Artículos de revistas sobre el tema "Photodiode avalanche"
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Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Vasyl’ev A. P., Blokhin S. A., Troshkov S.I., Nashchekin A.V. et al. "Mushroom mesa structure for InAlAs-InGaAs avalanche photodiodes". Technical Physics Letters 48, n.º 14 (2022): 28. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939.
Texto completoGiggenbach, Dirk. "Free-Space Optical Data Receivers with Avalanche Detectors for Satellite Downlinks Regarding Background Light". Sensors 22, n.º 18 (7 de septiembre de 2022): 6773. http://dx.doi.org/10.3390/s22186773.
Texto completoАруев, П. Н., В. П. Белик, В. В. Забродский, Е. М. Круглов, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов y Е. В. Шерстнев. "Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120-170 nm". Журнал технической физики 90, n.º 8 (2020): 1386. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.08.49552.44-20.
Texto completoAruev P. N., Belik V. P., Blokhin A. A., Zabrodskii V. V., Nikolaev A. V., Sakharov V. I., Serenkov I. T., Filimonov V. V. y Sherstnev E. V. "In memoriam of E.M. Kruglov and V.V. Filimonov Quantum yield of an avalanche silicon photodiode in the 114-170 and 210-1100 nm wavelength ranges". Technical Physics Letters 48, n.º 3 (2022): 3. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.03.52871.19026.
Texto completoDeeb, Hazem, Kristina Khomyakova, Andrey Kokhanenko, Rahaf Douhan y Kirill Lozovoy. "Dependence of Ge/Si Avalanche Photodiode Performance on the Thickness and Doping Concentration of the Multiplication and Absorption Layers". Inorganics 11, n.º 7 (15 de julio de 2023): 303. http://dx.doi.org/10.3390/inorganics11070303.
Texto completoSingh, Anand y Ravinder Pal. "Infrared Avalanche Photodiode Detectors". Defence Science Journal 67, n.º 2 (14 de marzo de 2017): 159. http://dx.doi.org/10.14429/dsj.67.11183.
Texto completoPauchard, A., P. A. Besse, M. Bartek, R. F. Wolffenbuttel y R. S. Popovic. "Ultraviolet-selective avalanche photodiode". Sensors and Actuators A: Physical 82, n.º 1-3 (mayo de 2000): 128–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0924-4247(99)00326-x.
Texto completoHobbs, Matthew James y Jon R. Willmott. "InGaAs avalanche photodiode thermometry". Measurement Science and Technology 31, n.º 1 (25 de octubre de 2019): 014005. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6501/ab41c6.
Texto completoLevi, Barbara Goss. "High‐Gain Avalanche Photodiode". Physics Today 50, n.º 4 (abril de 1997): 21–22. http://dx.doi.org/10.1063/1.881723.
Texto completoCao, Ye, Tarick Blain, Jonathan D. Taylor-Mew, Longyan Li, Jo Shien Ng y Chee Hing Tan. "Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region". Applied Physics Letters 122, n.º 5 (30 de enero de 2023): 051103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0139495.
Texto completoSousa, Ana, Rafael Pinto, Bruno Couto, Beltran Nadal, Hugo Onderwater, Paulo Gordo, Manuel Abreu, Rui Melicio y Patrick Michel. "Breadboard of Microchip and Avalanche Photodiode in Linear and Geiger Mode for LiDAR Applications". Journal of Physics: Conference Series 2526, n.º 1 (1 de junio de 2023): 012118. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2526/1/012118.
Texto completoRen, Min, Scott Maddox, Yaojia Chen, Madison Woodson, Joe C. Campbell y Seth Bank. "AlInAsSb/GaSb staircase avalanche photodiode". Applied Physics Letters 108, n.º 8 (22 de febrero de 2016): 081101. http://dx.doi.org/10.1063/1.4942370.
