Literatura académica sobre el tema "Power Electronics Reliability"
Crea una cita precisa en los estilos APA, MLA, Chicago, Harvard y otros
Consulte las listas temáticas de artículos, libros, tesis, actas de conferencias y otras fuentes académicas sobre el tema "Power Electronics Reliability".
Junto a cada fuente en la lista de referencias hay un botón "Agregar a la bibliografía". Pulsa este botón, y generaremos automáticamente la referencia bibliográfica para la obra elegida en el estilo de cita que necesites: APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
También puede descargar el texto completo de la publicación académica en formato pdf y leer en línea su resumen siempre que esté disponible en los metadatos.
Artículos de revistas sobre el tema "Power Electronics Reliability"
Iannuzzo, Francesco y Mauro Ciappa. "Reliability issues in power electronics". Microelectronics Reliability 58 (marzo de 2016): 1–2. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2016.01.012.
Texto completoWhite, Robert V. "Advancing Power Electronics Reliability [White Hot]". IEEE Power Electronics Magazine 8, n.º 2 (junio de 2021): 100–99. http://dx.doi.org/10.1109/mpel.2021.3075786.
Texto completoScheuermann, U. "Reliability challenges of automotive power electronics". Microelectronics Reliability 49, n.º 9-11 (septiembre de 2009): 1319–25. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2009.06.045.
Texto completoPires, Igor Amariz, Rafael Atila Silva, Anderson Vagner Rocha, Matheus Pereira Porto, Thales Alexandre Carvalho Maia y Braz de Jesus Cardoso Filho. "Oil Immersed Power Electronics and Reliability Enhancement". IEEE Transactions on Industry Applications 55, n.º 4 (julio de 2019): 4407–16. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2019.2915276.
Texto completoLu, Hua, Chris Bailey y Chunyan Yin. "Design for reliability of power electronics modules". Microelectronics Reliability 49, n.º 9-11 (septiembre de 2009): 1250–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2009.07.055.
Texto completoJiao, Chaoqun, Juan Zhang, Zhibin Zhao, Zuoming Zhang y Yuanliang Fan. "Research on Small Square PCB Rogowski Coil Measuring Transient Current in the Power Electronics Devices". Sensors 19, n.º 19 (26 de septiembre de 2019): 4176. http://dx.doi.org/10.3390/s19194176.
Texto completoZeng, Jia Si, Yi Bo Gao, Feng Yang, Xi Dong Xu, Peng Qiu, Yi Lu y Xiao Ming Huang. "Reliability Evaluation of Mid-Voltage DC Distribution Network with Multiple Topologies". Applied Mechanics and Materials 666 (octubre de 2014): 112–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.666.112.
Texto completoZacharias, Peter. "Design and Applications of Controllable Magnetic Devices in Power Electronic Circuits and Power Systems". Journal of Electronics and Advanced Electrical Engineering 1, n.º 2 (3 de mayo de 2021): 6–14. http://dx.doi.org/10.47890/jeaee/2020/peterzacharias/11120007.
Texto completoHozoji, Hiroshi, Fumiki Kato, So Tanaka, Jiro Shinkai y Hiroshi Sato. "Power Electronics Packaging Materials for High Heat Reliability". Journal of The Japan Institute of Electronics Packaging 24, n.º 3 (1 de mayo de 2021): 233–40. http://dx.doi.org/10.5104/jiep.24.233.
Texto completoGurav, Abhijit, John Bultitude, John McConnell y Reggie Phillips. "Robust Reliability of Ceramic Capacitors for Power Electronics". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2018, HiTEC (1 de mayo de 2018): 000138–42. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491-2018-hiten-000138.
Texto completoTesis sobre el tema "Power Electronics Reliability"
Sadik, Diane-Perle. "On Reliability of SiC Power Devices in Power Electronics". Doctoral thesis, KTH, Elkraftteknik, 2017. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-207763.
