Bibliografías temáticas / Semiconducteurs – Attaque à l'acide

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Literatura académica sobre el tema "Semiconducteurs – Attaque à l'acide"

Autor: Grafiati
Publicado: 25 de mayo de 2024
Última modificación: 31 de julio de 2025

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Tesis sobre el tema "Semiconducteurs – Attaque à l'acide"

1

Magagna, Stefano. "Thermoelectric nanostructured silicon obtained by metal-assisted chemical etching." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2021. http://www.theses.fr/2021AIXM0166.

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Resumen
Mon projet de thèse implique la préparation de matériaux à base de nanofils de silicium, exploitant la solution de manière synthétique : gravure chimique assistée par métal (MaCE). J'ai pu pleinement caractériser depuis le point de vue morphologique des différents nanofils obtenus à partir de substrats à différentes concentrations de dopants, différentes espèces de dopants. La température d'attaque, ainsi que la concentration d'Ag + dans la solution. Les résultats autorisent à ouvrir une réflexion et une théorie avancée sur différents aspects de gravure, du transfert électronique de la localis
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2

Laussy, Fabrice P. "Quantum dynamics of microcavity polaritons." Clermont-Ferrand 2, 2005. http://www.theses.fr/2005CLF22569.

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Resumen
La physique des polaritons de microcavité étudie le couplage fort lumière/ matière dans les hétérostuctures de semiconducteurs. Les polaritons apparaissent comme de "bons" bosons mais avec un temps de vie court nécessitant une étude hors-équilibre. La possibilité de leur condensation de Bose a été recherchée essentiellement via les équations de Boltzmann. Dans ce travail, ces équations sont étendues et résolues analytiquement sur un modèle simplifié et numériquement pour des structures réalistes, par le biais de la matrice densité de l'état fondamental puis avec une équation de Boltzmann pilot
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3

Elmonser, Lassaad. "Simulation de procédés de gravure par faisceau ionique assistée chimiquement des matériaux III-V." Nantes, 2006. http://www.theses.fr/2006NANT2090.

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Resumen
Dans le cadre d’un contrat RMNT en collaboration avec Elvion Veeco, LPN et Alcaltel OPTO+, nous avons développé un modèle 2D de gravure de GaAs par Ar+/Cl2 en utilisant le procédé CAIBE (Chemically Assisted Ion Beam Etching). Deux types de structures ont été étudiés : des structures mesas ou rubans et des structures de type tranché. Dans les deux cas, une étude paramétrique a été effectuée afin de mettre en évidence le rôle des différents paramètres machine et physico-chimiques sur l’évolution de la morphologie de gravure. C’est ainsi que nous avons bien montré le rôle de débit de chlore et la
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4

Rotaru, Cristina Constanta Stanescu Mme. "SiO2 sur silicium : comportement sous irradiation avec des ions lourds." Caen, 2004. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00005399.

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Resumen
Des couches de a-SiO2 déposées sur un substrat de Si ont été irradiées avec des ions lourds. L'endommagement en surface est étudié à l'aide de la Microscopie à Force Atomique (AFM). Pour des pertes d'énergie électronique supérieure à 16. 0 keV/nm, des bosses apparaissent en surface. La hauteur de ces bosses diminue quand l'épaisseur de la couche d'oxyde augmente. Les études de Spectroscopie Infrarouge montrent que le seuil d'endommagement pour le a-SiO2 est autour de 2. 0 keV/nm. Alors, il est probable que la formation de ces bosses en surface ait son origine dans le substrat de Si. Le modèle
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5

Cacho, Florian. "Etude de simulation de la siliciurisatiion du nickel : application dans les technologies MOS." Paris, ENMP, 2005. https://pastel.archives-ouvertes.fr/tel-00159435.

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Resumen
Le but de ce travail de thèse est de mieux comprendre la réaction de siliciuration du système Ni-Si utilisée dans les technologies MOS, et d'écrire un modèle permettant de simuler la croissance et les contraintes associées afin d'évaluer l'impact pour le transistor. Ce travail se compose de quatre parties. La première partie offre une revue concernant les mécanismes de changement de phase de Ni-Si. Elle comporte un état de l'art des phénomènes de diffusion associés et des réactions à l'état solide qui conduisent aux différents siliciures. La deuxième partie rapporte différents résultats expéri
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6

Mairiaux, Estelle. "Développement d’une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue applications térahertz." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10096/document.