Texto completoWoodson, Madison E., Min Ren, Scott J. Maddox, Yaojia Chen, Seth R. Bank y Joe C. Campbell. "Low-noise AlInAsSb avalanche photodiode". Applied Physics Letters 108, n.º 8 (22 de febrero de 2016): 081102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4942372.
Texto completoBatra, S., A. Lahiri y P. Chakrabarti. "InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode". Electronics Letters 24, n.º 15 (1988): 964. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880657.
Texto completoHuang, Mengyuan, Su Li, Pengfei Cai, Guanghui Hou, Tzung-I. Su, Wang Chen, Ching-yin Hong y Dong Pan. "Germanium on Silicon Avalanche Photodiode". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 24, n.º 2 (marzo de 2018): 1–11. http://dx.doi.org/10.1109/jstqe.2017.2749958.
Texto completoLi, Bin, Xiaohong Yang, Weihong Yin, Qianqian Lü, Rong Cui y Qin Han. "A high-speed avalanche photodiode". Journal of Semiconductors 35, n.º 7 (julio de 2014): 074009. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/35/7/074009.
Texto completoKagawa, T., Y. Kawamura y H. Iwamura. "InGaAsP/InAlAs superlattice avalanche photodiode". IEEE Journal of Quantum Electronics 28, n.º 6 (junio de 1992): 1419–23. http://dx.doi.org/10.1109/3.135291.
Texto completoBeck, J., C. Wan, M. Kinch, J. Robinson, P. Mitra, R. Scritchfield, F. Ma y J. Campbell. "The HgCdTe electron avalanche photodiode". Journal of Electronic Materials 35, n.º 6 (junio de 2006): 1166–73. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-006-0237-3.
Texto completoNada, Masahiro, Fumito Nakajima, Toshihide Yoshimatsu, Yasuhiko Nakanishi, Atsushi Kanda, Takahiko Shindo, Shoko Tatsumi, Hideaki Matsuzaki y Kimikazu Sano. "Inverted p-down Design for High-Speed Photodetectors". Photonics 8, n.º 2 (4 de febrero de 2021): 39. http://dx.doi.org/10.3390/photonics8020039.
Texto completoGulakov, I. R., A. O. Zenevich, O. V. Kochergina y T. A. Matkovskaia. "Study of the characteristics of germanium avalanche photodiodes in the photon counting mode". Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series 67, n.º 2 (2 de julio de 2022): 222–29. http://dx.doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-2-222-229.
Texto completoBuchner, Andre, Stefan Hadrath, Roman Burkard, Florian M. Kolb, Jennifer Ruskowski, Manuel Ligges y Anton Grabmaier. "Analytical Evaluation of Signal-to-Noise Ratios for Avalanche- and Single-Photon Avalanche Diodes". Sensors 21, n.º 8 (20 de abril de 2021): 2887. http://dx.doi.org/10.3390/s21082887.
Texto completode Sousa, Ana, Rafael Pinto, Bruno Couto, Beltran Nadal, Hugo Onderwater, Paulo Gordo, Manuel Abreu, Rui Melicio y Patrick Michel. "Breadboard of Microchip Laser and Avalanche Photodiode in Geiger and Linear Mode for LiDAR Applications". Applied Sciences 13, n.º 9 (3 de mayo de 2023): 5631. http://dx.doi.org/10.3390/app13095631.
Texto completoSadigov, A. Z., F. I. Ahmadov, Z. Y. Sadygov, G. S. Ahmadov, D. Berikov, M. Holik, A. Mammadli et al. "Improvement of parameters of micro-pixel avalanche photodiodes". Journal of Instrumentation 17, n.º 07 (1 de julio de 2022): P07021. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/07/p07021.