Texto completoKiselkarbid (SiC) är ett bredbandgapsmaterial (WBG) som har flera fördelar,såsom högre maximal elektrisk fältstyrka, lägre ON-state resitans, högreswitch-hastighet och högre maximalt tillåten arbetstemperatur jämförtmed kisel (Si). I spänningsområdet 1,2-1,7 kV förutses att effekthalvledarkomponenteri SiC kommer att ersätta Si Insulated-gate bipolar transistorer(IGBT:er) i tillämpningar där hög verkningsgrad, hög arbetstemperatur ellervolymreduktioner eftersträvas. Förstahandsvalet är en SiC Metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET) som är spänningsstyrd ochnormally-OFF, egenskaper som möjliggör enkel implementering i konstruktionersom använder Si IGBTer.I detta arbete undersöks tillförlitligheten av SiC komponenter, specielltSiC MOSFET:en. Först undersöks möjligheten att parallellkoppla tvådiskretaSiC MOSFET:ar genom statiska och dynamiska prov. Parallellkopplingbefanns vara oproblematisk. Sedan undersöks drift av tröskelspänning ochbody-diodens framspänning genom långtidsprov. Ocksådessa tillförlitlighetsaspekterbefanns vara oproblematiska. Därefter undersöks kapslingens inverkanpåchip:et genom modellering av parasitiska induktanser hos en standardmoduloch inverkan av dessa induktanser pågate-oxiden. Modellen påvisaren obalans mellan de parasitiska induktanserna, något som kan varaproblematiskt för snabb switchning. Ett långtidstest av inverkan från fuktpåkant-termineringar för SiC-MOSFET:ar och SiC-Schottky-dioder i sammastandardmodul avslöjar tidiga tecken pådegradering för vissa moduler somvarit utomhus. Därefter undersöks kortslutningsbeteende för tre typer (bipolärtransistor,junction-field-effect transistor och MOSFET) av 1.2 kV effekthalvledarswitchargenom experiment och simuleringar. Behovet att stänga avkomponenten snabbt stöds av detaljerade elektrotermiska simuleringar för allatre komponenter. Konstruktionsriktlinjer för ett robust och snabbt kortslutningsskyddtas fram. För var och en av komponenterna byggs en drivkrets medkortslutningsskydd som valideras experimentellt. Möjligheten att konstrueradiodlösa omvandlare med SiC MOSFET:ar undersöks med fokus påstötströmmargenom body-dioden. Den upptäckta felmekanismen är ett oönskat tillslagav den parasitiska npn-transistorn. Slutligen utförs en livscykelanalys(LCCA) som avslöjar att introduktionen av SiC MOSFET:ar i existerandeIGBT-konstruktioner är ekonomiskt intressant. Den initiala investeringensparas in senare pågrund av en högre verkningsgrad. Dessutom förbättrastillförlitligheten, vilket är fördelaktigt ur ett riskhanteringsperspektiv. Dentotala investeringen över 20 år är ungefär 30 % lägre för en omvandlare medSiC MOSFET:ar även om initialkostnaden är 30 % högre.
QC 20170524
Wang, Yun. "Characterization and reliability of Ag nanoparticle sintered joint for power electronics modules". Thesis, University of Nottingham, 2016. http://eprints.nottingham.ac.uk/37296/.
Texto completoLiu, Xingsheng. "Processing and Reliability Assessment of Solder Joint Interconnection for Power Chips". Diss., Virginia Tech, 2001. http://hdl.handle.net/10919/26691.
Texto completoPh. D.
Bonyadi, Roozbeh. "Reliability assessment and modelling of power electronic devices for automotive application and design". Thesis, University of Warwick, 2016. http://wrap.warwick.ac.uk/90139/.
Texto completoColmenares, Juan. "Extreme Implementations of Wide-Bandgap Semiconductors in Power Electronics". Doctoral thesis, KTH, Elkraftteknik, 2016. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-192626.
Texto completoQC 20160922
Soon, John Long. "Fault-Tolerant Design and Implementation for Non-Isolated Reconfigurable DC/DC Converters". Thesis, The University of Sydney, 2019. http://hdl.handle.net/2123/20266.
Texto completoAdderly, Shawn. "Reviewing Power Outage Trends, Electric Reliability Indices and Smart Grid Funding". ScholarWorks @ UVM, 2016. http://scholarworks.uvm.edu/graddis/531.
