt die eindeutige Identifizierung der in der Literatur mit „hidden hydrogen“ bezeichneten Spezies als H2. Darüber hinaus tragen die beobachteten Umwandlungsprozesse zwischen ortho-H2 und para-H2 sowie die Kopplung an das Phononenspektrum zu einem generellen Verständnis von Wasserstoffmolekülen in Halbleitern bei. Die experimentellen Ergebnisse der LSMn bei 3303 und 3320 cm-1 in Kombination mit Modellrechnungen ergeben einen zugrundeliegenden Defekt mit drei Wasserstoffatomen. Dieser Komplex Y–H3 weist zwei Konfigurationen auf, welche sich durch die Orientierung von nur einer chemischen Bindung unterscheiden. Die Beobachtungen sind mit einer Zinkvakanz besetzt mit drei Wasserstoffatomen bzw. einem Ammoniakmolekül als mikroskopische Struktur gleichermaßen erklärbar. Bisherige Modelle aus der Literatur können damit widerlegt werden. Messungen von Konzentrationsprofilen mit Raman-Spektroskopie offenbaren die lokale Verteilung der Wasserstoffdefekte sowie von Gitterstörungen. An der Oberfläche, im Beisein von Sauerstoffvakanzen, ist HO der dominante flache Donator. In dem sich anschließenden ungestörten Kristallverbund ist hingegen der Donator HBC vorherrschend. In Zentrum, welches von Zinkvakanzen geprägt ist, sind die Konzentrationen von H2 und Y–H3 maximal. In Verbindung mit Temperaturbehandlungen ist eine räumlich aufgelöste Untersuchung der Wechselwirkung möglich
Demiroglu, Ilker. "Effect of Dimensionality and Polymorphism on the properties of ZnO". Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 2014. http://hdl.handle.net/10803/277286.
Texto completoEl treball de recerca desenvolupat en aquesta tesi es centra en ZnO, un dels semiconductors de tipus II-VI amb un ampli ventall d’aplicacions. En les estructures (ZnO)n suportades, s’observa que la presència del suport afecta l’ordre d’estabilitats dels mateixos però de manera molt més dràstica afecta selectivament les estructures bidimensionals (2D) que, a partir d’una certa grandària, en fase gas són menys estables que les tridimensionals (3D). Els càlculs per a la làmina 2D-ZnO aïllada interaccionant amb l’hidrogen proporcionen una forta evidència per a la formació d’un estat d’enllaços multi-centres de baixa energia quan passa a través de l’anell de Zn3O3 de la làmina 2D-ZnO, permetent així de forma relativament fàcil el transport d’hidrogen a través de la làmina. Quan canviem a models amb illes mes grans, observem reconstruccions estructurals a l’interior i sota l’illa formada per una nova capa incompleta. L’interior de les illes triangulars adopta estructura WZ i esta rodejada per vores amb estructures BCT i cantonades amb estructura T1. S’ha observat que aquests models presenten en un millor acord estructural amb les dades experimentals per el cas de les lamines formades per 2.7 ML que no pas respecte als models que assumeixen una estructura purament grafítica o purament WZ. Hem generat un ampli rang de polimorfs de ZnO basats en lamines hexagonals inspirades en l’enumeració de les seves xarxes subjacents característiques i evaluant l’estabilitat del sòlid “bulk” i les nano-lamines d’aquestes estructures mitjançant calculs ab initio. Hem observat un ampli polimorfisme d’estructures de baixa energia en les nano-lamines amb un ordre d’estabilitat totalment diferent al del sòlid “bulk”. A partir d’aquestes bases generals hem pogut tenir un millor coneixement de les transicions estructurals observades durant el creixement epitaxial i les prediccions d’estabilitat de les nano-lamines en variar-ne el gruix i la pressió exercida. Hem conclòs els nostres resultats explicant que la nanoporositat està inextricablement connectada tant amb la Erel com amb el ΔEgap i hem predit que la nanoporositat pot induir un increment en el band gap de fins a ~1.5 eV relatius a la wurtzita ZnO. Comprovant també la generalitat d’aquest fenomen, pe’l CdS i pel CdSe suggerim que la nanoporositat pot ser emprada com un mètode genèric d’enginyeria de band gap per materials funcionals morfològicament i electrònicament.
Hultqvist, Adam. "Cadmium Free Buffer Layers and the Influence of their Material Properties on the Performance of Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells". Doctoral thesis, Uppsala universitet, Fasta tillståndets elektronik, 2010. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-133112.
Texto completoFelaktigt tryckt som Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology 717
Tirpak, Olena. "INFLUENCE OF ELECTRON TRAPPING ON MINORITY CARRIER TRANSPORT PROPERTIES OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS". Doctoral diss., University of Central Florida, 2007. http://digital.library.ucf.edu/cdm/ref/collection/ETD/id/3278.
Texto completoPh.D.
Department of Physics
Sciences
Physics PhD
Mokhtari, Abbas. "On the growth, magnetic properties and Magneto-Optical Studies of ZnO based Dilute Magnetic Semiconductors and Magnetite". Thesis, University of Sheffield, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.500218.
