Artículos de revistas sobre el tema "Semiconductor metal interface"
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FLORES, F. "ALKALI-ATOM ADSORPTION ON SEMICONDUCTOR SURFACES: METALLIZATION AND SCHOTTKY-BARRIER FORMATION". Surface Review and Letters 02, n.º 04 (agosto de 1995): 513–37. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x95000480.
Texto completoZhang, Mingrui, Mitchell Adkins y Zhe Wang. "Recent Progress on Semiconductor-Interface Facing Clinical Biosensing". Sensors 21, n.º 10 (16 de mayo de 2021): 3467. http://dx.doi.org/10.3390/s21103467.
Texto completoHINDMARCH, AIDAN T. "INTERFACE MAGNETISM IN FERROMAGNETIC METAL–COMPOUND SEMICONDUCTOR HYBRID STRUCTURES". SPIN 01, n.º 01 (junio de 2011): 45–69. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324711000069.
Texto completoKim, H., K. Okuno y T. Sakurai. "METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE (Al-Si)". Le Journal de Physique Colloques 48, n.º C6 (noviembre de 1987): C6–469—C6–472. http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1987677.
Texto completoSinclair, Robert. "Reactions at metal-semiconductor interfaces". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (6 de agosto de 1989): 448–49. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100154214.
Texto completoHatta, Hideyuki, Yuhi Miyagawa, Takashi Nagase, Takashi Kobayashi, Takashi Hamada, Shuichi Murakami, Kimihiro Matsukawa y Hiroyoshi Naito. "Determination of Interface-State Distributions in Polymer-Based Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors by Impedance Spectroscopy". Applied Sciences 8, n.º 9 (29 de agosto de 2018): 1493. http://dx.doi.org/10.3390/app8091493.
Texto completoCao, Zhen, Moussab Harb, Sergey M. Kozlov y Luigi Cavallo. "Structural and Electronic Effects at the Interface between Transition Metal Dichalcogenide Monolayers (MoS2, WSe2, and Their Lateral Heterojunctions) and Liquid Water". International Journal of Molecular Sciences 23, n.º 19 (7 de octubre de 2022): 11926. http://dx.doi.org/10.3390/ijms231911926.
Texto completoHersam, M. C. y R. G. Reifenberger. "Charge Transport through Molecular Junctions". MRS Bulletin 29, n.º 6 (junio de 2004): 385–90. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2004.120.
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Texto completoHASEGAWA, HIDEKI. "MICROSCOPIC UNDERSTANDING AND CONTROL OF SURFACES AND INTERFACES OF COMPOUND SEMICONDUCTORS FOR MESOSCOPIC DEVICES". Surface Review and Letters 07, n.º 05n06 (octubre de 2000): 583–88. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x0000066x.
Texto completoWang, Jingang, Naixing Feng, Ying Sun y Xijiao Mu. "Nanoplasmon–Semiconductor Hybrid for Interface Catalysis". Catalysts 8, n.º 10 (29 de septiembre de 2018): 429. http://dx.doi.org/10.3390/catal8100429.
Texto completoMönch, Winfried. "Electronic properties of ideal and interface-modified metal-semiconductor interfaces". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 14, n.º 4 (julio de 1996): 2985. http://dx.doi.org/10.1116/1.588947.
Texto completoCarter, C. Barry, Jane G. Zhu y C. J. Palmstrøm. "Metal/GaAs interfaces". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (6 de agosto de 1989): 446–47. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100154202.
Texto completoIrokawa, Yoshihiro. "Characterization of the Metal-Semiconductor Interface of Pt-GaN Diode Hydrogen Sensors". Materials Science Forum 740-742 (enero de 2013): 473–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.473.
Texto completoWu, Ping y Yingzhi Zeng. "Quantifying the relationship between interface chemistry and metal electronegativity of metal–semiconductor interfaces". Journal of Materials Chemistry 20, n.º 46 (2010): 10345. http://dx.doi.org/10.1039/c0jm01731k.
Texto completoNishimura, Tomonori, Takeaki Yajima y Akira Toriumi. "Reconsideration of Metal Work Function at Metal/Semiconductor Interface". ECS Transactions 80, n.º 4 (1 de agosto de 2017): 107–12. http://dx.doi.org/10.1149/08004.0107ecst.
Texto completoKim, Heeyoung, Ye Ji Kim, Yeon Sik Jung y Jeong Young Park. "Enhanced flux of chemically induced hot electrons on a Pt nanowire/Si nanodiode during decomposition of hydrogen peroxide". Nanoscale Advances 2, n.º 10 (2020): 4410–16. http://dx.doi.org/10.1039/d0na00602e.
