Artículos de revistas sobre el tema "Negative electron affinity (NEA)"
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Malta, D. P., J. B. Posthill, T. P. Humphreys y R. J. Markunas. "Interpretation of secondary electron contrast from negative electron affinity diamond surfaces". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13 de agosto de 1995): 120–21. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100136970.
Texto completoXIE, AI-GEN, YANG YU, YA-YI CHEN, YU-QING XIA y HAO-YU LIU. "THEORETICAL RESEARCH OF SECONDARY ELECTRON EMISSION FROM NEGATIVE ELECTRON AFFINITY SEMICONDUCTORS". Surface Review and Letters 26, n.º 04 (mayo de 2019): 1850181. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x18501810.
Texto completoKashima, M., S. Ishiyama, D. Sato, A. Koizumi, H. Iijima, T. Nishitani, Y. Honda, H. Amano y T. Meguro. "Adsorption structure deteriorating negative electron affinity under the H2O environment". Applied Physics Letters 121, n.º 18 (31 de octubre de 2022): 181601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0125344.
Texto completoYasuda, Hidehiro, Tomohiro Nishitani, Shuhei Ichikawa, Shuhei Hatanaka, Yoshio Honda y Hiroshi Amano. "Development of Pulsed TEM Equipped with Nitride Semiconductor Photocathode for High-Speed Observation and Material Nanofabrication". Quantum Beam Science 5, n.º 1 (1 de febrero de 2021): 5. http://dx.doi.org/10.3390/qubs5010005.
Texto completoFeigl, C. A., B. Motevalli, A. J. Parker, B. Sun y A. S. Barnard. "Classifying and predicting the electron affinity of diamond nanoparticles using machine learning". Nanoscale Horizons 4, n.º 4 (2019): 983–90. http://dx.doi.org/10.1039/c9nh00060g.
Texto completoKoizumi, Atsushi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima y Tomohiro Nishitani. "Dependence of electron emission current density on excitation power density from Cs/O-activated negative electron affinity InGaN photocathode". Journal of Vacuum Science & Technology B 40, n.º 6 (diciembre de 2022): 062202. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002124.
Texto completoINAGAKI, Yuta, Kazuya HAYASE, Ryosuke CHIBA, Hokuto IIJIMA y Takashi MEGURO. "Contribution of Treatment Temperature on Quantum Efficiency of Negative Electron Affinity (NEA)-GaAs". IEICE Transactions on Electronics E99.C, n.º 3 (2016): 371–75. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e99.c.371.
Texto completoCai, Zhi Peng, Wen Zheng Yang, Wei Dong Tang y Xun Hou. "Theoretical Energy Distributions of Electrons from a Large Exponential-Doping GaAs Photocathode". Advanced Materials Research 415-417 (diciembre de 2011): 1302–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.415-417.1302.
Texto completoYater, J. E. "Secondary electron emission and vacuum electronics". Journal of Applied Physics 133, n.º 5 (7 de febrero de 2023): 050901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0130972.
Texto completoBae, Jai Kwan, Matthew Andorf, Adam Bartnik, Alice Galdi, Luca Cultrera, Jared Maxson y Ivan Bazarov. "Operation of Cs–Sb–O activated GaAs in a high voltage DC electron gun at high average current". AIP Advances 12, n.º 9 (1 de septiembre de 2022): 095017. http://dx.doi.org/10.1063/5.0100794.
Texto completoGuo, Jing, Ming Zhu Yang y Mei Shan Wang. "Theoretical Study on Absorption Properties of InxGa1-xAs with Different in Component". Applied Mechanics and Materials 423-426 (septiembre de 2013): 439–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.423-426.439.
Texto completoTereshchenko, Oleg E., Vladimir A. Golyashov, Vadim S. Rusetsky, Andrey V. Mironov, Alexander Yu Demin y Vladimir V. Aksenov. "A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect". Journal of Synchrotron Radiation 28, n.º 3 (30 de marzo de 2021): 864–75. http://dx.doi.org/10.1107/s1600577521002307.
Texto completoTereshchenko, Oleg E., Vladimir A. Golyashov, Vadim S. Rusetsky, Danil A. Kustov, Andrey V. Mironov y Alexander Yu Demin. "Vacuum Spin LED: First Step towards Vacuum Semiconductor Spintronics". Nanomaterials 13, n.º 3 (19 de enero de 2023): 422. http://dx.doi.org/10.3390/nano13030422.
Texto completoXia, Sihao, Lei Liu, Honggang Wang, Meishan Wang y Yike Kong. "Theoretical study for heterojunction surface of NEA GaN photocathode dispensed with Cs activation". Modern Physics Letters B 30, n.º 26 (30 de septiembre de 2016): 1650339. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984916503395.