Texto completoPham, Dinh Khang, Tien Hung Dinh, Kim Chien Dinh, Van Hiep Cao, Xuan Hai Nguyen y Ngoc Anh Nguyen. "Designing and setting up the scintillationdetector using CsI(Tl) crystals and avalanche photodiode for gamma-ray measurement". Ministry of Science and Technology, Vietnam 63, n.º 3 (30 de marzo de 2021): 46–49. http://dx.doi.org/10.31276/vjst.63(3).46-49.
Texto completoYin Liju, 尹丽菊, 陈钱 Chen Qian y 张灿林 Zhang Canlin. "Spectral Response Characterization of Avalanche photodiode". Laser & Optoelectronics Progress 47, n.º 11 (2010): 111101. http://dx.doi.org/10.3788/lop47.111101.
Texto completoLi, Kejia, Han-Din Liu, Qiugui Zhou, Dion McIntosh y Joe C. Campbell. "SiC avalanche photodiode array with microlenses". Optics Express 18, n.º 11 (18 de mayo de 2010): 11713. http://dx.doi.org/10.1364/oe.18.011713.
Texto completoMcIntyre, R. J. "Comment: InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode". Electronics Letters 24, n.º 22 (1988): 1399. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880957.
Texto completoBatra, S., A. Lahiri y P. Chakrabarti. "Reply: InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode". Electronics Letters 24, n.º 22 (1988): 1399. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880958.
Texto completoBrennan, K. "Theory of the channeling avalanche photodiode". IEEE Transactions on Electron Devices 32, n.º 11 (noviembre de 1985): 2467–78. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1985.22296.
Texto completoCadorette, J., S. Rodrigue y R. Lecomte. "Tuning of avalanche photodiode PET camera". IEEE Transactions on Nuclear Science 40, n.º 4 (agosto de 1993): 1062–66. http://dx.doi.org/10.1109/23.256713.
Texto completoGramsch, E., M. Szawlowski, S. Zhang y M. Madden. "Fast, high density avalanche photodiode array". IEEE Transactions on Nuclear Science 41, n.º 4 (1994): 762–66. http://dx.doi.org/10.1109/23.322803.
Texto completoBlazej, Josef, Ivan Prochazka, Karel Hamal, Bruno Sopko y Dominik Chren. "Gallium-based avalanche photodiode optical crosstalk". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 567, n.º 1 (noviembre de 2006): 239–41. http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2006.05.100.
Texto completoOlyaee, Saeed, Mohammad Soroosh y Mahdieh Izadpanah. "Transfer matrix modeling of avalanche photodiode". Frontiers of Optoelectronics 5, n.º 3 (31 de julio de 2012): 317–21. http://dx.doi.org/10.1007/s12200-012-0266-x.
Texto completoSingh, Anand, A. K. Shukla y Ravinder Pal. "HgCdTe e-avalanche photodiode detector arrays". AIP Advances 5, n.º 8 (agosto de 2015): 087172. http://dx.doi.org/10.1063/1.4929773.
Texto completoRamirez, David A., Jiayi Shao, Majeed M. Hayat y Sanjay Krishna. "Midwave infrared quantum dot avalanche photodiode". Applied Physics Letters 97, n.º 22 (29 de noviembre de 2010): 221106. http://dx.doi.org/10.1063/1.3520519.
Texto completoMarshall, G. F., J. C. Jackson, J. Denton, P. K. Hurley, O. Braddell y A. Mathewson. "Avalanche Photodiode-Based Active Pixel Imager". IEEE Transactions on Electron Devices 51, n.º 3 (marzo de 2004): 509–11. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2003.823051.
Texto completoAndo, H. y H. Kanbe. "Effect of avalanche build-up time on avalanche photodiode sensitivity". IEEE Journal of Quantum Electronics 21, n.º 3 (marzo de 1985): 251–55. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.1985.1072646.
Texto completoSuzuki, Shingo, Naoto Namekata, Kenji Tsujino y Shuichiro Inoue. "Highly enhanced avalanche probability using sinusoidally-gated silicon avalanche photodiode". Applied Physics Letters 104, n.º 4 (27 de enero de 2014): 041105. http://dx.doi.org/10.1063/1.4861645.