Texto completoLibros sobre el tema "Semiconductor Properties of ZnO"
Jian, Li, Yan Yixun y National Renewable Energy Laboratory (U.S.), eds. Design of shallow p-type dopants in ZnO: Preprint. Golden, Colo: National Renewable Energy Laboratory, 2008.
Buscar texto completoJ, Li, Yan Y, United States. Department of Energy, National Renewable Energy Laboratory (U.S.), United States. Department of Energy. Office of Scientific and Technical Information y IEEE Photovoltaic Specialists Conference (33rd : 2008 : San Diego, Calif.), eds. Design of Shallow p-type Dopants in ZnO (Presentation). Washington, D.C: United States. Dept. of Energy, 2008.
Buscar texto completoG, Sachs Kenneth, ed. Semiconductor research trends. New York: Nova Science Publishers, 2007.
Buscar texto completoFukata, Naoki y Riccardo Rurali, eds. Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires. Singapore: Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-9050-4.
Texto completoMönch, Winfried. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-06945-5.
Texto completoSadowski, Marcin L., Marek Potemski y Marian Grynberg, eds. Optical Properties of Semiconductor Nanostructures. Dordrecht: Springer Netherlands, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-4158-1.
Texto completoOptical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge, UK: Cambridge Unviersity Press, 1998.
Buscar texto completoSadowski, Marcin L. Optical Properties of Semiconductor Nanostructures. Dordrecht: Springer Netherlands, 2000.
Buscar texto completoLay, Guy. Semiconductor Interfaces: Formation and Properties. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1987.
Buscar texto completoL, Sadowski Marcin, Potemski Marek y Grynberg Marian, eds. Optical properties of semiconductor nanostructures. Dordrecht: Kluwer Academic, 2000.
Buscar texto completoCapítulos de libros sobre el tema "Semiconductor Properties of ZnO"
Voss, Tobias y Jürgen Gutowski. "Surface Related Optical Properties of ZnO Nanowires". En Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1, 81–98. Hoboken, NJ, USA: John Wiley & Sons, Inc., 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9781118984321.ch4.
Texto completoMallika, A. N., A. Ramachandra Reddy, K. SowriBabu y K. Venugopal Reddy. "Optimizing the Optical Properties of ZnO Nanoparticles with Al Doping". En Physics of Semiconductor Devices, 763–66. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_196.
Texto completoZhang, X. H., Soo Jin Chua, A. M. Yong, S. Y. Chow, H. Y. Yang, S. P. Lau, S. F. Yu y X. W. Sun. "Fabrication and Optical Properties of ZnO Quantum Dots". En Semiconductor Photonics: Nano-Structured Materials and Devices, 71–73. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-471-5.71.
Texto completoLe, Hong Quang y Soo Jin Chua. "Electrical Properties and UV Response of Single ZnO Nanorod". En Semiconductor Photonics: Nano-Structured Materials and Devices, 192–95. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-471-5.192.
Texto completoSong, J. H. "Optical Properties of GaN and ZnO". En Oxide and Nitride Semiconductors, 311–54. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-88847-5_7.
Texto completoOh, D. C. "Electrical Properties of GaN and ZnO". En Oxide and Nitride Semiconductors, 355–414. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-88847-5_8.
Texto completoHuy, P. T., T. T. An, N. D. Chien y Do Jin Kim. "Temperature-Controlled Catalytic Growth and Photoluminescence Properties of ZnO Nanostructures". En Semiconductor Photonics: Nano-Structured Materials and Devices, 68–70. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-471-5.68.
Texto completoHanada, T. "Basic Properties of ZnO, GaN, and Related Materials". En Oxide and Nitride Semiconductors, 1–19. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-88847-5_1.
Texto completoPandey, Padmini, Mohammad Ramzan Parra, Rajnish Kurchania y Fozia Z. Haque. "Synthesis and Optical Properties of Pure and Eu+3 Ion Doped ZnO Nanoparticles Prepared Via Sol-Gel Method". En Physics of Semiconductor Devices, 599–600. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_151.
Texto completoSingh, Chandra Bhal, Surajit Sarkar y Vandana Singh. "Effect of Substrate Temperature Variation and Tartarization on micro-Structural and Optical Properties of Pulsed DC Sputtered Hydrogenated ZnO: Al Films". En Physics of Semiconductor Devices, 771–73. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_198.
Texto completoActas de conferencias sobre el tema "Semiconductor Properties of ZnO"
Kovac, J., J. Skriniarova, P. Kudela, I. Novotny, J. Bruncko, D. Donoval, J. Jakabovic et al. "Investigation of GaN/ZnO heterostructures properties". En 2006 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/asdam.2006.331199.
Texto completoTudose, I. V., P. Pascariu, C. Pachiu, F. Comanescu, M. Danila, R. Gavrila, E. Koudoumas y M. Suchea. "Comparative Study of Sm and La Doped ZnO Properties". En 2018 International Semiconductor Conference (CAS). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2018.8539807.