Texto completoWang, Huan, Jiajun Linghu, Pengfei Zou, Xuezhi Wang, Hao Shen y Bingru Hai. "Theoretical Study on the Photoemission Performance of a Transmission Mode In0.15Ga0.85As Photocathode in the Near-Infrared Region". Molecules 28, n.º 13 (7 de julio de 2023): 5262. http://dx.doi.org/10.3390/molecules28135262.
Texto completoSchaber, Jana, Rong Xiang, Jochen Teichert, André Arnold, Petr Murcek, Paul Zwartek, Anton Ryzhov et al. "Influence of Surface Cleaning on Quantum Efficiency, Lifetime and Surface Morphology of p-GaN:Cs Photocathodes". Micromachines 13, n.º 6 (29 de mayo de 2022): 849. http://dx.doi.org/10.3390/mi13060849.
Texto completoSanford, Colin A. "Electron optical characteristics of negative electron affinity cathodes". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 6, n.º 6 (noviembre de 1988): 2005. http://dx.doi.org/10.1116/1.584118.
Texto completoMcKenna, Keith P. y Alexander L. Shluger. "Electron-trapping polycrystalline materials with negative electron affinity". Nature Materials 7, n.º 11 (12 de octubre de 2008): 859–62. http://dx.doi.org/10.1038/nmat2289.
Texto completoYamada, Takatoshi, Kap-soon Chang, Ken Okano y Akio Hiraki. "Electron emission from diamond having negative electron affinity". Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics) 81, n.º 11 (noviembre de 1998): 54–64. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1520-6432(199811)81:11<54::aid-ecjb7>3.0.co;2-2.
Texto completoYamada, Takatoshi, Kap-soon Chang, Ken Okano y Akio Hiraki. "Electron emission from diamond having negative electron affinity". Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics) 82, n.º 8 (agosto de 1999): 42–52. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1520-6432(199908)82:8<42::aid-ecjb6>3.0.co;2-k.
Texto completoBakin, V. V., A. A. Pakhnevich, A. G. Zhuravlev, A. N. Shornikov, I. O. Akhundov, O. E. Tereshechenko, V. L. Alperovich, H. E. Scheibler y A. S. Terekhov. "Semiconductor surfaces with negative electron affinity". e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 5 (2007): 80–88. http://dx.doi.org/10.1380/ejssnt.2007.80.
Texto completoGuo, Tailiang y Huairong Gao. "Negative electron affinity multi-alkali photocathodes". Applied Surface Science 70-71 (junio de 1993): 355–58. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(93)90457-m.
Texto completoVergara, G., A. Herrera-Gómez y W. E. Spicer. "Calculated electron energy distribution of negative electron affinity cathodes". Surface Science 436, n.º 1-3 (agosto de 1999): 83–90. http://dx.doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00612-3.
Texto completoChang, Benkang. "Gradient-doping negative electron affinity GaAs photocathodes". Optical Engineering 45, n.º 5 (1 de mayo de 2006): 054001. http://dx.doi.org/10.1117/1.2205171.
Texto completoZou, Jijun, Xiaowan Ge, Yijun Zhang, Wenjuan Deng, Zhifu Zhu, Weilu Wang, Xincun Peng, Zhaoping Chen y Benkang Chang. "Negative electron affinity GaAs wire-array photocathodes". Optics Express 24, n.º 5 (24 de febrero de 2016): 4632. http://dx.doi.org/10.1364/oe.24.004632.
Texto completoKrainsky, I. L. y V. M. Asnin. "Negative electron affinity mechanism for diamond surfaces". Applied Physics Letters 72, n.º 20 (18 de mayo de 1998): 2574–76. http://dx.doi.org/10.1063/1.121422.
Texto completoWilliams, M. D., M. D. Feuer, S. C. Shunk, N. J. Sauer y T. Y. Chang. "Negative electron affinity based vacuum collector transistor". Journal of Applied Physics 71, n.º 6 (15 de marzo de 1992): 3042–44. http://dx.doi.org/10.1063/1.350990.
Texto completoLoh, Kian Ping, Isao Sakaguchi, Mikka Nishitani-Gamo, Takashi Taniguchi y Toshihiro Ando. "Negative electron affinity of cubic boron nitride". Diamond and Related Materials 8, n.º 2-5 (marzo de 1999): 781–84. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-9635(98)00293-3.
Texto completoTakeuchi, D., S. G. Ri, H. Kato, C. E. Nebel y S. Yamasaki. "Negative electron affinity on hydrogen terminated diamond". physica status solidi (a) 202, n.º 11 (septiembre de 2005): 2098–103. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200561927.
Texto completoGhani, Muhammad Usman, M. Imran Jamil, Afaq Ahmad y Saad Tariq. "Electron affinity measurement of hydrogen negative ion". Pakistan Journal of Emerging Science and Technologies (PJEST) 4, n.º 2 (15 de mayo de 2023): 1–8. http://dx.doi.org/10.58619/pjest.v4i2.101.