Texto completoAristin, P., A. Torabi, A. K. Garrison, H. M. Harris y C. J. Summers. "New doped multiple‐quantum‐well avalanche photodiode: The doped barrier Al0.35Ga0.65As/GaAs multiple‐quantum‐well avalanche photodiode". Applied Physics Letters 60, n.º 1 (6 de enero de 1992): 85–87. http://dx.doi.org/10.1063/1.107383.
Texto completoBlazej, J. y I. Prochazka. "Avalanche dynamics in silicon avalanche single- and few-photon sensitive photodiode". Journal of Physics: Conference Series 193 (1 de noviembre de 2009): 012041. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/193/1/012041.
Texto completoАруев, П. Н., В. П. Белик, А. А. Блохин, В. В. Забродский, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов y Е. В. Шерстнев. "Памяти Е.М. Круглова и Филимонова В.В. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазонах длин волн 114-170 и 210-1100 nm". Письма в журнал технической физики 48, n.º 5 (2022): 3. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.05.52146.19026.
Texto completoKang, Jong-Ik, Hyuk-Kee Sung, Hyungtak Kim, Eugene Chong y Ho-Young Cha. "Diode quenching for Geiger mode avalanche photodiode". IEICE Electronics Express 15, n.º 9 (2018): 20180062. http://dx.doi.org/10.1587/elex.15.20180062.
Texto completoBielecki, Z. "Photoreceiver with avalanche C-30645 E photodiode". IEE Proceedings - Optoelectronics 147, n.º 4 (1 de agosto de 2000): 234–36. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20000592.
Texto completoCsutak, S. M., J. Mogab, J. C. Campbell, S. Wang y J. D. Schaub. "Integrated silicon optical receiver with avalanche photodiode". IEE Proceedings - Optoelectronics 150, n.º 3 (1 de junio de 2003): 235–37. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20030391.
Texto completoLevine, B. F., R. N. Sacks, J. Ko, M. Jazwiecki, J. A. Valdmanis, D. Gunther y J. H. Meier. "A New Planar InGaAs–InAlAs Avalanche Photodiode". IEEE Photonics Technology Letters 18, n.º 18 (septiembre de 2006): 1898–900. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2006.881684.
Texto completoSadygov, Z., A. Ol’shevskii, N. Anfimov, T. Bokova, A. Dovlatov, V. Zhezher, Z. Krumshtein et al. "Microchannel avalanche photodiode with broad linearity range". Technical Physics Letters 36, n.º 6 (junio de 2010): 528–30. http://dx.doi.org/10.1134/s106378501006012x.
Texto completoLiu, Han-Din, Xiaoguang Zheng, Qiugui Zhou, Xiaogang Bai, Dion C. Mcintosh y Joe C. Campbell. "Double Mesa Sidewall Silicon Carbide Avalanche Photodiode". IEEE Journal of Quantum Electronics 45, n.º 12 (diciembre de 2009): 1524–28. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2009.2022046.
Texto completoAbautret, J., J. P. Perez, A. Evirgen, J. Rothman, A. Cordat y P. Christol. "Characterization of midwave infrared InSb avalanche photodiode". Journal of Applied Physics 117, n.º 24 (28 de junio de 2015): 244502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4922977.
Texto completoSingh, Anand, A. K. Shukla y Ravinder Pal. "Performance of Graded Bandgap HgCdTe Avalanche Photodiode". IEEE Transactions on Electron Devices 64, n.º 3 (marzo de 2017): 1146–52. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2650412.
Texto completoKirn, Th, D. Schmitz, J. Schwenke, Th Flügel, D. Renker y H. P. Wirtz. "Wavelength dependence of avalanche photodiode (APD) parameters". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 387, n.º 1-2 (marzo de 1997): 202–4. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-9002(96)00990-4.
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