Literatura académica sobre el tema "Plasma Chemistry - SiH4"
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Artículos de revistas sobre el tema "Plasma Chemistry - SiH4"
Orlicki, Dariusz, Vladimir Hlavacek y Hendrik J. Viljoen. "Modeling of a–Si:H deposition in a dc glow discharge reactor". Journal of Materials Research 7, n.º 8 (agosto de 1992): 2160–81. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.2160.
Texto completoSchram, Daniel C. "Plasma processing and chemistry". Pure and Applied Chemistry 74, n.º 3 (1 de enero de 2002): 369–80. http://dx.doi.org/10.1351/pac200274030369.
Texto completoNakayama, Yoshikazu, Kazuo Wakimura, Seiki Takahashi, Hideki Kita y Takao Kawamura. "Plasma deposition of aSi:H:F films from SiH2F2 and SiF4SiH4". Journal of Non-Crystalline Solids 77-78 (diciembre de 1985): 797–800. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(85)90780-x.
Texto completoPark, Hwanyeol y Ho Jun Kim. "Theoretical Analysis of Si2H6 Adsorption on Hydrogenated Silicon Surfaces for Fast Deposition Using Intermediate Pressure SiH4 Capacitively Coupled Plasma". Coatings 11, n.º 9 (29 de agosto de 2021): 1041. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11091041.
Texto completoKim, Ho Jun. "Importance of Dielectric Elements for Attaining Process Uniformity in Capacitively Coupled Plasma Deposition Reactors". Coatings 12, n.º 4 (28 de marzo de 2022): 457. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12040457.
Texto completoMilne, S. B., Y. Q. Fu, J. K. Luo, A. J. Flewitt, S. Pisana, A. Fasoli y W. I. Milne. "Stress and Crystallization of Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Nanocrystalline Silicon Films". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, n.º 5 (1 de mayo de 2008): 2693–98. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.629.
Texto completoYuuki, Akimasa, Takaaki Kawahara, Yasuji Matsui y Kunihide Tachibana. "A Study of Film Precursors in SiH4 Plasma-Enhanced CVD." KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU 17, n.º 4 (1991): 758–67. http://dx.doi.org/10.1252/kakoronbunshu.17.758.
Texto completoJo, Sanghyun, Suik Kang, Kyungjun Lee y Ho Jun Kim. "Helium Metastable Distributions and Their Effect on the Uniformity of Hydrogenated Amorphous Silicon Depositions in He/SiH4 Capacitively Coupled Plasmas". Coatings 12, n.º 9 (15 de septiembre de 2022): 1342. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12091342.
Texto completoKim, Dong-Joo y Kyo-Seon Kim. "Effect of pulse modulation on particle growth during SiH4 plasma process". Korean Journal of Chemical Engineering 25, n.º 4 (julio de 2008): 939–46. http://dx.doi.org/10.1007/s11814-008-0153-8.
Texto completoThang, Doan Ha, Hiroshi Muta y Yoshinobu Kawai. "Investigation of plasma parameters in 915 MHz ECR plasma with SiH4/H2 mixtures". Thin Solid Films 516, n.º 13 (mayo de 2008): 4452–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.10.099.
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