Texto completoSantos, Edval J. P. "Integration of microstructures onto negative electron affinity cathodes: Fabrication and operation of an addressable negative electron affinity cathode". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 11, n.º 6 (noviembre de 1993): 2362. http://dx.doi.org/10.1116/1.586987.
Texto completoSchneider, J. E. "Patterned negative electron affinity photocathodes for maskless electron beam lithography". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 16, n.º 6 (noviembre de 1998): 3192. http://dx.doi.org/10.1116/1.590349.
Texto completoXie, Ai-Gen, Zheng Pan, Hong-Jie Dong y Chen-Nan Song. "Secondary electron emission from insulators and negative electron affinity semiconductors". Results in Physics 20 (enero de 2021): 103745. http://dx.doi.org/10.1016/j.rinp.2020.103745.
Texto completoGao, Huairong y Qing-Bin Lu. "Investigation of electron emission stability of negative electron affinity cathodes". Vacuum 41, n.º 7-9 (enero de 1990): 1753–55. http://dx.doi.org/10.1016/0042-207x(90)94076-3.
Texto completoLi, Jieru, Daniel Niesner y Thomas Fauster. "Negative electron affinity of adamantane on Cu(111)". Journal of Physics: Condensed Matter 33, n.º 13 (25 de enero de 2021): 135001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/abd99a.
Texto completoQiao Jian-Liang, Tian Si, Chang Ben-Kang, Du Xiao-Qing y Gao Pin. "Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode". Acta Physica Sinica 58, n.º 8 (2009): 5847. http://dx.doi.org/10.7498/aps.58.5847.
Texto completoDu Xiaoqing, 杜晓晴, 常本康 Chang Benkang, 钱芸生 Qian Yunsheng, 富容国 Fu Rongguo, 高频 Gao Pin y 乔建良 Qiao Jianliang. "Activation Technique of GaN Negative Electron Affinity Photocathode". Chinese Journal of Lasers 37, n.º 2 (2010): 385–88. http://dx.doi.org/10.3788/cjl20103702.0385.
Texto completoGuo Xiangyang, 郭向阳, 王晓晖 Wang Xiaohui, 常本康 Chang Benkang, 张益军 Zhang Yijun y 乔建良 Qiao Jianliang. "Preparation Technique of Negative-Electron-Affinity GaN Photocathode". Acta Optica Sinica 31, n.º 2 (2011): 0219003. http://dx.doi.org/10.3788/aos201131.0219003.
Texto completoSedlacek, J. A., E. Kim, S. T. Rittenhouse, P. F. Weck, H. R. Sadeghpour y J. P. Shaffer. "Rb adsorbate-induced negative electron affinity on quartz". Journal of Physics: Conference Series 875 (julio de 2017): 112014. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/875/12/112014.
Texto completoGao, Xingyu, Lei Liu, Dongchen Qi, Shi Chen, A. T. S. Wee, Ti Ouyang, Kian Ping Loh, Xiaojiang Yu y Herbert O. Moser. "Water-Induced Negative Electron Affinity on Diamond (100)". Journal of Physical Chemistry C 112, n.º 7 (febrero de 2008): 2487–91. http://dx.doi.org/10.1021/jp0726337.
Texto completoLiu, Zhi, Yun Sun, P. Pianetta y R. F. W. Pease. "Narrow cone emission from negative electron affinity photocathodes". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 23, n.º 6 (2005): 2758. http://dx.doi.org/10.1116/1.2101726.
Texto completoSanford, Colin A. "Electron emission properties of laser pulsed GaAs negative electron affinity photocathodes". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 8, n.º 6 (noviembre de 1990): 1853. http://dx.doi.org/10.1116/1.585172.
Texto completoBandis, C. y B. B. Pate. "Electron Emission Due to Exciton Breakup from Negative Electron Affinity Diamond". Physical Review Letters 74, n.º 5 (30 de enero de 1995): 777–80. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.74.777.
Texto completoOhshima, Takashi y Makoto Kudo. "Electron Beam Brightness from Negative-Electron-Affinity Photocathodes for Scanning Electron Microscopy Application". Japanese Journal of Applied Physics 43, n.º 12 (9 de diciembre de 2004): 8335–40. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.43.8335.
Texto completoQIAO Jian-liang, 乔建良, 徐源 XU Yuan, 高有堂 GAO You-tang, 牛军 NIU Jun y 常本康 CHANG Ben-kang. "Cs Adsorption Mechanism for Negative Electron Affinity GaN Photocathode". ACTA PHOTONICA SINICA 45, n.º 4 (2016): 425001. http://dx.doi.org/10.3788/gzxb20164504.0425001.
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Texto completoGuo-xin, Chen, P. P. Ong y Lin Ting. "DFT approach for electron affinity of negative atomic ions". Chemical Physics Letters 290, n.º 1-3 (junio de 1998): 211–15. http://dx.doi.org/10.1016/s0009-2614(98)00552-1.
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