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Resumen
Les semiconducteurs III-V antimoniés suscitent un intérêt grandissant pour les applications électroniques rapides et faible consommation. Ces matériaux de paramètre de maille supérieur à 6,1 Å se caractérisent par des mobilités élevées et offrent une souplesse inégalée pour l’ingénierie des bandes. En particulier, le composé ternaire GaInSb se pose comme un candidat de choix pour la base des transistors bipolaires à hétérojonction du fait de sa haute mobilité de trous. L’objectif de cette thèse est d’évaluer la faisabilité et les potentialités d’une nouvelle filière de TBH à base d’antimoine e
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7

Salhi, Billel. "Synthèse et caractérisation de nanofils et des nanostructures 3 D à base de silicium." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2007/50376-2007-5.pdf.

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Resumen
L'histoire de la micro électronique, qui a débuté avec l'invention du transistor il y a cinquante ans, a montré l'effet bénéfique de la miniaturisation: davantage de transistors fonctionnent à plus hautes fréquences, sont plus fiables et moins onéreux. Toutefois, le passage à la nanoélectronique en tant qu'électronique du futur est un défi aussi bien dans la fabrication que dans le fonctionnement des transistors. Ce travail de thèse propose une étude de synthèse des nanofils et des nanostructures 3D de silicium. D'abord, la croissance des nanofils de silicium par la technique VLS et SLS ont ét
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8

Beck, Alexandre. "Réalisation et caractérisation de photodiodes à transport unipolaire pour la génération d'ondes térahertz." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00366728.

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Situé entre la lumière visible et les micro-ondes, le domaine de fréquence térahertz (THz) est une zone du spectre électromagnétique encore peu exploitée. Il existe pourtant de nombreuses applications : détection de polluants, contrôle de qualité, imagerie médicale, télécommunications à très haut débit... Cependant, à ce jour, il n'existe pas de sources accordables, compactes, efficaces, fonctionnant à température ambiante et de faible coût. L'opto-électronique répond en partie à ces besoins grâce aux photodétecteurs sensibles à une longueur d'onde de 800 nm. L'utilisation d'une longueur d'ond
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9

Azrar, Hassane. "Contribution à la valorisation des sédiments de dragage portuaire : technique routière, béton et granulats artificiels." Thesis, Lille 1, 2014. http://www.theses.fr/2014LIL10171/document.

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Resumen
Face aux problématiques de gestion des sédiments de dragage portuaire, aujourd'hui, il apparait nécessaire de trouver des solutions potentielles de valorisation permettant de répondre efficacement à ces problématiques. La valorisation en génie civil, des sédiments des port de Saint Louis et de Dunkerque, présente une solution alternative à la gestion de ces matériaux. les travaux menés dans le cadre de cette thèse se focalisent d'une part, sur la valorisation des sédiments de Saint louis en technique routière et d'autre part, sur la valorisation des sédiments de Dunkerque en béton ainsi qu'en
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10

Togonal, Alienor. "Silicon Nanowires for Photovoltaics : from the Material to the Device." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLX032/document.

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Resumen
Les cellules solaires à base de nanofils de silicium offrent une alternative intéressante pour la réalisation de panneaux photovoltaïques à haut rendement et à faible coût. Elles bénéficient notamment des excellentes propriétés optiques des nanofils qui forment une surface à très faible réflectivité tout en piégeant efficacement la lumière. Dans cette thèse, nous utilisons et améliorons une méthode de gravure chimique peu coûteuse et industrialisable pour la fabrication de forêts de nanofils de silicium. En adaptant la mouillabilité du substrat et des nanofils, nous avons remédié au problème d
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Libros sobre el tema "Semiconducteurs – Attaque à l'acide"

1

Lithography process control. SPIE Optical Engineering Press, 1999.

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2

Lithography Process Control. SPIE, 1999.

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