Texto completoChiou, Y. Z., C. H. Chen, Y. K. Su y S. J. Chang. "GaN metal–semiconductor interface and its applications in GaN and InGaN metal–semiconductor–metal photodetectors". IEE Proceedings - Optoelectronics 150, n.º 2 (1 de abril de 2003): 115–18. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20030371.
Texto completoBista, Dinesh, Turbasu Sengupta y Shiv N. Khanna. "Massive dipoles across the metal–semiconductor cluster interface: towards chemically controlled rectification". Physical Chemistry Chemical Physics 23, n.º 34 (2021): 18975–82. http://dx.doi.org/10.1039/d1cp02420e.
Texto completoKubby, J. A. y W. J. Greene. "Electron interferometry at a metal-semiconductor interface". Physical Review Letters 68, n.º 3 (20 de enero de 1992): 329–32. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.68.329.
Texto completoTan, Shijing, Adam Argondizzo, Jindong Ren, Liming Liu, Jin Zhao y Hrvoje Petek. "Plasmonic coupling at a metal/semiconductor interface". Nature Photonics 11, n.º 12 (30 de noviembre de 2017): 806–12. http://dx.doi.org/10.1038/s41566-017-0049-4.
Texto completoBrillson, L. J., R. E. Viturro, J. L. Shaw y H. W. Richter. "Cathodoluminescence spectroscopy of metal–semiconductor interface structures". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 6, n.º 3 (mayo de 1988): 1437–45. http://dx.doi.org/10.1116/1.575722.
Texto completoBulat, L. P., I. A. Erofeeva, Yu V. Vorobiev y J. González-Hernández. "Metal–semiconductor interface in extreme temperature conditions". Applied Surface Science 255, n.º 3 (noviembre de 2008): 659–61. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.007.
Texto completoBrillson, L. J., S. Chang, J. Shaw y R. E. Viturro. "Interface states at metal-compound semiconductor junctions". Vacuum 41, n.º 4-6 (enero de 1990): 1016–20. http://dx.doi.org/10.1016/0042-207x(90)93849-e.
Texto completoItkis, M. E., F. Ya Nad', P. Monceau y M. Renard. "Metal-one-dimensional Peierls semiconductor interface phenomena". Journal of Physics: Condensed Matter 5, n.º 27 (5 de julio de 1993): 4631–40. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/5/27/008.
Texto completoKoide, Yasuo. "Metal–diamond semiconductor interface and photodiode application". Applied Surface Science 254, n.º 19 (julio de 2008): 6268–72. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.02.157.
Texto completoSalvan, F., F. Thibaudau y Ph Dumas. "STM studies of metal-semiconductor interface formation". Applied Surface Science 41-42 (enero de 1990): 88–96. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(89)90038-x.
Texto completoJia, Chuancheng, Xinxi Li, Na Xin, Yao Gong, Jianxin Guan, Linan Meng, Sheng Meng y Xuefeng Guo. "Interface-Engineered Plasmonics in Metal/Semiconductor Heterostructures". Advanced Energy Materials 6, n.º 17 (3 de junio de 2016): 1600431. http://dx.doi.org/10.1002/aenm.201600431.
Texto completoHarada, T., S. Ito y A. Tsukazaki. "Electric dipole effect in PdCoO2/β-Ga2O3 Schottky diodes for high-temperature operation". Science Advances 5, n.º 10 (octubre de 2019): eaax5733. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aax5733.
Texto completoKovenskiy, I. M., S. V. Malysh y V. V. Povetkin. "STRUCTURAL PECULIARITIES OF THE PROCESS OF ELECTROLYTIC CHROMIUM PLATING IN RESTORATION OF WORN PARTS". Oil and Gas Studies, n.º 1 (1 de marzo de 2018): 92–97. http://dx.doi.org/10.31660/0445-0108-2018-1-92-97.
Texto completoChar, K. "Crystal Interface Engineering in High Tc Oxides". MRS Bulletin 19, n.º 9 (septiembre de 1994): 51–55. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400047990.
Texto completoBurstein, L., J. Bregman y Yoram Shapira. "Characterization of interface states at III‐V compound semiconductor‐metal interfaces". Journal of Applied Physics 69, n.º 4 (15 de febrero de 1991): 2312–16. http://dx.doi.org/10.1063/1.348712.
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Texto completoKim, Taikyu, Jeong-Kyu Kim, Baekeun Yoo, Hongwei Xu, Sungyeon Yim, Seung-Hwan Kim, Hyun-Yong Yu y Jae Kyeong Jeong. "Improved switching characteristics of p-type tin monoxide field-effect transistors through Schottky energy barrier engineering". Journal of Materials Chemistry C 8, n.º 1 (2020): 201–8. http://dx.doi.org/10.1039/c9tc04345d.
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