Texto completoFarhadi, Mustafa. "Hybrid Energy Storage Implementation in DC and AC Power System for Efficiency, Power Quality and Reliability Improvements". FIU Digital Commons, 2016. http://digitalcommons.fiu.edu/etd/2471.
Texto completoDe, Santi Carlo. "Degradation mechanisms of devices for optoelectronics and power electronics based on Gallium Nitride heterostructures". Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2014. http://hdl.handle.net/11577/3423670.
Texto completoIl Nitruro di Gallio si sta rapidamente proponendo come un materiale promettente per dispositivi elettronici in vari campi applicativi. Dato che si tratta di un semiconduttore a bandgap diretto, può essere utilizzato per realizzare emettitori di radiazione luminosa altamente efficienti (LED e diodi laser), e la possibilità di realizzare leghe contenenti Alluminio e Indio permette di selezionare la lunghezza d’onda di picco all’interno dell’intervallo UV - verde dello spettro elettromagnetico. Prima che i prodotti finali basati su Nitruro di Gallio possano permeare il mercato internazionale, è necessario garantire che siano abbastanza affidabili da possedere lunghi tempi di vita ai fini di essere considerati da potenziali acquirenti, e che il loro rapporto prestazioni/costi sia superiore rispetto a quello dei dispositivi attualmente presenti nel mercato, almeno per alcune specifiche applicazioni. Lo scopo di questa tesi è analizzare i punti di forza dei materiali composti basati su Nitruro di Gallio tramite caratterizzazione e test affidabilistici su varie strutture differenti (LED, diodi laser, diodi bloccanti, HEMT, GIT, MIS), per comprendere il comportamento del materiale da diversi punti di vista. In questo lavoro viene effettuato uno studio dettagliato del degrado graduale di LED e diodi laser in InGaN sottoposti a stress elettrotermici. lo scopo è di paragonare il comportamento delle due tipologie di dispositivi tramite caratterizzazione elettrica e ottica, elettroluminescenza, mappe di emissione in campo vicino e Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS), in modo da ottenere una comprensione profonda dei meccanismi di degrado che causano il calo di performance dei diodi laser. Un’attenzione particolare è rivolta al ruolo del calo dell’efficienza di iniezione e alla ricombinazione non-radiativa. Il confronto delle cinetiche di degrado e l’analisi del tipo di danno nelle due diverse strutture ha permesso uno studio completo dei meccanismi fisici responsabili del calo delle prestazioni. Il degrado dei dispositivi è stato attribuito ad un aumento della concentrazione di difetti, che ha un forte impatto sulle cinetiche di ricombinazione non-radiativa. L’energia di attivazione del livello profondo rilevato è 0.35 - 0.45 eV. Come effetto dei test di vita accelerata elettrici e termici compiuti su diodi laser blu commerciali basati su InGaN, si è notato che a volte si ha un iniziale calo della corrente di soglia, dovuto all’aumento dell’attivazione del drogante di tipo p, promossa dalla temperatura e dal flusso di portatori minoritari. Per comprendere gli effetti della creazione di difetti, due differenti tipologie di LED blu commerciali basati su InGaN sono stati sottoposti a irraggiamento tramite protoni con un’energia di 3 MeV a varie fluenze (10^11, 10^12 and 10^13 p/cm2). Il processo di degrado è stato caratterizzato tramite misure corrente - tensione (I - V), potenza ottica - corrente (L - I) e capacità - tensione (C - V) combinate, per cercare di comprendere le modifiche indotte dall’irraggiamento e il recupero conseguente all’annealing ad alte temperature (150 ). I dati sperimentali suggeriscono la creazione di centri di ricombinazione non-radiativa vicino o all’interno della regione attiva dei LED, causati dallo spostamento di atomi. Questa ipotesi viene confermata dai risultati dei test di recupero: l’aumento della potenza ottica e la sua correlazione con il recupero della corrente diretta è consistente con l’annealing dei difetti. Parte dell’attività sui transistor ad elevata mobilità elettronica è stata dedicata alla realizzazione di setup di misura che permettessero di utilizzare tecniche di caratterizzazione avanzata. Si sono analizzati i vantaggi e i limiti della metodologia dei transienti di corrente utilizzata per lo studio dei livelli profondi in HEMT basati su GaN, verificando in che modo diverse procedure adottate per la misurazione e l’analisi dei dati possano influenzare i risultati. La scelta