Bibliografías temáticas / Séléniure d'indium

Índice

  1. Tesis

Literatura académica sobre el tema "Séléniure d'indium"

Autor: Grafiati
Publicado: 25 de mayo de 2024
Última modificación: 31 de julio de 2025

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Tesis sobre el tema "Séléniure d'indium"

1

Sedaries, Didier. "Interfaces semi-conducteur-électrolyte modifiées par voie photoélectrochimique : application au séléniure d'indium (InSe)." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112077.

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Resumen
Malgré ses bonnes propriétés optoélectroniques qui font de InSe un candidat potentiel pour des applications photoélectrochimiques, son utilisation dans une jonction semi-conducteur/électrolyte nécessite que soient auparavant résolus deux problèmes inhérents à ce type de jonction à savoir : la photocorrosion de InSe de type n et le faible rendement de InSe de type p. Le but de cette thèse a été de montrer qu'en modifiant, par voie photoélectrochimique, la surface de InSe, il est possible de contrôler la cinétique de transfert des charges photocréées et par là-même d'améliorer les propriétés de
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2

Mestdagh, Nathalie. "Chimiorésistance à l'adriamycine et au cis-platine : caractérisation et/ou réversion du phénomène in vitro." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10046.

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Resumen
La chimiorésistance aux agents cytotoxiques représente un obstacle majeur de la chimiothérapie anticancéreuse. La compréhension des mécanismes mis en cause, leur identification, devraient permettre l'élaboration de stratégies permettant de contourner ce phénomène de résistance. Cette étude a permis de caractériser in vitro différentes lignées cellulaires résistantes à l'adriamycine ou au cis-platine par l'analyse de différents paramètres (détection de la glycoprotéine p, expression de différents oncogènes, analyse du métabolisme du glutathion et des enzymes qui lui sont associées, activité de
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3

Nomane, Yanoura. "Réponse au stress et ARN non codants chez Escherichia coli." Paris 11, 2009. http://www.theses.fr/2009PA112034.

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Ce travail de thèse portant sur la physiologie et la génétique et réalisé chez la bactérie Gram-négative modèle Escherichia coli, se divise en deux parties. Une première partie concerne la réponse d’adaptation au stress et notamment la réponse d’adaptation au stress extracytoplasmique. Cette partie est illustrée par un article portant sur l’analyse globale des cinq voies de réponse au stress extracytoplasmique. Ce travail montre que, d’une part les cinq voies répondent aux mêmes signaux mais avec une spécificité d’induction qui est dépendante du seuil et d’autre part la réponse des ces voies s
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4

Tsoulka, Polyxeni. "Local inhomogeneities in polycrystalline wide band gap Culn1-xGaxSe2 thin-films." Thesis, Nantes, 2019. http://www.theses.fr/2019NANT4009/document.

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Les cellules solaires à base de CuIn1-xGaxSe2 sont des dispositifs en couches minces permettant d’atteindre des hauts rendements de conversion photovoltaïque. Le CuIn1-xGaxSe2 est un absorbeur permettant d’adapter l’énergie de la bande interdite de la cellule solaire en changeant la teneur en Ga. Le rendement record de conversion photovoltaïque actuel a été obtenu pour x~0.3, alors que la théorie indique qu’il devrait être obtenu pour un x~0.7. L’origine de cette limite pour x élevé reste en débat. Dans cette thèse, on étudie deux origines liées aux interfaces internes de CuIn1-xGaxSe2 à savoi
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5

De, Kergommeaux Antoine. "Synthèse de nouveaux types de nanocristaux semi-conducteurs pour application en cellules solaires." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00816947.

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Resumen
Pour que l'énergie photovoltaïque devienne compétitive, les coûts de production doivent être baissés et l'efficacité des cellules augmentée. Les cellules solaires à base de nanocristaux semi-conducteurs constituent une approche prometteuse pour remplir ces objectifs combinant une mise en œuvre par voie liquide avec la possibilité d'ajuster précisément la largeur de bande interdite et les niveaux électroniques. Aujourd'hui, les rendements de conversion des cellules constituées de nanocristaux de sulfure de plomb approchent les 7%. Seulement, à cause des normes européennes destinées à l'affranch
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6

Aviles, Thomas. "Etude du dépôt par pulvérisation cathodique des matériaux pour la réalisation de cellules photovoltaïques couche mince à base de CIGS ou CZTS." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10126.

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Resumen
Ma thèse a permis d’initier l’activité de recherche sur les cellules en couche mince à base de matériaux chalcopyrite et kësterite (CIGS et CZTS) et d’entamer leur réalisation technologique. En intégrant des critères économiques et environnementaux, nous avons défini une stratégie en deux points (i) utilisation de la pulvérisation cathodique comme unique procédé de dépôt pour tous les matériaux et utilisation de cibles uniques pour les matériaux composés. (ii) remplacement des matériaux toxiques et rares. J’ai alors développé le contact arrière en molybdène déposé sur verre sodocalcique, ayant
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7

Gouillart, Louis. "Development of ultrathin Cu(In,Ga)Se ₂ –based solar cells with reflective back contacts." Thesis, université Paris-Saclay, 2020. http://www.theses.fr/2020UPASS007.

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Réduire l’épaisseur de l’absorbeur des dispositifs photovoltaïques à base de couches minces est une voie prometteuse pour améliorer leur compétitivité industrielle, via une économie de matières premières et une cadence de production plus élevée. Cela peut aussi accroître leur efficacité en diminuant le parcours des porteurs de charge photogénérés. Cependant, l’efficacité des cellules solaires à base de Cu(In,Ga)Se ₂ (CIGS) ultramince avec une épaisseur d’absorbeur d’environ 500 nm, soit environ 5 fois inférieure aux cellules conventionnelles, est limitée par deux phénomènes : les recombinaison
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8

Wu, Wenyi. "Space Charge Doped p-n Junction : 2D Diode with Few-layer Indium Selenide." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2020. http://www.theses.fr/2020SORUS449.

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Resumen
Ce travail allie les propriétés singulières des matériaux 2D à une technique innovante utilisée pour modifier les propriétés électroniques des films ultra-minces pour proposer une nouvelle technologie permettant de réaliser le dispositif électronique le plus simple, la diode. Tout d'abord, nous identifions les matériaux semi-conducteurs pouvant être fabriqué en couches ultra-minces. Deuxièmement, nous utilisons une technique appelée dopage par charge d'espace développée dans notre groupe pour le dopage n ou p des matériaux. Enfin, nous obtenons les caractéristiques de diode des dispositifs. Le
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9

Duchatelet, Aurélien. "Synthèse de couches minces de Cu(In,Ga)Se2 pour cellules solaires par électrodépôt d’oxydes mixtes de cuivre-indium-gallium." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10163/document.

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Resumen
Les cellules solaires en couches minces à base de Cu(In,Ga)Se2 peuvent atteindre des rendements de conversion supérieurs à 20 % par un procédé de dépôt sous vide. Afin de diminuer les coûts de production, d’autres méthodes de dépôts sont envisagées. L’une d’elle, déjà développée à l’échelle industrielle, consiste à électrodéposer Cu, In et Ga successivement sur un substrat de molybdène, puis à sélénier la couche par traitement thermique réactif. L’alternative étudiée dans ce travail consiste à tirer partie de l’affinité de l’indium et du gallium pour l’oxygène en électrodéposant les trois élém
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