Texto completoIacomi, Felicia, C. Baban, R. Apetrei y D. Luca. "Structural and Electro-Optical Properties of ZnO Thin Films". En 2007 International Semiconductor Conference, CAS 2007. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2007.4519686.
Texto completoLi, Linghui, Yungryel Ryu, Henry W. White y Ping Yu. "Optical properties of metal-semiconductor-metal ZnO UV photodetectors". En OPTO, editado por Ferechteh H. Teherani, David C. Look, Cole W. Litton y David J. Rogers. SPIE, 2010. http://dx.doi.org/10.1117/12.843019.
Texto completoMasud, Md Abdulla Al y Zoubeida Ounaies. "Dielectric Properties of Dielectrophoretically Aligned ZnO-PDMS Composites". En ASME 2016 Conference on Smart Materials, Adaptive Structures and Intelligent Systems. American Society of Mechanical Engineers, 2016. http://dx.doi.org/10.1115/smasis2016-9128.
Texto completoRay, Ayan, Debashis Panda, Tamita Rakshit, Sanjay K. Mandal, Indranil Manna y Samit K. Ray. "Growth and optical properties of La0.7Sr0.3MnO3/ZnO heterojunctions". En 2009 2nd International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology (IEDST). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/edst.2009.5166115.
Texto completoLupan, O., L. Chow, V. Ursaki, E. Monaico, I. Tiginyanu, S. Shishiyanu, T. Shishiyanu, S. Park y A. Schulte. "Effect of Sn Dopant on the Properties of ZnO Nanorod Arrays". En 2007 International Semiconductor Conference (CAS 2007). IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2007.4519732.
Texto completoHamid, Haslinda Abdul, Mat Johar Abdullah, Azlan Abdul Aziz y Siti Azlina Rosli. "Electrical Properties of p-Type Al - N Codoped ZnO Thin Films". En 2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/smelec.2006.381113.
Texto completoCao Rongrong, Fang Huayong, Wang Fang, Fu Bangran, Feng Yulin, Zhang Kailiang y Yang Baohe. "Piezoelectric properties of ZnO / BN multilayer structures at the nanometer scale". En 2015 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/cstic.2015.7153400.
Texto completoAzhar, N. E. A., S. S. Shariffudin, R. Abdul Rani, A. S. Zoolfakar, M. F. Malek, Salman Alrokayan, Haseeb A. Khan y M. Rusop. "Effect of ZnO Composition on the Electrical Properties of MEH-PPV: ZnO Nanocomposites Thin film via Spin Coating". En 2018 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/smelec.2018.8481297.
Texto completoInformes sobre el tema "Semiconductor Properties of ZnO"
Ellis, A. B. Luminescent Properties of Semiconductor Electrodes. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, agosto de 1985. http://dx.doi.org/10.21236/ada158841.
Texto completoStevenson, D. A. CrystaL Growth and Mechanical Properties of Semiconductor Alloys. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, abril de 1988. http://dx.doi.org/10.21236/ada198153.
Texto completoSchetzina, J. F. Synthesis and Properties of Novel Multilayer Semiconductor Structures. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, octubre de 1986. http://dx.doi.org/10.21236/ada175461.
Texto completoStevenson, David A. Crystal Growth and Mechanical Properties of Semiconductor Alloys. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, noviembre de 1989. http://dx.doi.org/10.21236/ada216697.
Texto completoLovchinov, Konstantin, Georgi Marinov, Miroslav Petrov, Nikolay Tyutyundzhiev, Gergana Alexieva y Tsvetanka Babeva. Influence of Deposition Temperature on the Structural and Optical Properties of Electrochemically Nanostructured ZnO Films. "Prof. Marin Drinov" Publishing House of Bulgarian Academy of Sciences, febrero de 2020. http://dx.doi.org/10.7546/crabs.2020.02.06.
Texto completoKnipp, Peter A. Optical and Transport Properties of Metallic and Semiconductor Nanostructures. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, septiembre de 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada270009.
Texto completoHubert, C. A., J. A. Lubin, W. H. Yang y T. E. Huber. Synthesis and Optical Properties of Dense Semiconductor-Dielectric Nanocomposites. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, enero de 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada271304.
Texto completoLambrecht, Walter R. Magneto-Optical Properties of Hybrid Magnetic Material Semiconductor Nanostructures. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, septiembre de 2007. http://dx.doi.org/10.21236/ada472402.
Texto completoZide, Joshua. Growth and Properties of New Epitaxial Metal/Semiconductor Nanocomposites (Final Report). Office of Scientific and Technical Information (OSTI), diciembre de 2019. http://dx.doi.org/10.2172/1484174.
Texto completoDongarra, Jack y Stanimire Tomov. Predicting the Electronic Properties of 3D, Million-atom Semiconductor nanostructure Architectures. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), marzo de 2012. http://dx.doi.org/10.2172/1036499.
Texto completo