dei parametri di misura (come i livelli di tensione utilizzati per indurre l’intrappolamento di carica e monitorare il transiente di corrente e la durata degli impulsi di filling) e della procedura di analisi (il metodo usato per l’estrapolazione delle costanti di tempo dei processi) può influenzare i risultati e può fornire informazioni sulla posizione degli stati trappola responsabili per il calo della corrente. Inoltre, è stato raccolto un database di difetti descritti in più di 60 articoli scientifici sul Nitruro di Gallio e i suoi composti, che può essere utilizzato per ottenere informazioni sulla natura e sull’origine delle trappole negli HEMT in AlGaN/GaN. Utilizzando questa tecnica innovativa e altri test più comuni, sono stati condotti test affidabilistici e di tempo di vita su varie strutture, per ottenere una miglior comprensione delle loro problematiche e dei possibili miglioramenti. Una possibile variazione riguarda la composizione dello stack di gate. Sono stati condotti test di degrado a Vgs = -5 V e valori di Vds crescenti su HEMT in GaN con differenti materiali di gate: Ni/Au/Ni, ITO e Ni/ITO. Ad ogni passo dello stress sono state misurate le caratteristiche elettriche e ottiche dei transistor, per analizzare il processo di degrado. Si è trovato che lo stress causa un degrado permanente del diodo di gate, che consiste in un aumento della corrente di leakage. Questo cambiamento è dovuto alla generazione di cammini conduttivi parassiti, come suggerito dalle misure di elettroluminescenza (EL), e dispositivi basati su ITO hanno mostrato un’affidabilità maggiore. Questi dati sostengono fortemente l’ipotesi che la robustezza è influenzata dai parametri di processo e/o dal materiale di gate, dato che tutti i dispositivi analizzati provengono dallo stesso wafer epitassiale. Oltre a variare il materiale di gate, è possibile aggiungere uno strato di tipo p sotto il gate per ottenere un funzionamento normally-off. Questo cambiamento fornisce un incremento delle performance, ma può dar nascita a fenomeni di trapping particolari. Si è condotta un’accurata analisi dei processi di trapping dipendenti dal tempo e dal campo elettrico che si verificano nei transistor ad iniezione di corrente di gate (GIT) quando vengono sottoposti ad elevate tensioni di drain. I risultati indicano che, anche se i dispositivi non soffrono di cali di corrente per tempi brevi, l’esposizione continua a tensioni di drain elevate può indurre un aumento significativo della resistività in zona lineare (Ron). Il valore originario di Ron può essere recuperato lasciano il dispositivo a riposo. L’analisi della dipendenza dalla temperatura indica che l’energia di attivazione del processo di detrappolamento è pari a 0.47 eV. Tramite una caratterizzazione dell’elettroluminescenza risolta temporalmente, viene mostrato che questo effetto è correlato alla cattura di elettroni nella regione di accesso gate - drain. Questa interpretazione è inoltre confermata dal fatto che l’emissione della carica può essere significativamente accelerata attraverso l’iniezione di lacune dal gate. Un modello del primo ordine è stato sviluppato per spiegare la dipendenza dal tempo del processo di trapping. Utilizzando altre tecniche di caratterizzazione dei livelli profondi, come i transienti di corrente di drain, gli sweep di frequenza di gate e il backgating, in questi dispositivi si sono identificati vari altri stati trappola. Le loro energie di attivazione sono 0.13, 0.14, 0.25, 0.47 e 0.51 eV. Durante i test di vita accelerata di questi dispositivi, si è trovata una variazione dell’ampiezza relativa dei picchi di transconduttanza ben correlata con l’aumento dell’elettroluminescenza. Questo effetto può essere spiegato tramite l’attivazione del drogante p, un fenomeno che si è osservato anche nei diodi laser. Utilizzando una struttura simile, è possibile realizzare diodi capaci di sopportare tensioni inverse molto elevate, rimuovendo la regione di gate e aggiungendo un diodo Schottky (Natural Superjunction). In questo caso, si sono rilevati livelli profondi di energia di attivazione 0.35, 0.36, 0.44 e 0.47 eV. Questi valori sono molto simili a quelli trovati nei GIT, e questo fatto, insieme alla presenza dell’ativazione del drogante p in dispositivi molto differenti tra loro, conferma l’utilità dello studio di differenti strutture basate sullo stesso materiale per ottenere una maggior conoscenza delle sue performance, possibilità e aspetti affidabilistici.
