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Libros sobre el tema "MOSFETs"

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Autor: Grafiati
Publicado: 4 de junio de 2021
Última modificación: 21 de febrero de 2023

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1

Limited, Ferranti Electronics. Mosfets. Chadderton: Ferranti Electronics Ltd, 1987.

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2

Zetex. Mosfets. Chadderton: Zetex, 1992.

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3

(Firm), Harris Semiconductor. Power MOSFETs: Buffered MOSFETs, intelligent discretes. Melbourne, Florida: Harris Semiconductor, 1994.

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4

Baliga, Jayant. Silicon RF power MOSFETs. Singapore: World Scientific, 2005.

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5

Silicon RF power MOSFETS. Singapore: World Scientific, 2005.

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6

Gimenez, Salvador Pinillos. Layout Techniques for MOSFETS. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-02031-5.

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7

Korec, Jacek. Low Voltage Power MOSFETs. New York, NY: Springer New York, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-9320-5.

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8

Amberetu, Mathew Atekwana. Lateral superjunction power MOSFETs. Ottawa: National Library of Canada, 2001.

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9

Corporation, Toshiba. Power MOSFETs: SMD, high-voltage. Tokyo: Toshiba Corporation, 1992.

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10

Haddara, Hisham, ed. Characterization Methods for Submicron MOSFETs. Boston, MA: Springer US, 1996. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-1355-7.

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11

Liou, J. J., A. Ortiz-Conde y F. Garcia-Sanchez. Analysis and Design of Mosfets. Boston, MA: Springer US, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5415-8.

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12

1945-, Gowar John, ed. Power MOSFETS: Theory and applications. New York: Wiley, 1989.

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13

Haddara, Hisham. Characterization Methods for Submicron MOSFETs. Boston, MA: Springer US, 1996.

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14

T, Andre Noah y Simon Lucas M, eds. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.

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15

Grattarola, Massimo. Bioelectronics handbook: MOSFETs, biosensors, and neurons. New York: McGraw-Hill, 1998.

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16

Oktyabrsky, Serge y Peide D. Ye. Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs. New York: Springer, 2010.

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17

Sverdlov, Viktor. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs. Vienna: Springer Vienna, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-0382-1.

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18

Oktyabrsky, Serge y Peide Ye, eds. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. Boston, MA: Springer US, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-1547-4.

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19

Sverdlov, Viktor. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs. Vienna: Springer-Verlag/Wien, 2011.

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20

Groves, N. High speed drive circuits for power MOSFETs. Leatherhead: ERA Technology, 1989.

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21

(Firm), Harris Semiconductor. Power MOSFETS for commercial and high reliability applications. Melbourne, Florida: Harris Semiconductor, 1991.

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22

Korec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.

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23

Wilson, C. L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.

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24

Nassif-Khalil, Sameh G. CMOS-compatible power MOSFETs for on-chip DC/DC converters. Ottawa: National Library of Canada, 2000.

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25

Jürgen, Mattausch Hans y Ezaki Tatsuya, eds. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.

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26

Bufler, Fabian M. Full-band Monte Carlo simulation of nanoscale strained silicon MOSFETs. Konstanz: Hartung-Gorre, 2003.

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27

Liou, Juin J. Analysis and design of MOSFETs: Modeling, simulation, and parameter extraction. Boston, MA: Kluwer Academic Publishers, 1998.

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28

Liou, J. J. Analysis and Design of Mosfets: Modeling, Simulation and Parameter Extraction. Boston, MA: Springer US, 1998.

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29

Hatch, John J. Electronics for technicians: Troubleshooting and applications : BJTs, FETs, and MOSFETs. New York, N.Y: Glencoe/McGraw-Hill, 1995.

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30

Wilson, Charles L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Washington: National Bureau of Standards, 1985.

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31

L, Wilson C. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.

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32

Dyke, David William. Binary particle interactions and their role in short channel mosfets. Birmingham: University of Birmingham, 1997.

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33

Soclof, Sidney. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS): Principles and applications. Boston: Artech House, 1996.

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34

Karavolas, Vassilios C. Low dimensional electron transport in GaAs/AlGaAs heterojunctions and Si MOSFETs. [s.l.]: typescript, 1990.

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35

Franco, Jacopo, Ben Kaczer y Guido Groeseneken. Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications. Dordrecht: Springer Netherlands, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-007-7663-0.

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36

Smith, Mark John. Low temperature phonon-drag thermoelectric power calculations in GaAs/GaAlAs heterojunctions and Si MOSFETs. [s.l.]: typescript, 1989.

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37

Taylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.

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38

Motorola. Power mosfet transistor data. 4a ed. (s.l.): Motorola, 1989.

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39

Baliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.

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40

Motorola. Power MOSFET transistor data. (s.l.): Motorola, 1988.

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41

Warner, R. M. MOSFET theory and design. New York: Oxford University Press, 1999.

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42

Baliga, B. Jayant. Advanced Power MOSFET Concepts. Boston, MA: Springer US, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-5917-1.

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43

Kulkarni, Shukla Purushottam. Subthreshold modelling of the MOSFET. Birmingham: University of Birmingham, 1995.

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44

Cheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.

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45

Cheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. New York: Kluwer Academic Publishers, 2002.

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46

Chenming, Hu, ed. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.

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47

Ganley, M. D. Two dimensional simulation of a mosfet. Manchester: UMIST, 1994.

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48

Motorola. TMOS power MOSFET transistor device data. 6a ed. Phoenix, AZ: Motorola, 1996.

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49

Arora, Narain. MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation. Vienna: Springer Vienna, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-9247-4.

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50

Bhattacharyya, A. B. Compact MOSFET models for VSLI design. Singapore: Wiley, 2009.

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