Cao, Xiao. "Optimization of Bonding Geometry for a Planar Power Module to Minimize Thermal Impedance and Thermo-Mechanical Stress". Diss., Virginia Tech, 2011. http://hdl.handle.net/10919/77252.
Texto completoPh. D.
Libros sobre el tema "Power Electronics Reliability"
Yong, Liu. Power Electronic Packaging: Design, Assembly Process, Reliability and Modeling. Boston, MA: Springer US, 2012.
Buscar texto completoKaboli, Shahriyar. Reliability in power electronics and electrical machines: Industrial applications and performance models. Hershey, PA: Engineering Science Reference, 2016.
Buscar texto completoInternational Conference on Power Quality (2nd 1992 Atlanta). Proceedings: Second International Conference on Power Quality : end-use applications and perspectives-PQA'92. Palo Alto, CA: The Institute, 1994.
Buscar texto completoBenysek, Grzegorz. Power Theories for Improved Power Quality. London: Springer London, 2012.
Buscar texto completoKenichi, Osada y SpringerLink (Online service), eds. Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2011.
Buscar texto completoDing, Steven X. Model-Based Fault Diagnosis Techniques: Design Schemes, Algorithms and Tools. 2a ed. London: Springer London, 2013.
Buscar texto completoL, Edson Jerald, U.S. Nuclear Regulatory Commission. Office of Nuclear Regulatory Research. Division of Engineering Safety. y EG & G Idaho., eds. Nuclear plant aging research: The 1E power system. Washington, D.C: Division of Engineering Safety, Office of Nuclear Regulatory Research, U.S. Nuclear Regulatory Commission, 1990.
Buscar texto completoM, Villaran, Subudhi M, U.S. Nuclear Regulatory Commission. Office of Nuclear Regulatory Research. Division of Engineering. y Brookhaven National Laboratory, eds. Aging assessment of bistables and switches in nuclear power plants. Washington, DC: Division of Engineering, Office of Nuclear Regulatory Research, U.S. Nuclear Regulatory Commission, 1993.
Buscar texto completoJacobus, Mark J. Aging of cables, connections, and electrical penetration assemblies used in nuclear power plants. Washington, DC: Division of Engineering, Office of Nuclear Regulatory Research, U.S. Nuclear Regulatory Commission, 1990.
Buscar texto completoP, Samanta, Brookhaven National Laboratory y U.S. Nuclear Regulatory Commission. Office of Nuclear Regulatory Research. Division of Systems Research., eds. Emergency diesel generator: Maintenance and failure unavailability, and their risk impacts. Washington, DC: U.S. Nuclear Regulatory Commission, 1994.
Buscar texto completoCapítulos de libros sobre el tema "Power Electronics Reliability"
Sheblé, Gerald B. "Renewable Resource Reliability and Availability". En Power Electronics and Power Systems, 91–133. Cham: Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-17190-6_4.
Texto completoMoens, Peter, Aurore Constant y Abhishek Banerjee. "Reliability Aspects of 650-V-Rated GaN Power Devices". En Power Electronics and Power Systems, 319–44. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-43199-4_14.
Texto completoJunlakarn, Siripha y Marija Ilić. "Toward Reconfigurable Smart Distribution Systems for Differentiated Reliability of Service". En Power Electronics and Power Systems, 475–89. Boston, MA: Springer US, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-09736-7_18.
Texto completoParikh, Primit. "Cascode Gallium Nitride HEMTs on Silicon: Structure, Performance, Manufacturing, and Reliability". En Power Electronics and Power Systems, 237–54. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-43199-4_10.
Texto completoZhang, Hongming. "Experiences of Oscillation Detection and Mitigation in Grid Operations at PEAK Reliability". En Power Electronics and Power Systems, 217–56. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-89378-5_9.
Texto completoMa, Ke, Yongheng Yang, Huai Wang y Frede Blaabjerg. "Design for Reliability of Power Electronics in Renewable Energy Systems". En Use, Operation and Maintenance of Renewable Energy Systems, 295–338. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03224-5_9.
Texto completoLiu, Yong. "Power Packaging Typical Reliability and Test". En Power Electronic Packaging, 345–425. New York, NY: Springer New York, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-1053-9_9.
Texto completoBăjenescu, Titu I. y Marius I. Bâzu. "Reliability of silicon power transistors". En Reliability of Electronic Components, 171–96. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-58505-0_5.
Texto completoRoss, R. y G. Koopmans. "Reliability and Degradation of Power Electronic Materials". En Reliability of Organic Compounds in Microelectronics and Optoelectronics, 449–78. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-81576-9_14.
Texto completoAhmad, S. N., U. N. Pandey y K. Natarajan. "Use of Programmable Electronic Systems in Indian Nuclear Power Plants". En Safety and Reliability of Programmable Electronic Systems, 63–73. Dordrecht: Springer Netherlands, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-4317-9_8.
Texto completoActas de conferencias sobre el tema "Power Electronics Reliability"
Bailey, C., T. Tilford y H. Lu. "Reliability Analysis for Power Electronics Modules". En 2007 30th International Spring Seminar on Electronics Technology. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/isse.2007.4432813.
Texto completoBailey, Chris, Hua Lu y Chunyan Yin. "Modelling Reliability of Power Electronics Packaging". En ASME 2009 InterPACK Conference collocated with the ASME 2009 Summer Heat Transfer Conference and the ASME 2009 3rd International Conference on Energy Sustainability. ASMEDC, 2009. http://dx.doi.org/10.1115/interpack2009-89430.
Texto completoAvery, C. R. "Power electronics reliability in rail traction". En IEE Colloquium on Power Electronics Reliability - Promise and Practice (Does it Deliver?). IEE, 1998. http://dx.doi.org/10.1049/ic:19980075.
Texto completoMcCluskey, F. P. y A. Bar-Cohen. "Power electronics thermal packaging and reliability". En 2013 IEEE Transportation Electrification Conference and Expo (ITEC). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/itec.2013.6573464.
Texto completoDeVoto, Douglas y Patrick McCluskey. "Reliable Power Electronics for Wind Turbines". En ASME 2009 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2009. http://dx.doi.org/10.1115/imece2009-11776.
Texto completoKaipia, T., P. Peltoniemi, J. Lassila, P. Salonen y J. Partanen. "Power electronics in SmartGrids - impact on power system reliability". En CIRED Seminar 2008: SmartGrids for Distribution. IEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20080488.
Texto completoLu, H., W. S. Loh, T. Tilford, M. Johnson y C. Bailey. "Reliability of Power Electronic Modules". En ASME 2007 InterPACK Conference collocated with the ASME/JSME 2007 Thermal Engineering Heat Transfer Summer Conference. ASMEDC, 2007. http://dx.doi.org/10.1115/ipack2007-33817.
Texto completoManikam, Vemal Raja, Erik Nino Tolentino, Fadhilah Nurani Ramuhzan, Nik Mohd Tajuddin y Azhar Aripin. "Improving reliability for electronic power modules". En 2014 IEEE 36th International Electronics Manufacturing Technology Conference (IEMT). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/iemt.2014.7123105.
Texto completoBlaabjerg, Frede y Saeed Peyghami. "Reliability of Modern Power Electronic-based Power Systems". En 2021 23rd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'21 ECCE Europe). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.23919/epe21ecceeurope50061.2021.9570595.
Texto completoWang, Huai, Ke Ma y Frede Blaabjerg. "Design for reliability of power electronic systems". En IECON 2012 - 38th Annual Conference of IEEE Industrial Electronics. IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/iecon.2012.6388833.
Texto completoInformes sobre el tema "Power Electronics Reliability"
Smith, Mark A. y Stanley Atcitty. Power electronics reliability analysis. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), diciembre de 2009. http://dx.doi.org/10.2172/986591.
Texto completo